「data cells」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

Each of a plurality of memory cells of a semiconductor memory has a nonvolatile memory element and a volatile memory element connected to this nonvolatile memory element, the nonvolatile memory element is connected to one of a pair of data transfer lines, and the volatile memory element is connected to the other of the pair of data transfer lines.例文帳に追加

半導体記憶装置の複数のメモリセルの各々は、不揮発性メモリ素子と、この不揮発性メモリ素子に接続される揮発性メモリ素子とを有し、データ転送線対の一方に前記不揮発性メモリ素子が接続され、前記データ転送線対の他方に前記揮発性メモリ素子が接続される。 - 特許庁

Therefore, it is not required that data for each of all battery cells 11 constituting the block 12 are acquired for acquiring the block voltage, so that the amount of data handled by the cell monitoring circuit 30 and a microcomputer 40 can be largely reduced compared with the case that the cell voltage of each battery cell 11 is detected.例文帳に追加

このため、ブロック電圧を取得するためにブロック１２を構成する全ての電池セル１１毎のデータを取得しなくても良いので、電池セル１１毎にセル電圧を検出する場合よりもセル監視回路３０およびマイコン４０が取り扱うデータ量を大幅に削減することができる。 - 特許庁

A time-space adaptive signal processor 17 arithmetically operates a covariance matrix from the data of range cells excepting the range cell assumed as the containing of a target signal, and carries out a weight control to an antenna receiving signal by an adaptive weight and uses the antenna receiving signal as an output data in a weight computing circuit 171.例文帳に追加

時空間適応信号処理部１７は、ウェイト算出回路１７１において、目標信号を含むと想定されるレンジセルを除いたレンジセルのデータから共分散行列を演算し、適応ウェイトによりアンテナ受信信号にウェイト制御を施して出力データとする。 - 特許庁

The control circuit rewrites at least one memory cell of which the set state and reset state are transferrable when holding data, to the set state from the reset state, and executes the readout operation after the memory cells MC in the set state when data reading are rewritten to the reset state.例文帳に追加

制御回路は、データ保持時に少なくとも１つのセット状態及びリセット状態の遷移が可能なメモリセルＭＣをリセット状態からセット状態に書き換え、データ読み出し時にセット状態のメモリセルＭＣを、リセット状態に書き換えた後、読み出し動作を実行する。 - 特許庁

Data stored in the ferroelectric capacitors C0, C1 is read out by applying read-out voltage between both electrodes of the ferroelectric capacitors C0, C1 constituting the memory cell reading out data out of the plurality of memory cells and detecting a polarization value of the ferroelectric capacitors Co, C1.例文帳に追加

複数のメモリセルのうちデータを読み出すメモリセルを構成する強誘電体キャパシタＣ０、Ｃ１の両電極間に読み出し電圧を印加して強誘電体キャパシタＣ０、Ｃ１の分極値を検出することにより、強誘電体キャパシタＣ０、Ｃ１に記憶されているデータを読み出す。 - 特許庁

In this driving method, display cells 14 are made to emit light by performing writein discharge while applying scanning pulses and data pulses respectively to scanning electrodes and data electrodes in a scanning period and by performing sustaining discharge while applying sustaining pulse respectively to the scanning electrodes and common electrodes in a sustaining period.例文帳に追加

ＰＤＰの駆動方法では、走査期間では走査電極及びデータ電極に夫々走査パルス及びデータパルスを印加することで書込み放電を行い、維持期間では走査電極、共通電極に夫々維持パルスを印加することで維持放電を行って表示セル１４を発光させる。 - 特許庁

Thus, all display cells of the plasma display panel 100 are made into a non-emission or an emission state corresponding to the video signal, the scan driver control signal and the common driver control signal and after that, a display cell corresponding to the video data signal is emitted or quenched by the data driver 14.例文帳に追加

これにより、プラズマディスプレイパネル１００の全表示セルは上記映像信号、走査ドライバ制御信号及び共通ドライバ制御信号に応じた非発光又は発光状態にされた後、データドライバ１４によって上記映像データ信号対応の表示セルが発光又は消光される。 - 特許庁

A data reading means 1-4 reads, starting at a cell found out by the cell searching means 1-3 in the table, data arranged in the cells arranged in such a direction as shown by the information acquired by the direction information acquisition means 1-2.例文帳に追加

データ読出手段１−４は、その表において、セル探索手段１−３によって発見されたセルを起点とし、方向情報取得手段１−２によって取得された情報で示されている並びの方向に並べられている各セルに配置されているデータを読出する。 - 特許庁

A signal circuit 21 writes same polarity picture data into the lines 51 and 52, which belong to the channel 5, writes picture data having a reverse polarity into two front and back scanning lines, which belong to a next discharge channel so that A.C. driving is conducted for display cells.例文帳に追加

信号回路２１は、１本の放電チャネル５に属する前後二本の走査線５１，５２に対して同極性の画像データを書き込み、次の放電チャネルに属する前後二本の走査線に対して逆極性の画像データを書き込んで表示セルの交流駆動を行なう。 - 特許庁

In one embodiment of this invention, the nonvolatile semiconductor storage device includes a plurality of memory blocks connecting a plurality of memory cells thereto, and is equipped with the memory cell array for storing the test data in a predetermined memory block and an operation testing section for executing the operation test of the memory cell array by using the test data.例文帳に追加

本発明の一実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、複数のメモリセルを接続したメモリブロックを複数含み、所定のメモリブロック内にテストデータを記憶するメモリセルアレイと、前記テストデータを用いて前記メモリセルアレイの動作テストを実行する動作テスト部と、を備える。 - 特許庁

The memory is provided with bit lines BL0 to BL7, word lines WL0 to WL7 which are arranged to cross the bit lines BL0 to BL7 and a memory cell array 1 which is connected between the bit lines BL0 to BL7 and the word lines WL0 to WL7 and includes memory cells that hold data "1" or data "0".例文帳に追加

このメモリは、ビット線ＢＬ０〜ＢＬ７と、ビット線ＢＬ０〜ＢＬ７と交差するように配置されたワード線ＷＬ０〜ＷＬ７と、ビット線ＢＬ０〜ＢＬ７とワード線ＷＬ０〜ＷＬ７との間に接続され、データ「１」またはデータ「０」を保持するメモリセルとを含むメモリセルアレイ１を備えている。 - 特許庁

A source data gathering part 3 gathers measurement data from a packet network and an ATM network corresponding to contents stipulated by the API#0 and performs the management of a state to be managed over plural cells (for instance, the detection of an n-th cell from the head and the n-th cell from the rear) or the like.例文帳に追加

原始データ収集部３は、ＡＰＩ＃０で規定された内容に従ってパケット網やＡＴＭ網から測定データを収集するとともに、複数セルにまたがって管理すべき状態の管理（例えば、先頭からｎ番目セル，後からｎ番目セルの検出）などを行う。 - 特許庁

The NEW_CODEMULMPS processing S13 includes: calculating the number of bytes in a portion, where a value 0x00 continues, at the end of partial coded data obtained by collectively coding the group of cells; and collectively outputting 0x00 as many as the calculated number of bytes as a part of the partial coded data.例文帳に追加

ＮＥＷ＿ＣＯＤＥＭＵＬＭＰＳ処理Ｓ１３は、上記セル群を一括して符号化することにより得られる部分符号化データの末尾において値０ｘ００が連続する部分のバイト数を算出するとともに、算出されたバイト数分の０ｘ００を上記部分符号化データの一部として一括して出力する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device which can discriminate information on a memory cell with high accuracy, even if distribution gap between cell electric current values of data 0 and data 1 among a plurality of memory cells in a memory cell array is extremely narrow, or those distributions may overlap.例文帳に追加

メモリセルアレイ中の複数のメモリセルのデータ０とデータ１のセル電流値の分布の隙間が極端に狭かったり、あるいは、それらの分布が重なってしまうようなことがあっても、メモリセルの情報を高精度に判別することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A server sets a transmission rate to transfer the cells to the client without causing congestion according to band information and data size information from the OAM cell, gives up transmission of data when the setting is disabled or transmits the OAM cell to which the setting disabled state is written.例文帳に追加

サーバは、ＯＡＭセルから帯域の情報、データのサイズ情報にしたがって輻輳を発生させずにクライアントにセルを転送するための送信レートを設定するが、設定不可能な場合にはデータの送出を断念するか、あるいは、その旨を書き込んだＯＡＭセルを送出する。 - 特許庁

In the method for planning cells in the wireless access communication system, when subscriber terminals included in the wireless access communication system receive data frames, respective frame start offsets of a plurality of base stations are set differently in a range where data frames received from the plurality of base stations do not collide with each other.例文帳に追加

無線接続通信システムのセルプランニング方法であって、無線接続通信システムに属している加入者端末がデータフレームを受信するときに、複数の基地局から受信されたデータフレームが衝突しない範囲の内で、基地局のフレームスタートオフセットを相互に異なって設定する。 - 特許庁

This spin injection is executed in parallel to the memory cells to which the data "1" is written, the bit line write drive circuit is only required to constantly supply the data write current in one direction, and reduction for a layout space for the write drive circuit and high-speed writing can be realized.例文帳に追加

このスピン注入は、データ“１”を書込むメモリセルに対して並行して実行され、ビット線書込ドライブ回路は、常に一方方向にデータ書込電流を供給することが要求されるだけであり、書込ドライブ回路のレイアウト面積の低減および高速書込を実現することができる。 - 特許庁

The processing device is configured to determine a power output from each of the plurality of PV cells, receive data from the plurality of sensors, and identify a faulty sensor within the plurality of sensors based at least partially on the determined power output and the received data.例文帳に追加

処理デバイスは、複数のＰＶセルのそれぞれの電力出力を決定するように、複数のセンサからデータを受信するように、決定された電力出力と受信データとに少なくとも部分的に基づいて、複数のセンサ内の故障センサを識別するように構成されている。 - 特許庁

In order to distinguish a defective block in a memory cell array, the defective block data is written into the defective block so that the threshold voltage of all or a specific part of memory cells in the defective block may be larger than the word line voltage VB applied to a selection word line when reading low-order page data.例文帳に追加

メモリセルアレイ中の不良ブロックを区別するため、不良ブロック中のメモリセルの全部又は特定の一部の閾値電圧が、下位ページデータを読み出す場合に選択ワード線に印加されるワード線電圧ＶＢより大きくなるよう、不良ブロックへの不良ブロックデータの書き込みを行なう。 - 特許庁

In the semiconductor memory device having memory cells storing data determined by threshold voltage in a nonvolatile manner, when write-in is performed sequentially in first and second memory cell disposed adjacent to each other, first data write-in in which data having lower threshold voltage than desired threshold voltage is written in a first memory cell MC0 is performed.例文帳に追加

しきい値電圧により決まるデータを不揮発に記憶するメモリセルを有する半導体記憶装置において、互いに隣接する第１及び第２のメモリセルに順次書き込みが行われる場合に、まず、第１のメモリセルＭＣ０に所望のしきい値電圧より低いしきい値電圧のデータを書き込む第１のデータ書き込みを行う。 - 特許庁

A congestion informing information transmission means 15 detects a quasi congestion state for almost reaching a congestion state for abandoning the next arriving data cell and a non-congestion state not reaching the quasi congestion state for each connection based on the number of the data cells buffered for each connection and transmits congestion informing information to the transmission side device of the data cell corresponding to a detected result.例文帳に追加

輻輳通知情報送信手段は、コネクション毎にバッファリングされているデータセル数に基づいて、次の到来データセルを廃棄する輻輳状態にもう少しで到達する準輻輳状態、準輻輳状態に至っていない非輻輳状態をコネクション毎に検知し、検知結果に応じて、データセルの送出側装置に輻輳通知情報を送信する。 - 特許庁

Every time an external write command is issued, a physical address to which data is to be written in a nonvolatile memory comprising multivalued memory cells is determined, and if the physical address to be written to is the nth page and data has been written to the corresponding first to (n-1)th pages, the data written is copied to a nonvolatile storable backup region.例文帳に追加

外部からの書き込みコマンドの発行毎に、多値メモリセルによって構成される不揮発性メモリにおけるデータの書き込み先物理アドレスを決定し、書き込み先物理アドレスが第ｎページでありかつ対応する第１〜（ｎ−１）ページに既書き込みのデータが存在する場合に、前記既書き込みデータを不揮発で記憶可能なバックアップ領域にコピーする。 - 特許庁

A control unit 7 writes data with a write voltage by adding the step-up voltage to the write voltage until the number of writing times reaches the first number of writing times is when data are written to all the memory cells connected to the selected word lines, and controls, when the first number of writing times is exceeded, whether to add the step-up voltage every time the data is written.例文帳に追加

制御部７は、選択されたワード線に接続された全メモリセルにデータを書き込むとき、書き込み回数が第１の書き込み回数に達するまで、書き込み電圧にステップアップ電圧を付加した書き込み電圧により書き込み動作を行い、第１の書き込み回数を超えた場合、書き込み動作毎に、ステップアップ電圧の付加の有無を制御する。 - 特許庁

Since respective cells of the sheet SI for input are linked with the sheets S1 to S3 linked with the sheet SI for input, the related data are shown on the sheet SI for input among the tables T1 to T3, and the tables T1 to T3 of the data base 1 are updated by updating these data in the sheet SI for input.例文帳に追加

入力用シートＳＩの各セルは、データテーブルＴ１〜Ｔ３とリンクされているシートＳ１〜Ｓ３とリンクされているから、入力用シートＳＩには、データテーブルＴ１〜Ｔ３のうちの関連性のあるデータが表示されることになり、入力用シートＳＩにおいて、これらデータを更新することにより、データベース１のデータテーブルＴ１〜Ｔ３が更新されることになる。 - 特許庁

The apparatus is a nonvolatile semiconductor memory apparatus in which data can be written and erased and data can be held even while voltage is not supplied, the apparatus is provided with a plurality of memory cells including a plurality of electric charge localizing parts in which electrostatic charges corresponding to data can be accumulated respectively, any two in the electric charge localizing parts accumulate electric charges in a complementary state.例文帳に追加

データを書込み及び消去可能で、電圧が供給されない間も当該データを保持可能な不揮発性の半導体記憶装置であって、データに対応する静電荷をそれぞれ蓄えることが可能な複数の電荷局在部を含むメモリセルを複数備え、電荷局在部の内のいずれか２つが相補的な状態で電荷を蓄える。 - 特許庁

To provide a technology to generate more carriers, and an efficient method to convert energy to the carriers detectable from light or an electron so as to read small sized data cells in a high density memory storage elements, and to provide a memory structure and a method to store and to read high density data so as to facilitate detection of data.例文帳に追加

高密度メモリ記憶素子内の小型のデータセルを読み出すために、より多量のキャリアを生成する技術、および光あるいは電子から検出可能なキャリアにエネルギーを変換する効率的な方法が必要であり、またデータの検出がより容易に行われるように高密度データを格納し、かつ読み出すためのメモリ構造および方法が必要である。 - 特許庁

If the process for a sum value calculation is specified as the red attribute, for example, the cells 31 and 32 having this attribute in the table data are extracted, and the sum value calculation is made only for these data (5,000 and 4,000), and the obtained data (9,000) as the processed result are displayed in red in a cell 34.例文帳に追加

ここで、例えば合計値計算を行う処理を赤色の属性として指定すれば、表データの中で当該属性を有するセル３１とセル３２が抽出され、それらのデータ（「５０００」と「４０００」）に対してのみ合計値計算が行われ、処理結果として得られたデータ（「９０００」）はセル３４の中に赤色で表示される。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory comprises a memory cell array including nonvolatile memory cells, a sense amplifier for verifying discriminating data of the memory cell array at program operation, a data input buffer receiving data from the outside, and a coincidence/noncoincidence determination circuit determining whether an input password inputted to the data input buffer from the outside coincides with a readout password read from the memory cell array and determined by the sense amplifier for verifying or not.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、不揮発性メモリセルを含むメモリセルアレイと、プログラム動作時にメモリセルアレイのデータを判定するベリファイ用センスアンプと、外部からのデータを受け取るデータ入力バッファと、外部からデータ入力バッファに入力される入力パスワードとメモリセルアレイから読み出されベリファイ用センスアンプでデータ判定される読み出しパスワードとが一致するか否かを判定する一致／不一致判定回路を含む。 - 特許庁

When error diffusion processing pixel data pieces are generated by adding an error in pixel data pieces of peripheral pixels corresponding to pixel data pieces to be processed by the error diffusion processing to the pixel data pieces to be processed, the relative position of the pixels to be processed corresponding to the peripheral pixels is made different from each other at least between a display cell corresponding to one luminous color and display cells corresponding to other luminous colors.例文帳に追加

誤差拡散処理の処理対象となる画素データ片に対する周辺画素の画素データ片における誤差分を、この処理対象となる画素データ片に加算することにより誤差拡散処理画素データ片を生成するにあたり、上記周辺画素に対する処理対象画素の相対位置を、少なくとも１の発光色に対応した表示セルと、他の発光色に対応した表示セルとで互いに異ならせる。 - 特許庁

This device includes a plurality of memory cells connected to bit lines and a sense amplifier which includes an initial charge circuit performing the initial charging of bit lines, detects a current value flowing in the bit line and determines read data from each memory cell.例文帳に追加

ビット線につながる複数のメモリセルと、ビット線を初期充電する初期充電回路を含み、ビット線に流れる電流値を検出して各メモリセルからの読み出しデータを判定するセンスアンプとを備える。 - 特許庁

To lower the loss rate of cells, to maintain and improve the quality of service and to reduce congestion of a transmission line by compressing and restoring data in an ATM layer in an ATM network.例文帳に追加

ＡＴＭネットワークにおいて、ＡＴＭレイヤでデータの圧縮及び復元を行なうことにより、セルの損失率を低下させて、サービスの品質維持及び向上を図るとともに伝送路の輻輳を低減できるようにする。 - 特許庁

To provide a flash memory device including a plurality of stack gate type memory cells that can shorten a time required for simultaneous erasing operation by eliminating writing operation before erasing and also shorten a time required for rewriting data.例文帳に追加

複数のスタックゲート型メモリセルを含むフラッシュメモリにおいて、消去前書込動作を不要とすることにより一括消去動作に要する時間を短縮し、データの書換動作に要する時間も短縮することである。 - 特許庁

The communication terminal measures receiving quality of transfer cell candidates and when the receiving quality is larger than a threshold and information about the movement candidate cells is stored in the data base, adds a correction value to the receiving quality.例文帳に追加

通信端末は移動セル候補の受信品質を測定し、受信品質が閾値より大きく、かつ当該移動候補セルの情報がデータベースに格納されている場合、受信品質に補正値を加算する。 - 特許庁

At manufacture, the MRAM device is tested to confirm that each set of storage cells is suitable for storing ECC encoded data, using either a parametric evaluation (step 602), or a logical evaluation (step 603) or preferably a combination of both.例文帳に追加

製造時にパラメータ評価(ステップ602)又は論理評価(ステップ603)又は好適にはその両者の組み合わせを使用してMRAMが検査されて、各組の記憶セルがECC符号化データを記憶するのに適していることが確認される。 - 特許庁

In terminal interface parts 21a to 23a, data from terminals are received by terminal side line interfacing parts 211, then subsequently the cells made by cell assembling/disassembling parts 28a and directly transmitted to a priority control part 242a.例文帳に追加

端末インターフェース部２１ａ〜２３ａにおいて、端末からのデータは、端末側回線インタフェース部２１１で受信された後、セル組立/分解部２８ａでセル化され、優先制御部２４２ａに直接送信される。 - 特許庁

The shift register is made into blocks by a plurality of flip-flops and clock buffers, and a plurality of basic cells which are arranged so that a clock signal is supplied in the reverse direction to a flow of data are arranged in series.例文帳に追加

複数のフリップフロップとクロックバッファでブロック化し、データの流れと反対方向からクロック信号を供給するように配置した基本セルを複数個直列に配置するシフトレジスタにする事を特徴としている。 - 特許庁

The extracted clock is extracted from an encoded clock which is connected with data and transmitted to the processing sell by a link enabling mutual communication of at least two processing cells through a switch.例文帳に追加

抽出されたクロックは、データと結合され、少なくとも２つの処理セルがスイッチを介して互いに通信することを可能にするリンクにより処理セルへ送信された、符号化されたクロックから抽出される。 - 特許庁

Writing of all bits "0" or all bits "1" is performed in the first initialization and the content is changed or not changed for the memory cells 11 to 14 in the second initialization so that two kinds of initialization data can be set.例文帳に追加

第１初期化時に全ビット“０”又は全ビット“１”を書込み、第２初期化時にメモリセル１１〜１４に対してその内容を変更させあるいは変更させないことにより、２種類の初期データをセット可能とした。 - 特許庁

Further, since the data line DIO and the sense amplifier 120 are isolated by a capacitor 110, the sense amplifier can be operated within an optimum input voltage range independently of the magnetization characteristic of the memory cells.例文帳に追加

さらに、データ線ＤＩＯとセンスアンプ１２０との間はキャパシタ１１０によって絶縁されているので、メモリセルの磁化特性と切離して、センスアンプを最適な入力電圧範囲で動作させることができる。 - 特許庁

A correspondence detecting part 1 checks an existing spreadsheet to detect patterns of correspondence between data to be calculated for the cells of the spreadsheet or for table components arranged in rows or columns and formulas, etc.例文帳に追加

対応把握部１は、既存の表計算シートを調べて、その表計算シートのセルあるいは行または列に並ぶ表構成要素に対する計算対象のデータ及び計算式等の対応のパターンを把握する。 - 特許庁

Word lines WL related to the pixel data of the first and the second frames are activated simultaneously, and accumulated charges of capacitors in the multiple memory cells connected to the multiple word lines WL are coupled on one bit line BL.例文帳に追加

この第１、第２のフレームの画素データに係るワードＷＬ線を同時に活性化し、この複数のワード線ＷＬに接続された複数のメモリセルのキャパシタの蓄積電荷を１つのビット線ＢＬ上で結合する。 - 特許庁

The display memory includes a plurality of RAM blocks 200, each of the RAM blocks including a plurality of word lines WL, a plurality of bit lines BL, a plurality of memory cells MC, and data read control circuits 240 and 250.例文帳に追加

表示メモリは、その各々が複数のワード線ＷＬと、複数のビット線ＢＬと、複数のメモリセルＭＣと、データ読み出し制御回路２４０，２５０と、をそれぞれ含む複数のＲＡＭブロック２００を含む。 - 特許庁

A semiconductor memory device comprises: multiple bit lines; multiple word lines; and multiple memory cells MC that are provided in a manner corresponding to intersections between the bit lines and the word lines and each of which includes a magnetic tunnel junction element capable of storing data.例文帳に追加

半導体記憶装置は、複数のビット線と、複数のワード線と、ビット線とワード線との交点に対応して設けられ、データを記憶可能な磁気トンネル接合素子を含む複数のメモリセルＭＣとを備える。 - 特許庁

Since the frame switching signal FS are applied to all the cells 70 in the same timing, the luminance data set to the second charge holding element 32 are reflected to the liquid crystal electrode 20 in the same timing.例文帳に追加

フレーム切替信号ＦＳは、全セル７０に対して同一のタイミングで印加されるため、第２の電荷保持素子３２に設定されていた輝度データは、液晶電極２０に対して同一タイミングで反映される。 - 特許庁

A control part 7 controls the high pressure valve 8 and the low pressure valve 9 on the basis of the three-dimensional data of the obstacle specified by the processing part 6 to control the expanded state of the bag-shaped cells 12.例文帳に追加

制御部７は、処理部６において特定された障害物の三次元情報に基づいて、高圧バルブ８と低圧バルブ９とを制御することにより、それぞれの袋状セル１２の膨張状態を制御する。 - 特許庁