「data cells」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

Therefore, the high speed data program is realized without being decelerated by memory cells with a very slow program which exist very rarely.例文帳に追加

したがって、ごくまれに存在する非常にプログラムの遅いメモリセルに律速されることなく、高速にデータプログラムが可能となる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device in which memory cells constituting a NOR memory cell array are usable by quaternary data.例文帳に追加

ＮＯＲ型のメモリセルアレイを構成するメモリセルを４値データで使用し得る不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

I/O cells 110c for input-output signals input and output data and signals to and from circuits in the semiconductor chip 104.例文帳に追加

入出力信号用Ｉ／Ｏセル１１０ｃは、半導体チップ１０４内の回路にデータや信号の入出力をさせる。 - 特許庁

After the test data stored in the buffer are selectively loaded in a page buffer, this is repeatedly used to program memory cells.例文帳に追加

そして、バッファに貯蔵されたテストデータをページバッファに選択的にローディングした後、これを反復的に用いてメモリセルをプログラムする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which can reduce the variations in the reference signals used to detect the data in the memory cells.例文帳に追加

メモリセルのデータを検出するために用いられるリファレンス信号のばらつきを低減させた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The number of times of rewriting of data in flash memory cells is stored, and when the number of times of rewriting exceeds the prescribed number of times, a fuse is cut off.例文帳に追加

フラッシュメモリのデータの書き換え回数を記憶し、書き換え回数が所定回を超えた場合は、ヒューズを切断する。 - 特許庁

Additionally, addition data can be written to the memory cells 130 of n bits at the specific storage section through a bit line.例文帳に追加

また、足し込みデータをビット線を通じて上述の所定の記憶部のｎビットのメモリセル１３０に書き戻すことができる。 - 特許庁

A cell-assembling means 213 assembles data in the cell-assembling range into cells and makes a pointer specifying the reference position to be included in a prescribed cell.例文帳に追加

セル化手段２３はセル化範囲のデータをセル化すると共に、基準位置を特定するポインタを所定のセルに含ませる。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes: a first memory cell array 201 in which a plurality of first memory cells 101 reading or writing data are arranged in a matrix; and a second memory cell array 202 in which a plurality of second memory cells 102 for amplifying and storing data of some first memory cells 101 among the plurality of the first memory cells 101 arranged in a corresponding column are arranged in a matrix.例文帳に追加

本発明にかかる半導体記憶装置は、データの読み出し又は書き込みが行われる第１のメモリセル１０１が行列状に複数配置された第１のメモリセルアレイ２０１と、対応する列に配置された複数の第１のメモリセル１０１のうち、何れかの第１のメモリセル１０１のデータを増幅し記憶する第２のメモリセル１０２が、行列状に複数配置された第２のメモリセルアレイ２０２と、を備える。 - 特許庁

Each of the memory cells is targeted for writing by applying a common gate voltage to each gate terminal of the memory cells through word lines, and simultaneously writing a plurality of data having different values mutually in each of the memory cells by simultaneously applying the writing voltages corresponding to writing data respectively through the bit lines to drain-source terminals of the two or more memory cells targeted for writing.例文帳に追加

ワード線を介して該メモリセルの各々のゲート端子に共通のゲート電圧を印加して当該メモリセルの各々を書き込み対象とするとともに、書き込み対象とされた２以上のメモリセルのドレイン−ソース端子間に該ビット線を介して各書き込みデータに対応した書き込み電圧を同時に印加して当該メモリセルの各々に互いにデータ値の異なる複数のデータを同時に書き込む。 - 特許庁

A packet information storage processing part 232 stores an IP address described in a packet to be the object of transmission in a plurality of cells of a first data storage part 212 which is the CAM and an inquired physical address in a second data storage part 213, and makes each of the plurality of cells of the first data storage part 212 correspond to the physical address of the second data storage part 213.例文帳に追加

パケット情報記憶処理部２３２は、送信の対象となるパケットに記述されたＩＰアドレスをＣＡＭである第１のデータ記憶部２１２の複数のセルに、問い合わせた物理アドレスを第２のデータ記憶部２１３に記憶させ、第１のデータ記憶部２１２の複数のセルのそれぞれを第２のデータ記憶部２１３の物理アドレスに対応付けておく。 - 特許庁

A two-dimensional code 1 includes a plurality of data code blocks 11 having a plurality of information display unit cells C aligned therein, the data code block expressing a data code word by a predetermined number of information display unit cells C; and a plurality of error correction code blocks 12 which expresses an error correction code word used for error correction of each data code word.例文帳に追加

二次元コード１は、複数の情報表示単位セルＣが配列されてなるものであり、所定個数の情報表示単位セルＣによってデータコードワードを表現する複数のデータコードブロック１１と、各データコードワードの誤り訂正に用いる誤り訂正コードワードを表現する複数の誤り訂正コードブロック１２とを備えている。 - 特許庁

By setting the input domain selectors and the output domain selector by the setting part 14, the data output part 11 outputs image data in which the image data input from the data input part 10 to the computation part 13 is subjected to desired computation by one or more desired computation cells among the plural computation cells.例文帳に追加

設定部１４によって前入力ドメインセレクタ及び出力ドメインセレクタを設定することにより、データ入力部１０から演算部１３に入力された画像データに対して、複数の演算セルのうちの所望の一以上の演算セルによって所望の演算が行われた画像データが、データ出力部１１から出力される。 - 特許庁

An apparatus for classifying the cells is provided with a parameter calculating section which acquires b-coordinate values in a color space of Lab from image data of the imaged cells; and which calculates first feature parameters relating to colors of the cells by using the b-coordinate values, and a classifying section which classifies the cells by using the first feature parameters calculated by the parameter calculating section.例文帳に追加

撮像された細胞の画像データからＬａｂ色空間のｂ座標値を取得し、そのｂ座標値を使用して細胞の色彩に関する第１特徴パラメータを算出するパラメータ算出部と、パラメータ算出部で算出された特徴パラメータを使用して細胞を分類する分類部とを備える細胞分類装置。 - 特許庁

By selecting cells 118 of Excel respectively allowing input of a data item name and individual data corresponding to the data item name, and inputting the individual data, a table can be produced in a database area 103b with one sheet of Excel as one data unit.例文帳に追加

データ項目名及びデータ項目名に該当する個別データを入力するエクセルのセル１１８をそれぞれ選択し、個別データを入力することで、エクセルの一つのシートを一つのデータ単位としてデータベース領域１０３ｂにテーブルを作成することができるようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device includes a memory section comprising a memory cell array in which nonvolatile memory cells are disposed in matrix and having a binary data storage region for storing binary data with single threshold for data identification and a multi-valued data storage region for storing multi-valued data with multiple thresholds for data identification, and a memory controller controlling the memory section.例文帳に追加

不揮発性メモリセルをマトリクス状に配列してなるメモリセルアレイからなり、データ識別のしきい値が１つの２値データを記憶する２値データ記憶領域とデータ識別のしきい値が複数の多値データを記憶する多値データ記憶領域とを有するメモリ部と、このメモリ部を制御するメモリコントローラとを備える。 - 特許庁

Writing of data or erasing of data is performed by changing a holding state of voltage for a plurality of cells storing data by a holding state of voltage, and a threshold value is updated in accordance with a voltage value of data when writing or erasing.例文帳に追加

電圧の保持状態によってデータを記憶する複数のセルに対し、電圧の保持状態を変化させることでデータの書き込み若しくはデータの消去を行い、書き込み若しくは消去した際のデータの電圧値に応じて、閾値を更新させる。 - 特許庁

When cells surrounding an address include at least a pair of adjacent cells, an interpolation circuit substitutes one of the representative correction values stored in the adjacent cells with a substitutional representative correction value having the opposite polarity and the same absolute value and then utilizes the substitutional representative correction value to generate conversion data.例文帳に追加

補間回路は、アドレスを囲うセルが少なくとも１対の近傍セルを含む場合に、近傍セルに記憶された代表補正値の一方を、他方の逆極性で同一の絶対値を有する置換代表補正値に置換してから、置換代表補正値を利用して変換データを生成する。 - 特許庁

By choosing a code scheme, which does not cause the memory cells to be programmed to the wrong threshold voltage during the second programming pass, the memory cells is programmed in accordance with substitute data that would not cause the cells to be programmed to a state containing an error.例文帳に追加

第２のプログラミングパス中、誤ったしきい値電圧に合わせたプログラミングをこのメモリセルに行わせないようにするコード構成を選択することにより、エラーを含む状態に合わせたプログラミングをこのセルに行わせないようにする代替データに基づいてこのメモリセルのプログラミングを行う。 - 特許庁

A data input is latched synchronizing with a system clock input, and a plurality of register cells 20 through which the system clock input passes are divided into a plurality of groups, and the clock propagating routes of the plurality of register cells belonging to the same group are formed so that a plurality of sets of clock propagating cells 200 can be formed.例文帳に追加

データ入力をシステムクロック入力に同期してラッチするとともにシステムクロック入力を通過させる複数のレジスタセル２０を複数のグループに分け、同一のグループに属する複数のレジスタセルのクロック伝搬経路を形成して複数組のクロック伝搬セル２００ を形成する。 - 特許庁

The nonvolatile memory device performs data sensing to memory cells presently chosen by the nonvolatile memory device, and verification of a program state or an erasure state to data sensed before by other memory cells of the nonvolatile memory device, simultaneously.例文帳に追加

本発明による不揮発性メモリ装置は、不揮発性メモリ装置で現在選択されたメモリセルに対するデータ感知と、前記不揮発性メモリ装置の他のメモリセルで以前に感知されたデータに対するプログラム状態または消去状態の検証とを同時に実行する。 - 特許庁

A distance calculation means 16 obtains vector data representing the halftone tot shape, arranges the halftone dot of the shape represented by the vector data on each of the halftone cells, and obtains the distance between each of the pixels included in the halftone cell and halftone dot for each of the halftone cells.例文帳に追加

距離算出手段１６が、網点の形状を表すベクトルデータを取得し、このベクトルデータで表される形状の網点をハーフトーンセルの各々に配置し、ハーフトーンセルの各々について、当該ハーフトーンセルに含まれる画素の各々と網点との距離を求める。 - 特許庁

This device has a memory cell array 11 having at least three memory cells A, B and C for storing data and a majority decision circuit for selecting data in the memory cell, which is not affected by a software error, according to a majority decision concerning the stored contents of the respective memory cells A, B and C.例文帳に追加

データを格納する少なくとも３つ以上のメモリセルＡ，Ｂ，Ｃを備えたメモリセルアレイ１１と、メモリセルＡ，Ｂ，Ｃの各々の記憶内容について多数決をとってソフトエラーを被っていないメモリセルのデータを選択する多数決回路とを有する。 - 特許庁

To solve such a problem that it is required for a dummy cell to gener ate a reference potential for every read-out of each data cell connected to the same cell array, deterioration of dummy cells of which the number of times of read-out is more than that of data cells is aggravated, and an intermediate potential cannot be generated correctly.例文帳に追加

同一のセルアレイに接続された各データセルを読み出す毎にダミーセルは参照電位を発生させる必要があり、データセルと比較して読み出し回数の多いダミーセルのみ劣化が進み、正しく中間電位を発生させることができなくなる。 - 特許庁

The electric power regenerating circuit is included in the address driving part and gathers electric charges unnecessarily left in display cells at the end of application of a display data signal and applies the gathered electric charges to the display cells at the start of application of the display data signal.例文帳に追加

電力回生回路は、アドレス駆動部に含まれ、表示データ信号の印加が終了する時点でディスプレイセルに不要に残っている電荷を収集し、表示データ信号の印加が始まる時点で前記収集された電荷をディスプレイセルに印加する。 - 特許庁

This regenerative medical treatment support system constituted of a network and a terminal and a storage device with the Internet as a nucleus is provided with a means for registering and managing medical treatment data, a means for registering and managing banking data and a means for registering and managing a cell adoption database, and configured to provide accurate cells, the number of cells and the acquired information of cells to a new patient.例文帳に追加

インターネットを中核としたネットワークと端末、記憶装置からなるシステムにおいて、治療データを登録管理する手段、バンキングデータを登録管理する手段、細胞採取データベースを登録管理する手段を供え、新規患者に対して、的確な細胞、細胞数、細胞の入手情報を提供する再生医療支援システム。 - 特許庁

The invention involves providing cells containing fluorescent reporter molecules in an array of locations and scanning numerous cells in each location with a high magnification fluorescent microscope, converting the optical information into digital data, and utilizing the digital data to determine the distribution, environment or activity of the fluorescently labeled reporter molecules in the cells.例文帳に追加

蛍光レポーター分子を含有する細胞をある場所の配列で提供するステップ、高倍率蛍光光学系を用いて各場所において非常に多数の細胞をスキャンするステップ、光学情報をデジタルデータに変換するステップ、及び細胞内の蛍光標識レポーター分子の分布、環境又は活性を測定するためにそのデジタルデータを利用するステップを含む。 - 特許庁

A CPU 1 performs floor planning by use of a simple net list 43 describing circuit information for only cells having cell sizes larger than a predetermined size of cells constituting a circuit of a design object on a gate level, and a cell list 44 including specification data for only the cells having cell sizes larger than the predetermined size to generate temporary floor planning data 47.例文帳に追加

ＣＰＵ１は、設計対象の回路を構成するセルのうち、所定のサイズより大きいセルサイズを有するセルのみの回路情報をゲートレベルで記述した簡易ネットリスト４３と、所定のサイズより大きいセルサイズを有するセルのみの仕様データを含むセルリスト４４とを用いてフロアプランを行い、仮フロアプランデータ４７を生成する。 - 特許庁

The apparatus is provided with a plurality of memory cells in which data is written in accordance with write-in data stored in a page buffer and a program loop accumulation counter 33 cumulatively storing the number of program loops required for writing data in a plurality of memory cells, and outputs the number of program loops cumulatively-stored in the program loop accumulation counter 33.例文帳に追加

ページバッファに記憶された書き込みデータに応じて、データが書き込まれる複数のメモリセルと、複数のメモリセルへのデータ書き込みに要したプログラムループ回数を累積記憶するプログラムループ累積カウンタ３３と、を具備し、プログラムループ累積カウンタ３３に累積記憶されたプログラムループ回数を出力することを特徴とする。 - 特許庁

The data imbedding device selects a plurality of rectangular ranges (cells) for a block on the basis of a density pattern method for imbedding an electronic watermark to a binary image and imbeds data in the unit of blocks so as to imbed many more data to the binary image.例文帳に追加

データ埋め込み装置は、２値画像に電子透かし埋め込みを行う濃度パターン法を基礎に、複数の矩形範囲（セル）をブロックとして、このブロック単位にデータを埋め込むことにより、より多くのデータを埋め込む。 - 特許庁

In the plasma display device which has display cells arranged at intersections between a plurality of scanning electrodes and a plurality of data electrodes and controls light emission of the display cells by data pulses applied to the data electrodes to display an image, a function is provided which makes write discharge making delay times different by the plurality of data electrodes or a plurality of data electrode groups into which the plurality of data electrodes are divided.例文帳に追加

複数の走査電極と複数のデータ電極との交差部分に表示セルを配置し、前記データ電極に印加されるデータパルスにより前記表示セルの発光を制御し、画面表示を行うプラズマ表示装置であって、複数のデータ電極毎に又は複数のデータ電極を複数のデータ電極群に分割した場合の複数のデータ電極群毎に書き込み放電の形成遅れ時間が異なるようにする機能を有している。 - 特許庁

In a mode of reading the tune information, selection of memory cell and data read are performed in a double twin cell mode, and storage information of the two twin cells is read.例文帳に追加

チューン情報読出モード時、ダブルツインセルモードでメモリセルの選択およびデータ読出を行い、２つのツインセルの記憶情報を読出す。 - 特許庁

Therefore, desired stress applied to all memory cells excluding a defective part at the time of a burn-in test by utilizing fuse data.例文帳に追加

したがって、ヒューズデータを利用することにより、バーンインテスト時には、不良個所を除く全メモリセルに所望のストレスを印加することができる。 - 特許庁

A retention volume line 134 is disposed in parallel with the data line 131 and is connected to the pixel cells 54 and 141 of the pixel cell group 133.例文帳に追加

保持容量線１３４は、データ線１３１と平行に配置され、画素セル群１３３の画素セル５４および１４１に接続される。 - 特許庁

Each cell of the bi-tree has associated characteristics comprising the application specific data and child cells are indexed directly from a parent cell.例文帳に追加

２分木のそれぞれのセルは特定用途向けデータを構成する関連した特性を有し、子セルは親セルから直接インデックスされる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which data read out from memory cells can be outputted stably at a high rate without requiring an extra circuit.例文帳に追加

新たな回路を追加することなく、メモリセルから読み出したデータを高速かつ安定に出力できる半導体記憶装置の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device for writing and reading data into and from memory cells for every ECC unit.例文帳に追加

ＥＣＣ単位毎にデータをメモリセルに書き込んだり、データをメモリセルから読み出したりすることが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Memory cells CELL4-CELL18 store a lower bit data other than the MSB of the respective color components of R (red), G (green), and B (blue).例文帳に追加

メモリセルＣＥＬＬ４〜ＣＥＬＬ１８は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色成分のそれぞれのＭＳＢ以外の下位ビットデータを格納する。 - 特許庁

To shorten a program time as the whole by performing continuously program operation in multi-level cells in which "01" data is programmed.例文帳に追加

‘０１’のデータがプログラムされるマルチレベルセルをプログラム動作が連続して行われるようにし、全体としてのプログラム時間を短縮する。 - 特許庁

A viewing limit block setting section 111 sets a viewing limit block in a unit of cells being data reproduction units through user operations.例文帳に追加

視聴制限ブロック設定部１１１は、ユーザ操作により、データの再生単位であるセルの単位で視聴制限ブロックを設定する。 - 特許庁

The outgoing transmission is composed of an FEC (forward error correction), and ATM cells installed into MAC (media access control) protocol data unit (PDU) for synchronization.例文帳に追加

下り送信は、フォーワードエラーコレクション（ＦＥＣ）及び同期のためのＭＡＣプロトコルデータユニット（ＰＤＵ）に組み込まれたＡＴＭセルからなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which prevents data corruption of SRAM cells due to an influence of noise with reduced area.例文帳に追加

ＳＲＡＭセルをノイズの影響によるデータ破壊を防ぐとともに、低面積化することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Any one memory cell out of memory cells connected to these word lines is selected by a selecting transistor, and only the data is read out on a bit line.例文帳に追加

これらワード線に接続されたメモリセルのうちの何れかを選択トランジスタで選択して、そのデータだけをビット線上に読み出す。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory capable of scrambling or randomization of data stored in an array of nonvolatile memory cells with mechanisms within an integrated-circuit memory chip.例文帳に追加

集積回路メモリチップ内の機構により、不揮発性メモリセルアレイに蓄積されるデータのスクランブリングまたはランダム化を可能にする。 - 特許庁

At the time of a program state, a magnetization direction of one side of program cells selected in accordance with program data is rewritten from the initial state.例文帳に追加

プログラム状態時には、プログラムデータに応じて選択された一方のプログラムセルの磁化方向が、初期状態から書換えられる。 - 特許庁