「depth electrode」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Patterns of an HOT electrode 82 and a GND electrode 84 of the IC board 80 are different from each other in a depth direction 53.例文帳に追加

ＩＣ基板８０のＨＯＴ電極８２及びＧＮＤ電極８４のパターンが奥行き方向５３において異なる。 - 特許庁

The prescribed depth at the time is the middle of an electrode layer 12 positioned at the bottom and an electrode layer 22 positioned on it.例文帳に追加

このときの所定の深さは、最も下に位置する電極層１２とその上に位置する電極層２２との中間とする。 - 特許庁

The embedded depth of the gate electrode 16 of the lateral MOSFET is determined by measuring the threshold voltage of the lateral MOSFET for evaluation and then the embedded depth of the gate electrode 16 of the vertical MOSFET is evaluated based on the depth thus determined.例文帳に追加

そして、評価用横型ＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧を測定することにより、横型ＭＯＳＦＥＴのゲート電極１６の埋め込み深さを求め、それに基づいて、縦型ＭＯＳＦＥＴのゲート電極１６の埋め込み深さを評価する。 - 特許庁

The polyimide resin layer 22 has, below the pad electrode 14, a thickness formed by the depth of the lower part 42, the height of a terrace part 48 and the depth of the recess 46.例文帳に追加

ポリイミド樹脂層２２は、パッド電極１４の下において、低地部４２の深さ、及び台地部４８の高さに、陥凹部４６の深さを加えた厚さとなる。 - 特許庁

The prescribed depth at the time is the middle of the electrode layer 22 positioned second from the bottom and the electrode layer 12 positioned on it of the electrode layers 12 and 22.例文帳に追加

このときの所定の深さは、電極層１２及び２２のうちで、下から２番目に位置する電極層２２とその上に位置する電極層１２との中間とする。 - 特許庁

The prescribed depth at the time is the middle of the electrode layer 12 positioned third from the bottom and the electrode layer 22 positioned on it of the electrode layers 12 and 22.例文帳に追加

このときの所定の深さは、電極層１２及び２２のうちで、下から３番目に位置する電極層１２とその上に位置する電極層２２との中間とする。 - 特許庁

Next, a tip end electrode 3a is hit in the standard electrode-providing position and a providing depth is subsequently increased while adding a step earth 3b.例文帳に追加

次いで、基準電極打設地点に先端電極３ａを打ち込み、ステップアース３ｂを継ぎ足しながら順次打設深度を増加していく。 - 特許庁

The organic electronic material layer 13 in the region where the source electrode and/or drain electrode is provided is removed up to the predetermined depth.例文帳に追加

ソース電極及び／またはドレイン電極を設ける領域における有機電子材料層１３を、所定の深さまで除去する。 - 特許庁

An electrode body 1a of an electrode 1 has a void content and the electrical conductivity in the range of a specified depth from the electrical contact surface 4a of the electrode body 1a is arranged larger than that of the cross section of the electrode body 1a or that at a specified depth from the rear surface 4b.例文帳に追加

電極１の電極本体１ａが空孔率を有し、電極本体１ａの電接面４ａより所定の深さの範囲の導電率を電極本体１ａの断面の導電率または裏面４ｂより所定の深さの導電率よりも大きくする。 - 特許庁

The depth of the recess is deep enough for preventing contact of the head top part of the ball electrode 16 such as a solder ball.例文帳に追加

その窪みの深さはハンダボール等のボール電極１６の頭頂部が接触しない深さとする。 - 特許庁

This will bring about a formation of the bottom at the gate electrode 22 that slowly terminates in a depth direction.例文帳に追加

これにより，ゲート電極２２の底部が深さ方向に対してゆるやかに終端する形状となる。 - 特許庁

A gate electrode 8 has a double gate structure with first and second gate electrodes 8a, 8b of different depth.例文帳に追加

ゲート電極８を深さの異なる第１、第２ゲート電極８ａ、８ｂを備えたダブルゲート構造とする。 - 特許庁

The height of the negative electrode contact 1 is higher than the depth of a portion depressed from an outer sheath of the negative electrode terminal 4 permitted by standards of the circular battery 2.例文帳に追加

また負極側接触子に丸形電池の規格が許容する、負極端子の外装部からのへこみの深さ以上の高さを持たせる。 - 特許庁

Each fine hole 5 passes through the insulating layer 3 and the gate electrode lines 4, and passes to a depth at an intermediate part of the cathode electrode lines 2.例文帳に追加

各微細孔５は、上記絶縁層３とゲート電極ライン４とを貫通し、カソード電極ライン２の中程に至る深さに形成されている。 - 特許庁

The depth of an electrode housing recessed part 45 of the dielectric member 40 is larger than the thickness of the discharge extension protruded part 33 and smaller than the thickness of the electrode 30.例文帳に追加

誘電部材４０の電極収容凹部４５の深さを、放電延長凸部３３の厚さより大きくし電極３０の厚さより小さくする。 - 特許庁

To provide a technique which can drastically reduce the consumption of an electrode while assuring a sufficient depth of penetration.例文帳に追加

十分の溶け込み深さを確保しながらも、電極の消耗を格段に少なくできる技術を提供する。 - 特許庁

The depth of the recess 20 is larger than the thickness of a part of an upper electrode 124 provided in the recess 20.例文帳に追加

かかる凹み２０の深さは，上部電極１２４の凹み２０に設置される部分の厚さより大きい。 - 特許庁

At this point, by setting the charging depth of the negative electrode electrolyte slightly high, high electromotive force can be obtained.例文帳に追加

このとき、特に、負極電解液の充電深度を高めにすることで、大きな起電力を得ることができる。 - 特許庁

DEEP-EMBEDMENT INSULATION INDEPENDENCE GROUND ELECTRODE, INSULATION DEPTH SETTING METHOD THEREFOR AND CONNECTING METHOD WITH LIGHTNING ROD LEAD WIRE例文帳に追加

深埋設絶縁独立接地電極とその絶縁深さ設定方法及び避雷針導線との接続方法 - 特許庁

A thermal oxide film 11 is formed on an electrode substrate 1 and then a recessed pattern having specified gradient and depth is formed.例文帳に追加

電極基板１に熱酸化膜１１を形成して所定の勾配と深さを有する凹パターンを形成する。 - 特許庁

Cracks 71 having a depth which reaches the upper surface of the organic polymer layer 10 is formed in the electrode layer 7.例文帳に追加

電極膜７には、有機高分子層１０の上面に達する深さのクラック７１が形成されている。 - 特許庁

The depth of a p-base region, between R-S which corresponds to the circular-arc section of the gate electrode 38, is shallower than the depth of a p-base region between Q-R which corresponds to the linear section of the gate electrode 38 in cross-section configurations in cutting-plane lines Q-R-S passing the gate electrode 38.例文帳に追加

ゲート電極３８を通る切断線Ｑ−Ｒ−Ｓにおける断面構成において、ゲート電極３８の弧状部分に対応するＲ−Ｓ間のｐベース領域の深さは、ゲート電極３８の直線状部分に対応するＱ−Ｒ間のｐベース領域の深さよりも浅い。 - 特許庁

In the manufacturing method for a hyperfine perforation punch using electro-chemical machining, after dipping at least one electrode 1 to be machined and a negative electrode 2 in a fixed depth respectively, and the dipping depth of the electrode 1 is reduced by a prescribed rate with impressing the voltage set up between these electrode 1 and the negative electrode 2 to manufacture the electrode 1 as the hyperfine perforation punch.例文帳に追加

電解加工を用いた超微細穿孔パンチの製作方法は、用意された電解液（３）内に加工される少なくとも１つの電極（１）と陰極（２）とをそれぞれ一定の深さに浸漬させた後、これら電極（１）と陰極（２）との間に設定された電圧を印加しながら、電極（１）の浸漬深さを所定の比率で減らしていくようにして電極（１）を超微細穿孔パンチとして製作する。 - 特許庁

Depending on the depth of electrode different from ink channel to ink channel, each ink channel is provided with a nozzle having inertance varying continuously.例文帳に追加

インクチャンネルごとに異なる電極の深さに応じて、インクチャンネルごとにイナータンスが連続的に変化するノズルを設ける。 - 特許庁

ELECTROLYTIC FOIL HAVING TUNNEL-SHAPED PIT OF UNIFORM DEPTH, ELECTROLYTIC CAPACITOR USING THE SAME AS ELECTRODE AND PRODUCTION OF THE FOIL例文帳に追加

均一深さのトンネル状ピットを有する電解箔、それを電極とする電解コンデンサー並びに該箔の製造方法 - 特許庁

It is preferable that the spacing of these grooves 2 in the electrode 1 ranges about 0.1-15 mm while the groove depth is 1-70% of the thickness of the band electrode.例文帳に追加

なお、捲回型ペースト式帯状電極１における溝部２の間隔が 0.1〜15mm程度、また、溝２の深さが帯状電極厚の 1〜70％であることが望ましい。 - 特許庁

To provide a lithium secondary battery which prevents deterioration of a negative electrode by making shallow the charging depth of the negative electrode active material and can improve cycle characteristics.例文帳に追加

負極活物質に対する充電深度を浅くすることによって、負極の劣化を防止し、かつサイクル特性を向上させることが可能なリチウム二次電池を提供する。 - 特許庁

Accordingly, adequate solder thickness can be formed at the intermediate part of the side surface electrode 5 since the width of the side surface electrode 5 is twice the depth size of the groove 10.例文帳に追加

ここに、側面電極部５の幅は溝部１０の奥行き寸法の２倍よりも大きいことにより、側面電極部５の中腹部に適切なはんだ厚みを形成できる。 - 特許庁

A positive electrode layer 12 and an insulating layer 15 are laminated on a substrate 11, and a penetrating part 15A is formed in the stripe state to be orthogonal to the positive electrode layer 12 of the depth not reaching the positive electrode layer 12 in this insulating layer 15.例文帳に追加

基板１１上に陽極層１２、絶縁層１５を積層し、この絶縁層１５に陽極層１２に達しない深さの貫通部１５Ａを陽極層１２と直交するストライプ状に形成する。 - 特許庁

In this configuration, the electrode film 35 satisfies the condition of δ/z≥1,000 (z: the thickness of the electrode film 35, δ: the skin depth of the electrode film 35 relative to a high-frequency power supplied from a high-frequency power supply 61a).例文帳に追加

ここで、電極膜３５はδ／ｚ≧１，０００（ｚ；電極膜３５の厚さ、δ：高周波電源６１ａから供給される高周波電力に対する電極膜３５のスキンデプス）の条件を満たしている。 - 特許庁

For the channel material, the opening is made to face the dust collecting electrode element and the cross sectional height is set to the depth of the recessed line part or less.例文帳に追加

前記チャンネル材は開口を集塵電極エレメントに対面させ、断面高さを凹条部深さ以下に設定する。 - 特許庁

To provide a die sinking electric discharge machining device capable of suppressing curving of an electrode and forming a thin hole with desired depth when the thin hole is formed using the linear electrode.例文帳に追加

線状の電極を用いて、細穴を形成する場合において、電極の湾曲を抑制し、目的の深さの細穴を形成できる形彫り放電加工装置を提供する。 - 特許庁

A trench gate electrode 9 that penetrates both of the first conductivity layer 14 and the second conductivity layer 15 and reaches the first conductivity layer 16 is formed and a defect layer 6 is formed at the depth where the trench gate electrode 9 penetrates the deeper first conductivity layer 16.例文帳に追加

この縦型ＭＯＳは、電流１０がトレンチゲート電極９に沿って縦方向に流れるために、オン抵抗の上昇を小さく押さえることができる。 - 特許庁

Because there is the trench, a short channel effect can be inhibited by properly setting a depth of the trench though a distance between a source electrode layer and a drain electrode layer is short.例文帳に追加

また、トレンチを有することで、ソース電極層とドレイン電極層との距離を狭くしても該トレンチの深さを適宜設定することで、短チャネル効果を抑制することができる。 - 特許庁

The electrode material 2 is made of metal such as hafnium, and a discontinuous part 5 is formed in a prescribed position in the depth direction from the tip end surface 1a.例文帳に追加

電極材２はハフニウム等の金属からなり、先端面１ａから深さ方向の所定位置に不連続部５を形成する。 - 特許庁

To form the semiconductor chip 50 having the through electrode 33a, a recess 20 is formed in a predetermined depth to a silicon substrate 10.例文帳に追加

貫通電極３３ａを備えた半導体チップ５０を形成するため、シリコン基板１０に所定の深さで凹部２０を形成する。 - 特許庁

A depth and/or cross sectional area of the bore can be selected to provide a desired amount of capacitive coupling between the electrode and the conductor.例文帳に追加

孔部の深さ及び／又は断面積は、電極と導体との間に所望量の容量結合が設けられるように選定される。 - 特許庁

A hole 9a of the prescribed inside diameter and depth is formed on the center part of the relative surface of the positive electrode 13 in the case 3, and an electrically insulated negative electrode 13, having an electrically insulated non-relative surface with respect to the positive electrode 13, is provided.例文帳に追加

ケース内に陽電極への相対面中心部に所定の内径及び深さの穴が形成されると共に陽電極に対する非相対面が電気的に絶縁された陰電極を電気的絶縁状態で設ける。 - 特許庁

In the method of operating the vanadium redox flow battery conducting charge discharge by supplying a positive electrode electrolyte and a negative electrode electrolyte to a cell, charge and discharge are conducted so that the charging depth of the positive electrode electrolyte becomes 75% or below.例文帳に追加

セルに正極電解液及び負極電解液を供給して充放電を行うバナジウムレドックスフロー電池の運転方法であって、正極電解液の充電深度が75％以下となるように充放電を行う。 - 特許庁

Furthermore, a third trench 115 is formed on the surface of the n-type layer 106 in a region not opposing the auxiliary electrode 109 with a depth reaching the p-electrode 103, and a p-pad electrode 114 is formed on the p-electrode 103 exposed on a bottom face of the third trench 115.例文帳に追加

また、ｎ型層１０６表面であって、補助電極１０９と対向しない領域に、ｐ電極１０３に達する深さの第３の溝１１５が形成され、第３の溝１１５底面に露出したｐ電極１０３上にｐパッド電極１１４が形成されている。 - 特許庁

A second trench 111 is formed on a surface of the n-type layer 106 in a region opposing a part of the auxiliary electrode 109 with a depth reaching the auxiliary electrode 109, and an n-pad electrode 107 is formed on the auxiliary electrode 109 exposed on a bottom face of the second trench 111.例文帳に追加

また、ｎ型層１０６表面であって、補助電極１０９の一部と対向する領域に、その補助電極１０９に達する深さの第２の溝１１１が形成され、第２の溝１１１の底面に露出した補助電極１０９上にｎパッド電極１０７が形成されている。 - 特許庁

To perform engraving electric discharge machining without performing a temporary removing work of the electric discharge machining device by providing an electrode thickness measuring means for measuring thickness of an electrode and calculating and determining an electric discharge machining depth from a thickness measured value of the electrode and electrode feed amount of the electric discharge machining device.例文帳に追加

電極の厚さを計測する電極厚さ計測手段を設け、電極の厚さ測定値と放電加工装置の電極送り込み量とから放電加工深さを演算して求めることにより、放電加工装置の一時撤去作業をせずに形彫り放電加工を行う。 - 特許庁

The peripheral part 151 of the electrode 150 has an inside peripheral edge part 120 extending along a longitudinal direction Z of which a depth 170 at a side opening area is different from a depth 171 at a central opening area.例文帳に追加

電極１５０の最端部１５１は、長手方向Ｚに沿って延びる内部周辺縁部１２０を有し、続いて側方開口の位置における幅１７０とは異なる中央開口の位置での幅１７１を有する。 - 特許庁

The depth Dd (p-type embedded layer depth) of the p-type embedded layer 13A from the bottom of the p-type base layer 14 is larger than the distance (protruding distance) Dgp between the bottom face of the gate electrode 16 and the base layer 14.例文帳に追加

ｐ型埋め込み層１３Ａのｐ型ベース層１４底面からの深さ（ｐ型埋め込み層深さ）Ｄｄは、ゲート電極１６の底面とｐ型ベース層１４との間の距離（突出距離）Ｄｇｐよりも大きい。 - 特許庁

A first trench 108 is formed on a surface of the p-type layer 104 facing the p-electrode 103 with a depth reaching the n-type layer 106.例文帳に追加

ｐ型層１０４のｐ電極１０３側の表面に、第１の溝１０８が形成され、ｎ型層１０６に達する深さである。 - 特許庁