「diffusion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(50ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a gas diffusion layer for a fuel cell made of a carbon porous material without going through a complicated manufacturing process.例文帳に追加

カーボン多孔質材料からなる燃料電池のガス拡散層を煩雑な製造工程を経ることなく提供する。 - 特許庁

A first heating furnace 20 heats the gas diffusion layer substrate 200 while turning the surface coated with the paste upward perpendicularly.例文帳に追加

第１加熱炉２０は、ペーストの塗工面を鉛直上方に向けた状態で、ガス拡散層基材２００を加熱する。 - 特許庁

A first diffusion region of a second conductivity opposed to the first conductivity is formed in the surface layer part.例文帳に追加

第１の導電型とは反対の第２の導電型の第１の拡散領域が、表層部内に形成されている。 - 特許庁

To provide a gaseous diffusion water-repellent layer superior in conductivity and water repellency and a membrane electrode assembly (MEA) superior in power generation characteristics.例文帳に追加

導電性および撥水性に優れたガス拡散撥水層と、発電特性に優れたＭＥＡとを提供する。 - 特許庁

The diffusion layer 23 and layers 24-1 to 24-4 form PN junction parts 31 to 34.例文帳に追加

拡散層２３とこれに接合された拡散層２４−１〜２４−４とによりＰＮ接合部３１〜３４が形成されている。 - 特許庁

To provide the baking method of a diffusion layer-forming material having short baking time compared with the conventional method and high energy efficiency.例文帳に追加

従来に比べて焼成時間が短く、エネルギ効率の良い拡散層形成材の焼成方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR PRE-ADJUSTING GAS DIFFUSION LAYER FOR IMPROVING PERFORMANCE AND OPERATIVE STABILITY OF PEM FUEL CELL例文帳に追加

ＰＥＭ燃料電池の性能及び作動的安定性を改善するためガス拡散層を予め調整する方法 - 特許庁

To reduce labor and time required in manufacturing a diffusion layer formed on a membrane/electrode assembly of a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池の膜・電極接合体に設けられる拡散層を製造する際に要する労力や時間を低減する。 - 特許庁

On a side face of the columnar semiconductor 14, silicide 18 and an n-type diffusion layer (impurity region) 19 are formed.例文帳に追加

柱状半導体１４の側面には、シリサイド１８及びｎ型拡散層（不純物領域）１９が形成されている。 - 特許庁

The mentioned structure can suppress diffusion of Zn from the p-type InP substrate 1 to the InGaAsP MQW active layer 6.例文帳に追加

上記構造とすることにより、ｐ型InP基板１からInGaAsP MQW活性層６へのZnの拡散を抑制することができる。 - 特許庁

Thereafter, heat treatment is applied again by utilizing a residual phosphor diffusion layer 2 whereby the further gettering of the metallic impurities is effected.例文帳に追加

この後、残留したリン拡散層２を利用して再度熱処理することにより、金属不純物を更にゲッタリングする。 - 特許庁

To provide a high polymer electrolyte type fuel cell provided with a gas diffusion layer which has water repellence and moderate water retentivity.例文帳に追加

撥水性と適度の保水性を有するガス拡散層を備えた高分子電解質型燃料電池を提供する。 - 特許庁

To prevent damage by projection of a fiber from a gas diffusion layer, and to improve power generation efficiency of a fuel cell.例文帳に追加

ガス拡散層からの繊維の突き出しによるダメージを抑制するとともに、燃料電池の発電効率を向上する。 - 特許庁

In the appropriate diffusion method for composing the layered structure of the Galvanic cell, the layer can be composed porous or impermeable.例文帳に追加

ガルバーニ電池の積層構成のための適切な拡散法であり、層は多孔質または不浸透性に構成できる。 - 特許庁

A first impurity diffusion region is formed on a surface layer portion of the semiconductor substrate on the inner side of the seal ring.例文帳に追加

第１の不純物拡散領域が、シールリングよりも内側において、半導体基板の表層部に形成される。 - 特許庁

To improve a contact property between a gas diffusion layer and a gas flow channel member used in a fuel cell.例文帳に追加

本発明は、燃料電池に用いられるガス拡散層とガス流路部材との接触性の向上を目的とする。 - 特許庁

To form, with satisfactory dimensional accuracy, a pattern of a thin layer resist crossing diffusion steps or etched pattern steps on a substrate.例文帳に追加

基体上の拡散段差やエッチングされたパターン段差を横断する薄層レジストのパターンを寸法精度良く形成する。 - 特許庁

The cushioning sealant 4 is arranged separately from the porous diffusion resistance layer 21 along a longitudinal direction of the gas sensor element 2.例文帳に追加

緩衝封止材４と多孔質拡散抵抗層２１とは、ガスセンサ素子２の長手方向に離隔配置されている。 - 特許庁

Thus, the carbon fiber 24 in the diffusion layer is pierced into the surface of the electrolyte membrane 21 in the range 22a.例文帳に追加

それにより、前記領域２２ａでは、拡散層２２のカーボン繊維２４が電解質膜２１の表面に突き刺さる。 - 特許庁

One is a gate electrode of MOSFET, and 2 is a diffusion layer for forming a source or drain of the MOSFET.例文帳に追加

１はＭＯＳＦＥＴのゲート電極であり、２はＭＯＳＦＥＴのソースまたはドレインを形成する拡散層である。 - 特許庁

A fuel diffusion layer 6 is arranged on an upper face side and an oxygen flow passage material 2 is arranged on a lower face side of a membrane electrode assembly 4.例文帳に追加

膜電極接合体４の上面側に燃料拡散層６、下面側に酸素流路材２を配置する。 - 特許庁

An n-type buried diffusion layer 21 to be used as the collector region is exposed from a rear surface 56 of the substrate 4.例文帳に追加

基板４の裏面５６からはコレクタ領域として用いられるＮ型の埋込拡散層２１が露出している。 - 特許庁

An n-type buried diffusion layer 19 to be used as the collector region is exposed from a rear surface 54 of the substrate 4.例文帳に追加

基板４の裏面５４からはコレクタ領域として用いられるＮ型の埋込拡散層１９が露出している。 - 特許庁

To enable fuel to react sufficiently with medium in a diffusion layer and increase output.例文帳に追加

拡散層において燃料と媒体とを十分に反応させることができ、出力を大きくすることができるようにする。 - 特許庁

And a p^+-type diffusion layer 6 having a high p-type impurity concentration is formed on the second n-well 3.例文帳に追加

そして、第２Ｎウエル３の表面には高いＰ型不純物濃度を有したＰ＋型拡散層６が形成されている。 - 特許庁

A reticulate member 170 having conductivity is arranged between the gas diffusion layer 140 and the porous part 162.例文帳に追加

ガス拡散層１４０と多孔質部１６２との間には、導電性を有する網状部材１７０が設けられている。 - 特許庁

The n^+ diffusion layer 8c is electrically connected to the wiring 12b and formed on the main surface of the semiconductor substrate 41.例文帳に追加

ｎ^+拡散層８ｃは、配線１２ｂと電気的に接続して半導体基板４１の主表面に形成されている。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device, a thin gate oxide film 12 is formed on the upper surface of a P type diffusion layer 5.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の拡散層５上面には薄いゲート酸化膜１２が形成されている。 - 特許庁

And then, a p-type diffusion layer 18 is formed using the openings 21 by ion implantation according to a self-aligning technique.例文帳に追加

そして、該開口部２１を用いて、自己整合技術によりＰ型の拡散層１８をイオン注入により形成する。 - 特許庁

An n-type buried diffusion layer 20 to be used as the drain region is exposed from a rear surface 49 of the substrate 3.例文帳に追加

基板３の裏面４９からはドレイン領域として用いられるＮ型の埋込拡散層２０が露出している。 - 特許庁

An n-type buried diffusion layer 18 to be used as the drain region is exposed from a rear surface 47 of the substrate 3.例文帳に追加

基板３の裏面４７からはドレイン領域として用いられるＮ型の埋込拡散層１８が露出している。 - 特許庁

A dielectric layer 9 is formed on the electrodes 7a, 7b, 7c, 7d and 7e and on the diffusion prevention film 5.例文帳に追加

電極７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅおよび拡散防止膜５上には誘電体層９が形成されている。 - 特許庁

An oxidant electrode 20 is constituted of an oxidant electrode catalyst layer 22 and an oxidant electrode diffusion electrode 21.例文帳に追加

また、酸化剤極２０は、酸化剤極触媒層２２と酸化剤極拡散電極２１とから構成されている。 - 特許庁

Consequently, the conductivity of the diffusion layer and the separator are relatively low in hydrogen supplying direction.例文帳に追加

従って、これら拡散層及びセパレータは、水素ガス供給方向に沿った導電性が相対的に小さくなっている。 - 特許庁

This article contains a substrate made of a superalloy, a silicon base ceramic material and a thermally stable silicon diffusion barrier layer.例文帳に追加

物品は、超合金製の基体と、ケイ素基セラミック材料と熱安定ケイ素拡散障壁層とを含んでなる。 - 特許庁

When the ion nitriding treatment is performed under such conditions, a rigid diffusion layer is formed without the generation of the white layers.例文帳に追加

かかる条件下でイオン窒化処理が行われると、白層を生じることなく硬質の拡散層が形成される。 - 特許庁

A laser diode 5 having an N side electrode 21 and a P side electrode 22 is bonded onto the first diffusion layer 8.例文帳に追加

第１拡散層８上には、Ｎ側電極２１およびＰ側電極２２を有するレーザダイオード５が接合されている。 - 特許庁

An impurity diffusion region whose conductivity-type is opposite to that of a well under an element isolation region is made to serve as a shielding layer.例文帳に追加

また、素子分離領域下のウエルにこれとは逆導電型の不純物拡散領域をシールド層としてもよい。 - 特許庁

The light emission surface of the diffusion sheet 4 is stuck to the light entrance surface of the prism sheet 5 while interposing a light reflective layer 7 between them.例文帳に追加

拡散シート４の出射面とプリズムシート５の入射面とは反射層７を介して貼り合わされている。 - 特許庁

To reduce the region of gas diffusion layer which does not contribute to power generation and improve the efficiency and output density of a fuel cell.例文帳に追加

発電に寄与しないガス拡散層の領域を縮小し、燃料電池の効率と出力密度を向上させる。 - 特許庁

If the impurity diffusion layer is shallow, the resistance is high, and a series resistance of a photodiode becomes high, and response speed is slow.例文帳に追加

不純物拡散層が浅いと抵抗が高く、フォトダイオードの直列抵抗が高くなって応答速度が遅くなる。 - 特許庁

A p-type InP impurity diffusion region which constitutes a light receiver 9 is provided in part of the i-type InP window layer.例文帳に追加

ｉ型ＩｎＰ窓層の一部に、受光部９となるｐ型ＩｎＰ不純物拡散領域が設けられている。 - 特許庁

Thereafter, a second current narrow layer 15b made of GaAs is removed in the impurity diffusion areas Za, Zb.例文帳に追加

その後、不純物拡散領域Ｚａ，Ｚｂにおける、ＧａＡｓからなる第２の電流狭窄層１５ｂを除去する。 - 特許庁

The first diffusion layer of the transistor is connected to the bit line of the storage device through the bottom side of the second word line.例文帳に追加

トランジスタの第１の拡散層は、第２ワード線の下方を通って、半導体記憶装置のビット線に接続される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is not limited by the concentration of a diffusion layer and of which junction leak current is reduced enough.例文帳に追加

拡散層濃度に制約されず、接合リーク電流が十分に低減された半導体装置を製造する。 - 特許庁