「doping element」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A doping amount of the group III element to ZnO is set to be 6-40 at%.例文帳に追加

上記III族元素のＺｎＯへのドープ量を６〜４０at％とする。 - 特許庁

The organic light emitting element has an electron injection layer in which the doping amount and doping method of an alkaline metal is controlled.例文帳に追加

電子注入層中のアルカリ金属のドーピング量やドーピング方法を制御した有機発光素子を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR DOPING SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM SEMICONDUCTOR ELEMENT AND THIN FILM SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体層のドーピング方法、薄膜半導体素子の製造方法、及び薄膜半導体素子 - 特許庁

Further, a white-color organic luminous element is obtained by doping pigments with this element structure as a basis.例文帳に追加

また、この素子構造を基本に色素をドープすることにより、白色有機発光素子を得る。 - 特許庁

A method of forming a doped region includes screen printing a paste layer 6 of doping element paste to a substrate 4 and firing the screen printed paste layer of the doping element paste to attain alloying with the doping element, in which a highly pure doping element layer 5 is applied to the semiconductor layer after which the paste layer is screen printed to the doping element layer.例文帳に追加

ドーピング元素ペーストのペースト層６を基板にスクリーン印刷し、該スクリーン印刷したドーピング元素ペーストのペースト層を焼成して行うドーピング元素との合金化により、基板４の半導体層にドープ領域を形成する方法であって、高純度ドーピング元素層５を半導体層に付与した後、ペースト層をドーピング元素層にスクリーン印刷することを特徴とする方法。 - 特許庁

The doping element is P and/or Si.例文帳に追加

ドーピング元素がＰおよび／またはＳｉである前記のリチウムマンガン複合酸化物。 - 特許庁

The transparent conductive film material has the doping element of 0.0001 or more and 0.2 or less to a total mol of Sn and the doping element.例文帳に追加

Ｓｎおよびドーピング元素の合計量（モル）に対し、ドーピング元素の量（モル）が０．０００１以上０．２以下の範囲である前記の透明導電膜用材料。 - 特許庁

To provide a doping method that achieves shallow junctions of source and drain and has no scattering of element characteristics, and to provide a semiconductor element using the doping method.例文帳に追加

ソース、ドレインの浅接合化を実現するもので、素子の特性がばらつきのないドーピング方法およびそれを用いた半導体素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

Amorphous carbon has a hydrogen concentration of 5 to 30% (atm) and contains a doping element.例文帳に追加

アモルファスカーボンは、水素濃度が５〜３０％（ａｔｍ）であり、ドーピング元素を含有している。 - 特許庁

DOPING MASK AND METHODS FOR MANUFACTURING CHARGE TRANSFER IMAGE DEVICE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING IT例文帳に追加

ドーピングマスク、これを用いた電荷転送イメージ素子の製造方法及び半導体素子の製造方法 - 特許庁

To provide a photovoltaic element capable of improving doping efficiency in a (p) layer and/or an (n) layer.例文帳に追加

ｐ層および／またはｎ層におけるドーピング効率を向上可能な光起電力素子を提供する。 - 特許庁

To provide a process of performing selective doping for a resistance element predetermined in an electronic chip.例文帳に追加

電子チップのあらかじめ定められた抵抗素子に対する選択的ドーピングを行うプロセスを提供する。 - 特許庁

Conversely, by using a solution containing a doping element, a desired amount of an impurity element can be contained in a single crystal.例文帳に追加

逆に、ドーピング元素を含む溶液を用いることにより、単結晶に所望量の不純物元素を含有させることも可能である。 - 特許庁

To provide a plasma doping method which can form a part to be doped so as to be very thin and permits improvement of a through put by doping quickly under the status of high concentration, upon doping an impurity element into a workpiece by using plasma.例文帳に追加

被処理体に不純物元素をドープする時、このドープする部分を非常に薄く形成でき且つ高濃度な状態で迅速にドープしてスループットを向上させることが可能なプラズマドーピング方法を提供することにある。 - 特許庁

In addition, the damage given to the element by charged particles in a high-concentration impurity adding (doping) step is also reduced to the utmost.例文帳に追加

また高濃度の不純物添加（ドーピング）工程における荷電粒子による損傷も極力低減する。 - 特許庁

This luminophor is obtained by doping an ion of a rare earth element such as europium in a crystal of tin dioxide.例文帳に追加

本発明の発光素は、二酸化錫の結晶中にユウロピウム等の希土類元素のイオンをドーピングしてなる。 - 特許庁

This method for producing the positive electrode active material for lithium secondary battery comprises a process for mixing a lithium source, a metal source and a doping solution containing a doping element, and a process for thermally treating substance of the mixing.例文帳に追加

リチウム源、金属源とドーピング元素を含むドーピング液を混合する工程、及び前記混合物を熱処理する工程を含むリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。 - 特許庁

In the rectifier element, a doping layer and an organic semiconductor layer are arranged between two electrodes so that the electric charge-injected side of the layers may become a doping layer at forward bias.例文帳に追加

ドーピング層と有機半導体層とを純バイアス時に電荷の注入される側をドーピング層となるように２つの電極間に配置された構造を有する整流素子を提供する。 - 特許庁

Moreover, the low-concentration drain region is formed by simultaneously doping the separating area of each transistor and the low-concentration drain region with an impurity element for separation and, at the same time, doping the low-concentration drain region with an opposite impurity element.例文帳に追加

さらに、各々のトランジスタの分離領域と低濃度ドレイン領域とに同時に分離用不純物元素をドーピングするとともに、低濃度ドレイン領域に逆の不純物元素をドーピングして低濃度ドレイン領域を形成した。 - 特許庁

Hereby, termination of upper and middle doping layers can be performed at the same time, and the effective area of the element within an element becomes large, and the making into an IC also becomes possible.例文帳に追加

これにより、上層と中間ドーピング層の終端が同時に行え、チップ内の素子有効面積が大きくなり、ＩＣ化も可能となる。 - 特許庁

To manufacture a liquid crystal element that has a good electron current property by making doping on a liquid crystal efficiently and stably.例文帳に追加

効率的で安定な液晶へのドーピングを行い、良好な電子電流特性を有する液晶素子を作製する。 - 特許庁

The layer 5 is formed by doping an element such as cobalt and chromium and the thickness of the layer 5 is set to equal to or less than 0.5μm.例文帳に追加

損失層５の形成は、コバルト、クロムなどの元素をドープすることでなされ、その厚さは０．５μｍ以下とされる。 - 特許庁

To reduce the amount of doping element paste without increasing the risk for discontinuities in a doped region.例文帳に追加

ドープ領域における不連続部に対するリスクを増加させないで、ドーピング元素ペーストの量を減少させることである。 - 特許庁

The layers 5 and 6 are formed by doping an element such as cobalt or the like and the thickness of the layers is set equal to or less than 0.5 μm.例文帳に追加

これら損失層５、６の形成は、コバルトなどの元素をドープしてなされ、その厚さは０．５μｍ以下とされる。 - 特許庁

The organic EL element includes a primary electrode, an organic EL layer, and a secondary electrode on a substrate, wherein the organic EL layer includes a primary and a secondary doping layer arranged adjacently, the primary and the secondary doping layer include an organic host material and dopant, and the doping concentration of the dopant in the primary doping layer is different than that of the dopant in the secondary doping layer.例文帳に追加

基板上に、第１電極、有機ＥＬ層および第２電極を含む有機ＥＬ素子であって、有機ＥＬ層が隣接して配置される第１および第２ドーピング層を含み、第１および第２ドーピング層は有機ホスト材料とドーパントとを含み、第１ドーピング層におけるドーパントのドーピング濃度は、第２ドーピング層におけるドーパントのドーピング濃度とは異なることを特徴とする有機ＥＬ素子。 - 特許庁

To provide a diamond semiconductor element capable of its practical application/commercializing by overcoming the difficulty in conductivity control by doping.例文帳に追加

ドーピング伝導制御の困難性を克服し実用化・産業化が可能なダイヤモンドを用いた半導体素子を提供すること。 - 特許庁

The zinc oxide thin film enhances the conductivity by doping the group III element such as Al and B to functionalize them as a transparent electrode.例文帳に追加

ＺｎＯ薄膜は、Ａｌ、ＢなどのＩＩＩ 族元素をドープして導電性を高め、透明電極として機能させうる。 - 特許庁

To develop superconductivity by doping a three-valent element to La_2CuO_4 having a structure of Nd_2CuO_4.例文帳に追加

Ｎｄ_２ＣｕＯ_４構造を有するＬａ_２ＣｕＯ_４に対して、価数３価の元素のドーピングにより、超伝導を発現させること。 - 特許庁

To provide an n-type semiconductor film of diamond that can be practically used for an electronic element by improving the efficiency of doping a diamond semiconductor film with a group V element.例文帳に追加

ダイヤモンド半導体膜へのＶ族元素のドーピング効率を向上させて、電子素子への実用に供することが可能なダイヤモンドのｎ型半導体膜を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element capable of adjusting a threshold voltage by a channel length and a doping condition of an extension source region and a drain region.例文帳に追加

チャンネル長および延長ソース／ドレイン領域のドーピング条件によって閾値電圧を調製できる半導体素子の提供。 - 特許庁

After that, the mode is switched to discharging for pre-doping lithium ion into the active material 21, after dedoping of pillar element P from the lithium electrode 10.例文帳に追加

その後、放電モードに切り換えて、リチウム極１０からピラー元素Ｐの脱ドープ後の活物質２１内にリチウムイオンをプレドープする。 - 特許庁

Further, variation in breakdown voltage in a large current region of the diode element (10) can be made smaller by heavily doping the first semiconductor region (1).例文帳に追加

第１の半導体領域（１）を高不純物濃度にしてダイオード素子の大電流領域の耐圧変化を小さくできる。 - 特許庁

The resistance of the diamond semiconductor element is reduced by heating by the preliminarily heating electrode 5 to overcome the difficulty in conductivity control by doping and as to be able to provide the diamond semiconductor element capable of practical application/commercializing.例文帳に追加

予熱電極５による加熱により、素子抵抗を低減化し、ドーピング伝導制御の困難性を克服し実用化・産業化が可能なダイヤモンド半導体素子を提供できる。 - 特許庁

Desired alkali metal content is obtained in a perfected absorptive layer by doping an element selected from Na, K, and Li or the compound of the element during the manufacture process.例文帳に追加

製造過程でＮａ，Ｋ及びＬｉから選択される元素又は該元素の化合物をドーピング添加することにより、完成した吸収層内に所望のアルカリ金属含量を得る。 - 特許庁

The window layer 20 is a Zn_1-xMg_xO film doped with at least one doping element selected from Ga, Al, and B.例文帳に追加

窓層２０が、Ｇａ、Ａｌ及びＢから選ばれる少なくとも１種のドーピング元素によってドープされたＺｎ_１−ｘＭｇ_ｘＯ膜である。 - 特許庁

The transparent conductive film material has Zn in a range of 1-2 mol to a total mol of Sn and the doping element.例文帳に追加

Ｓｎおよびドーピング元素の合計量（モル）に対し、Ｚｎの量（モル）が１以上２以下の範囲である前記の透明導電膜用材料。 - 特許庁

An element for carrier doping applied to the hydroxyapatite derivative is sodium (Na), potassium (K), magnesium (Mg), strontium (Sr) or the like, for example.例文帳に追加

ハイドロキシアパタイト誘導体に適用されるキャリアドーピング用元素としては、例えば、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ストロンチウム（Ｓｒ）などが挙げられる。 - 特許庁

Since a deep trap is formed by doping with a transition metal in the high dielectric film, a retention characteristics of the nonvolatile semiconductor memory element is improved.例文帳に追加

これにより、高誘電膜内に遷移金属をドーピングして深いトラップを形成させるため、不揮発性半導体メモリ素子のリテンション特性を改善しうる。 - 特許庁

To protect a semiconductor element under fabrication against impact of auto-doping from a scribe line portion in the process for fabricating a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法において、スクライブライン部分からのオートドーピングの影響が形成中の半導体素子に及び難いようにすることを課題とする。 - 特許庁

To easily form Ru doping semi-insulating semiconductor layer having higher insulation with high reproducibility even under a growth environment in which a large amount of hydrogen exists in order to practically use a buried type optical semiconductor element using the Ru doping semi-insulating semiconductor layer.例文帳に追加

Ruドーピング半絶縁半導体層を用いた埋め込み型光半導体素子の実用化のため、水素の大量に存在する成長環境下においても、より絶縁性の高いRuドーピング半絶縁半導体層を再現よく、容易に形成する。 - 特許庁

To provide a capacitor manufacturing method for a semiconductor element wherein a surface doping concentration of HSG(Hemispherical Grain) is maximized to improve all of the capacitance characteristics of a DRAM element and B.V (break down voltage) characteristics.例文帳に追加

ＨＳＧ(Hemispherical Grain)の表面ドピング濃度を極大化してＤＲＡＭ素子のキャパシタンス特性とＢ・Ｖ(break down voltage)特性の全てを向上させることができる半導体素子のキャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

The CMOS image sensor includes: a plurality of element separation regions formed in a substrate; and a first impurity doping region which is formed between the plurality of element separation regions with a specified space from a side surface of the element separation region.例文帳に追加

基板内に形成される複数の素子分離領域と、前記複数の素子分離領域の間に形成され、前記素子分離領域の側面と所定間隔離隔されて形成される第１不純物ドーピング領域とを含むＣＭＯＳイメージセンサ。 - 特許庁

The degree of integration and the switching speed of an element can be improved markedly, and appropriate holes for doping can be obtained at a low voltage, even if the film is not made thin largely.例文帳に追加

素子の集積度及びスイッチング速度を大幅に向上でき、膜厚を大きく薄くしなくても低電圧下で適切なドーピング用ホールを得ることができる。 - 特許庁

Irrespective of a knowledge regarding the doping level, a quantitative value is used, and the MOSFET element which indicates a more desirable electric movement can be designed.例文帳に追加

しかしながら、ドーピングレベルに関する知識に関係なく、定性的な値を用いて、より望ましい電気的な動きを示すＭＯＳＦＥＴ素子を設計することもできる。 - 特許庁

The transparent conductive film grown on a base by doping ZnO with a group-III element oxide is formed to have a Zn (002) rocking curve half-width of 13.5° or more.例文帳に追加

ＺｎＯにIII族元素酸化物をドーピングして基体上に成長させた透明導電膜において、ＺｎＯ（００２）ロッキングカーブ半値幅が１３．５°以上であるようにする。 - 特許庁