「doping element」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a semiconductor device from which the damage given to an element by a plasma process or doping process performed in an LDD forming step is reduced to the utmost.例文帳に追加

ＬＤＤ形成工程に於けるプラズマプロセスやドーピングプロセスが原因となり生じる素子の損傷を極力低減した半導体装置の作製方法を提供すること。 - 特許庁

The CMOS (complementary metal-oxide semiconductor) image sensor comprises an active unit pixel including an indium-doping layer located at a lower part of a transmission gate that transmits electric charge between a light receiving element and a floating diffusion area.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサーは、受光素子とフローティング拡散領域との間で電荷を伝送する伝送ゲート下部に位置したインジウムドーピング層を含むアクティブ単位ピクセルを含む。 - 特許庁

In an elastic surface wave element formed by providing a comb- like electrode 2 on a piezoelectric substrate 1, a protection film 3 of the comb- like electrode 2 is formed by doping silicon with boron.例文帳に追加

圧電基板１上に櫛歯状電極２を設けて成る弾性表面波素子において、櫛歯状電極２の保護膜３をシリコンにボロンをドープして形成したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for driving an actuator element containing a polypyrrole film having large generating force and mechanical strength, large expansion ratio and speed of response and doping CF_3SO_3-.例文帳に追加

発生力及び機械的強度が大きく、かつ大きな伸縮率あるいは応答速度を備えたＣＦ_３ＳＯ_３^−をドープしたポリピロールフィルムを含むアクチュエータ素子の駆動方法を提供する。 - 特許庁

To improve carrier transfer capability and carrier implantation by applying doping without generating an ion current in a liquid crystal compound having high carrier mobility in an organic electroluminescence element.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子において、キャリア移動度の高い液晶化合物に、イオン電流を発生させることなくドーピングを施してキャリア輸送能及びキャリア注入性の向上を図る。 - 特許庁

To provide a photoconductive member having high photoresponsiveness by controlling the carrier concentration in a zinc oxide thin film to a prescribed value by doping the thin film with a group I element as an impurity, and to provide a method of manufacturing the member.例文帳に追加

酸化亜鉛薄膜に第Ｉ族元素を不純物としてドーピングして所定のキャリア濃度のコントロールを行い、光応答特性のよい光導電部材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An electric characteristic of a semiconductor element (threshold voltage in a transistor and the like) is correctly and precisely monitored by using a contact angle, and the characteristic is controlled by controlling this doping method.例文帳に追加

本発明では、接触角を用いて、半導体素子の電気特性（トランジスタにおけるしきい値電圧など）を正確かつ精密にモニタし、ドーピング方法を制御することによって、特性を制御する。 - 特許庁

Bias dependence of a capacitor element having upper and lower polysilicon electrodes can be enhanced by heavily doping polysilicon 24 for upper electrode and polysilicon 10 for lower electrode.例文帳に追加

上下電極にポリシリコンを用いる容量素子の上部電極用ポリシリコン２４および下部電極用ポリシリコン１０を高濃度化して容量素子のバイアス依存性を向上させることができる。 - 特許庁

The layer 14 is constituted in a superlattice structure by alternately laminating GaN and AlGaN upon another, and the luminous efficiency of the light emitting element is improved by doping the GaN with Si and In and AlGaN with In.例文帳に追加

Ｎ型ＧａＮ系層１４はＧａＮとＡｌＧａＮを交互に積層した超格子構造とし、ＧａＮにＳｉとＩｎをドープし、ＡｌＧａＮにＩｎをドープして発光効率を向上させる。 - 特許庁

Light emitting layer 5 of an organic EL element 100 is formed by doping a host material with an luminescence dopant composed of a triplet luminescent material, and an auxiliary dopant composed of a triplet luminescent material.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１００の発光層５は、ホスト材料に三重項発光材料からなる発光ドーパントおよび三重項発光材料からなる補助ドーパントがドープされることにより形成される。 - 特許庁

Forward voltage of a nitride semiconductor element can be lowered without sacrifice of the element characteristics by subjecting the well layer of an active layer having multiple quantum well structure or the single layer of a barrier wall layer to modulation doping with n-type impurities.例文帳に追加

多重量子井戸構造からなる活性層の井戸層又は障壁層の単一層中にｎ型不純物を変調ドープすることで素子特性を悪化させることなく順方向電圧を低減することが可能な窒化物半導体素子が得られる。 - 特許庁

This contact plug forming method of the semiconductor element includes a step of growing an SEG contact plug on the semiconductor substrate where various elements for forming the semiconductor element are formed by the SEG method, a stage for thermally doping an impurity while the SEG contact plug is grown, and a step of thermally doping impurity after the SEG contact plug is grown.例文帳に追加

本発明に係る半導体素子のコンタクトプラグ形成方法は、半導体素子を形成するための各種の要素が形成された半導体基板上にＳＥＧ法でＳＥＧコンタクトプラグを成長させる段階と、ＳＥＧコンタクトプラグを成長させる途中で不純物をサーマルドーピングする段階と、ＳＥＧコンタクトプラグを成長させた後、不純物をサーマルドーピングする段階とを含んでなることを特徴とする。 - 特許庁

The iron conductive inorganic solid material is preferably a metal phosphate of which the part of a metal element is substituted by a doping element J (herein, J stands for one or more of elements selected from a group consisting of elements in the long period type periodic table Group 3A and Group 3B).例文帳に追加

該イオン伝導性の無機固体材料は、金属元素の一部をドーピング元素（ここで、Ｊは長周期型周期表第３Ａ族および第３Ｂ族の元素からなる群より選ばれる１種以上の元素である）で置換されてなる金属リン酸塩であることが好適である。 - 特許庁

To provide a thin film EL element, and its manufacturing method, which can be manufactured in a simple process of mixing heavy metal in an organic light emitting layer as against a heavy metal complex doping element, has a high luminous efficiency, is of small concentration quenching and can be used stably for a long period of time.例文帳に追加

重金属錯体ドープ素子に比べて、有機発光層に重金属を混合するという単純な工程で製造でき、高い発光効率を有し、濃度消光が小さく、長期間にわたって安定して使用できる薄膜ＥＬ素子ならびにその製造方法を提供する - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element that resolves the problem of doping concentration or uniformity of the fluorescent pigment which is a guest material of luminous layer, and has a high brightness and a high reliability enabling a stable property.例文帳に追加

発光層のゲスト材料である蛍光色素のドーピング濃度や均一性の問題を解決し、輝度を向上させた高輝度で、かつ、安定した特性が得られる信頼性の高い有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a group III nitride compound semiconductor that can easily optimize doping concentration of a dopant element in crystal of a gallium nitride compound semiconductor and efficiently deposit a film.例文帳に追加

ガリウム窒化物化合物半導体の結晶中におけるドーパント元素のドーピング濃度を容易に最適化でき、効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物化合物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a process to perform epitaxial growth in a semiconductor layer of a photoelectric element, a plurality of island-shaped objects can be grown in the semiconductor layer by heavily doping a dopant.例文帳に追加

光電素子の半導体層でエピタキシャル成長を行う過程において、ドーパントを高濃度ドープ（ｈｅａｖｉｌｙ−ｄｏｐｅ）することにより、この半導体層に複数個の島状体を成長させることができる。 - 特許庁

After forming an insulating film 2 on a substrate 1, a non-single-crystal film 4 is formed by introducing an impurity element 3 by providing a concentration gradient in a crystallization region by an ion implantation or an ion doping.例文帳に追加

基板１上に絶縁膜２を形成した後、不純物物元素３をイオン注入またはイオンドーピングによって結晶化領域において濃度勾配を設けて導入し、その上に非単結晶膜４を形成する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element can be realized in a semiconductor material wherein p-type or n-type doping cannot be realized and an inexpensive and compact semiconductor light source can be supplied in various wavelength regions.例文帳に追加

これまで、ｐ型又はｎ型ドーピングが実現できなかった半導体材料において半導体発光素子が実現でき、さまざまな波長領域において安価でコンパクトな半導体光源を供給できる。 - 特許庁

The method of fabricating a flash memory element includes steps of: forming an undoped first polysilicon film on a semiconductor substrate; forming on said first polysilicon film an undoped second polysilicon film provided with a high-concentration doped region; implementing processing such that the doping concentration of said second polysilicon film and the doping concentration of said first polysilicon film will be similar; and forming a dielectric film on the resultant product.例文帳に追加

半導体基板上にアンドープト第１ポリシリコン膜を形成する段階と、前記第１ポリシリコン膜の上部に、高濃度ドーピング領域が備えられたアンドープト第２ポリシリコン膜を形成する段階と、前記第２ポリシリコン膜のドーピング濃度と前記第１ポリシリコン膜のドーピング濃度が類似となるようにしながら、前記結果物上に誘電体膜を形成する段階とを含む。 - 特許庁

A well 10 is formed in an element region by doping impurity ion to a silicon wafer 1 having the surface orientation (100) in the doping depth of 0.5 to 1 μm from the direction inclined by 7° from the vertical axis for the silicon wafer 1, and rotated by 27° from the center of notch or orientation flat when the center of the silicon wafer 1 is set as the rotating axis.例文帳に追加

面方位が（１００）であるシリコンウェハ１に対して、シリコンウェハ１に対して垂直な軸から７°傾けた方向であり、かつシリコンウェハ１の中心を回転軸とした場合にノッチ又はオリフラの中心から２７°回転させた方向から、注入深さが０．５〜１μｍとなるように不純物イオンを注入することにより、素子領域にウェル１０を形成する。 - 特許庁

To provide a method capable of producing a film or a bulk body of a ceramic-based electrical/electronic material having more improved performance in a sufficiently fast speed by doping a third element in such a large amount that can not be doped in an equilibrium state.例文帳に追加

第３元素を平衡状態では不可能なほど大量にドープすることにより性能を向上させたセラミックス系電気・電子材料の膜又はバルク体を十分に速い速度で製造できる方法を提供する。 - 特許庁

This electrode catalyst includes (A) Group 13-doped SiC which is obtained by doping SiC with Group 13 (Group 3B) element, (B) conductive carbon particles and (C) a precious metal which is supported on the surface of the (A) Group 13-doped SiC.例文帳に追加

（Ａ）ＳｉＣに第１３族（３Ｂ族）元素がドープされた１３族ドープＳｉＣと、 （Ｂ）導電性炭素粒子と、 （Ｃ）前記（Ａ）１３族ドープＳｉＣの表面に担持された貴金属と、を含むことを特徴とする、電極触媒。 - 特許庁

The optical waveguide element has an optical waveguide formed by doping a multi-component glass material of a Na2O-B2O3-Al2O3-SiO2 glass containing 5 to 13 mol% Na2O with Ag by exchange ion.例文帳に追加

Ｎａ_2 Ｏ−Ｂ_2 Ｏ_3 −Ａｌ_2 Ｏ_3 −ＳｉＯ_2 系ガラスであって、Ｎａ_2 Ｏを５〜１３モル％含有する多成分系ガラス材料に、イオン交換によりＡｇをドープすることで光導波路が形成されている光導波路素子である。 - 特許庁

The nitride light-emitting device is so constituted such that a substrate, a n-type clad layer, a light-emitting layer, p-type clad layer, an ohmic contact layer made of indium oxide with a doping element and a reflecting layer are laminated, in this order.例文帳に追加

基板、ｎ型クラッド層、発光層、ｐ型クラッド層、オーミックコンタクト層及び反射層が順次に積層されており、オーミックコンタクト層は、インジウム酸化物に添加元素が添加されて形成される窒化物系発光素子である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element, which can make a recovery from the damages to the crystal of a polycrystalline semiconductor layer, which is generated by a collision of ions in an impurity doping process, and also can make compensation for uncombined species.例文帳に追加

不純物のドーピング工程でのイオンの衝突によって発生した結晶のダメージ回復が行えると同時に、未結合手の補償を行うことの可能な半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A semiconductor element comprises a metal gate electrode 108', 109' having a double work function formed by selectively doping a single metal film with fluorine in an NMOS and with carbon in a PMOS.例文帳に追加

半導体素子は単一金属膜に対し、ＮＭＯＳにおいてはフッ素、ＰＭＯＳにおいては炭素をそれぞれ選択的にドーピングすることによって形成される二重仕事関数の金属ゲート電極１０８’、１０９’を有する。 - 特許庁

To provide a method for effectively doping a dopant by controlling reaction of a dopant element in a method for forming a group III nitride semiconductor layer using a nitrogen source in a state of radicals, plasmas, or atoms such as MBE and sputtering process.例文帳に追加

ＭＢＥやスパッタなどのラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたＩＩＩ族窒化物半導体層の成膜法において、ドーパント元素の反応を抑制し、効率良くドーパントをドーピングする方法を提供すること。 - 特許庁

The crystalline structure can be stabilized by doping the oxygen lack part with another element to suppress the elution of manganese, and the specific surface area can be reduced by partially substituting manganese and furthermore making lithium excessive to suppress elution of manganese.例文帳に追加

酸素欠損部に他の元素をドープすることで結晶構造が安定化してマンガンの溶出を抑制でき、マンガンの一部を置換し、更にリチウムを過剰にすることで比表面積が減少して、よりマンガンの溶出を抑制できる。 - 特許庁

Further, in the light emitting layer, an organic EL element in which a patter is made visible by the difference in the color tone is also available by forming a display pattern made of light- emitting materials different from those of other parts, for instance, by including doping agent.例文帳に追加

また、発光層において、ドーピング剤を含む等、他の部分とは異なる発光材料からなる表示パターン部を形成することによって、色調の差によりパターンを視認することができる有機ＥＬ素子とすることもできる。 - 特許庁

To realized an organic EL element which has efficiency sufficient with just a mixed emission layer without performing precise doping in blue color area at low concentration, an emission life that can stand a practical use, and a manufacturing margin, can keep a drive voltage lower comparing with an EL element using a bipolar type mixture layer.例文帳に追加

青色の領域において低濃度での精密なドーピングを行うことなく混合発光層のみで十分な効率と、実用に耐えうる発光寿命、さらには広い製造マージンを持ち、しかも、バイポーラ型混合層を用いたＥＬ素子に比べると駆動電圧を低く抑えることの可能な有機ＥＬ素子を実現する。 - 特許庁

The impurity element, such as a 3d transition metal, can be moved into a region far from the junction regions of a channel-forming region and a drain region by doping the element represented by P(phosphorus) in a region, in which source/drain are formed, and forming a gradient to the concentration distribution.例文帳に追加

上記問題点を解決するために、ソース／ドレインが形成される領域に、P（リン）に代表される元素をドープし、その濃度分布に勾配をつけることで、３ｄ遷移金属などの不純物元素を、チャネル形成領域とドレイン領域との接合領域から遠い領域に移動させることができる。 - 特許庁

In an end surface light emitting semiconductor laser in which a waveguide layer comprising a cladding layer and a waveguide core and a distributed brag reflector comprising a plurality of pairs of mirror are prepared, difference in refractive index is produced by substituting the doping level of the first element of the pair of mirror for that of the second element of the pair of mirror.例文帳に追加

例えば、クラッド層および導波コアを備えている導波層と、複数のミラー対からなっている分布ブラッグ反射器とが設けられている端面発光半導体レーザにおいて、ミラー対の第１の要素とミラー対の第２の要素とのドーピングレベルを代えることによって屈折率の差を生成させている。 - 特許庁

Next, an N-type well 14 is formed in the region just under the STI 12 in the N-type well resistance element forming region, and a donor diffusing region 20 is also formed in a P-type MOS transistor forming region by doping the donor in the N-type well resistance element forming region and the P-type MOS transistor forming region.例文帳に追加

次に、Ｎウェル抵抗素子形成領域及びＰ型ＭＯＳトランジスタ形成領域に対してドナーを注入して、Ｎウェル抵抗素子形成領域におけるＳＴＩ１２の直下域にＮ型ウェル１４を形成すると共に、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ形成領域にドナー拡散領域２０を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a group III nitride semiconductor layer, by which the doping concentration of Si as a dopant element in a crystal of a group III nitride semiconductor is optimized easily, film is formed efficiently by using a sputtering method, and the high activation rate of Si being the dopant element is attained, and to provide a method for manufacturing a group III nitride semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素としてＳｉのドーピング濃度を容易に最適化でき、スパッタ法を用いて効率よく成膜することができると共に、ドーパント元素であるＳｉの活性化率を高めることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The CMOS image sensor includes: a first conduction-type semiconductor substrate defined in an active region and an element isolation region; an element isolation film formed in the element isolation region of the semiconductor substrate; a second conduction-type diffusion region formed in the active region of the semiconductor substrate; and a first conduction-type doping region and insulation film formed between the element isolation film and the second conduction-type diffusion region.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサーは、アクティブ領域と素子分離領域とで定義された第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の素子分離領域に形成される素子分離膜と、前記半導体基板のアクティブ領域に形成される第２導電型の拡散領域と、前記素子分離膜と第２導電型の拡散領域との間に形成される第１導電型のドーピング領域及び絶縁膜とを含む。 - 特許庁

As pretreatment of the spin doping process of a catalytic element solution, a step of forming an extremely thin silicon oxide film by ozone water treatment is practically included in the actual process.例文帳に追加

しかし、オゾン水処理による非晶質シリコン膜表面への極薄シリコン酸化膜の成膜工程を実際の工程に適用した結果、ロット内の一部の基板に於いて、熱結晶化後の結晶質シリコン膜に渦状の模様の発生が認められた。 - 特許庁

To provide an optimal operating temperature control method for a high-output diamond semiconductor element that makes energy-saving operation possible by providing an optimal doping density for each temperature area and minimizing the resistance of a high-temperature operating diamond semiconductor in its operation.例文帳に追加

各温度領域における最適なドーピング濃度を提供し、高温動作ダイヤモンド半導体での動作時の抵抗を最低限にし、省エネルギー動作を可能にする高出力ダイヤモンド半導体素子の最適作動温度制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a light emitting diode element capable of having light emission on a side of a wavelength shorter than the light emission wavelength range of conventional B and N-doped 6H-type SiC without doping 6H type SiC with Al, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

６Ｈ型ＳｉＣにＡｌをドープすることなく、Ｂ及びＮがドープされた通常の６Ｈ型ＳｉＣの発光波長域によりも短波長側の発光を得ることのできる発光ダイオード素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The process for preparing a phosphor comprises introducing a mixture comprising a group II-VI compound semiconductor and a salt containing a doping element together with a carrier gas into a flame whose temperature is controlled to 1,700 to 2,700°C.例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体とドーピング元素を含む塩とを含む混合物をキャリアガスとともに温度を１７００℃〜２７００℃に制御した火炎内に導入することを特徴とする蛍光体の製造方法によって上記課題を解決する。 - 特許庁

The present invention relates to an amplifying optical fiber having a central core and an optical cladding surrounding the central core wherein the central core is based on a silica matrix including nanoparticles composed of a matrix material including doping ions of at least one of an rare earth element.例文帳に追加

本発明は、中心コアと、中心コアを取り巻く光クラッドとを有する増幅光ファイバに関し、中心コアは、少なくとも１種類の希土類元素のドーピングイオンを含むマトリックス材料から成るナノ粒子を含むシリカマトリックスをベースとする。 - 特許庁

This negative electrode material is formed of particles including the Si phase and the SiC phase, and the Si phase contains the doping element and a part of the Si phase is exposed in a particle surface, and other parts of the Si phase except for the part exposed in the particle surface are in contact with the SiC phase.例文帳に追加

この負極材料は、Si相とSiＣ相とを含む粒子からなり、Si相が前記ドープ元素を含み、Si相の一部が粒子表面に露出し、かつSi相の粒子表面に露出している部分以外はSiＣ相と接している。 - 特許庁

Preferably, pH is adjusted using an organic acid salt and an amine, pH is adjusted using an organic acid salt and ammonia, the organic acid salt is ammonium salt of an organic acid and a salt of a doping element other than the manganese salt is further incorporated in the mixing step.例文帳に追加

ｐH調整を有機酸塩とアミンで行うこと、ｐH調整を有機酸塩とアンモニアで行うこと、有機酸塩が有機酸のアンモニウム塩であること、混合工程において、マンガン塩以外のドーピング元素の塩をさらに混合すること、が好ましい。 - 特許庁

To provide an oxide based catalyst provided with a useful performance such as excellent and stable visible radiation responsibility by a manufacturing process with easy quantitative control of a doping element, high productivity and low cost.例文帳に追加

本発明は、ドーピング元素の量的制御などが容易で生産性の高く且つ低コストな製造プロセスにより優れて安定した可視光応答性などの有益な性能を備えた酸化物系触媒を提供することをその技術課題としたものである。 - 特許庁

A part of vanadium site of a crystal structure of vanadium oxide capable of inserting and desorbing (doping and dedoping) lithium ion which can be used as an active material of an electrode is substituted with, for instance, a group V/VI element with an ion radius larger than vanadium ion.例文帳に追加

電極の活物質として使用できるリチウムイオンの挿入、脱離（ドープ及び脱ドープ）可能なバナジウム酸化物の結晶構造のバナジウムサイトの一部を、例えば、Ｖ族、ＶＩ族のイオン半径がバナジウムイオンよりも大きい元素で置き換える。 - 特許庁