「doping element」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To manufacture a photovoltaic power element having excellent characteristics by preventing the characteristics from being deteriorated due to the mixing of doping gases or the like into a substantially intrinsic i-type semiconductor layer, even if a transparent conductive layer wherein a high texture degree is included but adsorptive sites increase is used, when manufacturing the photovoltaic power element including a pin junction.例文帳に追加

ｐｉｎ接合を有する光起電力素子の製造に際し、高いテクスチャー度を有するが吸着サイトが増加している透明導電層を使用した場合においても、ドーピングガス等が実質的に真性なｉ型半導体層に混入して特性が低下するのを防止して良好な特性を有する光起電力素子を製造できるようにする。 - 特許庁

To provide a light emitting element which is sufficiently reducible in element series resistance on a sticking interface and can improve its switching response even when a sticking surface side of a light emission layer part and a transparent conductive semiconductor substrate become (n) types and an InGaP intermediate layer formed on the sticking surface side is made into an (n) type through Si doping.例文帳に追加

発光層部と透明導電性半導体基板との貼り合せ面側がｎ型となり、貼り合せ面側に形成するＩｎＧａＰ中間層がＳｉドーピングによりｎ型とされる場合においても、貼り合せ界面における素子直列抵抗を十分に低減でき、またそのスイッチング応答性も図ることができる発光素子を提供する。 - 特許庁

In the case of applying doping to a semiconductor substrate by emitting a neutron beam to the semiconductor substrate including at least one stable isotope as a constituent element to cause nuclear reaction of the stable isotope, employing a diffraction pattern obtained by emitting the neutron beam 15 to a diffraction grating 12 provides spatial contrast to the emission dose of the neutron so as to carry out spatially selectable doping.例文帳に追加

少なくとも一つの安定同位体を構成元素として含む半導体基体に中性子線を照射して安定同位体の核反応を起こすことにより半導体基体にドーピングを行う場合に、中性子線１５を回折格子１２に照射することにより得られる回折パターンを用いて半導体基体１１に対する中性子の照射量に空間的な濃淡を持たせ、空間的に選択的なドーピングを行う。 - 特許庁

To provide a growth method of a semiconductor layer which can raise the doping amount (activation rate of Zn) at a saturation point of Zn when a p-type AlGaInP semiconductor layer is made to grow, and a manufacturing method of a semiconductor light emitting element wherein the growth method of the semiconductor layer is used.例文帳に追加

ｐ型のＡｌＧａＩｎＰ系半導体層を成長させるときのＺｎの飽和点におけるドーピング量（Ｚｎの活性化率）を上げることができる半導体層の成長方法と、この半導体層の成長方法を用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic light emitting element capable of improving lifetime characteristics and excluding an adverse influence, such as an increase in voltage and a decrease in luminous efficiency, by controlling the structure of a region for doping an electroluminescent dopant, a dope region, and the distribution of the dope region.例文帳に追加

発光ドーパントをドープする領域の構造、ドープ領域およびドープ濃度分布を制御することにより、寿命特性を改善することができ、さらに電圧上昇や発光効率低下等の悪影響を排除することができる有機発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a zinc oxide based compound semiconductor device that prevents a rise in driving voltage while obtaining p-type doping, and has good crystallinity and an excellent element characteristic even if the semiconductor device is formed with a lamination portion having a heterojunction of ZnO based compound semiconductor layers.例文帳に追加

ＺｎＯ系化合物半導体層のヘテロ接合を有する積層部を形成して半導体素子を形成しても、ｐ形ドーピングを確保しつつ駆動電圧の上昇を引き起こさず、しかも結晶性を良好にして素子特性の優れた酸化亜鉛系化合物半導体素子を提供する。 - 特許庁

A spiral pattern is considered to be a localized amorphous region generated upon spin doping of the catalytic element solution due to insufficient formation of an extremely thin silicon oxide film during the ozone water treatment step.例文帳に追加

上記渦状の模様は、オゾン水処理工程の極薄シリコン酸化膜の成膜不足により、触媒元素溶液のスピン添加処理の際に、局部的に撥水現象が生じ、触媒元素が均一に添加されない為、局部的非晶質領域が発生したものと考えられる。 - 特許庁

To provide a method and equipment which can easily manufacture a low cost III group nitride semiconductor crystal by a hydlide vapor phase epitaxy method while doping a silica element with excellent controllability and reproducibility using a crystal growth furnace in which a quartz component is used.例文帳に追加

石英部材を使用した結晶成長炉を用いて、優れた制御性及び再現性でもって珪素元素をドープしながら、容易にかつ低いコストでIII族窒化物系半導体結晶をハイドライド気相成長法により製造できる方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The transparent conductive film material is composed of a compound metal oxide containing Zn, Sn and O as main compositions and of a compound metal oxide containing one or more of elements selected from the 5th to 10th groups of the periodic table as a doping element.例文帳に追加

Ｚｎ、ＳｎおよびＯを主成分として含有する複合金属酸化物であって、さらにドーピング元素として周期表第５族〜第１０族の元素からなる群より選ばれる１種以上の元素を含有する複合金属酸化物からなる透明導電膜用材料。 - 特許庁

This indium compound spintronics material is produced by doping at least one element selected from Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu and Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm and Yb into indium oxide, and is composed such that the point symmetry of unit cells has the lattice translation structure of scandium oxide type crystal structure.例文帳に追加

インジウム酸化物に、Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ、並びにＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂから選ばれる１つ以上の元素がドープされて成り、単位胞の点対称性が、酸化スカンジウム型結晶構造の格子並進構造を有するインジウム化合物スピントロニクス材料を構成する。 - 特許庁

The present invention includes at least one kind of hydrogenation-dehydrogenation element selected from a group of elements of the groups VIB and VIII of the periodical table; the oxide of a doping element of 0.01-5.5 wt.% selected from phosphorus, boron and silicon; and silica-alumina-based non-zeolite support containing silica (SiO_2) of 15-95 wt.%.例文帳に追加

本発明は、周期表のＶＩＢ族及びＶＩＩＩ族の元素からなる群から選択される少なくとも１種の水素化−脱水素化元素と、リン、ホウ素及びケイ素から選択される０．０１〜５．５重量％のドーピング元素酸化物と、１５重量％を超え、かつ９５重量％以下の量のシリカ（ＳｉＯ_２）を含むシリカ−アルミナをベースとする非ゼオライト担体を含む。 - 特許庁

To reduce a defect, such as a Ga hole, by doping Al at the time of GaN growing, to reduce the defect, such as a dislocation, caused by lattice mismatch, and to provide a high quality GaN semiconductor light emitting element and its manufacturing method capable of improving electrical characteristics and optical characteristics.例文帳に追加

本発明はGaN成長時AlをドープすることによりGa空孔のような欠陥を減少させると共に転位などのような格子不整合による欠陥を減少させ、電気的特性及び光学的特性を向上させられる高品質GaN半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。 - 特許庁

A crystalline semiconductor film is formed by doping a metal element for promoting crystallization to an amorphous semiconductor film and forms ridges arranged in the lattice-like configuration on the surface of the crystalline semiconductor film, by illuminating the crystalline semiconductor film with a pulsed-oscillation laser having a controlled direction of polarization.例文帳に追加

上記課題を鑑み本発明は、非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を添加して結晶性半導体膜を形成し、結晶性半導体膜に偏光方向を制御したパルス発振型のレーザを照射することにより、結晶性半導体膜表面に格子状に整列したリッジを形成する。 - 特許庁

A vibrator 3 for vibration generator is composed of a sintered alloy obtained by applying compaction and sintering to a tungsten-base alloy powder prepared by doping a tungsten powder with at least one element selected from aluminum(Al), silicon(Si), potassium(K), nickel(Ni), iron(Fe), cobalt(Co), rhenium(Re), thorium(Th), niobium(Nb), and yttrium(Y).例文帳に追加

タングステン粉末にアルミニウム（Ａｌ），けい素（Ｓｉ），カリウム（Ｋ），ニッケル（Ｎｉ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），レニウム（Ｒｅ），トリウム（Ｔｈ），ニオブ（Ｎｂ）およびイットリウム（Ｙ）から選択される少なくとも１種の元素をドープしたタングステン基合金粉末を成形・焼結した焼結合金から成ることを特徴とする振動発生機用振動子である。 - 特許庁

To provide a high-quality GaN semiconductor light-emitting element which can be improved in electrical characteristics and optical characteristics by reducing defects such as Ga voids or the like by doping Al when growing GaN and reducing defects by lattice mismatch such as dislocation or the like, and also to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明はGaN成長時AlをドープすることによりGa空孔のような欠陥を減少させると共に転位などのような格子不整合による欠陥を減少させ、電気的特性及び光学的特性を向上させられる高品質GaN半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。 - 特許庁

In an organic electroluminescent element formed on a substrate 10 and provided with one or plural organic layers 20 held between a pair of electrodes 12, 14, benzopyracridone derivative is used for material of the organic layers, that is material for organic light emitting layers, doping material to the organic light emitting layers, or material for hole injection layers.例文帳に追加

基板上に形成され、電極対に挟まれた１層または複数層の有機層を備える有機電界発光素子において、その有機層の材料、例えば有機発光層や、有機発光層へのドーピング材料、あるいは正孔注入層などの材料として、ベンゾピラクリドン誘導体を用いる。 - 特許庁

Related to a nitride semiconductor device comprising a nitride luminous element layer 9 on a GaN substrate 1, the GaN substrate 1 is doped with Mg, whose doping amount is 1×1017-1×1020 cm-3, with the thickness of the GaN substrate 1 being 100 μm or larger.例文帳に追加

ＧａＮ基板１上に窒化物系の発光素子層９を有する窒化物系半導体素子において、ＧａＮ基板１はＭｇがドーピングされており、そのドーピング量が１×１０^17ｃｍ^-3以上、１×１０^20ｃｍ^-3以下の範囲であり、且つ前記ＧａＮ基板１の厚みが１００μｍ以上であることを特徴とする。 - 特許庁

This battery is provided with a positive electrode containing LixMO2 (M is an element or elements containing at least either Ni or Co) as a positive electrode active material, a negative electrode containing a negative electrode active material capable of doping and dedoping magnesium ions, and a nonaqueous electrolyte containing a magnesium salt, and the value of (x) in LixMO2 is in the range of 0.1-0.5.例文帳に追加

Ｌｉ_xＭＯ_2（ＭはＮｉ又はＣｏを少なくとも１種以上含む元素）を正極活物質として含有する正極と、マグネシウムイオンのドープ・脱ドープが可能な負極活物質を含有する負極と、マグネシウム塩を含有する非水電解質とを備え、上記Ｌｉ_xＭＯ_2のｘの値が、０．１≦ｘ≦０．５の範囲である。 - 特許庁

Upon manufacturing the element substrate 10 of the electro-optic device, thin film transistors 80, 90 are formed, a first interlayer insulating film 4, consisting of silicon oxide film, and a second interlayer insulating film 7, consisting of silicon nitride film, are formed and then, hydrogen ion and phosphorus ion are introduced through ion shower doping method under this condition.例文帳に追加

電気光学装置の素子基板１０を製造するにあたって、薄膜トランジスタ８０、９０を形成した後、シリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜４、およびシリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜７を形成し、この状態で、イオンシャワードーピング法により、水素イオンおよびリンイオンを導入する。 - 特許庁

A white-colored organic BL element 100 is formed by stacking a transparent electrode 2 made of ITO as an anode, a hole transport layer 3 made of DCM or TPD, a coloring matter doping layer 4, an electron transport layer 5, and a cathode 7 in order on one surface 1a of a transparent glass substrate 1, and emitted light is taken out of the other surface 1b.例文帳に追加

白色有機ＥＬ素子１００は、透明なガラス基板１の一面１ａ上に、陽極としてのＩＴＯ等からなる透明電極２、ＤＣＭ、ＴＰＤ等からなる正孔輸送層３、色素ドープ層４、電子輸送層５、陰極７を順次積層し、発光はガラス基板１の他面１ｂ側から取り出す。 - 特許庁

The method of manufacturing a solar cell device of semiconductor comprises the steps of: doping a semiconductor wafer before a diffusion process with a group IV element on the periodic table, its compound or a mixture containing any of them from the surface layer becoming the light receiving surface side; and repairing crystal damage by annealing.例文帳に追加

また半導体の太陽電池デバイスの製造方法において、拡散工程前の半導体ウエハに対し、元素周期律表の第ＩＶ族元素又はその化合物或いはその何れかを含む混合物を受光面側となる表層からドーピングし、アニーリングにより結晶ダメージを修復することを特徴とする太陽電池デバイスの製造方法の構成とした。 - 特許庁

The method comprises inserting the center-core composed of a synthetic quartz doped with germanium, a rare earth element and aluminum wherein the doping amount of aluminum is 5 to 10wt.% into a quartz tube for the side-core composed of a synthetic quartz doped with germanium, heating at about 2,000°C, preferably ≥2,000°C, for jacketing, and quenching.例文帳に追加

本発明の製造方法は、ゲルマニウムと希土類元素およびアルミニウムをドープした合成石英よりなり、アルミニウムのドープ量が５〜10重量％であるセンターコアを、ゲルマニウムをドープした合成石英よりなるサイドコア用石英管中に挿入し、約2000℃、特には2000℃以上に加熱してジャケッティングした後急冷することを特徴としている。 - 特許庁

The method of manufacturing the titanium oxide photocatalyst comprises mixing a compound of formula TiX (wherein, X is at least one nonmetallic element selected from P, N, S_2 and C) with a titanium compound in a solvent and heating and crystallizing the mixture to obtain the titanium oxide photocatalyst and enables uniform doping of nonmetallic elements in the resultant titanium oxide photocatalyst.例文帳に追加

この発明に係る酸化チタン光触媒体の製造方法は、TiX（X=P、N、S_2、Cなど非金属元素）化合物をチタン化合物に溶媒中で混合して加熱結晶化して酸化チタン光触媒体を得る方法であり、この方法により、得られる酸化チタン光触媒体中に非金属元素を均一にドープすることができる。 - 特許庁

The group III-V compound semiconductor element to be formed on a substrate includes a structure where a semiconductor layer with a distortion is interposed between a first semiconductor layer and a second semiconductor layer, where doping is performed in low concentration or the dopant is not doped.例文帳に追加

基板上に形成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子において、第１の半導体層と第１の半導体層よりも低濃度にドーピングされた、もしくはドーパントがドーピングされていない第２の半導体層との間に、歪を有する半導体層が介在している構造を有することを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子を提供する。 - 特許庁

In this organic electroluminescence element, a carrier transfer layer is formed by doping a Lewis acid compound to a smectic liquid crystal compound having a hexagonal system order degree, and a protective layer having the carrier transfer capability of the same kind as the carrier transfer layer, and composed of an organic compound different in carrier conductivity is formed between the carrier transfer layer and a light emitting layer.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子において、六方晶秩序度を有するスメクチック液晶化合物に、ルイス酸性化合物をドーピングしてキャリア輸送層を形成し、さらに、該キャリア輸送層と発光層との間に、該キャリア輸送層と同種キャリア輸送能を有し且つキャリア伝導性の異なる有機化合物からなる保護層を形成する。 - 特許庁

The method comprises steps of further introducing a hydrogen halide from a second supply pipe 20 different from a supply pipe 30 of the hydrogen halide for forming a group III metal halide to a crystal growth furnace 1, leading it on a substrate 5 through a flow pipe 2 composed of a heat-resistant silica content material, and doping the silica element existent in the flow pipe 2 to a group III nitride semiconductor crystal 9.例文帳に追加

III族金属ハロゲン化物形成用のハロゲン化水素の供給管30と異なる第二の供給管20から、結晶成長炉１にさらにハロゲン化水素を導入し、耐熱性珪素含有材料からなる流通管２に通して基板５上に導き、流通管２に含まれている珪素元素をIII族窒化物系半導体結晶９にドープする。 - 特許庁

To provide an optical element of high quality, which suppresses a rise in refractive index of a substrate surface when impurities are thermally diffused in a crystal substrate made of lithium niobate crystal of constant-ratio composition or made by doping the crystal with Mg, or when the crystal substrate is heat-treated in order to recover machining strain, and has superior productivity and optical characteristics, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

定比組成ニオブ酸リチウム結晶又は該結晶にＭｇをドープした結晶基板において、不純物を熱拡散する場合や、加工歪を回復するために熱処理する際の基板表面の屈折率上昇を抑制し、また、生産性並びに光学特性の優れた高品位な光学素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The catalyst particle comprises a catalyst compound for catalyzing the growth of an elongated nanostructure comprising a nanostructure material without substantially dissolving in the nanostructure material and at least a dopant element for doping the elongated nanostructure during growth by substantially completely dissolving in the nanostructure material.例文帳に追加

触媒粒子は、ナノ構造体材料中に実質的に溶解することなく、ナノ構造体材料を含む細長のナノ構造体の成長を促進する触媒化合物と、ナノ構造体材料中に実質的に完全に溶解することにより、成長の間に細長のナノ構造体にドープされる少なくとも１種のドーパント元素とを備える。 - 特許庁

A method of manufacturing an SiC semiconductor element includes steps of: doping a surface layer of an SiC substrate 1 with an impurity; depositing a carbon film 2 on a surface of the SiC substrate doped with the impurity in an inert gas atmosphere; annealing the SiC substrate having the carbon film deposited; and removing the carbon film deposited on the annealed SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１の表面層に不純物のドーピングを行なう工程と、不純物がドーピングされたＳｉＣ基板の表面に、不活性ガス雰囲気中でカーボン膜２を堆積する工程と、カーボン膜が堆積されたＳｉＣ基板をアニール処理する工程と、アニール処理されたＳｉＣ基板に堆積されているカーボン膜を除去する工程とを含むことを特徴とするＳｉＣ半導体素子の製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the ZnO-based semiconductor device includes the processes of: preparing a substrate; supplying Zn, O and N on the upper side of the substrate; supplying an element which is added to ZnO when necessary to change a band gap; and forming a ZnO-based semiconductor layer doped with N to exhibit n-type conductivity with increased n-type carrier concentration as compared with the case that doping with N is not performed.例文帳に追加

ＺｎＯ系半導体装置の製造方法は、基板を準備する工程と、基板上方に、Ｚｎ、Ｏ、及びＮを供給するとともに、必要に応じて、ＺｎＯに添加することによりバンドギャップを変化させる元素を供給し、Ｎをドープすることにより、Ｎをドープしない場合に比べてｎ型キャリア濃度が増したｎ型伝導性を示すＺｎＯ系半導体層を形成する工程とを有する。 - 特許庁

In the case of the method for preparing the peroxodisulfate, for example, ammonium peroxodisulfate, sodium peroxodisulfate and potassium peroxodisulfate by anodically oxidizing an electrolyte containing sulfate and/or hydrogensulfate, a diamond layer which is arranged on a conductive carrier and is made conductive by doping using a tervalent or pentavalent element is used as an anode and the accelerators are not added to an anolyte.例文帳に追加

硫酸塩および／または硫酸水素塩を含有する電解質を陽極酸化することによって、ペルオキソ二硫酸塩、例えばペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸ナトリウムおよびペルオキソ二硫酸カリウムを製造する方法の場合に、導電性担体上に配置されかつ３価または５価の元素を用いてのドーピングによって導電性にされたダイヤモンド層を陽極として使用し、陽極液に促進剤を添加しない。 - 特許庁

The method includes a process of fusing at least a portion of a semiconductor layer (13) formed on a substrate (11) by irradiating the semiconductor layer with laser light (a), a process of subjecting elements doped in the semiconductor layer to abrasion by irradiating a target material (2) containing the element with laser light (a'), and a process of doping the fused semiconductor laser with the elements subjected to the abrasion.例文帳に追加

基板（１１）に形成された半導体層（１３）にレーザ光（ａ）を照射することにより前記半導体層の少なくとも一部を溶融させる工程と、前記半導体層中にドーピングされるべき元素を含むターゲット材（２）にレーザ光（ａ′）を照射して前記元素をアブレーションさせる工程と、前記アブレーションした元素を、溶融した前記半導体層にドーピングさせる工程とを具備してなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a contact plug forming method of a semiconductor element, which thermally dopes the impurity of phosphorus P in-situ during the formation of a contact plug by an SEG method and after formation, and increases impurity concentration for preventing the increase in the resistance due to the reduction in the impurity concentration of the contact plug formed by the SEG method.例文帳に追加

ＳＥＧ法によって形成されたコンタクトプラグの不純物濃度減少による抵抗の増加を防止するために、コンタクトプラグをＳＥＧ法によって形成する途中と形成後に、インサイツ(in-situ)でリンＰなどの不純物をサーマルドーピング(Thermal Doping)して不純物濃度を増加させることにより、抵抗を減少させて素子の電気的特性を向上させることができる半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nitride semiconductor element by which a magnesium activation rate after annealing is made equal to or larger than a predetermined value irrespective of the Al composition of a p-type nitride semiconductor layer and the concentration of remaining hydrogen by forming the p-type nitride semiconductor layer by performing doping with magnesium and carbon such that the concentration ratio between magnesium and carbon in the layer reaches a predetermined concentration ratio.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層を、マグネシウムおよび炭素を、それらマグネシウムと炭素の層中の濃度比が所定の濃度比になるようにドープすることによって形成することにより、ｐ型窒化物半導体層のＡｌ組成や残留する水素濃度にかかわらず、アニール後のマグネシウム活性化率を所定値以上とすることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The evaluating element 10 for evaluating the manufacturing process of a representative MOS transistor 1 included in an IC chip 100 formed on a wafer W includes a normal MOS transistor 10a formed on the wafer W by the same manufacturing process as that of the MOS transistor 1, and a native transistor 10b formed on the wafer W by an incomplete manufacturing process with only a channel doping process omitted from the manufacturing process.例文帳に追加

ウエーハＷに形成されたＩＣチップ１００に含まれる代表的なＭＯＳトランジスタ１の製造プロセスを評価するための評価素子１０であって、ＭＯＳトランジスタ１と同一の製造プロセスによってウエーハＷに形成された通常のＭＯＳトランジスタ１０ａと、この製造プロセスからチャネルドープ工程だけを除いた不完全製造プロセスによって当該ウエーハＷに形成されたネイティブトランジスタ１０ｂと、を備えたものである。 - 特許庁