「double exposure」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

DOUBLE EXPOSURE PHOTOMASK AND EXPOSURE METHOD例文帳に追加

二重露光フォトマスクおよび露光方法 - 特許庁

DOUBLE EXPOSURE METHOD USING DOUBLE EXPOSURE TECHNOLOGY AND PHOTO MASK USED THEREFOR例文帳に追加

二重露光技術を用いた二重露光方法及びこの二重露光方法のためのフォトマスク - 特許庁

DOUBLE EXPOSURE DOUBLE RESIST LAYER PROCESS FOR FORMING GATE PATTERN例文帳に追加

ゲートパターンを形成するための二重露光二重レジスト層プロセス - 特許庁

of a film, to have a double exposure 例文帳に追加

(映画の画面などが)二重写しとなる - EDR日英対訳辞書

To shorten the time required for double exposure.例文帳に追加

多重露光に要する時間を短くする。 - 特許庁

Flat roof plate members 1 are double-roofed in an inclination direction of a roof 30 and have an exposure part 6 and a non-exposure part 7.例文帳に追加

屋根３０の傾斜方向で重ね葺きされ、曝露部６と非曝露部７とを有する。 - 特許庁

To provide a double exposure double resist layer process for forming gate patterns.例文帳に追加

ゲートパターンを形成するための二重露光二重レジスト層方法を提供する。 - 特許庁

Uniformity of critical dimensions within a surface area is improved by using double exposure and double etching.例文帳に追加

ダブル露光とダブルエッチングを用いて、面内寸法差の均一性を改善する。 - 特許庁

DUAL WAFER STAGE DOUBLE EXPOSURE LITHOGRAPHY SYSTEM AND METHOD FOR DUAL SUBSTRATE STAGE DOUBLE EXPOSURE LITHOGRAPHY SYSTEM例文帳に追加

デュアル基板ステージ型ダブル露光リソグラフィシステムにおける方法およびデュアルウェハステージ型ダブル露光システム - 特許庁

When double exposure is performed by using reticles 11 and 13, the electron intensities of the double exposure are added to each other and the sum becomes the electron intensity distribution curve C shown in the graph.例文帳に追加

レチクル１１及びレチクル１３を用いて二重露光すると、それぞれの電子強度が足し合わされて、電子強度分布Ｃのようになる。 - 特許庁

METHOD FOR INCREASING THROUGHPUT IN DUAL-SUBSTRATE-STAGE-TYPE DOUBLE EXPOSURE LITHOGRAPHIC SYSTEM AND DUAL-WAFER-STAGE TYPE DOUBLE EXPOSURE SYSTEM例文帳に追加

デュアル基板ステージ型ダブル露光リソグラフィシステムにおける方法およびデュアルウェハステージ型ダブル露光システム - 特許庁

METHOD FOR EXECUTING DOUBLE-EXPOSURE LITHOGRAPHY, PROGRAM PRODUCT AND DEVICE例文帳に追加

二重露光リソグラフィを実行するための方法、プログラム製品及び装置 - 特許庁

To provide an algorithm most suitable for pattern decomposition in double exposure.例文帳に追加

二重露光において、パターン分解の最適なアルゴリズムを提供する。 - 特許庁

JUDGEMENT OF POSITION ACCURACY OF DOUBLE EXPOSURE LITHOGRAPHY USING LIGHT MEASUREMENT例文帳に追加

光計測を用いた二重露光リソグラフィの位置精度判断 - 特許庁

MASK ALIGNMENT METHOD AND MASK ALIGNMENT DEVICE FOR DOUBLE-FACE EXPOSURE APPARATUS例文帳に追加

両面露光装置のマスクアライメント方法及びマスクアライメント装置 - 特許庁

The part where two division exposure regions are overlapped includes a part subjected to double exposure by considering the exposure error.例文帳に追加

２つの分割露光領域が重なる部分は、露光誤差を考慮して二重露光される部分を有する。 - 特許庁

To solve the problem that widths of a characteristic form printed at two exposure steps differ in double exposure.例文帳に追加

二重露光において、２つの露光ステップでプリントした特徴形体幅が異なるという課題を解決する。 - 特許庁

To reduce the whole time required for an exposure process of a workpiece and to prevent decrease in the throughput in a double-sided exposure apparatus having a mask library.例文帳に追加

マスクライブラリを備える両面露光装置において、ワークの露光処理に要する全体の時間を短くし、スループットの低下を防ぐこと。 - 特許庁

The image forming device 10 permits an optional change of an exposure ratio between adjacent light beams by a double exposure scan.例文帳に追加

画像形成装置１０では、二重露光走査により隣接する光ビームの互いの露光量比を任意に変更可能とされている。 - 特許庁

To provide a single exposure method and a double exposure method for reducing mask error factors and improving a lithography process resolving power.例文帳に追加

マスクエラーファクタを減少するため、およびリソグラフィプロセス分解能を向上させるための単一露光方法および二重露光方法。 - 特許庁

Also, these positions are preferably calculated to reduce an overall exposure to the subject by especially reducing an unnecessary double exposure.例文帳に追加

また、これらの位置は好ましくは、特に不要な二重曝射を減少させることにより被検体への全曝射量を低減するように算出される。 - 特許庁

Flat roof plate members 1 are double-roofed in an inclination direction of a roof 30 and have an exposure part 6 and a non-exposure part 7.例文帳に追加

屋根３０の傾斜方向で重ね葺きされ、曝露部６と非曝露部７とを有する平板屋根材１である。 - 特許庁

To conduct exposure by an EPL without using a complementary segment mask and without conducting double exposure for a pattern requiring the complementary segment.例文帳に追加

相補分割が必要となるパターンについて、相補分割マスクを用いることなく、また二重露光を行うことなくＥＰＬで露光処理を行う。 - 特許庁

To provide a double-sided exposure apparatus capable of exposing both of top and back faces of a substrate under the same exposure conditions without requiring complicated adjustment or control.例文帳に追加

面倒な調整や制御を行わずに同一の露光条件で基板の表裏を露光できる両面露光装置を提供する。 - 特許庁

As exposure by the double-sided exposure apparatus proceeds on both faces at a time without turning over the objective body 16, the process is carried out in a short period of time.例文帳に追加

両面露光装置による露光は、被描画体１６を反転させることなく両面同時に進行するために、短時間で行われる。 - 特許庁

To make exposure registration of a double-sided wiring TAB tape accurate between double-sided wiring patterns and between them and non-resist regions.例文帳に追加

両面配線ＴＡＢテープの露光位置合わせを、両面の配線パターン間及びこれらと無レジスト領域との間で正確なものとする。 - 特許庁

To prevent occurrence of underexposure and double exposure near a boundary of an exposure region when a part of light radiated to a mask is blocked to restrict the exposure region in the exposure of a substrate using a proximity system.例文帳に追加

プロキシミティ方式を用いた基板の露光において、マスクへ照射される光の一部を遮断して露光領域を制限する際、露光領域の境界付近で露光不足や二重露光が発生するのを防止する。 - 特許庁

To provide a method of exposure and an aligner in which arbitrary high-resolution patterns are produced by double exposure which is obtained with a periodic pattern exposure and an ordinary exposure.例文帳に追加

周期パターンの露光と通常のパターン露光の２重露光によって任意形状の高解像度のパターンが得られる露光方法及び露光装置を得ること。 - 特許庁

To provide a method of exposure and an aligner, in which arbitrary high-resolution patterns are produced by double exposure which is obtained with periodic pattern exposure and ordinary pattern exposure.例文帳に追加

周期パターンの露光と通常のパターン露光の２重露光によって任意形状の高解像度のパターンが得られる露光方法及び露光装置を得ること。 - 特許庁

When double exposure is performed, a writing region 50 is divided into smaller fields and a pattern is written with an exposure of 2/3D (where D is the total exposure amount) at the performing of the first exposure.例文帳に追加

２重露光を行う場合において、図２（Ａ）に示すように、第１回目の露光時においては、描画領域５０を小さめのフィールドに分割し、トータルの露光量をＤとした場合に、Ｄ・２／３の露光量で描画する。 - 特許庁

To obtain a method of exposure and an aligner by which a high- resolution pattern can be formed in an arbitrary shape by double exposure consisting of exposure of periodic patterns and normal pattern exposure.例文帳に追加

周期パターンの露光と通常のパターン露光の２重露光によって任意形状の高解像度のパターンが得られる露光方法及び露光装置を得ること。 - 特許庁

In a 1st step S1, the double exposure processes, i.e., a pattern exposure process by which respective resist patterns with prescribed widths are obtained and respective whole image exposure processes with different exposure values, are carried out and then a development process is carried out to form the respective resist patterns.例文帳に追加

第１ステップＳ１において、所定幅のパターンが得られるパターン露光と、露光量を変化させた各全面露光との各二重露光を行い、その後現像処理を行うことによって各レジストパターンを形成する。 - 特許庁

To reinforce lithographic resolution by double exposure for a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に対する２重露光によるリソグラフィ分解能を増強させること。 - 特許庁

SIGNAL QUANTITY DETECTION PROCESSING METHOD AND EXPOSURE PARAMETER SETTING METHOD IN DOUBLE-CCD IMAGING APPARATUS例文帳に追加

２板ＣＣＤ撮像装置における信号量検出処理方法および露出パラメータ設定方法 - 特許庁

LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD EMPLOYING DOUBLE-EXPOSURE OVERLAY CONTROL例文帳に追加

リソグラフィ装置および二重露光オーバレイ制御を用いたデバイス製造方法 - 特許庁

To raise throughput when the system is used in double exposure mode.例文帳に追加

システムが二重露光モードで使用される場合に、スループットを上昇させることである。 - 特許庁

To provide a double exposure method for enhancing the image resolution in a lithography system.例文帳に追加

ここではリソグラフィシステムの像分解能を向上させるための二重露光方法が提示される。 - 特許庁

The double exposure part is established into a non-linear form in the sub-pixel part.例文帳に追加

この二重露光される部分が、副画素部内で非直線的に設定される。 - 特許庁

To provide a double-hung window which prevents exposure of a rope from a guide groove formed in a jamb.例文帳に追加

縦枠のガイド溝からロープが露出することを防止できる上げ下げ窓を提供すること。 - 特許庁

Isolated dark figures, e.g., contact holes or lines are exposed in a double exposure.例文帳に追加

孤立した暗い形状構成、例えば、コンタクト・ホールまたはラインを２度露光で露光する。 - 特許庁

To provide a method for measuring precisely the position accuracy of a mask of double exposure lithography.例文帳に追加

二重露光リソグラフィでのマスクの位置精度を精密に計測する方法を提供する。 - 特許庁

METHOD TO MITIGATE RESIST PATTERN CRITICAL DIMENSION VARIATION IN DOUBLE-EXPOSURE PROCESS例文帳に追加

二重露光プロセスにおけるレジスト・パターンの限界寸法変動を緩和する方法 - 特許庁

For ordinary fields, signal electric charges for long time exposure and signal electric charges for short time exposure by double exposure are respectively independently transferred and outputted, for a prescribed field period, an output equivalent to the short time exposure for the double exposure is not read from photo diodes but outputted as a blank signal, and a pseudo signal component therein is eliminated from the short time exposure signal in the ordinary field.例文帳に追加

通常のフィールドは二重露光により長時間露光の信号電荷と、短時間露光の信号電荷をそれぞれ独立に転送し出力し、ある所定のフィールド期間は二重露光の短時間露光に相当する出力をフォトダイオードから読み出さず、空信号として出力し、その中の擬信号成分を通常フィールドの短時間露光信号から削除する。 - 特許庁

When the double exposure is performed by adjusting the electron intensity of each exposure to 0.5 (total intensity/number of reticles = 1/2) under a condition where the total intensity of the double exposure is '1' and the threshold is '0.7', the obtained resist image becomes the same reticle image 14 as that obtained by using defectless reticles.例文帳に追加

二重露光電子全強度を「１」とし、しきい値は「０．７」とした場合、それぞれの電子強度を全強度／レチクル枚数（１／２）で０．５として二重露光を行うと、得られるレジスト像は、無欠陥レチクルで形成したレチクル像と同様のレチクル像１４となる。 - 特許庁

The method of manufacturing the fine pattern of the semiconductor device using a double exposure patterning process capable of forming a secondary photoresist pattern by simple exposure without using an exposure mask is disclosed.例文帳に追加

露光マスクなしに単純露光により２次フォトレジストパターンを形成可能な二重露光パターニング工程を用いた半導体素子の微細パターン形成方法が開示される。 - 特許庁