「ea modulator」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The semiconductor optical modulator 1 in an embodiment 1 is an electric field absorption type (called an EA modulator) optical modulator.例文帳に追加

実施の形態１の半導体光変調器１は、電界吸収型（ＥＡ変調器とも称される）の光変調器である。 - 特許庁

When voltage is applied to the two EA modulators A (7) and B (8) at the same time, the light made incident from the end face C of the optical modulator 40 is absorbed by the EA modulator A (7), and then it is further absorbed by the EA modulator B (8).例文帳に追加

２つのＥＡ変調器Ａ（７）とＢ（８）とに同時に電圧を印加すると、光変調器４０の端面Ｃから入射した光はＥＡ変調器Ａ（７）で吸収された後、さらにＥＡ変調器Ｂ（８）で吸収される。 - 特許庁

A circulator 124 guides the output light from the EA modulator 125 to a polarizer.例文帳に追加

サーキュレータ１２４は、ＥＡ変調器１２６からの出力光を偏光子に導く。 - 特許庁

An EA-DFB100 has an EA modulator are 102, a separation area 104 and a DFB area 106.例文帳に追加

ＥＡ−ＤＦＢ１００は，ＥＡ変調器領域１０２と分離領域１０４とＤＦＢ領域１０６とを備えている。 - 特許庁

An optical module 100 is provided with on EA modulator 102 and a short circuit 104.例文帳に追加

光モジュール１００は，ＥＡ変調器１０２とショート回路１０４とを備えている。 - 特許庁

To suppress diffusion of Zn into an undoped layer in the crystalline multilayer structure of an EA modulator.例文帳に追加

ＥＡ変調器の結晶多層構造において、アンドープ層へＺｎ拡散を抑制する。 - 特許庁

In the characteristic of an electro-absorption type modulator (an EA modulator) that is one type of optical modulators, the phase of inter- modulation distortion is suddenly shifted for 180° with respect to a bias voltage.例文帳に追加

光変調器の一つである電界吸収（Electro-absorption）型変調器（EA変調器）では、バイアス電圧に対して相互変調歪の位相が１８０°急激にシフトする特性を有する。 - 特許庁

Further, a transmission type EA modulator 30 for extinction of the unnecessary peaks generated by reflection at the input and output end face of the reflection type EA modulator 20 is arranged behind a circulator.例文帳に追加

さらに、反射型ＥＡ変調器２０の入出力端面における反射で生じる不要なピークを消光するための透過型ＥＡ変調器３０を、サーキュレータの後段に配置する。 - 特許庁

The EA optical modulator 30 absorbs original signal light to subject probe light to mutual phase modulation.例文帳に追加

ＥＡ光変調器３０は、原信号光を吸収し、それにより、プローブ光を相互位相変調する。 - 特許庁

In the modulator integrated semiconductor laser 1, a first and a second EA modulator 121, 122 and a laser diode 110 are accumulated monolithically.例文帳に追加

変調器集積半導体レーザ１では、第１および第２のＥＡ変調器１２１、１２２とレーザダイオード１１０とがモノリシックに集積されている。 - 特許庁

A control unit 150 adjusts the setting-value of the wavelength control current input to the wavelength-variable light source 110, the setting-value of the EA bias input to the EA modulator 120, and the setting-value of the temperature of the EA modulator 120 according to input wavelength information.例文帳に追加

制御部１５０は、波長可変光源１１０へ入力する波長制御電流の設定値と、ＥＡ変調器１２０へ入力するＥＡバイアスの設定値と、ＥＡ変調器１２０の温度の設定値と、を入力される波長情報に応じて調節する。 - 特許庁

An EA modulator 120 modulates light generated by the wavelength-variable light source 110, on the basis of a modulation characteristic corresponding to an input EA bias.例文帳に追加

ＥＡ変調器１２０は、波長可変光源１１０によって生成された光に対して、入力されるＥＡバイアスに応じた変調特性によって変調を行う。 - 特許庁

To detect module temperature on the basis of an absorption current of an EA modulator for monitoring in an EADFB laser.例文帳に追加

ＥＡＤＦＢレーザにおいて、モニタ用ＥＡ変調器の吸収電流をもとに、モジュール温度を検出する。 - 特許庁

To provide a compact optical transmission circuit capable of easily monitoring the light output of an EA modulator.例文帳に追加

ＥＡ変調器の光出力を容易にモニタすることの可能な小規模の光送信回路を提供する。 - 特許庁

Since the EA modulator is driven by a supplied clock component, optical RZ signals are obtained as output.例文帳に追加

ＥＡ変調器は与えられたクロック成分で駆動されるため、出力として光ＲＺ信号が得られる。 - 特許庁

When an optical signal modulated by a high speed signal is made incident on an EA modulator 102 to which a bias voltage is impressed, optical currents according to the strength of the optical signal are generated in the absorbing layer of the EA modulator 105.例文帳に追加

高速信号で変調された光信号が，バイアス電圧が印加されたＥＡ変調器１０２に入射すると，ＥＡ変調器１０２の吸収層には，当該光信号の強度に応じた光電流が発生する。 - 特許庁

In this way, bend of the active layer 27 for the EA modulator caused by the abnormal growth portion 25 can be made small.例文帳に追加

これにより、ＥＡ変調器のための活性層２７が異常成長部２５のため曲がることを小さくできる。 - 特許庁

To provide an EA modulator realizing high light input resistance with the suppression of the temperature rise of an optical waveguide.例文帳に追加

光導波路の温度上昇の抑制により高光入力耐性を実現したＥＡ変調器を提供する。 - 特許庁

In a first invention, optical NRZ signals are branched into two, one is supplied to a clock extraction circuit and the other is supplied to an EA modulator.例文帳に追加

第１の発明では、光ＮＲＺ信号を２分岐し、一方をクロック抽出回路に、他方をＥＡ変調器に与える。 - 特許庁

The first optical processing part 100a is provided with a first current processor 112 and a sinewave voltage generator 114, etc., electrically connected to an EA modulator 110 through the EA modulator 110, a first relay 116 and a second relay 118.例文帳に追加

第１光処理部１００ａは、ＥＡ変調器１１０や、第１中継器１１６および第２中継器１１６を介してＥＡ変調器１１０に電気的に接続される第１の電流処理装置１１２および正弦波電圧発生器１１４等を備える。 - 特許庁

The characteristic of the EA modulator is used in the following scheme, i.e., two EA modulators are operated in parallel and distortion generated by the modulators is mutually canceled with each other to reduce the distortion.例文帳に追加

本発明は、ＥＡ変調器のこの特性を利用するもので、２台のＥＡ変調器を並列に動作させ、両変調器で発生した歪みを互いに相殺させることにより歪低減を実現する。 - 特許庁

In the light modulator, the light incident plane and the light emitting plane are formed on the side faces of an EA modulator array facing each other, and the light modulator has parallel electric wiring films wired with GCPW on a linear IPF carrier, and is electrically connected to the EA modulator array where the optical modulation elements are arranged at positions with different distances from the light incident plane on the optical axes.例文帳に追加

光入射面および射出面がＥＡ変調器アレイの相対向する側面に形成され、直線状のＩＰＦキャリア上にＧＣＰＷで配線された並列電気配線膜を有し、光軸上で光入射面から異なる距離の位置に光変調素子が配置されたＥＡ変調器アレイとを電気的に接続してなる光変調装置を提供する。 - 特許庁

Metallic thin films 182 are formed on both ends of the optical waveguide 120 of the EA modulator area 102.例文帳に追加

ＥＡ−ＤＦＢ１００には，ＥＡ変調器領域１０２の光導波路１２０両脇に金属薄膜１８２が形成されている。 - 特許庁

The high frequency components of the optical currents are allowed to flow from an upper electrode 102a of the EA modulator 102 to a short circuit 104.例文帳に追加

かかる光電流の高周波成分は，ＥＡ変調器１０２の上部電極１０２ａからショート回路１０４に流れる。 - 特許庁

To prevent a 3R regenerated optical signal from deteriorating in quality owing to a signal light component reflected by an output/input end surface of an EA modulator.例文帳に追加

ＥＡ変調器の出入力端面で反射した信号光成分に起因する、３Ｒ再生光信号の品質劣化を防止する。 - 特許庁

The optical integrating element 47 comprises an LD device 47a and an EA modulator device 37b on the same substrate.例文帳に追加

本実施の形態の光集積素子４７は、ＬＤデバイス部４７ａおよびＥＡ型変調器デバイス部４７ｂを同一の基板上に備える。 - 特許庁

The optical coupler 34 introduces original signal light from a signal input port 10 to the optical path 26 to supply it to an EA optical modulator 30.例文帳に追加

光カップラ３４は、信号入力ポート１０からの原信号光を光パス２６に導入し、ＥＡ光変調器３０に供給する。 - 特許庁

In the wavelength converter 32, signal light and CW probe light wavelength λj) from a probe light source 38 are made incident on an EA modulator 36.例文帳に追加

波長変換器３２では、ＥＡ変調器３６に信号光とプローブ光源３８からのＣＷプローブ光（波長λｊ）が入射する。 - 特許庁

In the EA modulator area 102, the damage due to the temperature rise of the optical waveguide 120 can be prevented by the activity of the metallic thin film 182.例文帳に追加

ＥＡ変調器領域１０２では，かかる金属薄膜１８２の作用により，光導波路１２０の温度上昇による破損を防止することができる。 - 特許庁

A TEC 130 changes the temperature of the wavelength-variable light source 110 and that of the EA modulator 120 according to an input temperature control current.例文帳に追加

ＴＥＣ１３０は、波長可変光源１１０およびＥＡ変調器１２０の温度を、入力される温度制御電流に応じて変化させる。 - 特許庁

By such a constitution, in the optical processor 100, modulation and light reception by the EA modulator 110, and the light reception by the light receiving means 130 are realized.例文帳に追加

かかる構成により光処理装置１００では、ＥＡ変調器１１０による変調および受光と、受光手段１３０による受光とが実現する。 - 特許庁

To compensate characteristic degradation due to the inductance component of an inductance element connecting a driving circuit and a stripline and the capacitance component of an EA modulator.例文帳に追加

駆動回路とストリップ線路を接続するインダクタンス素子のインダクタンス成分及びＥＡ変調器の容量成分による特性劣化を補償すること。 - 特許庁

The multiplexer 14 multiplies output light from the amplifier 12 by probe light (wavelength λp) from a probe light source 16 and applies the multiplexed light to an EA modulator 18.例文帳に追加

合波器１４は光アンプ１２の出力光とプローブ光源１６からのプローブ光（波長λｐ）とを合波して、ＥＡ変調器１８に印加する。 - 特許庁

To make a deflection of a semiconductor small in the method of fabricating a semiconductor light element, which contains a semiconductor laser and an EA modulator, on substrate.例文帳に追加

半導体レーザおよびＥＡ変調器を含む半導体光素子を基板上に作製する方法において、半導体の曲がりを小さくすること。 - 特許庁

As a small-sized device for conducting high-speed modulation, a monolithic integrated array is formed using a laser part 107 generating four different wavelengths and an EA modulator part 108.例文帳に追加

小型で高速変調を行う手段として、４つの異なる波長のレーザ部１０７とＥＡ変調器部１０８をモノリシックにアレイ集積する。 - 特許庁

In the EA modulator 3, pile-up of photo carrier is induced by the pump beam Pi, and as the result, an extinction efficiency is improved, and an optical pulse train having a shorter pulse width and lower loss can be obtained.例文帳に追加

ＥＡ変調器３においてポンプ光Ｐｉによるホト・キャリアのパイルアップが誘発し、その結果、消光効率を改善し、より短く低損失な光短パルスを得る。 - 特許庁

A DFB laser having a pin structure and an EA modulator having the pin structure are constituted on a common substrate 11, and the active-layer structures 13 and 19 of both elements are abutted and jointed.例文帳に追加

共通の基板１１上にpin構造のＤＦＢレーザとpin構造のＥＡ変調器が構成され、両素子の活性層構造１３，１９が突合せ接合されている。 - 特許庁

The probe light outputted from the EA modulator 36 is equipped with a waveform reflected with the waveform of the signal light, and supplied to a wavelength converter 46 by a light circulator 34.例文帳に追加

ＥＡ変調器３６から出力されるプローブ光は、信号光の波形を反映した波形を具備し、光サーキュレータ３４により、波長変換器４６に供給される。 - 特許庁

A semiconductor laser region (LD region) 100a equipped with a strip-form waveguide structure and an EA-type light modulator region (EA region) 100b are made, with an isolation region 100c in-between, on a semiconductor substrate 1 consisting of InP or the like.例文帳に追加

ＩｎＰ等からなる半導体基板１上に、ストライプ状の光導波路構造を備えた半導体レーザ領域（ＬＤ領域）１００ａとＥＡ型光変調器領域（ＥＡ領域）１００ｂがアイソレーション領域１００ｃを挟んで形成されている。 - 特許庁

To provide an optical modulation method for modulating light having two wavelength bands, i.e. a longer wavelength band and a shorter wavelength band, by using a single EA modulator, and to provide an optical modulation system.例文帳に追加

１つのＥＡ変調器で長波長帯と短波長帯の２つの波長帯域の光に対して変調動作が可能な光変調方法，及び光変調システムを提供する。 - 特許庁

The EA modulator 126 inputs the signal light and light clock pulse having mutually orthogonal planes of polarization and performs cross absorption modulation to generate a 3R regenerated optical signal.例文帳に追加

ＥＡ変調器１２６は、偏光面が互いに直交する信号光および光クロックパルスを入力して相互吸収変調を行うことにより、３Ｒ再生光信号を生成する。 - 特許庁

Besides, the EA modulator 36 generates a photo current reflected with the intensity fluctuation of incident signal light and a clock extracting circuit 40 extracts a clock component from that photo current.例文帳に追加

ＥＡ変調器３６はまた、入射信号光の強度変動を反映したフォトカレントを発生し、クロック抽出回路４０はそのフォトカレントからクロック成分を抽出する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor optical integrated device which can easily achieve compatibility between the oscillation wavelength of a DFB semiconductor laser and the absorption end wavelength of an EA modulator.例文帳に追加

ＤＦＢ半導体レーザの発振波長とＥＡ変調器の吸収端波長との調整をとることが容易な、半導体光集積素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a light modulator of an arrayed EA modulator module which presents a favorable high frequency characteristic in a wide-band area, and does not make its package process complex with increase in the number of channels, and further eliminates the need for an optical circulator causing cost increase.例文帳に追加

アレイ化されたＥＡ変調器モジュールにおいて、広帯域な領域で良好な高周波特性を示し、かつチャンネル数の増加に伴い実装工程が煩雑化することなく、さらに、コスト増加を招く光サーキュレータを必要としない光変調装置を提供する。 - 特許庁

This EA modulator 10 includes an optical waveguide layer 32, of which the optical absorption amount varies in response to applied electric field, and a p-side electrode 40 for applying the electric field to the optical waveguide layer 32.例文帳に追加

ＥＡ変調器１０は、印加される電界に応じて光の吸収量が変化する光導波層３２と、光導波層３２に電界を印加するｐ側電極４０と、を含む。 - 特許庁