| 意味 | 例文 |
electrode processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3315件
To provide a thin film color filter which is improved in the adhesive strength with an electrode substrate and is excellent in process-proofness and durability.例文帳に追加
カラーフィルターと電極基板との密着性が改善され、かつ耐プロセス牲、耐久牲の優れた薄膜カラーフィルター、および該カラーフィルターの製造方法の提供。 - 特許庁
The feedwater is introduced into an adjusting process stage 18 upstream of the electrode 24 to obtain an electric conductivity from 0.056 to less than 1μS/cm.例文帳に追加
給水は、電極(24)の上流の調整処理ステージ(18)内に導入されて、0.056から1uS/cm未満までの導電率が得られる。 - 特許庁
Then, each crystal wafer is classified into the frequency groups G1, G2, G3 based on central frequency of the crystal wafers measured after the electrode formation process.例文帳に追加
そして、電極形成工程後に測定した水晶ウエハの中心周波数に基づいて、各水晶ウエハを周波数グループG1、G2、G3に分類する。 - 特許庁
In a film formation process, at least part of an interconnection and/or an electronic element and/or an electrode for display is formed on a transparent substrate.例文帳に追加
成膜工程において、透明基板上に、配線、電子素子及び表示用電極の少なくともいずれかにおける少なくとも一部を形成する。 - 特許庁
To markedly improve the strength of connection between a wiring layer and an electrode, and mounting reliability, through a process of devising the shape of an opening provided above the metal wiring layer.例文帳に追加
金属配線層上の開口形状を工夫して、配線層と電極間の接続強度および実装信頼性を大きく向上させる。 - 特許庁
To provide a barrier film with a transparent electrode which decreases damages of a barrier layer in a post process such as patterning of the transparent and hardly causes deterioration in the barrier property.例文帳に追加
透明電極のパターニング等の後加工におけるバリア層のダメージを軽減させ、バリア劣化の少ない透明電極付きバリアフィルムを提供すること。 - 特許庁
Metal wirings connecting the source wiring and the reverse stagger type thin film transistor, and a pixel electrode and the reverse stagger type thin film transistor are formed in the same process.例文帳に追加
また、ソース配線と逆スタガ型薄膜トランジスタ、画素電極と逆スタガ型薄膜トランジスタをつなぐ金属配線を同一工程で作製する。 - 特許庁
Here, for the reduction process, a projection vertical to the gate electrode is arranged in the partial region by using a mask pattern.例文帳に追加
ここで、上記低減工程は、上記一部領域に、マスクパターンを用いて上記ゲート電極に垂直な突出部を設ける工程とすることなどができる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing an electrode for a secondary cell, which is a thin film and does not cause liquid-leakage and gas generation and significantly simplifies a manufacturing process.例文帳に追加
薄膜で、液漏れ、ガス発生などがなく、また製造工程を大幅に簡略化可能とした二次電池用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁
To reduce in thickness a piezoelectric diaphragm for a sounding body, to improve the reliability of the lead-out of an electrode, to simplify a manufacturing process, and to reduce the number of materials.例文帳に追加
発音体用の圧電振動板を薄型化するとともに、電極の引き出しの信頼性向上,製造工程の簡略化,材料の削減を図る。 - 特許庁
To provide a process for fabricating an actuator equipped with a piezoelectric element in which the planarity of an oxide film on which a lower electrode is laminated is enhanced.例文帳に追加
圧電素子を備えたアクチュエータ装置において、下電極が積層される酸化膜の平坦性を向上したアクチュエータ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
Subsequently, Si and Ni in the gate electrode and the source/drain region are reacted through the heat treatment process of a treatment S105 to form an NiSi layer.例文帳に追加
次に、処理S105の熱処理工程でゲート電極及びソース/ドレイン領域におけるSiとNiとを反応させNiSi層を形成する。 - 特許庁
To solve problems in a manufacturing process while improving the electron pouring nature from the negative electrode, in a light-emitting element.例文帳に追加
発光素子において、陰極からの電子の注入性を向上させると共に製造プロセス上の問題を解決するための手段を提供する。 - 特許庁
To provide an electrode structure achieving an adhesive connection structure inexpensively while simplifying a manufacturing process, and to provide a wiring body, an adhesive connection structure, etc.例文帳に追加
製造工程を簡素化しつつ、安価に接着剤接続構造を実現しうる電極構造,配線体,接着剤接続構造などを提供する。 - 特許庁
This causes the gate electrode 13 to be electrically connected to the protection diode D1, and thereby charging is evaded thereafter even if it is subjected to a process associated with plasma processing.例文帳に追加
これにより、ゲート電極13は保護ダイオードD1と電気的に接続され、以降、プラズマ処理を伴う工程を経てもチャージングは回避される。 - 特許庁
To provide a technique that prevents each forming position of an anode and cathode from being displaced in a process of manufacturing a membrane-electrode assembly for a fuel battery.例文帳に追加
燃料電池用膜電極接合体の製造工程において、アノードとカソードの形成位置が互いにずれてしまうことを抑制する技術を提供する。 - 特許庁
A floating gate electrode is formed on the first gate insulating film through a process of partly etching the first conductive film by using the oxide film pattern as an etching mask.例文帳に追加
酸化膜パターンをマスクとして使用して第1導電膜を部分的にエッチングすることで第1ゲート絶縁膜上にフローティングゲート電極が形成される。 - 特許庁
First electrode particles 11 and first catalyst ink containing a first solvent are applied onto an electrolyte membrane 2 by a wet process to form a compact layer 3a.例文帳に追加
第一電極粒子11と第一溶媒とを含有する第一触媒インクを電解質膜2上に湿式塗布し、緻密層3aを形成する。 - 特許庁
To solve the problem of increasing a manufacturing cost, being unable to avoid the increase in the number of manufacturing processes, by generating a forming process of a reflection electrode in a translucent liquid crystal display.例文帳に追加
半透過型液晶表示装置では反射電極の形成工程が発生して製造工程数の増加が避けられず、製造コストが上昇する。 - 特許庁
To provide an electrode material for an electric double-layer capacitor, exhibiting high output characteristics in a low-temperature region, and to provide its production process and the electric double-layer capacitor.例文帳に追加
低温域において高い出力特性を有する電気二重層キャパシタ用電極材、その製造方法及び電気二重層キャパシタを提供する。 - 特許庁
Then, pressing of a bending process to the ground electrode W2 is proceeded by displacing the pressing punch 54 in an amount of the pressing stroke set from the starting position.例文帳に追加
そして、この開始位置から設定された押圧ストロークだけ押圧パンチ54を移動させることにより、接地電極W2に対する曲げ加工の押圧を行う。 - 特許庁
In the process, the upper electrode 3 is also processed to a splayed tapered shape by forming a pattern section of a resist mask 4 to a splayed tapered shape.例文帳に追加
ただし、その際、レジストマスク4をそのパターン断面が裾広がりのテーパ形状とすることにより、上部電極3も裾広がりのテーパ形状に加工する。 - 特許庁
By this heating process, the nucleus alloy and nickel in nickel hydroxide and/or nickel oxide are reacted with one another, whereby a material for the hydrogen storage alloy electrode can be prepared.例文帳に追加
この加熱工程により、核合金と水酸化ニッケルおよび/または酸化ニッケル中のニッケルとを反応させ、水素吸蔵合金電極用材料を得る。 - 特許庁
A single cavity extending through the electrodes and dielectric layers and terminating at the emitter electrode is formed in a single photolithographing and etching process.例文帳に追加
該電極及び誘電体層を通って延びてエミッタ電極で終端する単一のキャビティが単一のフォトリソグラフ及びエッチングプロセスで形成される。 - 特許庁
To effectively manufacture a highly reliable lithium ion battery by getting rid of foreign metals mixing into a positive electrode active material on conveying process.例文帳に追加
搬送工程中で正極活物質素材に混入する金属異物を確実に除去し信頼性の高いリチウムイオン電池を効率的に製造する。 - 特許庁
In the method of forming a metal gate electrode after a selective oxidation process, heat treatment is performed in a gas atmosphere containing hydrogen atoms.例文帳に追加
本発明よる金属ゲート電極の形成方法において、選択的酸化工程の後、水素原子を含有するガス雰囲気で熱処理工程を実施する。 - 特許庁
The lithiated or partially lithiated oxyanion-based lithium-ion reversible electrode material obtained by this process is provided.例文帳に追加
本発明は、また、上述した方法によって得られるリチウム化したか、又は部分的にリチウム化したオキシアニオン-系-リチウム-イオン可逆電極物質に関する。 - 特許庁
To provide a supported catalyst having improved catalytic activity and utilization efficiency, a process for producing a supported catalyst, and an electrode and fuel battery using a supported catalyst.例文帳に追加
触媒の活性および利用率が改善された担持触媒、担持触媒の製造方法、担持触媒を用いた電極および燃料電池を提供する。 - 特許庁
The method of manufacturing the semiconductor device carries out the formation of a dam 21 for damming the outflow of underfill material simultaneously with the forming process of an electrode pad 4.例文帳に追加
本発明の半導体装置の製造方法は、アンダーフィル材の流出を堰き止めるダム21の形成を電極パッド4の形成工程と同時に行う。 - 特許庁
In the thin film forming process, a thin film 20 having low wettability with an uncured curing die material is formed on a substrate 12 on which a first electrode 13 is formed.例文帳に追加
薄膜形成工程は、第1電極13を形成した基板12上に、未硬化の硬化型材料との濡れ性の低い薄膜20を形成する。 - 特許庁
In this solvent extraction process, plural (two) extraction bathes 41, 42 are installed, and the electrode sheet 10 is sequentially passed in the plural extraction bathes 41, 42.例文帳に追加
この溶媒抽出工程において、複数個(2個)の抽出槽41,42を設け、電極シート10を複数の抽出槽41,42内を順次通過させる。 - 特許庁
A back electrode is formed by way of a low cost spray process, and module scribing is performed by means of abrasive blasting or mechanical brushing through a mask.例文帳に追加
低コスト噴霧プロセスによって背面電極を形成し、マスクを介して行なう研磨ブラスチングか機械的ブラッシングによってモジュールをスクライビングする。 - 特許庁
An etching resistant mask TiN film 42a for upper electrode formation is formed on the upper surface of the Ir layer 40a and a first dry etching process is carried out.例文帳に追加
このIr層40aの上面に上部電極形成のための耐エッチングマスクTiN膜42aを形成して、第1のドライエッチング工程を実施する。 - 特許庁
In the next process, the SOI substrate 11 is dug until the bottom layer Si layer 11a is exposed by etching with the gate electrode 16 as a mask.例文帳に追加
次に、ゲート電極16をマスクにしたエッチングにより、SOI基板11を最下層のSi層11aが露出するまで掘り下げる工程を行う。 - 特許庁
Minute linear plasma is generated in an atmospheric pressure reaction container 41 filled with a process gas by using an electrode having linear conductors 51a, 52a.例文帳に追加
線状導電体51a,52aを有する電極を用い、プロセスガスで充満させた大気圧の反応容器41内で、微細なライン状プラズマを発生させる。 - 特許庁
A resistor excellent in solderability when mounting it can be provided by the cleansing of the electrode cap surface and an oxidation preventing film forming process.例文帳に追加
この電極キャップ表面の清浄化と酸化防止膜の形成処理により、実装時のはんだ付き性に優れる抵抗器を提供することができる。 - 特許庁
To provide a means for simplifying the junction process of a bump electrode for a high integrated semiconductor chip for a semiconductor device and an inner lead for a tape carrier.例文帳に追加
半導体装置の高集積化された半導体チップの突起電極とテープキャリアのインナーリードとの接合工程を簡素化する手段を提供する。 - 特許庁
To provide a display panel substrate and its production method in which electric resistance in a wiring electrode is reduced and the production process can be shortened.例文帳に追加
配線電極における電気抵抗を低下させ、製造工程を短縮することができる表示パネル用基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
Since the insulating film 4 is selectively deposited only on the surface of the lower electrode 3, manufacturing process can be simplified and the accuracy of working can be improved.例文帳に追加
容量絶縁膜4は下部電極3表面にのみ選択的に堆積されるので、工程の簡略化、加工精度の向上等が図れる。 - 特許庁
The detection is performed based on a detection of an impedance variation, which is produced when the process electrode moves through a measurement region, of the measurement region.例文帳に追加
検出は、加工電極が測定領域(3)を経て移動するときに生じる測定領域のインピーダンスの変化の検出に基づいて行われる。 - 特許庁
To provide a fabrication process of a semiconductor device in which removal of a cap layer on an electrode layer and planarization of an interlayer film can be carried out simultaneously.例文帳に追加
電極層上のキャップ層の除去と、層間膜の平坦化を同時に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
This plasma etching treatment is performed in a plasma reaction apparatus with a ceiling electrode 110 that lies on a process region equipped with multiple injection zones shaped as concentric circles.例文帳に追加
複数の同心円状ガス噴射区域を備えた処理領域上に横たわる天井電極110を有するプラズマ反応装置内で行われる。 - 特許庁
Next, by electrophoresis using the cathode substrate 20 as an electrode, the YSZ particles 8 are deposited on the surface of the cathode substrate 20 (second lamination process).例文帳に追加
次いで、カソード基材20を電極として使用する電気泳動によって、カソード基材20の表面にYSZ粒子8を堆積させる(第2の積層工程)。 - 特許庁
In the inserting process, the thermistor element 2 is inserted into the metal cover 4, the thermistor element 2 connected to the sheath pin 3 via the signal wires 31 and the electrode wires 21.例文帳に追加
挿入工程においてはシースピン3に信号線31及び電極線21を介して接続されたサーミスタ素子2を金属カバー4内に挿入する。 - 特許庁
To provide an electrostatic capacitance type input device for concealing the crossing section of a translucent electrode patterns while simplifying a manufacturing process.例文帳に追加
製造プロセスの簡素化を図りながら、透光性電極パターンの交差部を目立たなくすることのできる静電容量型入力装置を提供すること。 - 特許庁
The sidewall insulating film 18 of the gate electrode 14 is formed before the gate oxidized process of the other MOS transistor after the resist not shown is removed.例文帳に追加
次に図示しないレジストを除去した後、他のMOSトランジスタのゲート酸化工程以前に、ゲート電極14の側壁絶縁膜18を形成する。 - 特許庁
The electrode pad is formed only of the lowermost layer or a lower-layer wiring layer by using a process where the wiring layer is formed in multilayers on a scribe.例文帳に追加
スクライブ上において、多層で配線層が形成されるプロセスを用いて最下層もしくは出来るだけ下層の配線層だけで電極パッドを形成する。 - 特許庁
To provide a connecting member of a semiconductor chip for easily connecting the electrode of the semiconductor chip and the conductor pad of a wiring board without a complicated process.例文帳に追加
半導体チップの電極と配線基板の導体パッドとを複雑な工程を踏まずに容易に接続するための半導体チップの接続部材を得る。 - 特許庁
To provide a semiconductor device provided with a MOS transistor including a gate electrode of complete silicide not depending on the gate length and also provide a manufacturing process of the semiconductor device.例文帳に追加
ゲート長によらず、全体がシリサイド化されたゲート電極を有するMOSトランジスタを備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
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