「electrode process」に関連した英語例文の一覧と使い方(67ページ目) - Weblio英語例文検索

In the fabrication process of a vertical MOSFET, an n-type vertical MOSFET becoming an actual product and a p-type lateral MOSFET for evaluation having a gate electrode structure identical to that of the vertical MOSFET are fabricated on the same semiconductor substrate 11 by performing ion implantation for forming the source region 17 of the vertical MOSFET while masking the forming region of the lateral MOSFET.例文帳に追加

縦型ＭＯＳＦＥＴの製造プロセスにおいて、横型ＭＯＳＦＥＴの形成領域をマスクした状態で、縦型ＭＯＳＦＥＴのソース領域１７を形成するためのイオン注入をおこなうことにより、同一半導体基板１１上に、実際の製品となるｎ型の縦型ＭＯＳＦＥＴとともに、その縦型ＭＯＳＦＥＴと同じゲート電極構造を有する評価用のｐ型の横型ＭＯＳＦＥＴを作製する。 - 特許庁

The method for manufacturing a membrane electrode assembly 1, including at least the electrolyte membrane 10 containing electrolyte resin, and catalyst layers 21, 22 joined to a surface of the electrolyte membrane 10, includes at least a process for making a surface layer 21a of an anode catalyst layer 21 hydrophilic by implanting helium gas ions on a surface of the anode side catalyst layer 21 joined to the electrolyte membrane 10.例文帳に追加

電解質樹脂を含む電解質膜１０と、電解質膜１０の表面に接合された触媒層２１，２２と、を少なくとも含む、膜電極接合体１を製造するための方法であって、前記製造方法は、電解質膜１０に接合されたアノード側の触媒層２１の表面に対して、ヘリウムガスイオンを注入することにより、アノード触媒層２１の表面層２１ａを親水化する工程を少なくとも含む。 - 特許庁

In a vacuum treatment method having a process subjecting an object to heating/cooling treatment by making a heating/cooling body electrostatically attract the object to be treated, when heating/cooling the object to be treated, while at least a temperature of the object to be treated reaches a prescribed temperature, a prescribed voltage is impressed so as to cumulatively increase the impressing voltage for an attracting electrode arranged to the heating/cooling body.例文帳に追加

真空中で加熱冷却体に処理対象物を静電吸着させて処理対象物を加熱冷却する工程を有する真空処理方法であって、前記処理対象物を加熱冷却する際、少なくとも当該処理対象物の温度が所定の温度に到達するまでの間において、前記加熱冷却体に設けられた吸着電極に対してその印加電圧が累積的に増加するように所定の電圧を印加する。 - 特許庁

To provide an ESD element and manufacturing method of the same which can improve the problems associated with dispersion of device characteristics, efficiency of mounting to PCB, and heat-resistance, caused by forming of a transient voltage protecting layer 6 into round shape like a dome in the manufacturing method of ESD element including the process of forming a transient voltage protecting layer 6 on an upper electrode 3 on a base material 2.例文帳に追加

基材２に上電極３が形成された上部に液状の過渡電圧保護材料を付着硬化させて過渡電圧保護層６を形成する工程を含むＥＳＤ素子１の製造方法について、過渡電圧保護層６が丸くドーム状に形成されることに伴う問題点、即ち、デバイス特性のばらつきと、ＰＣＢへの実装効率と、耐衝撃性を改善できるようなＥＳＤ素子とその製造方法の提供。 - 特許庁

In the membrane-electrode assembly having the electrolyte membrane 1 and a catalyst layer arranged on the surface of the electrolyte membrane and containing at least platinum fine particles, a platinum atom 10 is created at random on the electrolyte membrane by making the electrolyte membrane contain gold fine particles 9, and an exposed surface area of the platinum is lessened in a growing process of a platinum particle in comparison with the case that the platinum particle 11 grows.例文帳に追加

電解質膜１と、該電解質膜の表面に設けられ、少なくとも白金微粒子を含有する触媒層と、を備える膜・電極接合体であって、前記電解質膜が、金微粒子９を含有させることによって、電解質膜で無秩序に白金原子１０が生成し、白金粒子１１が成長する場合と比較して、白金粒子の成長過程における白金の露出表面積が小さくなる。 - 特許庁

In the method of manufacturing a thin film transistor having a channel region connected to at least a source region and a drain region and a gate electrode opposite to the channel region through a gate insulation film on a substrate, the process of forming the gate insulation film is to form a silicon oxide by the plasma chemical vapor deposition method with the substrate 205 fixed by a retaining member 206 above plasma generating electrodes 203.例文帳に追加

基板上に少なくともソース領域およびドレイン領域に接続するチャネル領域と、該チャネル領域にゲート絶縁膜を介して対峙するゲート電極とを備える薄膜トランジスタの製造方法において、前記ゲート絶縁膜の形成工程は、前記基板２０５をプラズマ発生させるための電極２０３上に押さえ部材２０６により固定した状態で、プラズマ化学気相堆積法によりシリコン酸化物を形成する。 - 特許庁

A process of electrochemical analysis of serum iron comprising releasing iron from the serum sample by adding it to iron-free mixture of low-grade fatty alcohol and about 5.5-about 8.5 N HCl, introducing the specified amount of this solution into the electroanalytic vessel, applying the first electrode for second ionized iron and copper ion level detector of potential ET2, and in the electroanalytic vessel first ionized iron and copper ion level detector of potential ET1, obtaining the current signal at each electrode, and comparing them in order to obtain iron level. 例文帳に追加

血清試料中に存在する鉄を電気化学的に分析する方法において、血清試料を低級脂肪族アルコールと約5.5～約8.5モル毎リットルのHCLとの実質的に鉄を含まぬ混合物中に溶解して血清から鉄を解放させ、この溶液の一定量を電解槽へ添加し、前記電解槽中の第一の電極へ第二鉄イオン及び銅イオンの量を測定するための電位EＴ2を、また、前記電解槽中の第二の電極へ第一鉄イオン及び銅イオンの量を測定するための電位EＴ1をそれぞれ同時に印加し、前記それぞれの電極における電流信号を得、それらの信号を比較して鉄の量を求めることからなることを特徴とする電気化学的分析方法。 - 特許庁

This is the manufacturing method of the membrane-electrode assembly which has the catalyst layer containing the protonic acid group containing aromatic polymer and carbon particles on which a metal catalyst is carried, and which has a process in which at least one catalyst layer and the gas diffusion layer are joined by interposing an adhesive layer containing the protonic acid group containing aromatic polymer.例文帳に追加

本発明に係る膜−電極接合体の製造方法は、固体高分子電解質膜の両面に、プロトン酸基含有芳香族系ポリマーと、金属触媒が担持されたカーボン粒子とを含有する触媒層を有し、該触媒層上にガス拡散層を有する膜−電極接合体の製造方法であって、少なくとも一方の触媒層とガス拡散層とを、プロトン酸基含有芳香族系ポリマーを含有する接着剤層を介在させて接合する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method includes a process which sprays directly slurry including a polymer material on a solid polymer membrane by an air spray or forms by screen printing, wherein an electrode layer is formed by spraying the slurry on the solid polymer membrane, or by the screen printing while retaining the solid polymer membrane by drawing a vacuum on a porous plate kept at a fixed temperature, and simultaneously the slurry is dried.例文帳に追加

高分子材料を含むスラリーを固体高分子膜にエアスプレーにより直接吹き付け又はスクリーン印刷により形成する工程を具備する燃料電池用セルを作製する方法であり、一定温度に保持した多孔質板上に真空引きにより固体高分子膜を保持した状態で、スラリーを固体高分子膜に吹き付け又はスクリーン印刷して電極層を形成すると同時にスラリーを乾燥させることを特徴とする固体高分子形燃料電池用セルの作製方法。 - 特許庁

For manufacturing a semiconductor device, the electrode formed side of which is encapsulated with resin, a semiconductor wafer 1 is kept attached to a resin sheet 2, and is cut along the boundaries of semiconductor elements, after the resin layer forming process.例文帳に追加

半導体素子の電極形成面上を樹脂で封止した半導体装置の製造方法において、半導体ウェハ１を予め樹脂シート２に貼着して保持させておき、樹脂層形成工程後に半導体ウェハ１を半導体素子の境界線に沿って切断する際に、切断部位の樹脂層４のみをレーザ加工などの非接触加工によって除去して除去溝４ｂを形成した後に、湿式エッチングによって除去溝４ｂに位置する半導体ウェハ１ａをエッチング液の化学作用により溶解させて、半導体ウェハ１を個片の半導体素子１’に分離する。 - 特許庁