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electrode processの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3315



例文

To provide a manufacturing method of electrode catalyst for a solid polymer fuel cell, of a kind selectively carrying catalyst metal on a reactive interface, with a manufacturing process greatly simplified by increase of a carrying volume of the catalyst metal, and also to provide a solid polymer fuel cell using the electrode catalyst for a fuel cell obtained by the manufacturing method.例文帳に追加

触媒金属が反応界面に選択的に担持した固体高分子形燃料電池用電極触媒において、触媒金属の担持量を増加させ、製造工程の大幅な簡略化が可能な、固体高分子形燃料電池用電極触媒の製造方法と、この製造方法で得られた燃料電池用電極触媒を用いることを特徴とする固体高分子形燃料電池を提供する。 - 特許庁

The process for fabricating an actuator comprises a step for forming an SOG (Spin-On Glass) film on a zirconium oxide film, a step for etching back the zirconium oxide film on which the SOG film is formed until the zirconium oxide film is planarized, a step for forming a lower electrode on the planarized zirconium oxide film, and a step for forming a piezoelectric film on the lower electrode.例文帳に追加

アクチュエータ装置の製造方法において、アクチュエータ装置の製造方法において、酸化ジルコニウム膜上に、SOG膜を形成する工程と、SOG膜が積層された酸化ジルコニウム膜を、酸化ジルコニウム膜が平坦になるまでエッチバックする工程と、平坦化された酸化ジルコニウム膜上に下電極を形成する工程と、記下電極上に圧電体膜を形成する工程と、を備える、アクチュエータ装置の製造方法である。 - 特許庁

In a method for mounting a semiconductor element 10 on a wiring substrate 20 through a protrusion electrode 9 for an external connection, after a reflow heating process is performed for connecting the protrusion electrode 9 for the external connection of the semiconductor element 10 with the wiring substrate 20, the connected semiconductor element 10 and the wiring substrate 20 are cooled at a cooling rate of about 0.5°C/sec or less.例文帳に追加

半導体素子10を外部接続用突起電極9を介して配線基板20に実装する方法は、前記半導体素子10の前記外部接続用突起電極9と前記配線基板20とを接続するためにリフロー加熱処理を施した後に、接続された前記半導体素子10及び前記配線基板20を、約0.5℃/秒以下の冷却速度で冷却することを特徴とする。 - 特許庁

The process of forming the top electrode comprises processes of forming an interlayer insulation film on the base film 8 and on the dielectric film 12, forming an opening existing above the dielectric film in the interlayer insulation film, depositing a conductor inside the opening and on the interlayer insulation film, and forming the top electrode by removing the conductor from above the interlayer insulation film.例文帳に追加

上部電極を形成する工程は、下地膜8上及び誘電体膜12上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜に、誘電体膜上に位置する開口部を形成する工程と、開口部の中及び層間絶縁膜上に導電体を堆積する工程と、層間絶縁膜上から導電体を除去することにより上部電極を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

例文

This is a manufacturing method of a membrane electrode assembly having a polymer electrolyte layer and a pair of electrodes jointed on its both sides, and has an adhesion process having a step to form an adhesive liquid layer consisting of an adhesive liquid containing a monomer with an ion conductive functional group between the electrode and the polymer electrolyte layer, and a step to form the adhesive layer by polymerizing the monomer.例文帳に追加

高分子電解質層とその両面に接合される1対の電極とを有する膜電極接合体の製造方法であって、その電極と高分子電解質層との間に、イオン伝導性官能基をもつ単量体を含む接着液からなる接着液層を形成するステップと、その単量体を重合させて接着層を形成するステップとをもつ接着工程を有することを特徴とする。 - 特許庁


例文

This semiconductor capacitor 1 with reduced variance in electrical properties and high weatherability is obtained by the following process: an internal electrode layer 4 is made by using an electrode paste predominant in nickel and incorporated with a glass compound based on boric anhydride, lithium oxide and sodium oxide, and printed and laminated on a dielectric ceramic layer 2 followed by pressure contact bonding under heating to promote the uniform sintering of the dielectric ceramic layer 2.例文帳に追加

ニッケルを主成分とし無水硼酸、酸化リチュウム、酸化ナトリウム系のガラス化合物を添加した電極ペーストを用いて内部電極層4を形成し、誘電体セラミック層2に印刷し、積層し加熱しながら加圧、圧着することで前記誘電体セラミック層2の均質な焼結を促進し、電気的特性のバラツキが少なく耐候性の優れた粒界絶縁型積層半導体コンデンサ1が得られる。 - 特許庁

A recessed groove where lead lines of positive and negative electrodes are fixed facing each other is formed through the center of a seat so as to restrain both the electrode lead terminals from being warped, even if a layered cell 10 is thermally expanded by heat released in a reflow process to extend a part which is sealed up by caulking, whereby the electrode lead terminals soldered to the board are improved in soldering reliability.例文帳に追加

リフロー工程で発生する熱により複数枚積層セル10が熱膨張し、カシメ封口された部分が押し広げられ、座板が押し下げられても両電極リード端子が反らないように、座板の中央部を刳り貫き、正および負電極のリード線が互いに向き合うように固定凹加工した溝を備えることで、基板と両電極リード端子のはんだ付けの信頼性の改善を図る。 - 特許庁

The process for fabricating an actuator comprises a step for forming a zirconium oxide film on a silicon oxide film, a step for implanting ions of such a metal as exhibiting adhesion to the zirconium oxide film and a lower electrode into the zirconium oxide film, a step for heat treating a layer into which the metal ions are implanted, and a step for forming the lower electrode on the zirconium oxide film into which the metal ions are implanted.例文帳に追加

アクチュエータ装置の製造方法において、酸化シリコン膜上に酸化ジルコニウム膜を形成する工程と、酸化ジルコニウム膜に、酸化ジルコニウム膜と下電極に対して密着性を有する金属をイオン注入する工程と、金属がイオン注入された層を熱処理する工程と、金属がイオン注入された酸化ジルコニウム膜上に下電極を形成する工程と、を備える。 - 特許庁

In the method for mounting a semiconductor element 10 on a wiring substrate 20 through a protrusion electrode 9 for the external connection, after a reflow heating process is performed for connecting the protrusion electrode 9 for the external connection of the semiconductor element 10 with the wiring substrate 20, the connected semiconductor element 10 and wiring substrate 20 are cooled at a cooling rate of about 0.5°C/sec or less.例文帳に追加

半導体素子10を外部接続用突起電極9を介して配線基板20に実装する方法は、前記半導体素子10の前記外部接続用突起電極9と前記配線基板20とを接続するためにリフロー加熱処理を施した後に、接続された前記半導体素子10及び前記配線基板20を、約0.5℃/秒以下の冷却速度で冷却することを特徴とする。 - 特許庁

例文

This method for stamping out the electrode plate 21 having an aluminum foil part 41A from an original plate 40 has a process to apply a lubricant composed of a component contained in an electrolyte filled in a polymer battery 10 loaded with the electrode plate 21 to at least a part to be stamped out in the aluminum foil part 41A of the original plate 40 before it is stamped out.例文帳に追加

原板40からアルミニウム箔部分41Aを有する電極板21を打ち抜く方法において、原板40におけるアルミニウム箔部分41Aの少なくとも打ち抜き対象部に対し打ち抜き前に潤滑剤として、前記電極板21が搭載されるポリマー電池10に充填される電解液に含まれている成分により構成される潤滑剤を塗布する工程を有するもの。 - 特許庁

例文

Since the area of a capacity electrode can be divided substantially into two by splitting a capacitive element into a first capacitive element 64 and a second capacitive element 65, charges being stored in the capacity electrodes 24 and 25 during fabrication of a semiconductor device can be halved and plug electrodes being formed in subsequent process can be protected against breakdown due to charge-up in the capacity electrode.例文帳に追加

容量素子を第1容量素子64と第2容量素子65とに2分割する構成とすることにより、容量電極の面積を概ね半分に分割できるので、半導体装置の製造中に容量電極24、25に蓄積されるチャージの量を半減でき、容量電極中のチャージアップによる後工程において形成されるプラグ電極等の破壊を防ぐことが可能である。 - 特許庁

In the method of manufacturing the membrane-electrode assembly, a pair of catalyst electrodes positioned on a support body are made to pinch the electrolyte film to form a laminate, air contained in each layer of the laminate including the catalyst electrode and the polymer electrolyte membrane is eliminated, and the laminate with the air eliminated is subjected to a heating and pressurization process to join the catalyst electrodes and the polymer electrolyte membrane.例文帳に追加

支持体上に一対の触媒電極を位置決めして高分子電解質膜に挟持して積層体を形成し、触媒電極及び高分子電解質膜を含む積層体の各層間に含まれる空気を排除し、空気を排除した積層体を加熱・加圧処理して触媒電極及び高分子電解質膜を接合することを特徴とする膜電極接合体の製造方法。 - 特許庁

A heat treatment process is introduced for making the surface of a silicon wafer coarse before forming a titanium film 12' for silicide, a crystal core is increased by making coarse the outermost layers of a gate electrode 17 and a source/drain region 15, and the phase transition of the formed titanium film 12' is made easy to occur.例文帳に追加

シリサイド用チタン膜12’を形成する前に、シリコン基板の表面を粗面化させる熱処理工程を導入し、ゲート電極17及びソース/ドレイン領域15の表層を粗面化することによって結晶核を増加させ、形成したチタン膜12’の相転移を起こしやすくする。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 formed with an opening and a thin diaphragm 2 from a (110) plane accompanied with an etching process, is arranged on a glass seat (a glass substrate) 20 having a pressure-introducing opening 20a, and then the semiconductor substrate 1 and the glass seat 20 are jointed by a positive electrode jointing method.例文帳に追加

(100)面からエッチング処理に伴って開口部及び薄肉のダイアフラム部2が形成されてなる半導体基板1を圧力導入孔20aを有するガラス台座(ガラス基板)20上に配設し、半導体基板1とガラス台座20とを陽極接合法によって接合する。 - 特許庁

This insert-type barrier layer can prevent oxidation of a capacitor dielectric layer when the capacitor dielectric layer is deposited or in a high temperature process thereafter, resulting in preventing leakage and reliability problems which could be generated when the barrier layer and a memory electrode are brought into direct contact with each other.例文帳に追加

この嵌入式のバリア層は、コンデンサ誘電層を堆積する時、或いはその後の高温過程で、該コンデンサ誘電層が酸化するのを防ぐことができ、これにより、バリア層と記憶電極が直接接触する時に生じうる漏電や信頼度の問題を解決することができる。 - 特許庁

To provide a thin film solar cell, and its fabricating method, in which the transparent electrode layer in a solar cell formed on one side of a substrate can be patterned without causing any damage on a thin film semiconductor layer and surface efficiency of the solar cell is enhanced while reducing the cost of fabrication process.例文帳に追加

基板片面形成型太陽電池における透明電極層のレーザパターニングを薄膜半導体層の損傷なしに可能とし、太陽電池の面積効率の向上および製造プロセスの低コスト化を図った薄膜太陽電池とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an improved method for welding metal foil to a cylindrical metal pin where the defect in resistance welding that the interruption of a production process occurs by the exchange of a consumed welding electrode at regular intervals is avoided, and to provide a lamp realized by the method.例文帳に追加

消耗した溶接電極を規則的なインターバルで交換することにより製造プロセスの中断が生じてしまう抵抗溶接の欠点を回避する、円柱状メタルピンにメタルフォイルを溶接するための改善された方法及びこの方法により実現されるランプを提供することである。 - 特許庁

The driving method of a display panel includes a process of applying the negative driving pulse to at least one side of row electrodes constituting a row electrode pair of the display panel in an address time and/or a sustain time, wherein the negative driving pulse includes an interval where a voltage changes moderately in the later marginal part as compared to the former marginal part.例文帳に追加

アドレス期間及び/又はサスティン期間に表示パネルの行電極対を構成する行電極のうちの少なくとも一方に負極性の駆動パルスを印加する行程を含み、負極性の駆動パルスはその後縁部に前縁部に比して電圧が緩やかに推移する区間を含む。 - 特許庁

Then, in an extrusion process, the chip element 1 inserted from one opening 11a is pushed by a press pin 20 inserted from the other opening 11b of the holding hole 11 to the wide parts 17 and 18, and an electrode formation part A in the chip element 1 is exposed from one opening 11a.例文帳に追加

そして、押出工程において、保持穴11の他方の開口部11bから幅広部17,18に挿入したプレスピン20で一方の開口部11aから挿入されたチップ素体1を押して、チップ素子1における電極形成部Aを一方の開口部11aから露出させる。 - 特許庁

To provide a glass substrate for a flat panel display device, which is excellent in melting property and formability, and has no problem with thermal deformation or thermal shrinkage in a thermal process when the display device is manufactured, and further, whose alkali components hardly react with a thin film electrode such as an ITO film or a NESA film.例文帳に追加

溶融性、成形性に優れ、ディスプレイ装置を製造する際の熱工程で熱変形や熱収縮が問題とならず、しかも、ガラス中のアルカリ成分とITO膜やネサ膜等の薄膜電極が反応しにくいフラットパネルディスプレイ装置用ガラス基板を提供することである。 - 特許庁

To improve durability against friction of a slidably contacting portion between each brush and a contact electrode formed of a conductive film pattern of a commutator in a DC motor, which assures superior workability in an assembling process, mass-productivity and downsizing by reducing the size in the thrust direction of a part as a whole.例文帳に追加

組み付け時の作業性が良好で、量産性に優れ、しかも全体のスラスト方向の寸法の低減による小型化も可能とする直流モータにおいて、各ブラシと整流子の導電膜パターンからなる接触電極部との摺接部の摩耗に対する耐久性を向上させる。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a piezoelectric actuator in which sufficient crystallinity is imparted to a piezoelectric film by sintering the piezoelectric film at a temperature of 700°C or above, preferably 800°C-1,200°C, and diffusion of a lower electrode forming material can be prevented, and to provide a piezoelectric actuator.例文帳に追加

700℃以上の温度、好適には800℃〜1200℃程度の温度で圧電体膜を焼成して、該圧電体膜に十分な結晶性を付与すると共に、下電極形成材料の拡散を防止できる圧電アクチュエータの製造方法及び圧電アクチュエータを提供する。 - 特許庁

To materialize a metal gate CMOS semiconductor device which suppresses damages to a semiconductor substrate, a gate insulating film, and first and second electroconductive layers (metal gate electrode materials) in a production process as much as possible, prevents an increase of a gate resistance value and a gate leakage current, and is extremely high reliable.例文帳に追加

製造プロセスにおける半導体基板やゲート絶縁膜、第1及び第2の導電層(金属ゲート電極材料)へのダメージを可及的に抑止し、ゲート抵抗値及びゲートリーク電流の増加を防止して、極めて信頼性の高い金属ゲートCMOS型の半導体装置を実現する。 - 特許庁

It is possible to obtain excellent bonding strength to the Al electrode by performing a bonding process in atmospheric air by using a bonding material including metal oxide particles with an average diameter of 1 nm to 50 μm, an acetic acid- or a formic acid-based compound, and a reducing agent made of an organic material.例文帳に追加

平均粒径が1nm〜50μmの金属酸化物粒子と酢酸系化合物、またはギ酸系化合物、及び有機物からなる還元剤とを含む接合材料により、大気雰囲気中において接合を行うことでAl電極に対して優れた接合強度が得ることができる。 - 特許庁

This process of using two exposures with diffusion light achieves the material use efficiency, costs, responses to various substrate sizes and high-definition electrode patterning that is not successful in the ink jet method, for instance, in manufacturing TFTs, which the traditional manufacturing method cannot achieve.例文帳に追加

拡散光を用いた2回露光プロセスによって、例えばTFT作成において従来の方法では解決できない材料使用効率、コスト、多様な基板サイズに対応という課題かつ、インクジェット方式では解決できない高精細パターニングを解決するものである。 - 特許庁

After forming an oxide film 15 (silicide protection) and a sidewall 16 in the manufacturing process of the semiconductor device comprising a CMOS element and a resistor element, a p^+ source/drain area 14 is formed by injecting impurities into both sides of a gate electrode 7A in an n well 4.例文帳に追加

CMOS素子部と抵抗素子部とを有する半導体装置の製造工程において、酸化膜15(シリサイドプロテクション)とサイドウォール16とを形成した後に、Nウエル4内におけるゲート電極7Aの両側に不純物を注入してP+ソース/ドレイン領域14を形成する。 - 特許庁

The control unit 6 receives flow rate data indicating the flow rate of the process gas from the mass flow controller 2 and determines the presence or absence of faults at the mass flow controller 2 based on the flow rate data and an extent of fluctuation of the values detected by the pressure gauge 4 when a high-frequency is inputted to an electrode.例文帳に追加

また制御部6は、マスフローコントローラ2からプロセスガスの流量を示す流量データを受信し、流量データと、電極に高周波が入力されたときの圧力計4の検出値の変動量に基づいて、マスフローコントローラ2の異常の有無を判断する。 - 特許庁

To reduce occurrence of mounting defect of an insulating ring to a negative electrode terminal board and an appearance defect caused by it, and to suppress the spray-shaped jet of an alkali electrolyte, even if the gas pressure in an alkaline dry cell increases, in a manufacturing process of the alkaline dry cell.例文帳に追加

アルカリ乾電池の製造工程において、絶縁リングの負極端子板への装着不良およびそれに起因する電池の外観不良の発生を低減化するとともに、アルカリ乾電池内部のガス圧が上昇した場合でも、アルカリ電解液のスプレー状の噴出を抑制する。 - 特許庁

To provide an optical modulator array in which the decrease in film and a residual stress of a movable transparent electrode due to a removing process of a sacrificial layer for making a gap are suppressed and the moving operation of the movable part is stably performed, and to provide a method of manufacturing the optical modulator array.例文帳に追加

空隙を形成するための犠牲層の除去に伴う可動透明電極の膜減りや応力残留を抑え、可動部の変位動作を安定して行い得る光変調素子アレイ、並びに前記光変換素子アレイを得るための製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the second mask used to adhere a plurality of times by moving does not come into direct touch with the organic light emitting material, a scratch does not occur, mask matching becomes easy, a back face electrode mask by the first mask is fixed to dispense with new mask matching, and a process becomes simple.例文帳に追加

移動して複数回付着するのにもちいる第二のマスクは有機発光材料に直接タッチしないので傷がつかない、またマスク合わせが容易であり、第一のマスクによる背面電極マスクは固定されあらたなマスク合わせは不要であり、工程が簡単になる。 - 特許庁

This electrode for an electron source has a substrate; an electron emission source region formed on the substrate; and a shield region enveloping the electron emission source region, and the shield region is formed with a material with which the electron emission source is not generated when the electron emission source is generated in a dry process.例文帳に追加

基板と、この基板上に形成された電子放出源領域と、この電子放出源領域の周囲を囲むシールド領域とを備えてなり、そのシールド領域は、乾式法により電子放出源を生成させるときに該電子放出源を生成させない材料で形成される。 - 特許庁

This method for manufacturing a dye-sensitized solar cell is a manufacturing method of a dye-sensitized solar cell characterized by having a process for bringing a solution containing a dye having a specific bipyridyl ligand and a base into contact with transparent conductive glass having an oxide thin-film electrode on the surface.例文帳に追加

色素増感太陽電池を製造する方法は、特定のビピリジル配位子を有する色素と塩基とを含有する溶液を、表面に酸化物薄膜電極を有する透明導電性ガラスと接触する工程を有することを特徴とする、色素増感太陽電池の製造方法である。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device having a high-k film 21 and a gate electrode 24 formed on a silicon substrate 11, annealing treatment 23 is applied to the substrate after formation of the high-k film in a fluorine atmosphere, and thereafter, the process temperature is set to be lower than 600°C.例文帳に追加

シリコン基板11上にhigh−k膜21とゲート電極24を形成する半導体装置の製造方法において、high−k膜形成後にフッ素雰囲気でアニール処理23を施し、その後のプロセス温度を600℃以下で行う、半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide an electrolyte membrane having high strength, even if it is thin, superior dimensional stability even upon absorption of water and low electrical resistance, and to provide an electrolyte membrane producing process and a membrane-electrode assembly for a solid polymer type fuel cell, having high output and superior durability by having the electrolyte membrane.例文帳に追加

厚さが薄くても強度が高く、含水時の寸法安定性に優れ、抵抗の低い電解質膜、当該電解質膜の製造方法、及び当該電解質膜を有することにより、出力が高く耐久性に優れる固体高分子型燃料電池用膜電極接合体の提供。 - 特許庁

To provide a photosensitive heat-resistant resin composition for electronic components which minimizes contamination of metal by organic materials, also minimizes the increase of the electric resistance of a metallic electrode of a semiconductor device, and has such satisfactory chemical resistance and adhesiveness to metal that it withstands a subsequent process.例文帳に追加

金属上の有機物による汚染を最小限にとどめ、半導体素子の金属電極の電気抵抗の増加を最小限にすると同時に、その後の工程にも耐える十分な耐薬品性、金属との接着性を有する電子部品用感光性耐熱性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a thin information display medium which has flexibility, does not require a long time for cutting of the entire circumference and removing of unnecessary portions for exposure of peripheral ends and electrode sections and permits formation of image display layers, etc., of a previous process step and permits the inline processing thereof and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

全周の切断と周辺端部の電極部の露出のための不要部除去に長時間を要せず、かつ電極部の破損等がなく、前工程の画像表示層等の形成とインラインでこれら加工が可能な薄く可撓性を有する情報表示媒体と製造方法にある。 - 特許庁

To provide a fuel cell which restrains abnormal overheat in process of power generation at a peripheral edge range of a fuel cell wherein a cooling medium circulation passage is not existed on a separator and effectively improves a use rate of an electrode area and has a high power generation area use rate as much as possible.例文帳に追加

セパレータにおいて冷却媒体流通路が存在しない燃料電池セルの周縁領域における発電経過時の異常過熱を抑制し、もって電極面積の利用率を効果的に向上させ、発電面積利用率の可及的に高い燃料電池を提供する。 - 特許庁

As the working treatment of irradiating a substrate with a laser beam, there is a solar panel manufacture in which a metal layer, a semi-conductor layer and a transparent electrode layer are successively formed on a glass substrate, and each layer is machined in a strip shape by using the laser beam in each process after forming each layer to produce a solar panel.例文帳に追加

基板にレーザ光を照射する加工処理としては、ガラス基板上に金属層、半導体層、透明電極層を順次形成し、形成後の各工程で各層をレーザ光を用いて短冊状に加工してソーラパネルを作成するソーラパネル製造などが該当する。 - 特許庁

In a lamination process, a semiconductor chip 50 where a stud bump formed of Au is installed in an electrode 51a and a thermosetting resin film 21b where a pad 31 is formed are arranged in a direction where the stud bump 52a and the pad 31 confront each other via a thermoplastic resin film 22b.例文帳に追加

積層工程においては、電極51aにAuからなるスタッドバンプが設けられた半導体チップ50とパッド31が形成された熱硬化性樹脂フィルム21bとを、熱可塑性樹脂フィルム22bを介してスタッドバンプ52aとパッド31とが向き合う方向に配置する。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer for a fuel cell and manufacturing method of the same excellent in manufacturing efficiency, restraining increase of manufacturing cost, free from damage of catalyst later and polymeric electrolyte membrane even in case that long naps are generated at manufacturing process, and provide a membrane-electrode assembly and manufacturing method of the same.例文帳に追加

製造効率が良くかつ製造コストの増加も抑制し、製造過程で長い毛羽立ちがあった場合にも触媒層や高分子電解質膜の損傷のない、燃料電池用のガス拡散層およびその製造方法、並びに、膜電極接合体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, in the case of forming the wiring of different potential below the external terminal 8 in a semiconductor assembling process, the cracks generated in the insulation film 5 formed between the electrode 4 of an upper layer and the wiring layer 3 of a lower layer by the stress at the time of wire bonding are suppressed.例文帳に追加

このため、半導体組立プロセスにおいて外部端子8下に異電位の配線を有する場合、ワイヤボンド時の応力により発生する上層の電極4と下層の配線層3の層間にある絶縁膜5中に発生するクラックを抑制することが可能である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectric memory device which can suppress an increase in resistance between a contact plug and a lower electrode, and can favorably control the crystal orientation of each layer constituting a ferroelectric capacitor, and to provide a ferroelectric memory device obtained by that process.例文帳に追加

コンタクトプラグと下部電極との間の抵抗上昇を抑えるとともに、強誘電体キャパシタを構成する各層の結晶配向を良好に制御することができる強誘電体メモリ装置の製造方法と、これによって得られる強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

In the production process of the semiconductor device, a base 1 having a p-type semiconductor region 2 with nitrogen implanted in the upper face thereof is prepared, and a gate insulating film 5 and a gate electrode 6 are laminated in order sequentially on the base 1.例文帳に追加

本発明の一実施形態における半導体装置の製造方法は、窒素が上面内に注入されたp型の半導体領域2を有する下地1を準備し、この下地1上にゲート絶縁膜5およびゲート電極6をこの順で積層して形成する。 - 特許庁

To improve current characteristics or to prevent the current characteristics from degrading without making its manufacturing process more complex in a semiconductor device comprising a stress applying insulating film on the top surface of a gate electrode of a MOS type transistor element.例文帳に追加

MOS型トランジスタ素子のゲート電極上面に応力印加用絶縁膜を備える半導体装置において、製造工程を複雑化させることなく電流特性の向上若しくは電流特性の悪化防止を図ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a mounting structure which ensures excellent adhesion between an electrode or a semiconductor chip and a circuit board and underfill agent and also ensures excellent connection reliability while reducing generation of voids in the underfill agent, and to provide its production process.例文帳に追加

本発明は、アンダーフィル剤中のボイドの発生が少なく、電極や半導体チップおよび回路基板とアンダーフィル剤との密着力に優れ、さらに接続信頼性にも優れた実装構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供すること課題とする。 - 特許庁

Nanotubes, containing boron and nitrogen as an constituent element, are used in an electron source EMS on a cathode electrode CL, and thereby, thermal resistance is improved greatly; and since panel sealing in the atmosphere becomes possible, large-scale simplification and cost reduction for the panel process can be realized.例文帳に追加

カソード電極CL上の電子源EMSに硼素及び窒素を構成元素として含んだナノチューブを使用することにより、耐熱性が大幅に向上し、大気中でのパネル封止が可能となるので、パネルプロセスの大幅な簡略化及びコスト低減化が可能となる。 - 特許庁

To provide a binder resin composition which can use water as a solvent for preparing combined slurry in a process for manufacturing an electrode for an energy device, and can achieve enough adhesion between an active material and a current collector even without using a thickener such as a carboxymethyl cellulose.例文帳に追加

エネルギーデバイス用電極を製造する過程における合剤スラリーの調製に溶媒として水を使用可能であり且つカルボキシメチルセルロース等の増粘剤を用いなくても活物質と集電体の十分な密着性を達成可能なバインダ樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a connector for button batteries which can prevent the contact with an electrode of a button battery from being poor even if acted upon by vibrations or shocks or the like, can prevent malfunction due to chattering, and can speed up, simplify, and facilitate processes by omitting a soldering process, and to provide its connection structure.例文帳に追加

例え振動や衝撃等が作用してもボタン電池の電極に対する接触が断続化するのを抑制し、チャタリングに伴う誤動作を防ぐことができ、ハンダ作業を省略して作業の迅速化、簡素化、容易化等を図れるボタン電池用コネクタ及びその接続構造を提供する。 - 特許庁

To provide an anode material capable of realizing a lithium secondary battery which can be manufactured with simple process, having high electrode plate strength, excellent liquid permeation property, small initial irreversible capacity, excellent charging and discharging property at high current density, high cycle maintenance ratio, namely, excellent in various battery characteristics.例文帳に追加

平易な工程で製造できるとともに、極板強度が高く、浸液性が良好で、初期不可逆容量が小さく、高電流密度充放電特性に優れ、サイクル維持率が高い、即ち各種の電池特性に優れたリチウム二次電池を実現できる負極材料を提供する。 - 特許庁

例文

A laser cutting process irradiates laser beams along the alternate long and short dash line B in a laminatig direction from above to do laser cutting, and eliminates the positive electrode just by one sheet that is located in the direction projecting from the alternate long and short dash line B as the separating location for laser cutting part unsuited to the product.例文帳に追加

レーザー切断工程では、一点鎖線Bに沿って、積層方向上方からレーザー照射することによりレーザー切断し、レーザー切断の切断位置である一点鎖線Bの位置よりも突出方向に位置し製品とならない陽極部の部分を一枚分除去する。 - 特許庁




  
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