「electrode process」に関連した英語例文の一覧と使い方(62ページ目) - Weblio英語例文検索

After an active layer 3, an etching stopping layer 4, and a cap layer 5 are successively grown on a substrate 1 composed of a III-V compound semiconductor, an element region is separately formed by subjecting it to mesa etching (first process), and a mask having an opening for controlling the width of a gate electrode G is formed on the formed mesa.例文帳に追加

III-Ｖ族化合物半導体からなる基板１上に活性層３、エッチング停止層４、およびキャップ層５を順に成長させた後、メサエッチングを施して素子領域を分離形成し（第１の工程）、上記メサ上にゲート電極Ｇの幅を規定する開口部を有するマスク１１を形成する。 - 特許庁

In a manufacturing process of the electrode active material composed of complex particles containing sulfur particles and conductive particles, the complex particles are prepared by mixing the sulfur particles and the conductive particles by heating at a temperature that is the melting point or above and below the boiling point of sulfur, and is below the melting point of the conductive particles.例文帳に追加

硫黄粒子および導電性粒子を含有する複合粒子からなる電極活物質の製造に際して、硫黄粒子と導電性粒子とを、硫黄粒子の融点以上沸点未満、かつ導電性粒子の融点未満の加熱温度で加熱しながら混合することによって、複合粒子を調製する。 - 特許庁

To provide a process for producing an aluminium material for the electrode of an electrolytic capacitor having excellent etching characteristics by solving the problem of treatment with aqueous solution of nitric acid being carried out before final annealing in the conventional production of an aluminium material for an electrolytic capacitor thereby stabilizing the surface layer oxide film of the aluminium material furthermore.例文帳に追加

従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造における最終焼鈍前の硝酸水溶液による処理の問題点を解決し、アルミニウム材の表層酸化膜をより安定なものとすることにより優れたエッチング特性を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁

Because the capacitive element upper electrode has a sufficient film thickness, a capacitive element can be manufactured which inhibits penetration of a contact and characteristic deterioration such as increase in voltage dependency associated with high resistivity, and can share a process with a high resistance element necessary for an analog circuit and has a sufficient function.例文帳に追加

容量素子の上部電極が十分な膜厚を持つので、コンタクトの突き抜けや、高抵抗化に伴う電圧依存性の増加などの特性劣化が防止され、アナログ回路に必要な高抵抗素子とプロセスを共通化することが可能であり、かつ、十分な機能を有する容量素子を製造することができる。 - 特許庁

To provide a MOS semiconductor device which is enhanced in withstand voltage and a method of manufacturing the same, in which a process through which an LDD(Lightly Doped Drain) side spacer is formed can be dispensed with, and high-melting metal material other than polysilicon can be used as a gate electrode material.例文帳に追加

耐圧性能の向上したＭＯＳ型半導体装置およびその製造方法を提供すること、ＬＤＤ（低濃度ドープドレイン）用サイドスペーサーを作成する工程を省略できる製造方法、及び、ゲート電極材料としてポリシリコン以外の高融点金属材料が使用可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the positive electrode active substance for the lithium ion secondary battery can be manufactured by a method of baking a raw material mixture in an atmosphere of oxygen density 0.5 to 5 vol.% or by a method of baking the raw material mixture at 700°C or less and of carrying out a process of baking and crushing twice or more.例文帳に追加

また本発明のリチウムイオン二次電池用正極活物質は、原料混合物を酸素濃度０．５〜５体積％の雰囲気中にて焼成する方法、又は原料混合物を７００℃以下で焼成しかつ焼成と粉砕の工程を２回以上行う方法によって製造することができる。 - 特許庁

Then, the masks 20 are removed in (d), copper is plated on the surface of the intermediate copper plated layer 21 by performing a second plating process, copper is plated in a thin film form on the part, corresponding to a connection edge part 14a on the surface of the conductor pattern 12, and a copper plated electrode 14 is formed in (e).例文帳に追加

次に、マスク２０を除去し（ｄ）、第２のめっき工程を実行することにより、中間銅めっき層２１の表面に更に銅めっきを形成すると共に、導体パターン１２の表面のうち接続端部１４ａに対応した部分に銅めっきを薄膜状に形成し、銅めっき電極１４を形成する（ｅ）。 - 特許庁

The method of manufacturing the electrostatic actuator comprises a process for anodically joining the first backing 1a formed with a vibration plate 2 and a second backing 10a formed with an individual electrode 11 that opposes the vibration plate 2.例文帳に追加

振動板２が形成される第１の基材１ａと、振動板２に対向配置される個別電極１１が形成された第２の基材１０ａとを陽極接合する工程を有し、陽極接合工程を第１の基材１ａと第２の基材１０ａとによって形成される空間を大気に連通させた状態で行うようにした。 - 特許庁

The light control element which has a substrate with electrooptic effect, and an optical waveguide and an electrode for modulation formed on the substrate having a ridge structure is characterized in that a DC drift preventive layer is provided on the substrate surface where the optical waveguide is formed and an annealing process is carried out after ridge machining.例文帳に追加

電気光学効果を有する基板と、該基板上に形成された光導波路と変調用電極とを備え、該基板がリッジ構造を有する光制御素子において、前記光導波路を形成する基板表面に、ＤＣドリフト防止層を設けると共に、リッジ加工後にアニール処理を施すことを特徴とする。 - 特許庁

In the process for polishing the insulating layer, a fear that the speed of polishing is not uniform and the gate electrode in the logic circuit region is exposed before the stopper layer in a memory region is exposed even if the logic circuit region is polished comparatively faster than the memory region is eliminated.例文帳に追加

従って、絶縁層を研磨する工程において、研磨の速度が一様でなく、ロジック回路領域の方がメモリ領域に対して比較的速く研磨されてしまっても、メモリ領域におけるストッパ層が露出する前に、ロジック回路領域におけるゲート電極が露出してしまう恐れがなくなる - 特許庁

Consequently, both reflective mode characteristics and transmissive mode characteristics are improved by coating the pixel electrode layer and the reflection layer with the inner polarizing layer having small thickness corresponding to the reflection region and large thickness corresponding to the transmission region while fabricating the polarizers with the coating method during the manufacturing process of the array substrate and the color filter substrate.例文帳に追加

これによって、偏光子をアレイ基板及びカラーフィルター基板の製造工程のうち、コーティング方式に制作しながら、反射領域に対応しては薄い厚さを、透過領域に対応しては厚い厚さのインナー偏光子層をコーティングすることで、反射モードの特性と透過モードの特性を全部向上させることができる。 - 特許庁

In the melting-extruding-cooling process corona discharge in the streamer corona state is conducted between an electrode to which a high voltage of a direct current is applied and the molten polyamide-based mixed resin laminated sheet receives an electric charge sufficiently enough to make the laminated sheet tightly contact the moving-cooling body surface.例文帳に追加

そして、溶融押出冷却工程においては、直流高圧を印可した電極と溶融状態のポリアミド系混合樹脂積層シートとの間に、ストリーマコロナ状態のコロナ放電が行われ、溶融状態のポリアミド系混合樹脂積層シートに移動冷却体面と密着させるのに十分な電荷が付与される。 - 特許庁

To simplify and miniaturize a sheet conveying device of an image forming device by forming a transferring front electrode using the electrostatic power for a sheet conveying force even in a humid environment and even if sheets are wet and, to make the device usable in a transference region in an electro-print process.例文帳に追加

画像形成装置のシート搬送装置において、静電力をシートの搬送移動力に利用する転写前電極を構成することで装置の簡素化と小型化を実現し、多湿環境下やシート湿潤にも影響を受けず、また電子写真プロセスの転写領域でも適用できるようにする。 - 特許庁

In the fabrication process of a rewiring structure, electric connection of an element electrode 11bi for use in burn-in screening and a common interconnect line for use in burn-in screening is interrupted selectively only for a semiconductor chip 10b judged rejective in electrical characteristics inspection by using a negative photosensitive material.例文帳に追加

再配線構造の製造工程において、ネガ型の感光性材料を使用することにより、電気特性検査にて不良と判定された半導体チップ１０ｂについてのみ、バーンインスクリーニングで使用するための素子電極１１ｂｉとバーンインスクリーニングで使用する共通配線との電気的接続を選択的に遮断する。 - 特許庁

To provide a p-type diffusion layer formation composition capable of forming a p-type diffusion layer and a back electrode while suppressing occurrences of internal stress in a silicon substrate and substrate warpage, in a manufacturing process of a solar cell using a crystal silicon substrate, and to provide a solar cell formed by using the p-type diffusion layer formation composition.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りの発生を抑制しつつｐ型拡散層および裏面電極を形成することが可能なｐ型拡散層形成組成物、および、これを用いて形成された太陽電池セルの提供を提供する。 - 特許庁

In the channel protective film forming process, light is emitted from the lower surface side of a transparent substrate and the upper surface side of the mask sheet, thereby developing a positive photoresist of a part superposed on the light-shielding part for the protective film and a gate electrode and a part superposed on the light-shielding part for the terminal and the input terminal to remain.例文帳に追加

チャネル保護膜形成工程では、透明基板の下面側及びマスクシートの上面側からそれぞれ光を照射して保護膜用遮光部及びゲート電極に重ねられた部分と端子用遮光部及び入力端子に重ねられた部分とのポジ型フォトレジストを現像し残存させる。 - 特許庁

To provide equipment for distilling NMP capable of refining NMP (N-methyl-2-pyrrolidone) simply and safely and is suited for an on-site automatic operation irrespective of variations of moisture concentration or processing quantity in starting material, as the distilling equipment for recycling the used NMP recovered from an electrode manufacturing process of lithium ion secondary battery or the like.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池の電極製造工程などから回収される使用済みのＮＭＰを再生する蒸留装置であって、原料中の水分濃度や処理量の変動に拘わらず、簡単かつ安全に精製でき、オンサイトでの自動運転に適したＮＭＰの蒸留装置を提供する。 - 特許庁

To provide a glass substrate regenerating apparatus for efficiently regenerating a color filter without using acid treatment for transparent electrode treatment in a regenerating process of a glass substrate which is produced in the manufacturing step of a color filter substrate but does not meet quality standards or a dummy substrate of a sputtering device, and to provide a regenerating method using the regenerating apparatus.例文帳に追加

カラーフィルタ基板の製造工程で発生した品質基準を満足しないガラス基板、あるいはスパッタリング装置のダミー基板の再生プロセスにおいて、透明電極処理に酸処理を用いずに、カラーフィルタを効率的に再生処理するガラス基板の再生装置及びこれを用いた再生方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, even if an amount of sinking of an upper surface of the vertical gate electrode 19 or an upper surface of a buried insulating film 20 from a surface of the source region 21 varies in a manufacturing process, it is possible that the threshold voltage does not vary, and the impurity concentration can be reduced to easily obtain the low threshold voltage.例文帳に追加

これによって、縦型ゲート電極１９の上面または埋め込み絶縁膜２０の上面の、ソース領域２１表面からの落ち込み量が製造工程でばらついても閾値電圧が変動しないようにでき、また不純物濃度を低減させて容易に低閾値電圧を得ることができる。 - 特許庁

To provide manufacturing method such as dry etching process of a cylinder for forming a capacitor of a D-RAM whereas the conventional manufacturing method causes problems of a short circuit between adjacent holes or coverage trouble in electrode deposition formed in the hole since a profile of the cylinder or a contact having high aspect ratio becomes a bowing profile.例文帳に追加

Ｄ−ＲＡＭのキャパシタを形成するシリンダのドライエッチ加工において、従来技術の製造方法ではアスペクト比が高いシリンダやコンタクトの形状がボーイング形状となり隣接するホール間ショートの問題やホール内に形成する電極成膜のカバレッジ異常などの問題が発生する。 - 特許庁

A manufacturing method of an electrode mixture for an electrochemical element made of a compound capable of occluding and releasing lithium, the conductive material, the binder and a solvent, is characterized by including a kneading process of condensing a solid content concentration at 50-80 wt.% by using the high-speed rotating shear type kneader.例文帳に追加

リチウムを吸蔵放出可能な化合物と、導電材料と、バインダと、溶剤からなる電気化学素子用電極合材の製造方法であって、高速回転剪断型混練機を用いて固形分濃度が５０〜８０重量％となる混練工程を経ることを特徴とする電気化学素子用電極合材の製造方法。 - 特許庁

To provide a small, highly reliable and inexpensive laminated ceramic actuator having a suppressed manufacturing cost by simplifying its manufacturing process while causing no delamination between piezoelectric ceramic layers and an internal electrode layer and micro-cracks in the piezoelectric layer, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

圧電セラミック層と内部電極層の層間でのデラミネーション、および圧電セラミック層におけるマイクロクラックの発生をなくすとともに、内部電極層の導電性が優れ、小型で信頼性が高く、かつ製造工程を簡略化することにより製造コストを抑えた安価な積層セラミックアクチュエータ、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for bump bonding, capable of effectively controlling the progress of metal diffusion between formed bumps and electrode pads and surely preventing failures in the gold wire tear-off process after bump formation, by enabling local heating of very small spots on the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハの微小部位に対し局所的に加熱できるようにして、形成済みのバンプと電極パッド間での金属拡散の進行を効果的に抑制でき、バンプ形成後の金線の引きちぎり工程において失敗の発生を確実に防止することのできるバンプボンディング方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing process capable of forming a porous metal oxide semiconductor layer having high conversion efficiency by treatment in a short time and by using a resin substrate; and to provide a method of manufacturing an electrode for photoelectric conversion using the metal oxide semiconductor layer and the manufacture of a photoelectric conversion cell.例文帳に追加

短時間の処理で、かつ樹脂基材を用いて高い変換効率を有した多孔質状の金属酸化物半導体層を形成できる製造工程を提供し、ひいては、当該金属酸化物半導体層を用いた光電変換用電極、光電変換セルの製造をも可能とすることである。 - 特許庁

Since the surface of an ITO substrate forming the transparent electrode on the side where the metal oxide semiconductor layer 4 is formed is coated with a metal oxide or its derivative, even if the ITO substrate is exposed to high temperatures and an acid in its manufacturing process, its resistance is prevented from rising.例文帳に追加

そして、該金属酸化物半導体層４が形成される側の透明電極であるＩＴＯ基板の表面を、金属酸化物又はその誘導体によって被覆しているので、製造プロセスにおいて高温や酸にさらされた場合であっても、ＩＴＯの抵抗値の上昇を防ぐことができる。 - 特許庁

Since the hole implanting layer 17A is formed in the comparatively small thickness of ≥1 nm and ≤30 nm, it can be restrained that uneven thickness becomes large because the hole implanting layer 17A changes to the fluid state due to the heating process flows into an uneven part 14A of the first electrode 14.例文帳に追加

正孔注入層１７Ａを１ｎｍ以上３０ｎｍ以下という比較的小さな厚みで形成するようにしたので、加熱により流動した正孔注入層１７Ａが第１電極１４の凹凸部１４Ａに流れ込んで厚みむらが大きくなってしまうことを抑制することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof, in which an impurity injection process where SD(source/drain) layers and an LDD(lightly-doped drain) layer formed can be simplified, when impurities are activated through laser annealing after impurities are injected, and a gate electrode can be prevented from being eliminated by irradiation with a laser beam.例文帳に追加

不純物注入後レーザーアニールによって不純物の活性化を行うに際し、ＳＤ層及びＬＤＤ層形成のための不純物注入工程を簡略化でき、レーザの照射によるゲート電極の消失を防止することができる半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

A splitting-groove resist-printing step for printing a resist for splitting grooves is provided between a development step and the wet-etching step in the photolithographic process for forming the thin-film resistance-member layer, so that the resist can cover a thin-film upper-electrode layer, resistance-member film-applied portions, and a photoresist, positioned within the splitting grooves.例文帳に追加

薄膜抵抗体層を形成するフォトリソプロセス工程における現像工程とウェットエッチング工程との間に、分割溝内に位置する薄膜上面電極層、抵抗体着膜部、フォトレジストを覆うように分割溝用レジストを印刷する分割溝用レジスト印刷工程を設けたものである。 - 特許庁

Since the photosensitive resin 20 is exfoliated before the fusion process of the solder layer 24; the photosensitive resin 20 is not exposed to a high temperature atmosphere, the photosensitive resin 20 can be exfoliated with exfoliation liquid, the etching remainder of the electrode base film 18 and the barrier metal 17 are not generated, and thus the adjoining bump electrodes are not short-circuited mutually.例文帳に追加

半田層２４の溶融工程前に感光性樹脂２０を剥離しているため、感光性樹脂２０は高温雰囲気にさらされず、感光性樹脂２０を剥離液で剥離でき、電極下地膜１８とバリアメタル１７のエッチング残りが生じることはなく、隣接する突起電極どうしが短絡することは発生しない。 - 特許庁

The CVD film deposition system where a film is deposited on the outer surface of each vessel 2 by a plasma CVD process is provided with: an outer circumferential electrode 14 arranged so as to surround the outside face of the vessel 2; and a raw material feeding mechanism 22 of feeding a starting raw material to the outer surface of each vessel 2.例文帳に追加

本発明に係るＣＶＤ成膜装置は、容器２の外表面にプラズマＣＶＤ法により膜を成膜する装置であって、容器２の外側面を囲むように配置された外周電極１４と、容器２の外表面に出発原料を供給する原料供給機構２２とを具備する。 - 特許庁

Even if the adhesive agent 6 penetrates into a solder-bonded interface between an outer electrode 2* and the bump 4* by heating in a reflow process, an active function is given to the adhesive agent 6 by the liquid anhydride, so that the adhesive agent 6 does no harm the solderability, and a soldering operation can be well carried out.例文帳に追加

リフロー時の加熱によって外側の電極２＊とバンプ４＊の半田接合界面に接着剤６が進入した場合においても、液状酸無水物によって接着剤６に活性作用が付与されていることにより半田接合性が阻害されることがなく、良好な半田接合を行うことができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of stacked ceramic electronic component whereby reduction in the density and production of holes of a ceramic green sheet and segregation in an organic binder hardly take place in a dry process, corrosion of the ceramic green sheet due to a solvent in internal electrode paste is hardly caused, and a defect due to short-circuit between internal electrodes hardly takes place.例文帳に追加

乾燥工程におけるセラミックグリーンシートの密度の低下や孔の発生並びに有機バインダーの偏析等が生じ難く、内部電極ペースト中の溶媒によるセラミックグリーンシートの侵食が生じ難く、内部電極間の短絡不良が生じ難い、積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a dry etching apparatus, high frequency electric power is applied to upper and lower electrodes 2, 4 from high frequency power sources 7, 10 to generate plasma and etch an object 3 on the electrode in a vacuum chamber 1 into which a process gas is introduced via a gas inlet 5 and the interior of which is maintained for a specific pressure by an exhaust unit 11.例文帳に追加

ドライエッチング装置において、ガス導入部５からプロセスガスの導入および排気手段１１により所定圧力に維持した真空処理室１内で上下の電極２、４に高周波電源７、１０より高周波電力を印加してプラズマを発生させ、電極上の被処理物３をエッチング処理する。 - 特許庁

In the process of successively depositing a light reflecting film 2, color layer 3, overcoat layer 4, transparent electrode 5 and alignment film 6 on a glass substrate 1 in the liquid crystal display (A), the light reflecting film 2 is provided with light transmitting parts 7 each having a different light transmitting area corresponding to the individual color layer 3.例文帳に追加

液晶表示装置Ａにおいて、ガラス基板１上に光反射膜２と着色層３とオーバーコート層４と透明電極５と配向膜６とを順次積層するに当り、光反射膜２に対し個々の着色層３に対応して異なる光通過面積の光透過部７を設ける。 - 特許庁

To carry out simultaneously a short circuit revision of TFT (Thin Film Transistor) semi conductor layer by simultaneously etching a short circuit position with the semiconductor in etching a protective film, which is set an outer surface of a pixel electrode in preparing an array substrate for a liq. crystal display device, and to dispense a special process for restoring a short circuit.例文帳に追加

液晶表示装置用のアレイ基板の製造に当たり、保護膜を画素電極の外側に設け、この保護膜のエッチング時に、半導体との短絡箇所も同時にエッチングすることにより、ＴＦＴ半導体層の短絡修正を同時に実施し、短絡修復のための特別な工程を不要にする。 - 特許庁

As a result, the electrode 71a, the insulating film 75a and the power source line 93 are formed by using steps to form the storage capacitor 70, and consequently the MIM element 411 is formed without significantly changing a design for a liquid crystal device 1, and further without complicating a manufacturing process of the liquid crystal device 1.例文帳に追加

したがって、蓄積容量７０を形成する工程を利用して電極７１ａ、絶縁膜７５ａ及び電源線９３を形成できるため、液晶装置１の設計を大きく変更することなく、且つ液晶装置１の製造プロセスを煩雑化させることなくＭＩＭ素子４１１が形成される。 - 特許庁

In this process, the thickness and form of the transparent substances 13 are determined so that once the reflected light and multiple reflection light 6 on the interfaces such as between transparent substrates 3 and electrode layers 2 enter the transparent substances 13, the light can not exits or be reflected on the light-entering faces and enter again the precursor 1 of the light-controlling layer.例文帳に追加

この時、透明基板３と電極層２、等の界面での反射光及び多重反射光６は、透明性物質１３へ入射した後、その入射面から射出、又は反射し、調光層前駆体１へは入射しないように、透明性物質１３の厚みや形状が選定されている。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for forming an insulating film becoming a gate insulating film on a semiconductor substrate, and a step for forming a metal film becoming a metal gate electrode on the insulating film wherein the metal film is formed by sputtering a metal target composed of the same metal as that of the metal film in an atmosphere containing carbon elements.例文帳に追加

半導体基板上にゲート絶縁膜となる絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に金属ゲート電極となる金属膜を形成する工程とを備え、金属膜は、炭素元素を含有した雰囲気中で金属膜と同じ金属からなる金属ターゲットをスパッタすることにより形成する。 - 特許庁

Removal of moisture, which is problematic when the coin-shaped battery having a high load current characteristic is formed of a group of wound electrode plates, is accomplished by a vacuum drying process and the coin-shaped battery of high reliability can be formed by such manufacturing method as prevents dust generated during lead welding from being scattered into the case.例文帳に追加

又、巻回構造の極板群によって高負荷電流特性を得るコイン形電池を構成するときの課題である水分の除去を真空乾燥処理により解決し、リード溶接時に発生するチリをケース内部に飛散させない製造方法により信頼性の高いコイン形電池を構成することができる。 - 特許庁

To solve the problem wherein it is impossible to convey a wafer by an air suction system and it is difficult to work the wafer in a succeeding process because of that when nickel plating is applied to a wafer, a nickel film shrinks, thus shrinkage stress is applied to an electrode part in a base material tightly stuck thereto to cause the warpage of the wafer.例文帳に追加

ウエハーにニッケルめっきするとニッケル皮膜が収縮するため、密着している母材の電極部分に収縮応力がかかり、ウエハーが反ってしまうため、後工程において空気吸引方式でウエハーを搬送できないことやウエハーの加工が難しい等の問題点を生じる。 - 特許庁

According to this method for manufacturing the bolometer-type infrared detection element wherein a light receiving part supported by bridge parts is formed on a silicon substrate, the process for forming the light receiving part comprises processes for sequentially forming an electrode protection layer and the bolometer layer over the electrodes, and the temperature for forming the protection layer is lower than the temperature for forming the bolometer layer.例文帳に追加

シリコン基板上にブリッジ部で支持された受光部を形成するボロメータ型の赤外線検知素子の製造方法において、受光部を形成する工程が、電極上に電極保護層、ボロメータ層を順次形成する工程を含み、かかる電極保護層の形成温度がボロメータ層の形成温度より低い。 - 特許庁

An object recognition method, by which a plurality of objects (an electrode 1A and a lead wire 2A) positioned at different distances from a single camera 21 are recognized with the camera 21, includes a process in which light emissions having different wavelengths (a violet lamp 31, a yellow lamp 32, and a red lamp 33) corresponding to the distances of the objects are applied to the objects.例文帳に追加

単一のカメラ２１により該カメラ２１からの距離が異なる複数の対象物（電極１Ａ、リード２Ａ）を認識する物品認識方法において、前記対象物の距離に応じて、波長の異なる照射光（紫色灯３１、黄色灯３２、赤色灯３３）を該対象物に照射する方法。 - 特許庁

This manufacturing method is a manufacturing method of an assembly of a polymer electrolyte membrane and a catalyst electrode used for a polymer electrolyte fuel cell and includes a process for manufacturing a polymer electrolyte/catalyst complex by applying a mechanochemical treatment to a mixture of a catalyst body and a solid polymer electrolyte.例文帳に追加

固体高分子型燃料電池に用いる、高分子電解質膜と触媒電極との接合体の製造方法であって、触媒体と固体高分子電解質の混合物にメカノケミカル処理を施して高分子電解質／触媒複合体を作製する工程を含む膜／電極接合体の製造方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing conductive catalyst particles which is capable of depositing a uniform catalyst material on all the conductive powders by using a physical vapor deposition process, a method of manufacturing gas diffusive catalyst electrode and an apparatus and vibration device used for the method of manufacturing the conductive catalyst particles.例文帳に追加

物理蒸着法を用いて、全ての導電性粉体に均一な触媒材料を付着することができる、導電性触媒粒子の製造方法及びガス拡散性触媒電極の製造方法、並びに導電性触媒粒子の製造方法に用いる装置及び振動装置を提供すること。 - 特許庁

A method of manufacturing an electrode for a lithium secondary battery includes a process of depositing an active material capable of storing and releasing lithium on a collector to form a thin film under a decompressed atmosphere containing steam, with a pressure of steam under the decompressed atmosphere of 1/17 or more of the decompressed atmosphere.例文帳に追加

水蒸気を含む減圧雰囲気下で、リチウムを吸蔵および放出可能である活物質を集電体上に堆積させて薄膜を形成する工程を含み、前記減圧雰囲気における水蒸気の圧力が前記減圧雰囲気の圧力の１７分の１以上である、リチウム二次電池用電極の製造方法。 - 特許庁