「electrode process」に関連した英語例文の一覧と使い方(58ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a raw material calcination method in which, when manufacturing a secondary battery electrode material by calcinating a calcination precursor by a batch method, time necessary for calcination is shortened, and a calcination process can be carried out at a high efficiency and a low cost.例文帳に追加

バッチ方式で焼成前駆体の焼成を行って二次電池用電極材料を製造する際に、前記焼成に要する時間を短縮し、焼成工程を高効率且つ低コストで行うことができる原料焼成方法を提供すること。 - 特許庁

The mixing ratio of binder to ceramic in ceramic paste is made smaller than that of binder to ceramic in ceramic slurry so that the absorptivity of the internal electrode 102 and that of the step absorbing layer 104 in the debinding process may be roughly the same.例文帳に追加

脱バインダ工程における内部電極１０２および段差吸収層１０４の収縮率がほぼ同じになるように、セラミックペーストにおけるセラミックに対するバインダの混合比は、セラミックスラリにおけるセラミックに対するバインダの混合比より小さくされる。 - 特許庁

This fuel cell contains an electrolyte-electrode assembly in which a cathode of the fuel cell is arranged on one side and an anode is arranged on the other side, and a process gas flow module of the fuel cell and a cooling liquid flow module are arranged on two electrodes.例文帳に追加

この燃料電池は各々、片側に燃料電池の陽極が配置され、反対側に陰極が配置された電解質電極アセンブリを含み、かつ、燃料電池のプロセスガスフローモジュールと冷却液フローモジュールとが上記２つの電極の上に配置される。 - 特許庁

The electrolyzing method includes a hydrochloric gas generation process of reacting chlorine gas and hydrogen gas vaporized in a positive electrode when electrolyzing water to be electrolyzed to generate hydrochloric gas (hydrochloric acid gas), and the reaction generated heat of the hydrochloric gas is utilized as energy.例文帳に追加

被電解水を電気分解する際、陽極で揮発する塩素ガスと水素ガスとを反応させて塩化水素ガス（塩酸ガス）を生成せしめる塩化水素ガス生成工程を具備し、前記塩化水素ガスの反応生成熱をエネルギーとして利用するようにした。 - 特許庁

To provide a process and an apparatus for drawing an oxygen negative ion which reduce the oxygen negative ion (O^-) generated from a side wall of an oxygen negative ion-generating substrate and increase an yield of a current value of the oxygen negative ion (O^-) which is to be drawn toward a Wehnert electrode.例文帳に追加

酸素負イオン発生基材の側壁から発生する酸素負イオン（Ｏ^−）を低減し、引出電極に向かって引出されるべき酸素負イオン（Ｏ^−）の電流値の収量を増加させる酸素負イオン引出方法及び引出装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

Accordingly, by forming the barrier metal film from a substance having large oxidation resistance, the oxidation of the barrier metal film during subsequent heat treatment process in the semiconductor device is prevented in an oxygen environment, and deterioration properties of the gate electrode and current leakage phenomenon are prevented.例文帳に追加

従って、バリア金属膜を耐酸化性の大きい物質で形成することで、酸素雰囲気の中で半導体装置の後続熱処理工程中のバリア金属膜の酸化を防止し、ゲート電極の劣化特性及び電流漏れ現象を防止することができる。 - 特許庁

Then, the Nafion already containing the Pt catalyst sticks on a non-carrying location of the PtCo catalyst at an overwhelming area of the surface of each carbon particle since the solvent is disappeared on the electrode formed through the process of applying-drying of the electrolyte dispersion solution.例文帳に追加

そして、この電解質分散溶液の塗布・乾燥を経て形成される電極では、溶媒は消失していることから、カーボン粒子表面における圧倒的広さのＰｔＣｏ触媒の未担持箇所に、Ｐｔ触媒を含有済みのナフィオンが付着する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a new dye-sensitized solar cell in which a dye-sensitized solar cell having flexibility using a thermoplastic resin for a transparent electrode plate can be manufactured with a small number of processes and high productivity by eliminating a heating calcination process.例文帳に追加

工程数が少なく生産性が高く、かつ、加熱焼成工程を省略して透明電極板に熱可塑性樹脂を使用した可撓性を有する色素増感型太陽電池を製造できる、新規の色素増感型太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrooptical device capable of preventing the occurrence of a point defect and line defect due to the disconnection of an upper electrode material by preventing the deformation of an element portion and a holding capacitor portion due to a heat treatment process, and to provide electronic equipment.例文帳に追加

熱処理工程による素子部分および保持容量部分の変形を防止することにより、上電極材料の断線に起因する点欠陥や線欠陥が発生することを防止可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a laminated capacitor, by which adhesion between a ceramic green sheet and an inner electrode pattern can be improved with a good repeatability, and the thickness can be thinned, and moreover defects in sintering, such as delamination, can be prevented by making a binder-removing process simple.例文帳に追加

セラミックグリーンシートと内部電極パターンの密着性を再現性良く向上できるとともに、薄層化が可能であり、且つ脱バイ工程を簡略化し、焼成時のデラミネーションなどの欠陥を防ぐことができる積層セラミックコンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing through a comparatively simple and easy manufacturing process a chip-type electronic component, in which a variation of electric characteristic due to a material of a sintered body is reduced by forming an outer electrode of only single layer thick-film material.例文帳に追加

本発明の目的は、外部電極を１層の厚膜材料のみで形成し、焼結体の材料に起因する電気特性のバラツキを減少させたチップ型電子部品を、比較的簡易な製造工程で製造する方法を提供することにある。 - 特許庁

Graphite for a lithium secondary battery negative electrode is obtained by treating carbon precipitated in the cooling process of a metal and carbon under melted conditions, with a carbon content of 90% by mass or more and less than 99% by mass and an average particle size of 200 μm or less.例文帳に追加

金属と炭素の溶融状態の冷却過程に析出した炭素を処理して得られる、炭素含有量が９０質量％以上９９質量％未満、かつ平均粒径が２００μｍ以下の黒鉛からなるリチウム二次電池負極用黒鉛である。 - 特許庁

In forming a gate electrode film, the silicon substrate is subjected to heat treatment under the condition: M_2/M_1≤2, where M_1 denotes the amount of the nitrogen element in the silicon substrate after a plasma nitriding process and before the heat treatment, and M_2 denotes the amount of the nitrogen element in the silicon substrate after the heat treatment.例文帳に追加

ゲート電極膜の形成にあたっては、プラズマ窒化処理後かつ熱処理前の前記シリコン基板中の窒素元素量をＭ_1、熱処理後のシリコン基板中の窒素元素量をＭ_2としたとき、Ｍ_2／Ｍ_1が２以下となる条件で熱処理を行う。 - 特許庁

The method of manufacturing a positive electrode foil for a medium and high voltage aluminium electrolytic capacitor includes a process of soaking an extended high-purity aluminium foil into a strait chain polycarboxylic acid comprising oxalic acid, malonic acid, succinic acid, citric acid or tartaric acid before soaking it into hot deionized water to make a hydrate coat on it.例文帳に追加

拡面処理を施した高純度アルミニウム箔を、高温純水に浸漬して水和皮膜を生成する水和処理前に、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、クエン酸乃至酒石酸から成る直鎖ポリカルボン酸に浸漬する工程を加えたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a coating liquid which largely reduces an operation step in a coating process, forms a coating film by one time operation of application, drying and baking, can freely control the thickness of the coated film and is inexpensively prepared, and to provide an electrode for electrolysis superior in productivity by using the coating liquid.例文帳に追加

塗布工程における作業工程を大幅に削減し、かつ、１回の塗布、乾燥、焼成により形成される被膜厚みを自由にコントロールしうる、安価な組成の塗布液、及び該塗布液を使用し生産性に優れた電解用電極を提供。 - 特許庁

An electrode pad 150 where a silicon sticking symptom is likely to occur in a cleavage process is set in such a way that the length of a side thereof which is close to a cleaved portion in a plan view is longer than a dimension d in a direction parallel to the cleaved portion.例文帳に追加

そして、ヘキ開工程で、シリコーン付着現象を生じるおそれがある電極パッド１５０は、平面視において、ヘキ開された部分に近い辺の長さが、該ヘキ開された部分に平行な方向の寸法ｄよりも長くなるように設定されている。 - 特許庁

To prevent occurrence of variations of property of a Gate-Overlapped LDD (GOLD) structure caused by generation of asymmetry of left and right LDD regions resulting from overlapping accuracy, in a photoengraving process at the time of gate electrode formation, in the manufacturing method of the GOLD structure for improving reliability.例文帳に追加

信頼性向上のためのGate-Overlapped LDD(GOLD)構造の製造方法において、ゲート電極形成時の写真製版工程で、重ね合わせ精度に起因して左右のLDD領域に非対称性が発生することによって、特性のばらつきが発生することを抑制する。 - 特許庁

A process for manufacturing the thermoelectric conversion device includes an electrode plate pressing step S10, an insulating frame molding step S20, a punching step S25, an element fixing step S30, a bending step S40 and an insulating frame integrating step S50.例文帳に追加

熱電変換装置の製造工程は、電極板プレス工程（ステップＳ１０）、絶縁枠体成形工程（ステップＳ２０）、打ち抜き工程（ステップＳ２５）、素子固定工程（ステップＳ３０）、曲げ工程（ステップＳ４０）および絶縁枠体一体化工程（ステップＳ５０）を備えるものである。 - 特許庁

Next, after the large size substrate 11A where both front and rear surfaces are coated with protection layers 23, 24 is fixed on a supporting board 25 and a primary slit 26 is formed to the large size substrate 11A with the dicing process, an end surface electrode 19 is formed within the primary slit 26 with the sputtering method.例文帳に追加

次に、表裏両面に保護層２３，２４を塗布した大判基板１１Ａを支持台２５上に固定し、ダイシングにより大判基板１１Ａに一次スリット２６を形成した後、スパッタにより一次スリット２６内に端面電極１９を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor manufacturing method, capable of providing a semiconductor device of higher performance, improved reliability, and lower cost, by suppressing degradation which is caused by infiltration of process gas into a connection part between a substrate heating heater and an electrode component.例文帳に追加

基板加熱用ヒータと電極部品との接続部へのプロセスガスの回り込みによる劣化を抑制し、半導体装置の高性能化や信頼性の向上、低コスト化を図ることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrooptical device in which occurrence of a spot defect and a line defect caused by disconnection in an upper electrode material is prevented by preventing distortion of an element portion and a storage capacitor portion during a heat treatment process, and also to provide an electronic appliance.例文帳に追加

熱処理工程による素子部分および保持容量部分の変形を防止することにより、上電極材料の断線に起因する点欠陥や線欠陥が発生することを防止可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。 - 特許庁

To evaluate the embedded depth of the gate electrode of a vertical MOSFET by fabricating the vertical MOSFET becoming an actual product and an evaluation element on the same semiconductor substrate by the same process and then measuring the electrical characteristics of the evaluation element.例文帳に追加

同一半導体基板上に、実際の製品となる縦型ＭＯＳＦＥＴと評価用の素子を同一プロセスで作製し、その評価用素子の電気的特性を測定することにより縦型ＭＯＳＦＥＴのゲート電極の埋め込み深さを評価すること。 - 特許庁

To achieve improvement of an effective output performance and cost reduction of a fuel cell by avoiding presence of ineffective catalyst active material which cannot contribute to an electrode reaction, and by aiming at simplification of a structure and a manufacturing process.例文帳に追加

電極反応に寄与し得ないような有効でない触媒活性物質の存在を回避するとともに、構造及び製造工程の簡素化を図ることにより、燃料電池の効果的な出力性能の向上を達成するととともに、コスト低減を図る。 - 特許庁

To provide a consumable electrode used for manufacturing a large pure-titanium ingot, by using cut scrap and cut pieces generated in a working process for a titanium material, and a titanium sponge containing relatively high contents of oxygen, nitrogen, and iron, namely, relatively low purity of titanium.例文帳に追加

本発明の目的は、チタン材の加工工程で発生する切削屑や切断片、酸素，窒素，鉄の含有率が相対的に高い、即ち純度の比較的低いスポンジチタンを利用して、大型の純チタンインゴットの製造を可能とする消耗電極を提供する。 - 特許庁

In this method for manufacturing a member for a plasma display panel including a process for repairing a broken-wire defect part of an electrode formed on a substrate, a needle with a conductive paste deposited thereon is brought into contact with the broken-wire defect part, thereby applying the conductive paste to the broken-wire defect part.例文帳に追加

基板上に形成された電極の断線欠陥部を修復する工程を含むプラズマディスプレイパネル用部材の製造方法であって、導電性ペーストを付着させた針を断線欠陥部に接触させ導電性ペーストを断線欠陥部に塗布する。 - 特許庁

To obtain conductive paste preventing copper powder from being oxidized in a heating process of decomposing binder resin, and at the same time, showing an excellent sintering property at sintering of the copper powder, in making a sintering electrode and a circuit with the use of the conductive paste with the copper powder as a filler.例文帳に追加

銅粉をフイラーとする導電ペーストを用いて焼成電極や回路を作製するさいに，バインダー樹脂を分解させる加熱過程で銅粉が酸化するのを防止すると同時に，銅粉の焼結時には優れた焼結性を示す導電ペーストを得る。 - 特許庁

The damage given to the element by the plasma process is reduced to the utmost by reducing the density of electric charges accumulated in a gate electrode during the course of anisotropic etching performed in the LDD forming step, by forming an LDD in a state where a conductive protective film is formed to cover the whole surface of a substrate.例文帳に追加

基板全面を覆うように導電性保護膜を形成した状態でＬＤＤを形成することで、ＬＤＤ形成工程の異方性エッチングにおいて、ゲート電極に蓄積される電荷密度を低減し、プラズマによる損傷を極力低減する。 - 特許庁

Such an image forming device having a transfer and fixing process in this invention has a charging means 26 to charge the intermediate transfer member by providing an electrode 25 in front of the first transfer position in the direction the intermediate transfer member runs.例文帳に追加

そのような転写定着工程を有する画像形成装置において、中間転写体の走行方向で一次転写位置の手前に電極２５を配置して電荷を付与することにより中間転写体を帯電する電荷付与手段２６を備える。 - 特許庁

An insulating substrate is constituted of the projection 22 for a common electrode formed on the surface of an alumina substrate 21 by a thick film process, projected glaze glass layers 24a1, 24a2 having the projection 22 as apexes and the glaze glass layers 24a, 24b formed on the alumina substrate 21.例文帳に追加

アルミナ基板２１の表面に厚膜プロセスで形成された共通電極用突起２２と、この突起を頂点とする凸状のグレーズガラス層２４ａ1、２４ａ2と、アルミナ基板２１上に形成されたグレーズガラス層２４ａ、２４ｂとを備えた構成とした。 - 特許庁

The wiring layer comprises a terminal part 14A and a wiring part 14B of which the film thickness is small, and an electrode part 14C having large film thickness, and making the terminal part 14A and the wiring part 14B thin films and raising its bottom of the embedded conductor 12 are carried out in the identical process.例文帳に追加

配線層は膜厚が薄い端子部１４Ａ及び配線部１４Ｂと膜厚が厚い電極部１４Ｃを備え、端子部１４Ａ及び配線部１４Ｂの薄膜化と埋込導体１２の底上げとは同一製造工程で行われている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light element capable of preventing the reduction of contact area between a semiconductor layer in a waveguide ridge top and an electrode by a simple process, and preventing the semiconductor layer in the waveguide ridge top from being damaged by etching.例文帳に追加

簡単な工程により導波路リッジ頂部の半導体層と電極の接触面積の減少を防ぎ、導波路リッジ頂部の半導体層がエッチングによって損傷を受けるのを防ぐことができる半導体光素子の製造方法を得る。 - 特許庁

This semiconductor device comprises a semiconductor substrate, a plurality of gate electrodes 12 formed in a stripe shape in this semiconductor substrate, and a plurality of source regions 14 formed in the semiconductor substrate in a self-alignment process with respect to this gate electrode 12.例文帳に追加

この半導体装置は、半導体基板と、この半導体基板にストライプ状に形成された複数本のゲート電極１２と、このゲート電極１２に対して自己整合的に半導体基板に形成された複数本のソース領域１４とを備えている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a photoelectric transfer element in which a semiconductor electrode made of semiconductor particulates can be formed excellently on a metal oxide membrane while preventing elution of the metal oxide membrane, and at a low temperature process, and a photoelectric transfer element.例文帳に追加

金属酸化物膜上に半導体微粒子からなる半導体電極をその金属酸化物膜の溶出を防止しつつ、しかも低温プロセスで良好に形成することができる光電変換素子の製造方法および光電変換素子を提供する。 - 特許庁

Thereafter, the film 32 is etched and removed, and thereafter the underlying film 42 is subjected to a dry etching process with use of the Pt film 45 as a mask, thus forming a lower electrode of a capacitive element with use of the Pt film 45 and the conductive underlying film 42 remaining thereunder.例文帳に追加

その後、酸化シリコン膜４３をエッチングで除去した後、Ｐｔ膜４５をマスクにして導電性下地膜４２をドライエッチングすることにより、Ｐｔ膜４５とその下部に残った導電性下地膜４２とで容量素子の下部電極を形成する。 - 特許庁

Applied voltage is made to act in the same way as in a normal scorotron electrifying device by a switch 6 during a printing process and the applied potential of an electrode plate 2 and a net shield 5 and applied potential of a grid 4 are switched while printing is not executed.例文帳に追加

印字処理中にスイッチ６は通常のスコロトロン型帯電器と同じ働きをするような印加電圧となるようにし、非印字処理中にスイッチ６は電極板２および網目状シールド５の印加電位とグリッド４の印加電位とを入れ替える。 - 特許庁

To provide a structure of a sheet-shaped lithium cell which is enabled so as not to generate loosening and shift of adhesion between an electrode sheet and a separator by simple method, and enabled to efficiently exhaust the gas generated at production process, and to provide a manufacturing method of a sheet-shaped lithium cell.例文帳に追加

簡便な方法で電極シートとセパレータとの密着のゆるみや互いのずれが生じないようにし、かつ、製造工程中に発生するガスを効率的に放出できるシート状リチウム電池構造及びシート状リチウム電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

An excessive surface 22, of bad crystalinity and comprising defect, which is deposited with a remaining gas in a temperature-falling process from a crystal growth temperature at completion of growth of silicon carbide is removed, and a Schottky electrode 25 is formed on a silicon carbide 24 with reduced defect.例文帳に追加

炭化珪素成長終了時の結晶成長温度からの降温過程で残留ガスにより堆積した結晶性が悪く欠陥を含んだ余分な表面２２を除去し、欠陥が低減された炭化珪素２４上にショットキー電極２５を形成する。 - 特許庁

The negative electrode current collector for the dry cell has a surface of wire rod made of iron formed in a prescribed shape by forging process on which a plating treatment is applied, and the plating is made of two layer structure of which the inner layer is made by copper plating and the outer layer is by galvanization.例文帳に追加

鍛造加工により所定形状に形成された鉄製の線材の表面にメッキ処理が施されており、前記メッキが、内層が銅メッキ、外層が亜鉛メッキの二層構造とされていることを特徴とする乾電池用負極集電体である。 - 特許庁

To simplify a device construction and a manufacturing process and to conduct a bright and high quality picture display in a reflective and a semitransparent reflective liquid crystal devices adopting an internal reflection mode provided with a reflective electrode, which is functioning also as a reflective plate, on the side of a substrate facing a liquid crystal layer.例文帳に追加

基板の液晶に面する側に反射板を兼ねる反射電極を設けた内面反射方式を採る反射型や半透過反射型の液晶装置において、装置構成及び製造プロセスを単純化し、明るく高品位の画像表示を行う。 - 特許庁

To provide a trimmer capacitor wherein even if, in a formation process of a stator, a top face of a stator is ground in order to give a higher flatness of the top face of the stator and a front face of a fixing electrode molded on the stator, an electrostatic capacity does not vary and more stable characteristics are provided.例文帳に追加

ステータの形成工程において、ステータ上面およびステータにモールドされている固定電極表面の平面度を上げるためにステータ上面を研磨しても静電容量が変化せず、安定した特性を有するトリマコンデンサを提供する。 - 特許庁

To provide a method for etching metals in order to form a fine electrode and a metallic wiring in a manufacturing process of a substrate for a semiconductor device or for a liquid crystal element, which easily keeps the etching rate in a desired range over a long period of time.例文帳に追加

半導体装置基板や液晶素子基板の製造工程等における微細な電極や金属配線を形成するための金属エッチング方法において、エッチング速度を容易且つ長期間に亘り所望の範囲とするような、エッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a high dielectric thin film, an ultrathin gate insulation layer which is indispensable to high integration and acceleration of MOSFET in particular, and a high dielectric thin film etching agent composition used in the manufacturing process of a semiconductor device with a gate electrode.例文帳に追加

高誘電率薄膜を用いた半導体装置、特にＭＯＳＦＥＴの高集積化と高速化に不可欠な極薄ゲート絶縁膜層、ゲート電極を用いた半導体装置の製造工程に使用される高誘電率薄膜エッチング剤組成物を提供する。 - 特許庁

To provide: a method for producing composite particles with which the electrode of an electrochemical element having an active material layer of large uniform thickness with excellent thickness precision can be obtained at a high formation speed when the active material layer is formed by continuous pressure forming such as roll pressure forming; composite particles obtained by that production process; and the electrode of an electrochemical element formed using those composite particles.例文帳に追加

ロール加圧成形等の連続加圧成形によって活物質層を形成する場合に、厚み精度に優れ、均一で、大きな厚みを有する活物質層を有する電気化学素子電極を速い成形速度で得ることができる電気化学素子電極用複合粒子の製造方法、該製造方法によって得られる複合粒子、および、該複合粒子を用いて形成された電気化学素子電極を提供する。 - 特許庁

In a pressurizing/heating process, a CuAu alloy layer 522 being an alloy layer of Cu constituting the pad 31 and Au constituting the stud bump 52a is formed by bonding the pad 31 with the stud bump 52a and the electrode 51a with the stud bump 52a by solid-phase diffusion bonding, and all Al of the electrode 51a are made into AuAl alloy and an AuAl alloy layer 521 which does not include Al is formed.例文帳に追加

また、加圧・加熱工程では、パッド３１とスタッドバンプ５２ａ、及び電極５１ａとスタッドバンプ５２ａとを固相拡散接合により接合することによって、パッド３１を構成するＣｕとスタッドバンプ５２ａを構成するＡｕとの合金層であるＣｕＡｕ合金層５２２を形成すると共に、電極５１ａのＡｌを全てＡｕＡｌ合金化してＡｌを含まないＡｕＡｌ合金層５２１とする。 - 特許庁

The process for fabricating a ridge type semiconductor laser comprises a step for forming a structure of a plurality of semiconductor layers including an active layer on a substrate, a step for forming a first electrode having a width narrower than that of the multilayer structure on the surface thereof, and a step for forming a ridge structure by etching the multilayer structure using the first electrode as a mask.例文帳に追加

本発明による製造方法は、基板上に活性層を含む複数の半導体層を積層して積層構造を形成する積層構造形成ステップと、その積層構造の表面において、積層構造よりも狭い幅を有する第１の電極を形成する第１電極形成ステップと、第１の電極をマスクとして積層構造をエッチングし、リッジ構造を形成するリッジ構造形成ステップとを含む。 - 特許庁