「electrode process」に関連した英語例文の一覧と使い方(57ページ目) - Weblio英語例文検索

A manufacturing method of the fuel cell, equipped with a membrane electrode assembly, a separator, and a flow passage forming member having a plurality of openings, is equipped with (a) a process of preparing raw sheet in which a plurality of opening are installed, and (b) a process where onto at least one face between two faces of the flow passage forming member, the raw sheet is brazed.例文帳に追加

膜電極接合体と、セパレータと、膜電極接合体とセパレータとの間に設けられた複数の孔を有する流路形成部材と、を備える燃料電池の製造方法は、（ａ）複数の開口が設けられたロウシートを準備する工程と、（ｂ）流路形成部材の２つの面のうちの少なくとも一方の面に、ロウシートをロウ付けする工程と、を備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a circuit for an RFID tag at a low cost by employing a process in which a stable junction between a circuit and a semiconductor electrode is provided with reduced material cost process cost, and furthermore, semiconductor elements are continuously mounted on a manufactured circuit in a manufacturing method of an RFID tag including at least a base material, the circuit and the semiconductor elements therefor.例文帳に追加

少なくとも基材と、回路と、半導体素子とを含むＲＦＩＤタグの製造方法において、回路と半導体素子電極の接合が安定し、かつ材料費および加工費を低減させ、これに加えて、製造された回路に半導体素子を連続的に実装しうるプロセスとすることで、低コストでＲＦＩＤ用の回路を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide: a tandem-type organic photoelectric conversion element having high photoelectric conversion efficiency, while a recombination electrode of the tandem-type organic photoelectric conversion element can be formed by a coating process under normal pressure, the coating process having high conductivity and high productivity even on an inexpensive plastic substrate; a method for manufacturing the organic photoelectric conversion element; and a solar cell including the organic photoelectric conversion element.例文帳に追加

安価なプラスチック基板上でも高い導電性かつ高い生産性を有する常圧下の塗布プロセスでタンデム型の有機光電変換素子の再結合電極を形成することが可能で、かつ、高い光電変換効率を有するタンデム型の有機光電変換素子、その製造方法及びその有機光電変換素子を用いた太陽電池を提供することにある。 - 特許庁

In the manufacturing method for an ink-jet head for forming an electrode in a desired pattern by forming an insulated part by a laser process in a metallic film formed on a substrate surface comprising a head chip, the laser process is executed with a condition that a laser beam is directed at least twice to the same portion of a part to be processed.例文帳に追加

ヘッドチップを構成する基板表面に形成された金属膜にレーザー加工によって絶縁部を形成することにより所望パターンの電極形成を行うインクジェットヘッドの製造方法において、前記レーザー加工は、被加工部の同一個所に対して２回以上レーザー光が照射される場所が存在する条件で行うことを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the patterned ferroelectric medium comprises a process of forming a feature of a prescribed pattern being a precursor for manufacturing a ferroelectric film on an electrode formed on a substrate, and a process of converting a precursor feature to a ferroelectric substance by making a source substance which forms the ferroelectric substance by reacting with the precursor react with the precursor.例文帳に追加

基板上に形成された電極上に強誘電膜の製造のための前駆体で所定パターンのフィーチャーを形成する工程と、前駆体と反応して強誘電物質を形成するソース物質を前駆体と反応させて、前駆体フィーチャーを強誘電性の物質に変換する工程と、を含むパターンされた強誘電体媒体の製造方法である。 - 特許庁

In a process where a counter board 2 is manufactured, an upper electrode, a first charge blocking layer, and a semiconductor layer 19 are laminated in this order on a support board, and then ceramic particles 23 are blown against the surface of the semiconductor layer 19 by the use of an abrasive discharge nozzle 22.例文帳に追加

対向基板２の製造工程において、支持基板上に上部電極、第１の電荷阻止層、半導体層１９がこの順に形成された後、該半導体層１９の表面に砥粒吐出ノズル２２によりセラミック粒子２３を吹き付ける。 - 特許庁

Another process is to heat the receptacle for having the matter in it evaporated and deposited on the light-emitting layer to form an electrode, where, a shutter (when it is open) enables the evaporative matter to be deposited from the heated receptacle onto the light-emitting layer.例文帳に追加

その受け器中の物質を蒸発させ発光層の上に沈積させて電極を形成するためにその受け器を加熱すること、及びシャッター（それが開いているとき）が加熱された受け器からの蒸発物質の発光層上への沈積を可能にする。 - 特許庁

Since an optical compensation layer 74 is formed between a substrate 50 formed with a pixel electrode 53 and a polarization layer 72 formed on the substrate 50, the reflection preventive film 73 hardly is injured and soiled in a manufacturing process, and the display quality is improved.例文帳に追加

画素電極５３が形成された基板５０と、これに形成された偏光層７２との間に、光学補償層７４が形成されているので、製造工程において反射防止膜７３に傷や汚れが付きにくく、表示品位を向上させることができる。 - 特許庁

The process for producing a solar cell comprises step (a) for forming a photoelectric conversion layer (8) on a transparent conductive film (2) formed on a transparent substrate (1), and step (b) for forming a back electrode layer (10) on the photoelectric conversion layer (8).例文帳に追加

太陽電池の製造方法は、（ａ）透明導電膜（２）を形成された透明な基板（１）における透明導電膜（２）上に光電変換層（８）を形成する工程と、（ｂ）光電変換層（８）上に裏面電極層（１０）を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

By this constitution, compression-directional rigidity of a frame 9 is enhanced, and a deformation amount of the frame 9 is reduced in a tension-laying process, and the tube-axis-directional displacement of the color selection electrode 6 is reduced when a color cathode ray tube 1 is operated.例文帳に追加

このことにより、枠状フレーム９の圧縮方向に対する剛性を向上でき、架張工程の枠状フレーム９の変形量を小さくでき、カラー陰極線管１の動作時における色選別電極６の管軸方向の変位量を小さくできる。 - 特許庁

To provide an electronic component with bump electrode and a method for manufacturing it in which occurrence of open failure is appropriately reduced in a manufacturing process while a surface protecting insulating film having a sufficient film thickness and a bump part having a sufficient height are provided.例文帳に追加

充分な膜厚の表面保護用絶縁膜および充分な高さのバンプ部を具備しつつ、製造過程においてオープン不良の発生が適切に低減される、バンプ電極付き電子部品の製造方法とバンプ電極付き電子部品を提供する。 - 特許庁

In a photolithography process, element isolation formation of a thin film semiconductor layer and formation of the video signal wiring and drain electrode are achieved simultaneously through single-time photolithography by using a photomask capable of modulating an exposure light quantity of a channel region of a thin film transistor element.例文帳に追加

その後、ホトリソグラフィー工程で、薄膜トランジスタ素子のチャネル領域の露光光量を変調可能なホトマスクを用いて、薄膜半導体層の素子分離形成と、映像信号配線とドレイン電極の形成を１回のホトリソグラフィー工程で、同時に形成する。 - 特許庁

To simplify the shapes of an element active region and a gate electrode, facilitate pattern formation in a lithography process, reduce registration deviation of resist patterns, and relieve design rule of a divided path of a word line while variation in storage characteristics of a semiconductor storage device is prevented.例文帳に追加

素子活性領域およびゲート電極の形状の単純化を図り、リソグラフィ工程におけるパターン形成を容易にし、レジストパターンの合わせずれを低減して、半導体メモリの記憶特性の変動を防止しつつ、ワード線の分路の設計ルールの緩和を図る。 - 特許庁

The semiconductor device according to the present invention includes a surface having an external connection electrode formed thereon and a rear surface 10 (#a) subjected to mirror finishing, where a part of the rear surface 10 (#a) is provided with roughened regions 14 subjected to the roughening by means of a laser masking process.例文帳に追加

本発明によれば、外部接続電極が形成された表面と、表面に対向し、鏡面状態である裏面１０（＃ａ）を有する半導体装置であって、裏面１０（＃ａ）の一部に、レーザマーキング法によって粗面化処理された粗面化領域１４を設ける。 - 特許庁

To bore a through-hole 36 for introducing ink into an ink flow passage before cutting process after forming a fine electrode on a glass substrate 3, in a method for manufacturing an inkjet head by joining the glass substrate 3 and a substrate 2 in which the passage is formed.例文帳に追加

ガラス基板３とインク流路が形成された基板２とを接合してインクジェットヘッドを製造する方法において、ガラス基板３に微細な電極を形成した後、切断工程前に、インクを流路に導入する貫通穴３６の穴明け加工を行なう。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a piezoelectric actuator in which sufficient crystallinity is imparted to a piezoelectric film by sintering the piezoelectric film at a high temperature of 700°C-1,200°C, and diffusion of a lower electrode forming material can be prevented, and to provide a piezoelectric actuator.例文帳に追加

高温、例えば、７００℃〜１２００℃程度の温度で圧電体膜を焼成して、当該圧電体膜に十分な結晶性を付与すると共に、下電極形成材料の拡散を防止できる圧電アクチュエータの製造方法及び圧電アクチュエータを提供する。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device whose capacitance of a capacitor is large, which can suppress the occurrence of defects in the interface of a lower metal electrode and a capacitance insulating film and in the film of the capacitance insulating film in the process to form the capacitance insulating film.例文帳に追加

容量絶縁膜を形成する過程で、下部金属電極と容量絶縁膜との界面および容量絶縁膜の膜中における欠陥が生じるのを抑えることができ、キャパシタ容量の大きな半導体装置を製造することを目的とする。 - 特許庁

In a process S106, oxygen gas oxygen plasma is used to supply a high-frequency power P3 to the inductively coupled coil 14 without supplying any high-frequency power to the bias-side electrode 13, and plasma ashing of oxygen gas G_O2 is performed to remove an etching deposit.例文帳に追加

工程Ｓ１０６では、酸素ガス酸素プラズマを用いて、バイアス側電極１３に高周波電力を供給すること無く誘導結合コイル１４に高周波電力Ｐ３を供給して、酸素ガスＧ_Ｏ２のプラズマアッシングを行ってエッチング堆積物を除去する。 - 特許庁

Thereafter, a heating/cooling process is performed on the bonded body 26 to give it a temperature change, causing interfacial separation to occur between an adhesion layer 16 on the Si substrate 14 side and a first electrode film 9 on the ceramic substrate 2 side, to separate the Si substrate 14 from the capacitor 11.例文帳に追加

その後、接合体２６に加熱・冷却処理を施して温度変化を付与し、Ｓｉ基板１４側の密着層１６とセラミック基板２側の第１の電極膜９と間で界面剥離を生じさせ、Ｓｉ基板１４をキャパシタ部１１から分離する。 - 特許庁

In addition, either a part of or an entire of a mold for molding the container main body 3 is machined by an electrical discharging process with an electrode of graphite in which its part or entire is manually processed being applied as an electrical pole, and then a hand-made touch is produced at a pattern transferred to the container main body 3.例文帳に追加

また容器本体（３）を成形するための金型（５１）の一部又は全部を、一部又は全部が手加工されたグラファイト（５３）を電極とする放電加工によって加工して、容器本体（３）に転写される文様等に手作り感を出させる。 - 特許庁

In this process, when a potential Vsig of an image signal in the white display is supplied from a data line 710, the potential of the second node of a pixel circuit, wherein two light emitting elements emit light normally, is set to be higher than the potential Vcat of the cathode electrode.例文帳に追加

ここで、データ線７１０から白表示における映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）が供給される場合においては、２つの発光素子が正常に発光する画素回路の第２ノードの電位は、カソード電極の電位（Ｖｃａｔ）より高く設定される。 - 特許庁

A manufacturing method of the alloy powder for the electrode includes an activation process, in which raw material powder containing the hydrogen storing alloy are contacted with water solution of 100°C or higher, containing A wt.% of sodium hydroxide for B minutes, and A and B satisfy 2,410≤A×B≤2,800.例文帳に追加

電極用合金粉末の製造法は、水素吸蔵合金を含む原料粉末を、水酸化ナトリウムをＡ重量％含む１００℃以上の水溶液とＢ分間接触させる活性化工程を含み、ＡおよびＢは、２４１０≦Ａ×Ｂ≦２８００を満たす。 - 特許庁

To provide the manufacturing method and the like of a photoelectric conversion electrode capable of forming a pattern of a metal oxide layer in a simple manufacturing process, increasing adhesion of a sealing interface in cell manufacturing, and enhancing mechanical strength and reliability in long use.例文帳に追加

簡易な製造プロセスにて金属酸化物層のパターン形成が可能であり、セル作製時における封止界面の密着性を高め、機械強度及び長期使用時の信頼性を向上させ得る、光電変換電極の製造方法等を提供すること。 - 特許庁

At the time of removing a part of the silicon film 8 contacted with one of both side surface of the gate electrode 3, the parts of the film 8 other than the part to be removed are covered with a resist mask 11 and then subjected to a chemical dry etching process.例文帳に追加

多結晶シリコン膜８のうち、ゲート電極３の両側面のうちの一方の側面に接触する部分を除去する際、多結晶シリコン膜８の除去すべき部分以外の部分をレジストマスク１１で覆い、ケミカルドライエッチングによるエッチングを行う。 - 特許庁

To reduce difficulty in a case of welding a copper plate 6 with a resistor 2 by using a seam welding method, in a manufacturing method for a resistor which has a process wherein seam welding of the respective facing both ends of the resistor 2 and an electrode 1 constituted of the copper plate 6 is performed.例文帳に追加

抵抗体２の対向する両端部それぞれと、銅板６からなる電極１とをシーム溶接する工程を有する抵抗器の製造法において、銅板６をシーム溶接法により抵抗体２と溶接する場合の困難性を低減する。 - 特許庁

To provide a light-emitting device which can be manufactured in a simple manufacturing process, is easy in obtaining high definition, and can prevent a dark-point loss caused by short circuit of both at a contact part to conduct a pixel electrode layer and wiring, and an electronic equipment.例文帳に追加

簡素な製造工程で製造可能であり、かつ、高精細化が容易であり、かつ、画素電極層と配線との導通をとるコンタクト部における両者の短絡に起因する暗点欠損を防止することができる発光装置および電子機器を提供する。 - 特許庁

Under cut of a passivation insulating layer generated, for to remove the aluminum layer in an opening part on a drain electrode, is dissolved by the addition of a manufacturing process widening the opening part, by adopting the source-drain wiring comprising lamination of a heat-resistant metal layer and the aluminum layer.例文帳に追加

耐熱金属層とアルミニウム層との積層よりなるソース・ドレイン配線を採用し、ドレイン電極上の開口部内のアルミニウム層を除去して生じたパシベーション絶縁層のアンダカットを、前記開口部を拡大する製造工程の追加で解消する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head assembly capable of preventing deterioration or destruction of insulation in process and measuring the insulation characteristics of an insulation film existing between a shield film and an electrode film without cutting a resistance film connecting both films.例文帳に追加

工程中において、絶縁劣化、絶縁破壊を防止できると共に、シールド膜と電極膜との間に存在する絶縁膜の絶縁特性を、両者を接続する抵抗膜を切断することなく測定し得る薄膜磁気ヘッド集合体を提供する。 - 特許庁

To provide a solar battery module in which breaks or cracks can be prevented in a manufacturing process without deteriorating the power generation efficiency or external appearance of the finished solar battery module, by providing a connection tub preventing a solder from flowing out from a bus bar electrode.例文帳に追加

バスバー電極からハンダがはみ出すことのない接続タブを提供することにより、完成した太陽電池モジュールの発電効率や外観の美観を低下させることが無く、製造工程中の割れやクラックを防止できる太陽電池モジュールを提供する。 - 特許庁

To provide a nonaqueous secondary battery superior in productivity and market reliability, regardless of existence of magnetism of impure materials mixed in a manufacturing process of a positive electrode, so that these impure materials will not cause internal short circuit failure in the battery.例文帳に追加

正極製造工程にて混入する不純物の磁性の有無に関わらず、電池内においてこれら不純物が内部短絡不良を引き起こさないよう根本的に対処し、生産性と市場信頼性に優れた非水系二次電池を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which allows bulky structures of a source and a drain to be formed in a MISFET with a gate electrode formed of a metallic material by a low-temperature process in the formation and can be manufactured efficiently, and a manufacturing method for the semiconductor device.例文帳に追加

金属材料で形成されたゲート電極を有するＭＩＳＦＥＴにおけるソース・ドレイン部のかさ上げ構造の形成において、その形成を低温プロセスで実現し、かつ効率よく製造できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an Al alloy film for a display device, the alloy film showing low contact resistance even when the film is directly connected to a transparent pixel electrode eliminating a barrier metal layer, and higher corrosion resistance against a developing solution or corrosion resistance against a peeling solution in a manufacturing process of the display device.例文帳に追加

バリアメタル層を省略して透明画素電極と直接接続させた場合にも低コンタクト抵抗を示し、且つ、表示装置の製造過程における現像液耐食性や剥離液耐食性も高められた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。 - 特許庁

In a drying process after a catalyst layer forming ink manufactured by mixing and dispersing catalyst-carrying carbon particle, polymer electrode solution, and a solvent, is applied to a base, the application side under drying is heat-pressed, and a catalyst layer is fixed to the base.例文帳に追加

触媒担持カーボン粒子と高分子電解質溶液及び溶媒により混合分散して製作した触媒層形成用インクを基材に塗布した後の乾燥工程において、乾燥中の塗布面を加熱圧着して基材に触媒層を定着させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing process of a spark plug, by which the solution of eccentricity can be exactly made without falling below an intended target gap gt even when the gap is reduced upon adjustment of the eccentricity of a ground electrode to be solved.例文帳に追加

解消すべき接地電極の偏心の調整を行なう際にギャップ間隔が縮小する場合においても、到達目標ギャップ間隔ｇｔを下回ることなく偏心の解消を的確に行うことができるスパークプラグの製造方法を提供する。 - 特許庁

To simplify the manufacturing process of a semiconductor apparatus constituting a CMOS circuit by an n-channel MIS transistor and a p-channel MIS transistor forming a gate electrode composed of a metallic material on a gate insulating film composed of a high dielectric material.例文帳に追加

高誘電体材料からなるゲート絶縁膜上に金属材料からなるゲート電極を形成するｎチャネル型ＭＩＳトランジスタおよびｐチャネル型ＭＩＳトランジスタによってＣＭＯＳ回路を構成する半導体装置の製造工程を簡略化する。 - 特許庁

To provide a solid alkaline fuel cell having excellent electrode reaction, in which a process of forming a catalyst layer is made simple and easy, and which inhibits pores in the catalyst layer from being crushed in shipping and transportation work prior to operation, and to provide an operation method thereof.例文帳に追加

触媒層を形成する工程が簡易となり、運転前の出荷及び運搬作業等で触媒層の細孔が潰れることを抑制することができ、電極反応に優れた固体アルカリ形燃料電池及びその運転方法を提供する。 - 特許庁

An insulating film 53 is formed on a semiconductor substrate 51, in the same process as that of the gate insulating film of an MIS transistor which is present on the semiconductor substrate 51, and a gate electrode material layer 54 of the MIS transistor is formed on this insulating film, and patterned.例文帳に追加

半導体基板５１上に、この基板上に存在するＭＩＳ型トランジスタのゲート絶縁膜と同一工程で絶縁膜５３を形成し、この絶縁膜上に上記ＭＩＳ型トランジスタのゲート電極材料層５４を形成してパターニングする。 - 特許庁

As to a manufacturing method of the reproducing head, after the protecting layer is formed on a film for element which is formed to the MR element 5, a 1st film for electrode which is formed to the first layer 7a, is continuously formed without including such a process that the protecting layer is exposed to the air in the course of this method.例文帳に追加

再生ヘッドの製造方法では、ＭＲ素子５となる素子用膜の上に保護層を形成した後、保護層が大気に暴露される工程を途中に含むことなく連続的に、第１層７ａとなる第１の電極用膜を形成する。 - 特許庁

When plural recessed parts are formed on one of the faces of a light guide plate, for example, the part for regulating a face where the recessed parts of the light guide plate are formed, of a mold 2, is formed by a discharge process using an electrode having the recessed parts 22 against the recessed parts of the light guide plate.例文帳に追加

導光板の一方の面に例えば複数の凹部を形成する場合、導光板の凹部が形成される面を規定するための金型の部分を、導光板の凹部に対応する凹部を有する電極を用いた放電加工により形成する。 - 特許庁

The wiring layer 14 comprises a terminal part 14A and a wiring part 14B of which the film thickness is thin, and an electrode part 14C of which the film thickness is thick, and making the terminal part 14A and the wiring part 14B thin films and raising its bottom of the buried conductor 12 are carried out in the same process.例文帳に追加

配線層１４は膜厚が薄い端子部１４Ａ及び配線部１４Ｂと膜厚が厚い電極部１４Ｃを備え、端子部１４Ａ及び配線部１４Ｂの薄膜化と埋込導体１２の底上げとは同一製造工程で行われている。 - 特許庁

In manufacturing the electrode with the carbonaceous material put under the surface treatment bonded with a binder, a process of transferring the carbonaceous material into rare gas without exposing it in air and bonding it with the binder in the rare gas is provided after the surface treatment.例文帳に追加

表面処理された炭素質材料がバインダにより結合された電極を製造するに際し、表面処理終了後、空気にさらすことなく希ガス中に炭素質材料を移行させ、希ガス中でバインダにより炭素質材料を結合する工程を設ける。 - 特許庁

In the production process of a capacitive insulating film, a capacitive insulating film (6) composed of a ferroelectric film having a bismuth layer perovskite type structure is formed on an electrode (4) composed of a noble metal oriented to the (1 1 1) face.例文帳に追加

容量絶縁膜の製造方法は、（１ １ １）面に配向した貴金属よりなる電極（４）の上に、ビスマス層状ペロブスカイト型の構造を有する強誘電体膜よりなる容量絶縁膜（６）を形成する容量絶縁膜の製造方法である。 - 特許庁

To provide a positive electrode container for a sodium-sulfur battery which has an inner surface made evenly rough and a corrosion resistant membrane that is formed by flame spraying with good adhesion, and of which the manufacturing process is simplified and the manufacturing cost is reduced.例文帳に追加

均一に粗面化された内表面と、当該粗面化された内表面に、良好な密着性で溶射形成された耐食皮膜を有するとともに、その製造工程の簡略化と製造コストの削減がなされたナトリウム−硫黄電池用陽極容器を提供する。 - 特許庁

To enhance shape control of a T-type gate electrode against variation in resist film thickness or light exposure (electron beam irradiation amount) incident to exposure of a multilayer film in fine T-type gate process employing multilayer resist, and to prevent impairment in the high frequency characteristics of a high frequency device.例文帳に追加

多層レジストを用いた微細T型ゲートプロセスでの多層膜の露光に伴う、レジスト膜厚や露光量（電子線照射量）の変動に対するＴ型ゲート電極の形状制御を向上させるとともに、高周波装置の高周波特性の劣化を防ぐ。 - 特許庁

A manufacturing method of the alloy powders for the electrode includes an activation process, in which raw material powders containing the hydrogen storing alloy is contacted with a water solution of 100°C or higher, containing A wt.% of sodium hydroxide for B minutes, and A and B satisfy 2,410≤A×B≤2,800.例文帳に追加

電極用合金粉末の製造法は、水素吸蔵合金を含む原料粉末を、水酸化ナトリウムをＡ重量％含む１００℃以上の水溶液とＢ分間接触させる活性化工程を含み、ＡおよびＢは、２４１０≦Ａ×Ｂ≦２８００を満たす。 - 特許庁