「electrode process」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

The production process of the electrode for a capacitor comprises steps of: coating the current collector with a coating liquid containing at least conductive particles, a binder and a solvent to form an undercoat layer; and coating the undercoat layer with a coating liquid containing at least a carbon material, a binder and a solvent to form an electrode layer.例文帳に追加

集電体上に、少なくとも導電性粒子とバインダーと溶剤とを含むアンダーコート層用塗布液を塗布し、アンダーコート層を形成する工程と、前記アンダーコート層上に、少なくとも炭素材料とバインダーと溶剤とを含む電極層用塗布液を塗布し、電極層を形成する工程とを含むキャパシタ用電極の製造方法。 - 特許庁

In manufacturing the nonaqueous electrolytic solution battery in which the lithium-aluminum alloy is used for the negative electrode, a foil of the lithium-aluminum alloy in which a containing amount of metallurgically alloyed lithium is 80 atom% or more is cut in a square shape, and the negative electrode is fabricated through a process in which the square shaped lithium aluminum alloy piece is rolled out by putting it into a negative can.例文帳に追加

リチウム−アルミニウム合金を負極に用いる非水電解液電池の製造にあたり、冶金学的に合金化したリチウム含量が８０原子％以上のリチウム−アルミニウム合金の箔を方形状に切断し、その方形状のリチウム−アルミニウム合金片を負極缶に入れて圧延する工程を経て負極を作製する。 - 特許庁

A silicide is prevented from being formed on a dummy gate electrode by using a cap oxide film as a mask, in a forming area of the low voltage MISFET used in a logic circuit or the like, and a forming step is simplified when forming a gate of the low voltage MISFET using a damascene process by a high-k film 18 and a metal gate electrode 20.例文帳に追加

ロジック回路などに使用される低電圧ＭＩＳＦＥＴの形成領域において、キャップ酸化膜をマスクにすることによってダミーゲート電極上にシリサイドが形成されるのを防ぎ、ダマシンプロセスを用いて低電圧ＭＩＳＦＥＴのゲートをｈｉｇｈ−ｋ膜１８およびメタルゲート電極２０で形成する際の形成工程を簡略化する。 - 特許庁

A thin-film transistor (TFT) manufactured by back surface exposure uses the oxide semiconductor as a channel layer, negative resist on a conductive film is exposed from a back surface side of a substrate using an electrode on the substrate as a mask, and then removed except an exposed part of the negative resist, and the conductive film is etched using the exposed part as an etching mask to process the electrode.例文帳に追加

裏面露光により製造される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）において、チャネル層として酸化物半導体を用い、基板上の電極をマスクとして、基板の裏面側から導電膜上のネガレジストを露光し、ネガレジストの露光部分を残し前記ネガレジストを除去し、露光部分をエッチングマスクとする導電膜のエッチングにより、電極を加工する。 - 特許庁

To provide an electrode pin with safety at low cost, since manufacturing an electrode pin takes time and effort, that is, a brass rod is processed to be a column-like round bar by a cutting or header process to mount a plate-like Ag contact at a tip with wax or spot welding, and cost of copper metal is hiked due to hike of noble metal.例文帳に追加

電極ピンは、何れも黄銅の棒を切削加工やヘッダー加工により円柱状の丸棒にして、先端に平板状のＡｇ接点を鑞付け又はスポット溶接で装着しているものであり、製造に手間暇がかかり、また、貴金属の高騰から銅金属の価格も高騰しており、廉価で安定性を有する電極ピンが求められている。 - 特許庁

To provide a color filter substrate and a pixel electrode substrate, both of which scarcely having fluctuation irrespective of a process condition, and methods for producing them, by optimizing a photomask for forming a fixed spacer for controlling a cell gap by using a positive photoresist on the color filter substrate or the pixel electrode substrate for the liquid crystal display device, and to provide a high-quality liquid crystal display device.例文帳に追加

液晶表示装置用カラーフィルタ基板や画素電極基板に、ポジ型フォトレジストを用いてセルギャップ制御用の固定スペーサを形成するためのフォトマスクを最適化し、工程条件によるバラツキの少ないカラーフィルタ基板とその製造方法、および画素電極基板とその製造方法を提供し、高品質の液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a PTC (positive temperature coefficient) element that can prevent thermal deterioration of an element body at the time of bonding an electrode plate and a terminal plate with the welting process or the like, and effectively implementing the natural functions of the element without occurrence of decoupling of the electrode plate and terminal plate even when an impact or a pressure is applied to the PTC element.例文帳に追加

電極板と端子板とを溶接等によって接合する際に、素子本体が熱劣化することを防止できると共に、ＰＴＣ素子に衝撃や圧力が作用したとしても、電極板と端子板との接合が外れることがなく、素子本来の機能を有効に発揮することができるＰＴＣ素子を提供すること。 - 特許庁

Disclosed is a method for producing an ingot by an electroslag melting process characterized in that dry air is used as a seal gas for shielding the inside of a mold from an air atmosphere during the melting of an electrode composed of a stock for melting and further, Al is continuously added to slag in the mold from the start of the melting of the electrode to the completion of the melting.例文帳に追加

溶解用素材により構成された電極の溶解中に鋳型内を大気雰囲気から遮断するシールガスとしてドライエアを使用するとともに、電極の溶解開始から溶解終了までの間、鋳型内のスラグへＡｌを連続的に添加することを特徴とするエレクトロスラグ溶解法による鋳塊の製造方法である。 - 特許庁

In the induction current detection type defect detection process, the surface of the electrophotographic photoreceptor and at least one detection electrode are relatively moved, an induction current is generated at least on one detection electrode by a potential change on the surface of the electrophotographic photoreceptor, and by detecting the induction current, the defective part of the electrophotographic photoreceptor is detected.例文帳に追加

誘導電流検出式欠陥検出工程は、電子写真感光体の表面と少なくとも１つの検知電極とを相対的に移動させ、電子写真感光体の表面の電位変化により少なくとも１つの検知電極に誘導電流を発生させ、誘導電流を検出することによって電子写真感光体の欠陥部を検出する。 - 特許庁

To surely carry out both the suppression of the swelling of a positive electrode mixture and smoothing electrolytic solution absorption into the positive electrode mixture 21 in a cylindrical battery, and by this, to improve productivity by preventing an inner short circuit and by obtaining the superior stability of discharge, and by shortening a process time from the injection of the electrolytic solution to sealing.例文帳に追加

筒形電池において、正極合剤の膨潤を抑えることと、正極合剤２１への電解液吸液を円滑化させることとを共に確実に行わせることができ、これにより、内部短絡の防止と放電の安定性にすぐれるとともに、電解液の注液から封口までの工程時間を短縮して生産適性を向上させる。 - 特許庁

In the device, a polycrystalline silicon layer 3 is laminated after the bottom side electrode 8 that is a sectional trapezoid is formed on one surface of an insulating substrate 11, a porous polycrystalline silicon layer is formed by making a part on the bottom side electrode 8 porous by an anodizing process and a drift part 6a of a high field drift layer 6 is formed by oxidizing the porous polycrystalline silicon layer.例文帳に追加

絶縁性基板１１の一表面上に断面台形状の下部電極８を形成した後、多結晶シリコン層３を堆積し、陽極酸化処理にて下部電極８上の部位を多孔質化して多孔質多結晶シリコン層を形成し、多孔質多結晶シリコン層を酸化することで強電界ドリフト層６のドリフト部６ａを形成する。 - 特許庁

In a photoetching process step for forming gate wiring having a first compensation pattern, data wiring to define a pixel region formed to intersect with the gate wiring and the source/drain electrode, the capacitor electrode having the second compensation pattern formed on the prescribed region of the gate wiring is inclusively constituted.例文帳に追加

本発明は、第１補償パターンを有するゲート配線と、前記ゲート配線と交差されるように形成されて画素領域を定義するデータ配線と、ソース／ドレイン電極形成のためのフォトエッチング工程時、絶縁膜を間に置き、前記ゲート配線の所定領域上に形成され第２補償パターンを有するキャパシタ電極を包含して構成される。 - 特許庁

This makes the catalyst electrode composition material which is involved in the micelle deposited on the surfaces of the pair of the conductive substrates 4, allows thin films 6 to be formed on the surfaces of the pair of the conductive substrates 4 at the same time, and can improve the productivity of catalyst electrode 1 manufactured by the micelle electrolytic process.例文帳に追加

これにより、ミセルに内包されている触媒電極構成材料は一対の導電性基板４の表面に交互に堆積するため、一対の導電性基板４の表面に同時に薄膜６を形成することが可能になるので、ミセル電解法により作製される触媒電極１の生産性を向上させることができる。 - 特許庁

In manufacturing an organic EL element by a roll-to-roll process, a mask formed of a sheet-like flexible film having an adhesive surface and a predetermined opening pattern is stuck to a sheet-like substrate, and a second electrode is formed over the mask, and thereafter the mask is peeled off to form a second electrode having a predetermined pattern.例文帳に追加

ロールトゥロールにより有機ＥＬ素子を製造するのに際し、粘着面および所定の開口パターンを有するシート状のフレキシブルフィルムからなるマスクを、シート状の基板に対して貼り合せ、上記マスクの上から上記第２電極を形成した後、上記マスクを剥離して所定パターンを有する第２電極を形成するようにした。 - 特許庁

To make a thin film an internal electrode layer by setting a metal deposited layer as a conductor to provide a metal deposited layer transfer sheet which is made free from a level difference in the laminated layers of a laminated ceramic green sheet when the internal electrode layer is formed by a heat transfer printer equipped with a thermal head in a process of manufacturing a laminated ceramic capacitor.例文帳に追加

積層セラミックコンデンサの製造工程において、サーマルヘッドを備えた熱転写プリンタを使って、内部電極層を形成する場合において、導体を金属蒸着層とすることにより、内部電極層の薄膜を可能とし、生積層セラミックグリーンシート内での積層の段差のない金属蒸着層転写シートを提供すること。 - 特許庁

Although part of a functional layer 16 are locally thinned in a drying process in forming a functional layer 16, the thinned portions are likely to be formed at a position separated from the bottom electrode 14 by the above-described configuration (in a substantial light-emitting region corresponding to the bottom electrode 14, local changes in the thickness of the functional layer 16 are unlikely to be generated).例文帳に追加

機能層１６を成膜する際の乾燥工程において、機能層１６に局所的に部分が薄膜化するが、上記構成により、その薄膜化部分が、下部電極１４から離れた位置に形成され易くなる（下部電極１４に対応する実質的な発光領域では機能層１６の局所的な厚みの変化が生じにくくなる）。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a carbonaceous thin-film electrode doped with a metal element, which is excellent in charge and discharge cycle property, can realize high capacity, a negative electrode material for a nonaqueous electrolyte secondary cell and a nenaqueous electrolyte secondary cell, by a low temperature heat treatment process without relying on a binder forming method which causes lowering of operation reliability.例文帳に追加

作動信頼性の低下をもたらすバインダー成形法に頼ることなく、低コストの低温熱処理プロセスによって、充放電サイクル特性に優れかつ大容量を発現しうる金属元素をドープしたカーボン薄膜電極の作製法、非水電解液二次電池用負極材および非水電解液二次電池を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the p-channel trench MOSFET in which a gate electrode is p-type, the gate electrode is formed on a polycrystalline silicon film by forming an insulating film, implanting boron ions, and then performing a process for removing the insulating film for a plurality of times, thus providing the p-channel trench MOSFET that operates stably and has high quality.例文帳に追加

ゲート電極がＰ型であるＰチャネルトレンチＭＯＳＦＥＴの製造方法において、ゲート電極を多結晶シリコン膜上に絶縁膜を形成してボロンイオン注入を行いその後絶縁膜を除去する工程を複数回行って形成することで、動作が安定でかつ高品質なＰチャネルトレンチＭＯＳＦＥＴを提供することが可能となる。 - 特許庁

The luminescent element has on a substrate a luminescent laminated layer with a transparent electrode, one or more organic compound layers including a luminescent layer and a back electrode laminated, of which, the luminescent layer is an element containing a phosphorescent compound, and at least one of the organic compound layers is one filmed by a wet-process film-forming method under atmosphere with oxygen concentration of 100 ppm or less.例文帳に追加

本発明の発光素子は基材、透明電極、発光層を含む一層以上の有機化合物層及び背面電極を有し、該発光層が燐光発光性化合物を含有する素子であって、有機化合物層の少なくとも一層が、酸素濃度100ppm以下の雰囲気下で湿式製膜法により製膜した層であることを特徴とする。 - 特許庁

The transparent electrode 60 and an orientation film 40 are formed on the first transparent substrate 50, the partition 35 and a Fresnel lens 100 are integrally formed in an imprint process as an imprint resin layer 30 on the second transparent substrate 51, and a transparent electrode 41 and an orientation film 61 are formed on the imprint resin layer 30.例文帳に追加

第１の透明基板５０上には透明電極６０と配向膜４０が形成されており、第２の透明基板５１上にはインプリント樹脂層３０として隔壁３５とフレネルレンズ１００がインプリント工程にて一体に形成されており、インプリント樹脂層３０の上に透明電極４１と配向膜６１が形成されている。 - 特許庁

In detail, the N type thermoelectric thin film layer 3, the insulating thin film layer 5, the P type thermoelectric thin film layer 7 and the electrode thin film layer 9 are conductive thin films manufactured by a vapor deposition process, and the N type thermoelectric thin film layer 3 is electrically connected to the P type thermoelectric thin film layer 7 by the electrode thin film layer 9 at a side end thereof.例文帳に追加

詳しくは、Ｎ型熱電薄膜層３、絶縁薄膜層５、Ｐ型熱電薄膜層７、電極薄膜層９は、気相成長プロセスによって作製された導電薄膜であり、Ｎ型熱電薄膜層３とＰ型熱電薄膜層７とは、その側端部にて電極薄膜層９により電気的に接続されている。 - 特許庁

The luminescent element is provided with a substrate, a transparent electrode, one or more organic compound layers including a luminescent layer and a back electrode, of which, the luminescent layer is an element containing a phosphorescent compound, and at least one of the organic compound layers is one filmed by a wet-process film-forming method with the use of coating liquid after oxidization treatment.例文帳に追加

本発明の発光素子は基材、透明電極、発光層を含む一層以上の有機化合物層及び背面電極を有し、該発光層が燐光発光性化合物を含有する素子であって、有機化合物層の少なくとも一層が、脱酸素処理した塗布液を用いた湿式製膜法により製膜した層であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a stacked electronic component in which the thicknesses of internal electrode layers can be reduced and, at the same time, the occurrence of delamination, cracking, discontinuity of internal electrodes, or the like, caused by the difference in contraction between dielectric layers and the internal electrode layers can be prevented without adding any new facility nor process, and to provide a method of manufacturing a stacked electronic component.例文帳に追加

内部電極層の薄膜化を達成するとともに、誘電体層と内部電極層との収縮差に起因するデラミネーション、クラック、内部電極の途切れなどの発生を、新たな設備や工程を追加することなく達成することのできる積層型電子部品および積層型電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

An electrode cap and a resistor assembly element are integrated to form a resistor, after a resistance value is adjusted and an insulating protective film is formed, flaws and dirt sticking to the electrode cap surface made of Sn/Sn alloy plating during a manufacturing process and an oxidized layer formed on the surface are removed by hydrochloric acid to cleans them, and an oxidation preventing film is formed on the cleansed surface.例文帳に追加

電極キャップと抵抗体を一体化して抵抗器を形成し、抵抗値調整、絶縁保護膜を形成した後に、Ｓｎ／Ｓｎ合金メッキからなる電極キャップ表面に製造工程で付いた傷や汚れや表面に形成された酸化層を塩酸系溶液で除去して清浄にし、清浄にした表面に酸化防止膜を形成する。 - 特許庁

Next, one part of a place that corresponds to a shape of a keytop of the intermediate body 10 is made as an EL element deformation prevention part in order to prevent the deformation of the EL element 4 in the next process, a first notch 9a in which a site excluding an opposing electrode layer, a transparent electrode layer, and their connecting lines are formed.例文帳に追加

次に、中間体１０のキートップの平面視の形状に対応した箇所の一部を、次工程におけるＥＬ素子４の変形防止のためのＥＬ素子変形防止部とし、ＥＬ素子変形防止部とＥＬ素子４の対向電極層、透明電極層及びそれらの接続線を除いた部位を切り込んだ第１切り欠き９ａを設ける。 - 特許庁

In the fabrication process, a silicon nitride film 9 is left only on a region for forming the gate electrode 8A (word line WL) of an MISFET for selecting the memory cell of a DRAM, and not left on the gate electrode 8B of an MISFET constituting a logic LSI and on the gate electrodes 8C and 8D constituting the memory cell of an SRAM.例文帳に追加

ＤＲＡＭのメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極８Ａ（ワード線ＷＬ）を形成する領域の上部のみに窒化シリコン膜９を残し、ロジックＬＳＩを構成するＭＩＳＦＥＴのゲート電極８Ｂの上部およびＳＲＡＭのメモリセルを構成するゲート電極８Ｃ、８Ｄの上部には窒化シリコン膜９を残さないようにする。 - 特許庁

A metal silicide layer 13b, which includes nickel platinum silicide, is formed by a salicide process, on a source-drain n^+-type semiconductor region 7b of an n-channel type MISFETQn formed on the semiconductor substrate 1 and a gate electrode GE1, and on a source-drain p^+-type semiconductor region 8b of a p-channel type MISFETQp and a gate electrode GE2.例文帳に追加

半導体基板１に形成したｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎのソース・ドレイン用のｎ^＋型半導体領域７ｂおよびゲート電極ＧＥ１上と、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐのソース・ドレイン用のｐ^＋型半導体領域８ｂおよびゲート電極ＧＥ２上とに、ニッケル白金シリサイドからなる金属シリサイド層１３ｂをサリサイドプロセスで形成する。 - 特許庁

To build in field effect transistors which are different in properties, especially, threshold voltage, and have high reliability on the same wafer without adopting such troublesome means as to repeat a complicated recess formation process or change the material of a source electrode and a drain electrode, concerning a method of manufacturing a field effect semiconductor device.例文帳に追加

電界効果半導体装置の製造方法に関し、煩雑なリセス形成工程を繰り返したり、或いは、ソース電極及びドレイン電極の材料を変えたりする面倒な手段を採ることなく、同一ウエハ上で特性、特に、閾値電圧を異にし、しかも、信頼性が高い電界効果トランジスタを容易に作り込むことができるようにする。 - 特許庁

The spherical element equipped with an electrode formed on an area exposed from a part of a second semiconductor layer covering the spherical first semiconductor is positioned in the recess provided to the support of the first conductor layer, so as to protrude its electrode toward the back of the support and fixed by a process of thermally treating conductive paste applied around the bottom hole of the recess provided to the support.例文帳に追加

球状の第１半導体を被覆する第２半導体層の一部から露出させた面に電極を形成した球状素子を、第１導電体層である支持体の凹部に、電極が支持体の裏側に突出するように位置決めし、支持体の凹部の底部の孔周辺部に塗布した導電性ペーストの熱処理により固定する。 - 特許庁

When charging of the lithium-ion secondary battery is performed at a charge rate of 5C or more, the electrical potential of the negative electrode is once raised by making temporary flash charging before starting the charging, and the electrical potential of the negative electrode in the process of charging at the charging rate is maintained in the state where it always exceeds the electrical potential for separating lithium.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池の充電処理を５Ｃ以上の充電レートで行う際、該充電処理開始前に一時的なフラッシュ放電処理を行って該電池の負極電位を一旦上昇させておき、前記充電レートでの充電処理中の前記負極電位を、常にリチウムの析出する電位を上回った状態に維持する。 - 特許庁

The manufacturing method for a fuel cell 100 comprises a first arrangement process of arranging a protection layer 20 made of formation metal of an oxide electrode or formation metal of an oxide electrolyte on a metal support 10 having gas permeability, a second arrangement process of arranging an oxide electrolyte 30 on the protection layer 20, and a calcining process of calcining the oxide electrolyte and the protection layer under an oxidizing atmosphere.例文帳に追加

本発明に係る燃料電池（１００）の製造方法は、ガス透過性を有する金属支持体（１０）上に酸化物電極の構成金属または酸化物電解質の構成金属からなる保護層（２０）を配置する第１配置工程と、保護層上に酸化物電解質（３０）を配置する第２配置工程と、酸化雰囲気において酸化物電解質および保護層を焼成する焼成工程と、を含むことを特徴とするものである。 - 特許庁

The method includes: a process of granting binder-capturing liquid 20 which can capture the binder 44 on the surface of the collector 10; a process of granting mixture paste 30 containing the active material 42 and the binder 44 on the surface of the collector 10 with the binder-capturing liquid 20 granted; and a process of obtaining an electrode having the mixture layer formed on the collector 10 by drying the mixture paste 30 granted.例文帳に追加

この方法は、集電体１０の表面にバインダ４４を捕捉可能なバインダ捕捉用液体２０を付与する工程と、バインダ捕捉用液体２０が付与された集電体１０の表面に活物質４２及びバインダ４４を含む合材ペースト３０を付与する工程と、付与された合材ペースト３０を乾燥させることにより集電体１０上に合材層が形成された電極を得る工程とを包含する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the contact electrically conducted to an electrode of an electronic instrument or an inspection device, there are provided a process to form a resin mold by a metal mold, a process to form layers composed of metal materials by electrocasting and a process to form a spiral spring protruding outside in a telescopic state by applying projection processing to the layer composed of the metal material.例文帳に追加

本発明の竹の子状コンタクトの製造方法は、電子機器または検査装置の電極と電気的に導通するコンタクトの製造方法であって、金型により樹脂型を形成する工程と、樹脂型に金属材料からなる層を電鋳により形成する工程と、金属材料からなる層に凸加工を施すことにより、外部に竹の子状に突出するスパイラルスプリングを形成する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method for forming the conductive path or electrode includes a process of forming on a base an abrasion layer containing a photosensitive resin and a conductive polymer layer containing a conductive polymer in this order, a process of exposing the abrasion layer to an energy beam of high density, and a removing process of peeling and removing the conductive polymer layer corresponding to the exposed part of the abrasion layer together with the exposed part.例文帳に追加

支持体上に光感応性樹脂を含有するアブレーション層及び導電性ポリマーを含有する導電性ポリマー層をこの順に形成する工程、前記アブレーション層を高密度のエネルギー光線で露光する工程、及び前記アブレーション層の露光部に該当する前記導電性ポリマー層を前記露光部と共に剥離し除去する除去工程を経ることを特徴とする導電路又は電極の形成方法。 - 特許庁

The apparatus for treating wastewater generated in a coating process or a surface treatment process has an electrolytic cell 3 for electrolyzing the wastewater or the treated wastewater, and the electrolytic cell 3 is constituted by the sets of approximately parallel electrode groups in which electrode plates 10c and 10d for electrolysis in the electrolytic cell 3 are arranged so as to reduce resistance to the flow of a wastewater treating liquid in the electrolytic cell 3.例文帳に追加

塗装工程または表面処理工程で生じる廃水の処理を行う廃水処理装置であって、廃水またはその処理物を電気分解処理する電気分解槽３を備え、この電気分解槽３は、当該電気分解槽３中の電気分解用電極板１０ｃ及び１０ｄが、当該電気分解槽３中での廃水処理液の流れに対して抵抗が少なくなるように配置された複数組の略平行電極群によって構成されている。 - 特許庁

The dye sensitized solar cell is manufactured by a process of forming a precursor film of the oxidized semiconductor electrode film by painting an oxidized semiconductor sol obtained from a precursor of oxidized semiconductor on the transparent conductive film formed on a base material, and a process of of painting a painting solution containing the fine grains of oxidized semiconductor.例文帳に追加

透明導電膜付基材の該透明導電膜上に酸化物半導体の前駆体より得られる酸化物半導体ゾルを塗布し酸化物半導体電極膜の前駆膜を形成する工程、酸化物半導体微粒子を有する塗布液を塗布する工程を有する製法にて色素増感型太陽電池を作製する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable effectively preventing mutual diffusion in the components between the gate electrodes of n- and p-type transistors in a gate electrode formation process and the subsequent heat treatment process for the method for manufacturing the semiconductor device having a wiring layer substituted for metal and metal silicide.例文帳に追加

金属や金属シリサイドに置換した配線層を有する半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極形成過程及びその後の熱処理工程において、Ｎ型トランジスタのゲート電極とＰ型トランジスタのゲート電極との間における構成材料の相互拡散を効果的に防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a voltage controlled variable capacitor that can be its manufactured without changing the conventional manufacture process, or adding any new process, preventing the circuit from being largely scaled or integrated into a high voltage, preventing the maximum value and minimum value of the capacitance per the unit area of an electrode from being fluctuated, and arbitrarily selecting high frequency C-V characteristics.例文帳に追加

従来の製造プロセスを変更したり、新たなプロセスを追加したりすることなく製造でき、回路が大型化及び高電圧化することがなく、電極の単位面積あたりの容量の最大値及び最小値が変動することがなく、高周波Ｃ−Ｖ特性を任意に選択できる電圧制御可変容量素子を提供する。 - 特許庁

To reform an image into a state faithful to a latent image in order to eliminate a factor of image deterioration caused upon development by rearranging toner on a photoreceptor again nearby its surface by applying an alternating current to an electrode provided not in contact with the photoreceptor between a developing process and a transfer process.例文帳に追加

現像時に生じた画像劣化要因を現像工程と転写工程の間で感光体に対して非接触状態で設けられた電極に交番電圧を印加することよって再度感光体上のトナーを表面近傍にて再配置工程を行い、潜像に忠実な状態に画像を形成し直すことを目的としている。 - 特許庁

The method for manufacturing the organic PTC thermistor comprises a layer forming process for forming an organic substance layer which includes a resin and a filler dispersed thereto and has concave and convex surfaces and an electrode forming process to form a pair of electrodes, provided facing each other in both sides of the organic substance layer.例文帳に追加

樹脂及びこれに分散したフィラーを含有し、凹凸表面を有する有機物層を形成させる層形成工程と、有機物層を挟んで対向するように１対の電極を形成させる電極形成工程とを備える有機ＰＴＣサーミスタの製造方法、並びにこの製造方法により得られる有機ＰＴＣサーミスタ。 - 特許庁

The manufacturing method of the thin film electrode comprises a process of forming the thin film 12 containing an element alloyed with lithium on the surface of the current collector 11 made of a metal not alloyed with lithium, and a process of forming irregularity on the surface of the thin film 12 by pressing the thin film 12 by a metal mesh 13 as an indentation forming member.例文帳に追加

また、リチウムと合金化しない金属からなる集電体１１の表面に、リチウムと合金化する元素を含む薄膜１２を形成する工程と、薄膜１２を凹凸形成部材である金属メッシュ１３で加圧することにより、薄膜１２の表面に凹凸を形成する工程とを含む薄膜電極の製造方法とする。 - 特許庁

Here, even when a process for heat treatment is not specially performed additionally after the CeZrO film 125 is formed on the side face of the capacitor having been processed, heating is performed in a CVD process of forming an interlayer insulating film after the CeZrO film 125 is formed to supply oxygen to the PZT film 120 and the electrode of the capacitor.例文帳に追加

但し、加工後のキャパシタ側面にＣｅＺｒＯ膜１２５を形成した後に、熱処理の工程をあえて追加して行わない場合であっても、ＣｅＺｒＯ膜１２５の形成後に層間絶縁膜を形成するＣＶＤ工程において加熱が行われ、ＰＺＴ膜１２０およびキャパシタの電極に酸素供給が行われることとなる。 - 特許庁

To solve the problem that Lov dimensions in a TFT cannot be formed with excellent controllability since a resist pattern sidewall tapering angle occurs from a desired tapering angle, in a photolithography process utilizing diazo naphto quinone(DNQ)-novolac resin-based positive resist in the gate electrode formation process of a GOLD structure TFT.例文帳に追加

ＧＯＬＤ構造ＴＦＴのゲート電極形成工程のジアゾナフトキノン（ＤＮＱ）−ノボラック樹脂系ポジレジストを利用するフォトリソグラフィ工程に於いて、レジストパターン側壁テーパー角が所望のテーパー角より起っている為、当該ＴＦＴのＬｏｖ寸法を制御性良く形成できない問題があり、この問題を解決することを課題とする。 - 特許庁

The process for producing the electrochromic element by disposing at least an electrochromic layer 23 and a pair of electrode layers 21, 22 holding this electrochromic layer 23 on substrates 20 or between these substrates is the process for producing the electrochromic element which is characterized in that at least one layer among the respective layers are heat treated in an oxygen-contg. atmosphere after deposition.例文帳に追加

基板２０上または基板間に少なくとも、エレクトロクロミック層２３と、該エレクトロクロミック層２３を挟む一対の電極層２１，２２とを設けることによりエレクトロクロミック素子を製造する方法において、前記各層のうちの少なくとも１層は、成膜後に酸素含有雰囲気下で熱処理されることを特徴とするエレクトロクロミック素子の製造方法。 - 特許庁

This is a manufacturing method of a gas diffusion electrode which has a process in which a coating liquid dispersing at least two kinds of fluororesin water repellent having particle or its agglomerate of different sizes is prepared and a process in which the above coating liquid is coated from the surface side of a porous base material to form a catalyst layer and calcined, and water repellency treatment is applied.例文帳に追加

粒子もしくはその凝集体のサイズの異なる少なくとも２種のフッ素樹脂撥水剤を分散した塗布液を調製する工程、および前記の塗布液を多孔質基材の触媒層を形成しようとする面側から塗布し、焼成して撥水処理を施す工程を有するガス拡散電極の製造方法。 - 特許庁