「electrode process」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing method for a cathode electrode comprises a cathode electrode formation process of forming a cathode layer by forming a cathode active material on a cathode collector at a forming rate of a range of 0.4-2.0 Å/sec by using a sputtering method and forming the cathode electrode made of the cathode collector and the cathode layer.例文帳に追加

本発明は、スパッタリング法を用いて、正極活物質を、０．４〜２．０Å／ｓｅｃの範囲内の成膜レートで、正極集電体上に成膜して正極層を形成し、上記正極集電体と上記正極層とからなる正極電極体を形成する正極電極体形成工程を有することを特徴とする正極電極体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a porous conductive substrate in which damage to a polymer electrolyte membrane is reduced and flooding caused by remaining of water in the substrate is suppressed while peeling off is suppressed by a simple method without comprising a calcination process of the substrate, and which has a superior mechanical strength and electric performance, a gas diffusion electrode using this substrate, and a membrane-electrode assembly and a fuel cell using this electrode.例文帳に追加

高分子電解質膜へのダメージを低減し、基材中に水が滞留することによるフラッディングを抑制しつつ、かつ、基材の焼成工程を経ることなく簡便な方法で、剥がれが抑制され、かつ優れた機械的強度と電気特性を有する多孔質導電性基材、該基材を用いたガス拡散電極、該電極を用いた膜・電極接合体および燃料電池を提供すること。 - 特許庁

To efficiently manufacture a multilayer ceramic capacitor having good characteristics where the coverage of the internal electrode is high by preventing a common material from segregating on the internal electrode during the firing process when the multilayer ceramic capacitor is manufactured by using, as the conductive paste for forming the internal electrode, a conductive paste containing a ceramic material (common material) of the same type as that constituting the dielectric ceramic layer.例文帳に追加

内部電極形成用の導電性ペーストとして、誘電体セラミック層を構成するセラミック材料と同種のセラミック材料（共材）を含む導電性ペーストを用いて積層セラミックコンデンサを製造する場合に、焼成工程で共材が内部電極に偏析することを抑制して、内部電極のカバレッジが高く、特性の良好な積層セラミックコンデンサを効率よく製造することを可能にする。 - 特許庁

The process for fabricating a piezoelectric actuator comprises a step for forming an insulating film 25 on a substrate 10, a step for forming a piezoelectric film 13 on the insulating film 25, a step for forming a lower electrode 31 by implanting ions selectively at least into a region of the piezoelectric film 13 becoming the lower electrode, and a step for forming an upper electrode 16 on the piezoelectric film 13 implanted with ions.例文帳に追加

基板１０上に絶縁膜２５を形成する工程と、絶縁膜２５上に圧電体膜１３を形成する工程と、圧電体膜１３の少なくとも下電極となる領域に、イオンを選択的に打ち込んで下電極３１を形成する工程と、イオンが打ち込まれた圧電体膜１３上に、上電極１６を形成する工程を含んでなる圧電アクチュエータの製造方法である。 - 特許庁

In the formation process for manufacturing the lead-acid battery, electrolysis is made while an organic polymer constituent for increasing the hydrogen overvoltage of a negative electrode is allowed to be present by 0.01-5 wt.% in an electrolyte, thus making metal lead generated in the negative electrode porous, greatly increasing the surface area of the negative electrode active material, and hence discharging a large current.例文帳に追加

鉛蓄電池を製造する化成工程において、負極の水素過電圧を上昇せしめる有機ポリマー成分を０．０１ないし５重量％、電解液中に存在せしめた状態で電解することにより、負極に生成する金属鉛を多孔質とし、負極活物質の表面積を大巾に増大せしめ、その結果大電流放電が可能となる鉛蓄電池の化成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a secondary cell, capable of suppressing the upwashing phenomenon of electrolyte in a welding process and reducing creeping of electrolyte to a surface of a sealing body and having high reliability and high yield, in a method for welding exterior vessel or the terminal of the other electrode and corresponding either of a positive electrode and a negative electrode mutually and directly or via a collector by flowing a welding current via the electrolyte.例文帳に追加

電解液を介して溶接電流を流し、外装容器又は他方極の端子と、正極および負極の対応する一方とを直接又は集電体を介して溶接する方法において、溶接工程における、電解液のふきあがり現象を抑制するとともに、封口体表面への電解液のクリーピングを低減し、信頼性が高く歩留まりの高い二次電池を提供する。 - 特許庁

To use a metal gate electrode to prevent depletion of majority carriers and Fermi level pinning which will occur in a gate electrode made by using polysilicon or silicide, and to easily form the metal gate electrode for an n-type MOSFET and for a p-type MOSFET separately by a simple process, in manufacturing a semiconductor device including the n-type MOSFET and the p-type MOSFET.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、ｎ型ＭＯＳＦＥＴとｐ型ＭＯＳＦＥＴを含む半導体装置を作製する場合、ポリシリコンもしくはシリサイドを用いたゲート電極で発生する空乏化やフェルミレベルピンニングを抑止する為、メタルゲート電極を用い、しかも、ｎ型ＭＯＳＦＥＴとｐ型ＭＯＳＦＥＴの各メタルゲート電極を簡単な工程で、且つ、容易に作り分けることを可能にする。 - 特許庁

This manufacturing process of the laminated stator comprises forming a first dielectric block 11 in a die, printing an inner electrode 4 and a connection electrode 7 on the first dielectric block 11 surface, laminating a second dielectric block 13 on the printed surface to form a molding 14, baking the molding 14 and dividing the molding 14 at the middle of the connection electrode 7 to form a laminate 6.例文帳に追加

積層ステータ１を形成するにあたって、先ず第１の誘電体ブロック１１を金型成形し、この第１の誘電体ブロック１１表面に内部電極４及び接続電極７を印刷し、この印刷面上に第２の誘電体ブロック１３を積層して成形体１４を形成し、この成形体１４を焼成した後に接続電極７の中程で分割して積層体６を形成した。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device having a structure with a crystalline semiconductor layer with a catalitic element added, a gate insulating film, and a gate electrode laminated on an insulating substrate in this order includes a light irradiating process for irradiating the light that passes through the crystalline semiconductor layer and is absorbed by the gate electrode to the gate electrode.例文帳に追加

絶縁基板上に、触媒元素が添加された結晶性半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極がこの順に積層された構造を有する半導体装置の製造方法であって、上記製造方法は、結晶性半導体層を透過し、かつゲート電極に吸収される光をゲート電極に対して照射する光照射工程を含む半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The gas barrier layer forming process is composed of a process of forming a first gas barrier layer 30a on the second electrode 50 by a physical vapor deposition method, and a process of forming a gas barrier layer 30b on the first gas barrier layer 30a by the chemical vapor deposition method.例文帳に追加

基体２００上に、第２の電極５０の基体２００上で露出する部位を覆った状態でガスバリア層３０を形成するガスバリア層形成工程を有し、ガスバリア層形成工程が、物理的気相蒸着法によって第２の電極５０上に第１のガスバリア層３０ａを形成する工程と、化学的気相蒸着法によって第１のガスバリア層３０ａ上に第２のガスバリア層３０ｂを形成する工程とを備えている。 - 特許庁

The manufacturing method of the organic photoelectric conversion element comprises a photocatalyst-containing layer forming process forming the photocatalyst-containing layer on a substrate in which a first electrode is formed; a doping process doping the photoelectric conversion property improving material in the photocatalyst-containing layer; and an organic photoelectric conversion layer forming process forming the organic photoelectric conversion layer on the photocatalyst-containing layer.例文帳に追加

本発明は、第１電極が形成された基体上に光触媒含有層を形成する光触媒含有層形成工程後に、上記光触媒含有層に光電変換特性向上物質をドープするドーピング工程を行い、その後に上記光触媒含有層上に有機光電変換層を形成する有機光電変換層形成工程を行うことにより、上記目的を達成するものである。 - 特許庁

The method for manufacturing the catalyst electrode includes a first process for forming a catalyst ink layer by coating the catalyst ink, a second process for arranging minute waterdrops on the catalyst ink layer by contacting high humid air to the catalyst ink layer and a third process for forming the catalyst layer by drying and removing the minute waterdrops.例文帳に追加

触媒電極の製造方法として、触媒インクを塗布することにより、触媒インク層を形成するための第１の工程と、前記触媒インク層に高湿空気を接触させることにより、前記触媒インク層に微小水滴を配列するための第２の工程と、前記微小水滴を乾燥除去することにより、触媒層を形成するための第３の工程を有する触媒電極の製造方法を用いること。 - 特許庁

The manufacturing method of the electrode catalyst layer of the solid polymer fuel cell comprising the catalyst of mesh structure includes a process for forming a thin film consisting of a composite oxide of platinum and cerium by a reactive vacuum vapor deposition method, and a process to obtain a catalyst of mesh structure which consists of a mixture of platinum and cerium oxide by subjecting the thin film to a reducing process.例文帳に追加

網目模様の構造の触媒を有する固体高分子型燃料電池の電極触媒層の製造方法であって、反応性真空蒸着法によって白金とセリウムの複合酸化物からなる薄膜を形成する工程、該薄膜を還元処理して白金と酸化セリウムの混合物からなる網目模様の構造の触媒を得る工程を有する電極触媒層の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the negative electrode active material comprises a coating process giving a mechanofusion treatment on base material particles consisting of graphite and/or graphitizable carbon and carbon for coating and coating the carbon for coating at least on a part of the surface of the base material particles, a sintering process of sintering the base material particles put through the coating process in a state of non- compressed integration.例文帳に追加

本発明の負極活物質の製造方法は、黒鉛および／または易黒鉛化性炭素よりなる基材粒子と、被覆用炭素とにメカノフュ−ジョン処理を施して、被覆用炭素材に基材粒子の表面の少なくとも一部を被覆させる被覆工程と、被覆工程が施された基材粒子を非圧縮の集積状態で焼成する焼成工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the through-electrode has a process for forming a porous layer 15 by making at least the porous wall surface of a fine pore 12 formed in a vertical direction with respect to the main surface of a semiconductor substrate 11 porous, an oxidation process for oxidizing the porous layer for forming the insulation layer 16, and a metal charging process for charging conductive matter 17 to the fine pore.例文帳に追加

貫通電極の製造方法が、少なくとも、半導体基板１１の主面に対し垂直方向に形成された細孔１２の孔壁表面を多孔質化して多孔質層１５を形成する多孔質層形成工程と、前記多孔質層を酸化して絶縁層１６を形成する酸化工程と、前記細孔に導電性物質１７を充填する金属充填工程とを有する。 - 特許庁

The method of manufacturing the substrate includes a porous layer laminate forming process forming a porous laminate by laminating a catalyst layer 2 made of metal, a porous insulating layer 3 made of an insulating substance, a porous layer 4 containing oxide semiconductor fine particles in this order on a heat resistant substrate 1; and a transparent electrode layer forming process forming a transparent electrode layer 5 made of metal oxides on the porous layer of the porous laminate.例文帳に追加

耐熱基板１上に、金属からなる触媒層２と、絶縁物質からなる多孔質絶縁層３と、酸化粒半導体微粒子を含む多孔質層４とがこの順で積層された多孔質積層体を形成する多孔質積層体形成工程と、上記多孔質積層体の上記多孔質層上に、金属酸化物からなる透明電極層５を形成する透明電極層形成工程と、を有する。 - 特許庁

The method for manufacturing a ceramic electronic component comprises: a first process for forming a corrugated section including convex and/or concave section on the surface; a second process for forming a first electrode film to be the terminal electrode, by mutually contacting a tapered section consisting of top of the convex section, or convex and/or concave section; to the end face of the ceramic raw material.例文帳に追加

本発明のセラミック電子部品の製造方法は、導電性ペーストを用いて、表面に凸部または／および凹部を備える波状形成部を形成する第１工程と、凸部の頂点部あるいは凸部または／および凹部により構成される傾斜部と、セラミック素体の端面と、を互いに接触させ、セラミック素体の端面に端子電極となるべき第１電極膜を形成する第２工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a cold cathode element applying carbon group fine fiber as a cold cathode emitter emitting electron, wherein a trimming process which carries out a trimming process separating the carbon system fine fiber from an electron draw-out electrode by shortening the length of the carbon system fine fiber contating with the electron dra-out electrode, is carried out in a short time, by a device of a simple structure.例文帳に追加

本発明は、電子を放出する冷陰極エミッタとして炭素系微細繊維を適用した冷陰極素子の製造方法に関し、電子引出し電極に接触した炭素系微細繊維の長さを短くして、炭素系微細繊維を電子引出し電極から離間させるトリミング工程を、簡単な構成の装置により、短時間で行うことのできる冷陰極素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The center of the metal plate is smoothly cut off continuously almost in parallel along the longitudinal direction of the hoop-like material to form a pair of electrode portions 12, 13, and simultaneously a resistance value is adjusted, but a trimming process is not provided.例文帳に追加

一対の電極部１２，１３を形成するために金属板中央をフープ状材料の長手方向に沿って略平行に連続的に平滑切削し、同時に抵抗値調整を行い、トリミング工程を設けない。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a negative electrode collector for an alkaline dry battery having less liquid leakage or breakage when mounted in the alkaline dry battery and excellent working efficiency by reducing manufacturing processes to one process.例文帳に追加

アルカリ乾電池内に装着した際に、漏液や破損が少なく、さらに、製造工程数を一工程とすることにより作業効率のよいアルカリ乾電池における負極集電体の製造方法を開発することにある。 - 特許庁

The chip type network resistor 10 does not include a flat surface of electrode terminals D1 to D8 for the soldering process and is formed in the shape of groove formed along the recessed part provided to and end part of an alumina substrate 22 as the mounting component itself.例文帳に追加

チップ型ネットワーク抵抗器１０は、はんだ付けを行うための電極端子Ｄ１〜Ｄ８の表面が平面ではなく、実装部品本体であるアルミナ基板２２の端部に設けられた凹部に沿って溝状となっている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a novel structure which can attain connection of front wiring for a buried control electrode subjected to downscaling easily without increasing the number of components and the fabrication steps, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

微細化された埋め込み制御電極に対する表面配線の接続が、部材点数と製造工程を増すことなく、容易に達成出来る新規な構造を有した半導体装置及び製造方法を提供すること - 特許庁

To realize a large screen, a high definition, and driving with a low voltage by constituting a divided driving constitution having a data electrode divided into three or more blocks, without going through a complicated manufacturing process with respect to an organic electroluminescence panel in a passive driving system.例文帳に追加

パッシブ駆動方式の有機エレクトロルミネッセンスパネルにおいて、データ電極を３ブロック以上に分割した分割駆動構成を、煩雑な製造工程を経ることなく構成し、大画面化、高精細化、低電圧化を図る。 - 特許庁

With a process of making a mixture paste for a positive electrode, fine hole volume per active material of a positive mix layer is controlled within 0.085 to 0.125 ml/g, mixing active material after kneading together and diluting a conductive agent beforehand.例文帳に追加

正極の合剤ペースト作製工程において、予め導電剤を練合・希釈の後活物質を混合することにより、正極合剤層の活物質重量当り細孔容積を０．０８５〜０．１２５ｍl／ｇに制御する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laminated ceramic electronic component, in which the occurrence of a gap in a via electrode of a laminate and occurrence of conduction defects caused by a process of peeling off a film and laminating a green sheet can be suppressed.例文帳に追加

フィルムを剥離してグリーンシートを積層する工程に起因し積層体のビア電極に空隙が生じて導通不良が発生するのを抑えることが出来る積層型セラミック電子部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To improve strength and stability of mechanical bonding between a connecting electrode of an electronic component and a conductor pattern of a mounting substrate with a simple structure and a simple process, without affecting movement of the electronic component.例文帳に追加

簡単な構成および簡単な工程で、電子部品の動作に影響を与えることなく、電子部品の接続電極と実装基板の導体パターンとの機械的な接合の強度や接合の安定性の向上を図る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a top gate thin-film transistor where the reliability of a gate electrode can be improved, and low resistivity, reduction of leakage current, high throughput in a manufacturing process and reduction of cost can be realized.例文帳に追加

ゲート電極の信頼性を向上させることができると共に低抵抗化及びリーク電流の低減が可能であり、製造工程の高スループット化及び低コスト化が可能なトップゲート型薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus capable of suppressing generation of transfer dust by appropriately adjusting bias of a discharging electrode even when surface potential of an image carrier and transfer bias of a transfer means are changed by process control or the like.例文帳に追加

プロセスコントロールなどで像担持体の表面電位や転写手段の転写バイアスなどを変化させた場合においても、除電電極のバイアスを適切に調整し転写チリが生じるのを抑制できる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

In a manufacturing method of this hot-cathode fluorescent lamp, as an assembly process of assembling an electrode part, an exhaust pipe 13 is first inserted into a flare 12 to bring lead wires 11 into a state sandwiched between the flare 12 and the exhaust pipe 13.例文帳に追加

熱陰極蛍光ランプの製造方法では、電極部を組み立てる組立工程として、まずフレア１２の内部に排気管１３を挿入し、フレア１２と排気管１３との間にリード線１１を挟んだ状態にする。 - 特許庁

To provide a sheet type battery which has a structure of a lamination of a plurality of anode sheets and cathode sheets made of an electrode precursor by a cutting process with separators in-between and which hardly causes a micro-short circuit.例文帳に追加

電極前駆物に切断加工を施して得られる負極シートと正極シートをこれらの間にセパレータを介在させつつ複数枚交互に積層した構造物を有しながら、マイクロショートが生じ難いシート状電池を提供する。 - 特許庁

To provide a light receiving element, a light receiving element array and a light receiving module wherein response characteristic is improved, and a surface leakage current is restrained when a protective film is broken down by load to a pad electrode in a bonding process.例文帳に追加

応答特性が改善され、ボンディング工程におけるパッド電極への負荷によって保護膜が破壊された場合においても、表面リーク電流を抑制した受光素子、受光素子アレイ及び受光モジュールを提供すること。 - 特許庁

In order to electrically connect a contact point 12a of a separate electrode 12 and a contact point 34a of a wiring 34, a laser is radiated from above an FPC33 to form a through-hole 33a and a notch 33b (base material manufacturing process).例文帳に追加

個別電極１２の接点１２ａと配線３４の接点３４ａとを電気的に接続するために、まず、ＦＰＣ３３の上方からレーザを照射して貫通孔３３ａ及び切り欠き３３ｂを形成する（基材作製工程）。 - 特許庁

To provide a conductive reflecting film that does not require a vacuum process, has a high reflection factor from the base material side, and shows a low specific resistance at the same level as a bulk that can be used as an electrode for a solar cells, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

真空プロセスを必要とせず、基材側からの反射率が高く、かつ太陽電池用電極としても使用可能なバルクと同程度の低い比抵抗を示す導電性反射膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, a process margin at the time of wet-etching the first side wall film 106 and the sacrifice gate insulated film 104 is increased, and the generation of a slit at the gate electrode side lower part of the second side wall film 110 can be prevented.例文帳に追加

これにより、第１の側壁膜１０６および犠牲ゲート絶縁膜１０４をウェットエッチングする際のプロセスマージンを大きくして、第２の側壁膜１１０のゲート電極側下部にスリットが入るのを防ぐことができる。 - 特許庁

To improve a curving phenomenon and a dripping phenomenon which occur upon rolling process of an electrode plate for a secondary battery caused by a difference in applied pressures depending on thickness differences of a coating part coated with an active material and an uncoated part.例文帳に追加

二次電池の電極板圧延工程の際に、活物質が塗布されたコーティング部と塗布されない無地部の厚さ差によって印加される圧力が異なって発生される湾曲現象及び垂れ現象を改善すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing device that makes the unevenness of electric field distribution on a surface of an electrode small so that etching rate distribution is uniform in a plasma process using a high density plasma that can correspond to further fining.例文帳に追加

より微細化に対応可能な高密度プラズマを用いたプラズマ処理において、電極表面における電界分布の不均一を小さくすることが可能であり、エッチングレート分布が均一なプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

The silicon nitride films 27 are formed by being deposited on an upper surface of a conductive film to be formed into the upper driving electrodes 23 and the upper capacitance electrode 25 in a continuous process by a CVD method, and, thereafter, by being patterned by a RIE method.例文帳に追加

シリコン窒化膜２７は、上部駆動電極２３及び上部容量電極２５となる導電膜の上面に、連続した工程としてＣＶＤ法により堆積され、その後、ＲＩＥ法でパターニングして形成されたものである。 - 特許庁

To prevent an adhesion of a moving part to a fixed electrode or a semiconductor substrate caused by static electricity or the like generated during manufacturing process of a semiconductor acceleration sensor through formation of a beam structural moving part and a fixed part on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に梁構造の可動部と固定部を形成してなる半導体加速度センサにおいて、製造工程時に発生する静電気等により可動部が固定電極あるいは半導体基板と付着するのを防止する。 - 特許庁

In a state a panel substrate 11 is stuck on a supporting body 30 via an adhesive sheet 20, an assembling process of a liquid crystal cell comprising sticking of a counter panel substrate 12 provided with a transparent electrode 15, hardening of a sealing material 13 or the like is conducted.例文帳に追加

パネル基板１１を接着シート２０を介して支持体３０に接着した状態で、透明電極１５を備えた対向パネル基板１２の貼り付け、シール材１３の硬化などの液晶セルの組立工程を行なう。 - 特許庁

To solve the following problems: depleting in the lower part electrode of a capacitor is caused, since phosphorous is diffused outward and the concentration of phosphorous is lowered by leaving it standing still in the atmosphere in a silicon film having granular crystal after phosphorous doping, in a manufacturing process for a capacitor of a MIS structure.例文帳に追加

ＭＩＳ構造のキャパシタの製造工程において、リンドープ後の粒状結晶を有するシリコン膜は、大気放置によってリンが外方拡散しリン濃度が減少するので、キャパシタ下部電極の空乏化を引き起こす。 - 特許庁

To solve the problem of a two chamber process ion exchange membrane type electrolytic cell using a gas diffusion electrode that the liquid pressure of an anode chamber is different according to liquid depth, and the liquid pressure is applied to an anode and an ion exchange membrane, and these members are apt to be damaged and deformed.例文帳に追加

ガス拡散電極を使用する２室法イオン交換膜型電解槽では陽極室の液圧が液深によって異なり、この液圧が陽極やイオン交換膜に加わり、これらの部材の損傷や変形を招き易い。 - 特許庁

To provide a new TFT matrix panel which can utilize a conventional process technique and moreover can attain a reduction in an electrode resistance of each TFT and a reduction in an area, an image display unit using the same, and a photoelectric conversion equipment.例文帳に追加

従来のプロセス技術を利用でき、しかも、個々のＴＦＴの電極抵抗の低減と小面積化が達成できる新規なＴＦＴマトリックスパネル、および、これを用いた画像表示装置、光電変換装置を提供する。 - 特許庁

Since, when the substrate is heated in a solder reflow process, a hole portion operates as an escape, the pitch change of the lands is reduced and a pitch difference relative to an electrode terminal 2 of the Hall element 1 having a small coefficient of thermal expansion is reduced.例文帳に追加

ハンダリフロー工程において基板が加熱されたときに穴の部分は逃げとして働くことから、ランドのピッチ変化は低減し、熱膨張係数の小さいホール素子1の電極端子2との相対的なピッチ差も縮小する。 - 特許庁

The method for manufacturing a substrate for an inkjet head comprises a step for forming a layer (208), on the pad part (103) of an electrode wiring, for preventing contamination to occur in a substrate manufacturing process, and a step for removing the layer (208) prior to the connection between the pad part and the wiring member.例文帳に追加

電極配線のパッド部（１０３）上に基板製造プロセスで生じる汚染を防止するための層（２０８）を形成する工程と、パッド部と配線部材との接続に先立って層（２０８）を除去する工程とを具える。 - 特許庁

A process is contained wherein a gate electrode 20 having a slope in which film thickness becomes large gradually from an end in a channel lengthwise direction toward a central part is formed on a gate insulating film.例文帳に追加

本発明は、ゲート絶縁膜上に、チャネル長方向において端部から中央部に向けて徐々に膜厚が厚くなる傾斜部を有するゲート電極２０を形成する工程を含む薄膜トランジスタうの製造方法を提供する。 - 特許庁