「electrode process」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing process of a quartz glass crucible for silicon single crystal pulling, which enables prevention of localized concentration of electrode arc heating of raw material quartz glass in a frame mold, thereby preventing deposition of evaporated matter from the raw material quartz glass on the electrode, etc., and accordingly prevention of falling of the deposited matter afterward, to inhibit reduction in purity of a quartz glass crucible manufactured.例文帳に追加

この発明は、石英ガラスルツボの製造において、電極アークの加熱が型枠内の原料石英ガラスの局所に集中しないようにし、これによって石英ガラスからの蒸発物質が電極などに付着して、その後これらが落下して石英ガラスルツボの純度を低下しないようにしたものである。 - 特許庁

Control is performed for the time required to supply the printed circuit board to the liquid developing process after an electrifying means to electrify the photomemory photosensitive layer surface of the body to be developed passes through the electrification process by the liquid developing device provided nearly just before a developing electrode at the liquid developing device by the electrophotographic method.例文帳に追加

被現像体のフォトメモリー性感光層表面を帯電する帯電手段を、電子写真法による液体現像装置に於ける現像電極の略直前に設けた液体現像装置により、帯電行程を経た後、当該基板を液体現像行程に供するまでの時間を制御する。 - 特許庁

In the manufacturing method of an electrode for a fuel cell, first process to let tetramine Pt (divalent) positive ions and hexamine Ru (trivalent) positive ions adsorbed in a mixture containing cation-exchange resin and carbon particles, and a second process to chemically reduce the positive ions adsorbed in the mixture is conducted.例文帳に追加

燃料電池用電極の製造方法において、陽イオン交換樹脂とカ−ボン粒子とを含む混合体に、テトラアンミンＰｔ（２価）陽イオンとヘキサアンミンＲｕ（３価）陽イオンとを吸着させる第１の工程と、前記混合体に吸着した前記陽イオンを化学的に還元する第２の工程とを経る。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck capable of obtaining a stable suction and release characteristics against a change in a refrigerant temperature or process temperature, with a simple manufacturing process, having a high durability of a waferless plasma cleaning of halogen gas, and having a high wafer cooling capability and high reliability in electric insulation between an electrode and a metal plate.例文帳に追加

製造プロセスが簡便で、ハロゲンガスのウェーハレスプラズマクリーニングの耐久性が高く、ウェーハ冷却能力が高く、冷媒温度やプロセス温度の変化に対し安定な吸着離脱特性を得る事ができ、電極と金属プレート間の電気絶縁の信頼性が高い等を同時に解決する事ができる静電チャックを提供する。 - 特許庁

Concerning the method for producing the ceramic electronic component having electrode layers 6 and 8 containing base metals and a dielectric layer 4, this producing method for ceramic electronic component has a process for debinding a green chip to become the ceramic electronic component under atmospheric gas containing H2O, and a process for burning the debound green chip.例文帳に追加

卑金属を含む電極層６，８と誘電体層４とを有するセラミック電子部品を製造する方法であって、セラミック電子部品となるグリーンチップを、Ｈ_２ Ｏを含む雰囲気ガス下で脱バインダ処理する工程と、脱バインダ処理されたグリーンチップを焼成処理する工程とを有するセラミック電子部品の製造方法。 - 特許庁

To provide a package and its manufacturing method that can manufacture a semiconductor application product having a high reliability and at a low price by eliminating a special process and making a process as simple as possible in a semiconductor package having a protruded electrode which is protruded from a resin protective film covering a semiconductor chip surface.例文帳に追加

半導体チップ表面を覆う樹脂保護膜から突出した突起電極を有する半導体パッケージにおいて、特殊な工程、装置を無くし、工程を可能な限りシンプルにして廉価で信頼性の高い半導体応用製品を製造できるパッケージおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The inspection method of the semiconductor wafer includes a process of preparing the wafer with a chip region formed which will become a semiconductor chip, a first probe inspection to inspect the wafer by probing, a process of pressing an electrode of the wafer by a pressurization member having a flat plane, and a second probe inspection to inspect the wafer by probing.例文帳に追加

半導体ウェハの検査方法は、 半導体チップとなるチップ領域が形成されたウェハを準備する工程と、 前記ウェハをプロービングによって検査する第１プローブ検査と、 平坦面を有する加圧部材によって、前記ウェハの電極を押圧する工程と、 前記ウェハをプロービングによって検査する第２プローブ検査と、を含む。 - 特許庁

The conditions of etching when forming he plug electrode include a process where an intermediate layer 4, whose etching rate is larger than that of a dielectric film 2 interposed on a foundation 1 and is smaller than that of a plug component 3, is formed between the plug component 3 and the dielectric layer 2, and a process where the intermediate layer 4 is etched in over-etching the plug component 3.例文帳に追加

プラグ電極形成時のエッチング条件に対し、エッチングレートが下地１の絶縁層間膜２より大きく、且つプラグ材３よりエッチングレートの小さい中間膜４を、プラグ材３と絶縁層間膜２の間に設ける工程と、プラグ材３のオーバーエッチング中に中間膜４をエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thermal fuse with a resistor capable of preventing an occurrence of a crack in a location where a lead conductor and a fuse element are connected or in a location where a fuse element membrane electrode and the fuse element are connected or in the fuse element itself during conveyance to a next process or during a sealing process.例文帳に追加

次の工程への搬送や封止工程のときにリード導体とヒューズエレメントを接続した箇所あるいはヒューズエレメント用膜電極とヒューズエレメントを接続した箇所あるいはヒューズエレメント自体にクラックが生じるのを防止することができる抵抗付き温度ヒューズの製造方法を提供すること。 - 特許庁

Moreover, the solid-state imaging device is manufactured by having a process of depositing the silicon nitride film 14 by a reduced pressure CVD (chemical vapor deposition) method by connecting with the transfer electrode or the buffer layer 11d and a process of depositing the refractory metal layer 13 on that to form the shunt wiring layer 7d.例文帳に追加

また、転送電極又は緩衝層１１ｄに接続して、減圧ＣＶＤ（化学的気相成長）法により窒化珪素膜１４を成膜する工程と、その上に高融点金属層１３を成膜してシャント配線層７ｄを形成する工程とを有して前記固体撮像素子を製造する。 - 特許庁

Two targets 14 and 15 are set to the inside of a process chamber 2, voltage for sputtering is made selectively applicable from a cathode electrode 11 common to both, and moreover, a substrate 17 introduced into the process chamber 2 via a load lock chamber 3 is made capable of being carried to the respectively confronted film forming positions of the targets 14 and 15.例文帳に追加

プロセスチャンバ２内に２つのターゲット１４・１５を設置し、それぞれに共通のカソード電極１１からスパッタリング用の電圧を選択的に印加可能とし、また、ロードロック室３を介してプロセスチャンバ２内に導入した基板１７をターゲット１４・１５のそれぞれと対向する成膜位置に搬送可能とする。 - 特許庁

Since the above-described method is not only capable of forming a silicide film which does not contain the discontinuous part on a semiconductor gate electrode having the design rule of equal to or less than 80 nm but also not in need for an additional annealing process at a process for connecting the discontinuous part, it is possible to prevent the characteristic degradation of a transistor.例文帳に追加

前述した方法は、８０ｎｍ以下のデザインルールを有する半導体ゲート電極上に不連続部分を含まないシリサイド膜を形成することができるのみならず、不連続部分を連結する工程で追加熱処理工程を行わなくても良いので、トランジスタの特性劣化を防止することができる。 - 特許庁

A tower type of cathode 17 is formed inside of the lower dioxide silicon film 16A, the upper dioxide silicon film 18A, and the drawer electrode 19A, and a leading end of the cathode 17 has a steep portion of 2 nm radius formed by a crystal anisotropy etching process and thermal oxide of silicon process.例文帳に追加

下部酸化シリコン膜１６Ａ、上部酸化シリコン膜１８Ａ及び引き出し電極１９Ａの開口部の内部には、タワー形状の陰極１７が形成されており、該陰極１７の先端部は結晶異方性エッチングとシリコンの熱酸化プロセスとによって形成された半径２ｎｍ以下の急峻な形状を有している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an MR element which can planarize a top electrode layer without carrying out a planarization process or by a very simple planarization process, and can supply a sufficient bias for domain control to a free layer of an MR laminate; and also to provide a method of manufacturing a thin film magnetic head, and to provide the thin film magnetic head.例文帳に追加

平坦化処理を行うことなく又は行ったとしても非常に簡単な平坦化処理で上部電極層を平坦化でき、さらに、ＭＲ積層体のフリー層に充分な磁区制御用バイアスを供給できるＭＲ素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法及び薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

The electric arc welder operated to perform a short circuit welding process between an electrode and a workpiece, where the process comprises a succession of alternate short circuit conditions and arc conditions, with a first current waveform during the short circuit condition and a second voltage waveform during the arc condition.例文帳に追加

電極と被加工物との間で短絡溶接プロセスを実行するように作動する電気アーク溶接機であって、該プロセスが、短絡状態中の第１の電流波形と、アーク状態中の第２の電圧波形とを用いた、該短絡状態とアーク状態とが連続的に入れ代わることを含む、電気アーク溶接機。 - 特許庁

To provide a conductive paste that does not make deformation such as a horn-shape protrusion in the painting drying process and can be painted in a uniform thickness and further does not have breakage of edges in the baking process when it is used for forming an outer electrode of a chip type electronic component such as a laminated ceramic capacitor.例文帳に追加

積層セラミックコンデンサなどのチップ型電子部品の外部電極を形成するのに用いた場合、塗布乾燥工程で角状突起などの変形が生じず、均一な厚みに塗布することが可能であるとともに、焼き付け工程でエッジ切れなどが発生することがない導電性ペーストを提供することにある。 - 特許庁

In the case of forming a lower electrode of a wire or a non-linear element by a tantalum pattern 13x containing nitrogen, a nitrogen-contained resist pattern 60 having an inverted pattern of the tantalum pattern is formed on a substrate 20x in a resist pattern formation process, and then a tantalum film 13 is formed on the substrate 20x in a film formation process.例文帳に追加

配線や非線形素子の下電極を窒素含有のタンタルパターン１３ｘにより形成するにあたって、レジストパターン形成工程において、タンタルパターンの反転パターンを有する窒素含有のレジストパターン６０を基板２０ｘ上に形成した後、成膜工程において、基板２０ｘ上にタンタル膜１３を成膜する。 - 特許庁

The manufacturing method of the lithium complex compound used as an electrode material for a nonaqueous electrolyte secondary battery comprises a process of forming a coating layer of a conductive material on the surface of primary particles of the lithium complex compound with a particle size of 1 μm or less, and a process of forming a defective part at the coating layer.例文帳に追加

非水電解液二次電池の電極材料として用いられるリチウム複合化合物の製造方法であり、該リチウム複合化合物の一次粒子の粒径を１μｍ以下とし、該一次粒子の表面に導電物質の被覆層を形成する工程と、該被覆層に欠損部を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The inspection method of a semiconductor wafer includes a process of preparing a wafer formed with a chip region which will become a semiconductor chip, a first probe test for inspecting the wafer by probing, a process of pressing the electrode of the wafer by a pressurization member having a flat plane, and a second probe test for inspecting the wafer by probing.例文帳に追加

半導体ウェハの検査方法は、 半導体チップとなるチップ領域が形成されたウェハを準備する工程と、 前記ウェハをプロービングによって検査する第１プローブ検査と、 平坦面を有する加圧部材によって、前記ウェハの電極を押圧する工程と、 前記ウェハをプロービングによって検査する第２プローブ検査と、を含む。 - 特許庁

A paste is made through a process S1 of agitating solid matter supporting catalyst and a process S2 of mixing the solid matter and resin having hydrogen ion conductivity, and then, the paste is applied on a substrate with conductivity to make up an electrode, which is bonded on both sides of a polymer electrolyte film to make up a unit cell.例文帳に追加

触媒を担持する固形物を攪拌する工程Ｓ１と、固形物と水素イオン伝導性を有する樹脂とを混合する工程Ｓ２とを経てペーストを作製し、次にこのペーストを、導電性を有する基体に塗布して電極を作製し、この電極を高分子電解質膜の両面に接着して単電池を作製する。 - 特許庁

The manufacture of the gelatinous electrolyte used for the preparation of the gelatinous zinc negative electrode of the alkaline battery is such that the gelling agent is put into an alkaline aqueous electrolyte, gel formed by impregnating and swelling with the aqueous solution is mixed in a stirring (1) process in step S4, and the undissolved lump of the gelling agent is separated in a gear solution-transfer process in step 5.例文帳に追加

アルカリ電池のゲル状亜鉛負極の調製に使用するゲル状電解液の作製は、アルカリ水溶液にゲル化剤を投入した後、ステップＳ４の攪拌（１）工程で、ゲル化剤を水溶液で含浸させ膨潤したゲルを混合させた後、ステップＳ５の歯車送液の工程で、ママコを分離させる。 - 特許庁

Also, the method for producing activated carbon comprises: a raw coke forming process comprising converting one kind or a mixture of coal-based heavy oil and petroleum oil-based heavy oil, each having a coefficient of thermal expansion of 4.0-7.0, measured by an artificial graphite electrode testing method, into a raw coke; and an activation process for activating the obtained raw coke.例文帳に追加

また、活性炭の製造方法は、人造黒鉛電極試験法によって測定される熱膨張係数が４．０〜７．０の範囲内にある石炭系または石油系重質油のいずれか一方またはそれらの混合物を生コークス化する生コークス化工程と、得られる生コークスを賦活する賦活工程とを有する。 - 特許庁

The manufacturing method of the organic luminous element having an organic layer surrounded by separating wall, held between positive and negative electrodes, is characterized by including a process of pouring organic layer forming liquid paint inside the separating wall formed on the electrode and a succeeding process of rocking the above liquid paint.例文帳に追加

有機発光素子は、隔壁で囲まれた有機層を陰陽両電極間に挟持する有機発光素子を製造するに際し、電極上に形成された隔壁の内側に有機層形成用塗液を注入し、次いで注入された前記塗液を揺動する工程を含むことを特徴とする製造方法で製造される。 - 特許庁

Subsequently, a slope connected to the active surface of the electronic element from the surface of the wiring substrate is formed (a slope formation process), a metal wiring connecting an electrode terminal on the active surface to a wiring pattern on the wiring substrate is formed (a metal wiring formation process).例文帳に追加

続いて、電子素子の周囲に、配線基板の表面から電子素子の能動面に繋がる斜面を形成し（スロープ形成工程）、この斜面の表面に液滴吐出法により能動面上の電極端子と配線基板上の配線パターンとを接続する金属配線を形成する（金属配線形成工程）。 - 特許庁

The manufacturing method of an organic electroluminescent element comprises a process of forming the inorganic sealing layer having an inorganic sealing film composed of either a silicon oxide, a silicon nitride, or a silicon oxynitride on the second electrode, and a process of applying a plasma treatment on a surface of the inorganic sealing film by using fluorine-containing gas.例文帳に追加

第二電極上に形成する無機封止層が、酸化ケイ素、又は窒化ケイ素、酸窒化ケイ素のいずれか一つからなる無機封止膜を形成する工程と、該無機封止膜の表面にフッ素含有ガスを用いたプラズマ処理をおこなう工程とにより形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 特許庁

To smoothly carry out a division process for obtaining a plurality of multilayer ceramic substrates from a sintered multilayer aggregate substrate, and at the same time, to efficiently form an external terminal electrode in an improved state, when adopting both of a non-contraction process and multiple machining for manufacturing the multilayer ceramic substrates.例文帳に追加

無収縮プロセスおよび多数個取りの双方を採用して多層セラミック基板を製造するにあたって、焼結後の多層集合基板から複数の多層セラミック基板を得るための分割工程をより円滑に行なえるようにするとともに、外部端子電極を良好な状態で能率的に形成できるようにする。 - 特許庁

When forming, for example, the surface of a lower electrode for a capacitor on the surface of a semiconductor wafer W which is an object to be processed, a process of depositing a HSG polysilicon film (rugged polysilicon film) 16 non-selectively and a process of doping an impurity such as phosphorus into the polysilicon film are conducted continuously in one and the same processing container 28.例文帳に追加

被処理体である半導体ウエハＷの表面に例えばキャパシタ用の下部電極の表面を形成する場合、非選択でＨＳＧポリシリコン膜（ラグドポリシリコン膜）１６を堆積させる工程と、このポリシリコン膜中に不純物、例えばリンをドープさせる工程とを、同一の処理容器２８内で連続的に行なう。 - 特許庁

The semiconductor device has the process (d) irradiating the amorphous silicon film 40 with pulse laser beams 50 and forming a crystallite silicon film 41 formed by crystallizing the amorphous silicon film 40 and the process (e) removing the crystallite semiconductor film 41 excepting the crystallite semiconductor film 41 on the upper side of the gate electrode 20.例文帳に追加

そして、（ｄ）非晶質シリコン膜４０にパルスレーザ光５０を照射し、当該非晶質シリコン膜４０を結晶化した微結晶シリコン膜４１を形成する工程と、（ｅ）ゲート電極２０上側の微結晶半導体膜４１以外の微結晶半導体膜４１を除去する工程とを備える。 - 特許庁

A manufacturing method for the membrane-electrode assembly of a solid polymer fuel cell includes a process of forming the catalyst layer having intermixed powder eluting by hydrolysis on a polymer electrolyte membrane, and a process of forming holes on the catalyst layer by making the powder elute by hydrolysis.例文帳に追加

（１）高分子電解質膜上に、加水分解により溶出する粉体を混在させた触媒層を形成する工程と、（２）該粉体を加水分解により溶出させて該触媒層に空孔を形成する工程とを含むことを特徴とする固体高分子型燃料電池用膜電極接合体の製造方法。 - 特許庁

After a process of forming precursor films 411, 412,... composed of a metal and oxygen on a lower electrode 32, a hydrothermal process is carried out wherein the precursor films 411, 412,... are soaked in an alkaline solution 101 prepared by adjusting a predetermined alkaline solute to a concentration of 0.1M[mol/l] or lower to promote crystallization under a fixed condition.例文帳に追加

下部電極(32)上に金属および酸素により構成される前駆体膜(411,412,…)を形成する工程の後、前駆体膜（411,412,…)を、所定のアルカリ性溶質が０．１Ｍ[ｍｏｌ／ｌ]以下の濃度に調整され形成されたアルカリ性溶液(101)に浸して一定条件下で結晶化を促進させる水熱処理工程を行う。 - 特許庁

After a process, in which a cobalt silicide film 8 which covers a source/drain diffusion layer region 7 as well as a gate electrode 4 of a polycrystal silicon is formed, there are provided process where an impurity ion is implanted in the region between the source/drain diffusion layer region and a channel region, which is thermally processed to form an SD extension 61.例文帳に追加

多結晶シリコンのゲート電極４及びソース・ドレイン拡散層領域を７覆うコバルトシリサイド膜８を形成する工程の後に、ソース・ドレイン拡散層領域とチャネル領域との間の領域に不純物イオンを注入してこれを熱処理してＳＤエクステンション６１を形成する工程を備える。 - 特許庁

To provide a process for producing a coil encapsulated powder core, in which the production process can be reduced because a step for pressing a molding die, while filling it with a coil and mixture powder composed of magnetic powder and insulating material is required only once, and the electrode terminal of the coil is prevented from distorting at pressing.例文帳に追加

磁性粉末と絶縁材とからなる混合粉末とコイルとをコイル封入圧粉コア成形用金型内に充填し、加圧成形する工程が１回で済み、製造工程を削減でき、加圧成形の際にコイルの電極端子に歪みが生じるのを防止できるコイル封入圧粉コアの製造方法の提供 - 特許庁

The semiconductor laser device has a first current constriction layer 17 formed between a p-side electrode 19 and an active layer 14 on a substrate 11 through an oxidation process, and a second current constriction layer 22 formed between the active layer 14 and the first current constriction layer 17 not through the oxidation process.例文帳に追加

基板１１上のｐ側電極１９と活性層１４との間に酸化工程を経て形成される第１の電流狭窄層１７を有し、かつ、活性層１４と第１の電流狭窄層１７との間に酸化工程を経ることなく形成された第２の電流狭窄層２２を有する。 - 特許庁

A manufacturing method of alkali secondary cell includes a first process of adding surfactant and disperser to positive electrode active material having higher-order metal oxide on its surface or at the neighboring are of the surface and kneading them, and a second process of obtaining the paste by adding a hydrophilic resin to the above the kneading them.例文帳に追加

金属高次酸化物が少なくとも表面または表面近傍に形成されてなる活物質に、第１工程として、界面活性剤と分散媒を主体とする成分を添加・混練したのち、第２工程として、親水性樹脂を添加・混練してペーストを得る工程を含む製造方法。 - 特許庁

This manufacturing method is characterized by having a deposition process for forming, by deposition, a layer formed of one metal material out of at least one or more metal layers constituting at least one-side electrode 50 within a pair of electrodes 23 and 50 catching the organic EL element 60; and by carrying out the deposition process by changing deposition conditions.例文帳に追加

有機ＥＬ素子６０を狭持している一対の電極２３、５０のうち少なくとも一方の電極５０を構成する少なくとも一つ金属層のうち一の金属材料からなる層を蒸着により形成する蒸着工程を有し、蒸着工程を蒸着条件を変化させて行うことを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing of the nonaqueous electrolyte secondary battery includes a process of carrying out constant current charging up to an upper limit voltage by a charging current of ≤0.05×C mA with respect to an electrode assembly obtained by assembling positive electrodes and negative electrodes, and a process of carrying out constant current charging at the upper limit voltage.例文帳に追加

正極および負極を組み立てて得られる電極組立物に対して、０．０５×Ｃ（ｍＡ）以下の充電電流で、上限電圧まで定電流充電を行い工程と、前記上限電圧にて定電圧充電を行う工程と、を含む、非水電解質二次電池の製造方法。 - 特許庁

The amount of cobalt produced in the first process is specified to be 40-55 wt.% of the amount of cobalt contained in a whole positive electrode active material, and the amount of cobalt produced in the third process is specified to be 4.5-7.0 wt.% of the amount of nickel.例文帳に追加

そして、第１工程において生成されたコバルト量を、正極活物質全体に含まれるコバルト量の４０重量％以上で５５重量％以下になるように規定するとともに、第３工程において生成したコバルト量がニッケル量の４．５重量％以上で７．０重量％以下になるように規定している。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 is used, in which a first main surface 1a is provided with an electrode 3 to which a bump 4 is bonded in the ultrasonic bonding process, and a recess 2 is formed on the second main surface 1b on right above the connecting position of the bump 4.例文帳に追加

第一の主面１ａにバンプ４が超音波ボンデングされる電極３を備え、バンプ４接続位置直上の第二の主面１ｂに窪み２が形成された半導体基板１を用いる。 - 特許庁

As for the manufacturing method of this electrode, any fault happening owing to the overheat of the uncoated part is suppressed because only the application part to which the active material paste is applied is heated in the drying process.例文帳に追加

本発明の電極の製造方法は、乾燥工程において活物質ペーストが塗布された塗布部のみを加熱できるため、未塗布部が過熱することにより生じる不具合の発生が抑えられている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin-film electrode having improved adhesion properties to a substrate, improved light transmission properties, advanced smoothness and orientation properties at low costs by a simple process using an inexpensive manufacturing apparatus.例文帳に追加

基板との密着性が良好で、しかも光透過性に優れかつ高度な平滑性や配向性を有する薄膜電極を、安価な製造装置を使用して簡単な工程で、低コストで製造する方法を提供する。 - 特許庁

Also, the same wiring layer as the wiring for connecting a coil 9 to a recording terminal 119 can be formed by connecting the wiring to be connected to the anti-corrosion electrode from an upper core, and the manufacturing process can be simplified.例文帳に追加

また、上部コアより防食用電極に接続される配線を接続することで、コイル９と記録端子１１９を接続する配線と同じ配線層で形成でき、製造工程を簡略化することができる。 - 特許庁

A DDS controller 130 may be used on an implantation process using a multi-stage linear accelerator to synchronize the frequency and phase of the electric fields to each electrode within each stage of the accelerator.例文帳に追加

ＤＤＳコントローラ１３０は、多段線形加速器を使用した注入処理において、加速器の各ステージ内のそれぞれの電極に対する電界の周波数および位相を同期させるために使用される。 - 特許庁

To provide an electro-optical apparatus having a reflection plate structure which does not receive a damage of etching in a process in which an electrode is formed in a reflection display region, a method of manufacturing the apparatus and electronic equipment.例文帳に追加

反射表示領域において、電極を形成する工程におけるエッチングにより損傷を受けない反射板構造を有する電気光学装置およびその製造方法、ならびに電子機器を提供すること。 - 特許庁

Such a process is carried out in which a gate electrode 16 is formed on an SOI substrate 11 on which an Si layer 11a, SiO_2 layer 11b, and Si layer 11c are stacked in this order through a gate insulating film 15.例文帳に追加

まず、Ｓｉ層１１ａ、ＳｉＯ_2層１１ｂおよびＳｉ層１１ｃがこの順に積層されたＳＯＩ基板１１上に、ゲート絶縁膜１５を介してゲート電極１６を形成する工程を行う。 - 特許庁

The probe method consists of two processes, one in which the electrode pad of a wafer W is subjected to a reduction process using a foaming gas and the second in which the electron pad and a probe pin 14A are put in contact in a dry atmosphere.例文帳に追加

本発明のプローブ方法は、フォーミングガスを用いてウエハＷの電極パッドを還元処理する工程と、乾燥雰囲気下で電極パッドとプローブピン１４Ａを接触させる工程とを備えている。 - 特許庁