| 意味 | 例文 |
electrode processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3315件
Dummy patterns used in a CMP process are arranged in a field dummy area, separated by a separation insulating film in a p- well 23 which is potential-fixed by a ground electrode.例文帳に追加
接地電極により電位固定されているp^-ウェル23領域内の分離絶縁膜によって分離されたフィールドダミー領域には、CMP工程において利用されるダミーパターンが配置されている。 - 特許庁
In an S/D extension region forming process which is carried out after a gate electrode 4 is formed, a PMOS region is covered with a resist 5, As or P ion implanted into an NMOS region at a low acceleration speed.例文帳に追加
ゲート電極4が形成された後のS/Dエクステンション領域形成工程において、pMOS領域をレジスト5で覆い、nMOS領域にAsまたはPの低加速注入を行う。 - 特許庁
Thus, even in the case that electrostatic charges are produced in the manufacture process and the surface of the wafer of the small sized surface acoustic wave element not connected to an external circuit is charged, the discharge is caused in the discharge electrode 140.例文帳に追加
これによって、製造過程において、静電荷が発生し、回路に接続されていない状態の弾性表面波素子のウェーハ表面上が帯電しても、放電は放電用電極で起こる。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a laminated ceramic electronic component capable of preventing a part of an internal electrode projecting from a ceramic sintered body from retracting into the ceramic sintered body in a baking process.例文帳に追加
焼成工程においてセラミック焼結体から突出している内部電極の部分がセラミック焼結体内に入込むことを防止することができる積層セラミック電子部品の製造方法の提供。 - 特許庁
In manufacturing the ion generating element 21, a coating layer 6 for covering the surface of a discharge electrode 1, except for a surface that is in contact with a dielectric 4, is formed by performing a coating process more than one time.例文帳に追加
イオン発生素子21を製造する際、放電電極1の誘電体4と接する表面以外の表面を被覆するコート層6を、複数回のコーティング処理によって形成する。 - 特許庁
To enhance mechanical junction strength between the connecting electrode of an electronic component and the conductor pattern of a mounting board and the stability of the junction, without affecting the operation of the electronic part, with simple process.例文帳に追加
簡単な工程で、電子部品の動作に影響を与えることなく、電子部品の接続電極と実装基板の導体パターンとの機械的な接合の強度や接合の安定性の向上を図る。 - 特許庁
The rear surface of a wafer 1 is subjected to grinding after a barrier metal 4 is formed through sputtering or the like, thereafter a bump resist 5 with an opening located on the semiconductor electrode 2 is formed, and a bump 6 is formed through a plating process.例文帳に追加
バリアメタル4をスパッタリング等で形成後にウェハ1のバックグラインドを実施し、その後、半導体電極2上を開口したバンプレジスト5を形成し、めっき工程でバンプ6を形成する。 - 特許庁
The aluminum electrode is shown by the process of (a) to (i).例文帳に追加
一方、表面波共振器では、アルミニウム電極の断面形状は急峻であること、アルミニウム電極の線幅Lと間隔Sの比L/Sが1.0であることなど、アルミニウム電極形成プロセスによるところが大きい。 - 特許庁
Furthermore, by employing this stereoscopic structure, a top electrode provided in between the bit line 14 and the recording layer 15 can be omitted, and in this case, the process becoming complex can be suppressed.例文帳に追加
しかも、このような立体構造を採用すれば、ビット線14と記録層15との間に設けられる上部電極を省略することができ、この場合、プロセスの複雑化を抑制することが可能となる。 - 特許庁
The extrusion of conductive resin from a part between a chip and the mount face at the time of a mount process is suppressed by a tray shape (recess) where the frame-like pattern is set to be a side and the second electrode layer to be a base.例文帳に追加
枠状パターンを側面とし第2の電極層を底面とするトレー形状(くぼみ)により、マウント工程時の、チップとマウント面と間からの導電性樹脂のはみ出しが抑制される。 - 特許庁
To simplify a manufacturing process by improving the reliability of elements and standardizing a gate electrode material in a cell region and a logic region.例文帳に追加
素子の信頼性を向上させ、セル領域及びロジック領域でのゲート電極物質を統一して製造工程を簡略化することのできる半導体素子の二重ゲートの形成方法を提供する。 - 特許庁
The stopper layer 7, the silicon electrode 5, the side walls 9, and the liner layer 15 are embedded in an interlayer insulating film 17, and subsequently the interlayer insulating film 17 is subjected to a planarization process so as to expose the stopper layer 7.例文帳に追加
ストッパ層7、シリコン電極5、サイドウォール9、およびライナー膜15を、層間絶縁膜17で埋め込み、ストッパ層7を露出させるように層間絶縁膜17の平坦化処理を行う。 - 特許庁
Whereby, in the same process, the bump 7 spreads melted solder over the surface of the metal powder 16 wetting it, and the melted solder reaches the electrode 12a and can harden the resin 17.例文帳に追加
これにより、同一工程においてバンプ7が溶融した溶融半田を金属粉16の表面を伝って濡れ拡がらせて電極12aに到達させるとともに、樹脂17を硬化させることができる。 - 特許庁
The transistor is formed of the diffusion layer 103 and the gate polysilicon 104 that serves as the gate electrode, and the net-like gate polysilicon wiring 101 and the gate polysilicon 104 in the transistor are formed on in the same process.例文帳に追加
トランジスタは、拡散層103とゲート電極となるゲートポリシリ104により形成され、網目状のゲートポリシリ配線101と、トランジスタのゲートポリシリ104は、同一工程で形成される。 - 特許庁
To provide a method capable of suppressing absorption of moisture into paste and thereby preventing viscosity decline in a manufacturing process of the paste for a laminated ceramic capacitor internal electrode.例文帳に追加
本発明は積層セラミックコンデンサー内部電極用ペースト製造工程中において、同ペースト中への水分の吸収を抑制し、もって粘度低下を防止できる方法の提供を課題とする。 - 特許庁
To provide an organic EL display, and its manufacturing method, capable of securing superb electric connection of an auxiliary wiring and a second electrode in a simple process without any large-scale facilities.例文帳に追加
大掛かりな設備を用いることなく、簡易な工程で補助配線と第2電極との良好な電気的接続を確保することが可能な有機ELディスプレイおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a display device and a display device manufacturing method capable of preventing a pad electrode formed in a pad area on the outside of a pixel area of a substrate from being damaged during a manufacturing process.例文帳に追加
基板の画素領域の外側のパッド領域に具備されたパッド電極が製造工程中に損傷するのを防止できる、表示装置及び表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
In a display screen manufacturing process, m pieces of plane display panels are fixed on a holder, and a flexible substrate is fixed on electrode pins, which project from the backside of the holder, of the plane display panels to form a unit.例文帳に追加
表示画面を製造する過程においてm枚の平面表示パネルをホルダに固着し、ホルダの裏面に突出した平面表示パネルの電極ピンにフレキシブル基板を固着してユニットを形成する。 - 特許庁
A spattering method can be used to form the conductive thin film, and in addition to using the metal mask to form an electrode shape, a photoetching method established in a semiconductor process can be used.例文帳に追加
導電性薄膜の形成にはスパッタ法を用いることも可能であり、電極形状形成にメタルマスクを用いる他に半導体プロセスで確立されている写真蝕刻法を用いることが可能である。 - 特許庁
The sensor 30 for plasma process detection has an insulating film 34 that increase in the hole diameter D11 through wet etching almost, without hardly increasing the hole diameter D10 of an upper electrode 35.例文帳に追加
プラズマプロセス検出用センサ30は、ウェットエッチングにより、上部電極35のホール直径D10を殆ど広げることなく、絶縁膜34のホール直径D11を広げるようにしている。 - 特許庁
A timing generation circuit (TG) 15 is built in the source driver 14 and the source driver 14 is connected to a color process/inversion circuit 4, a clock creation circuit 13 and a counter electrode driving circuit 6.例文帳に追加
ソースドライバ14には、タイミング発生回路(TG)15が内蔵されており、ソースドライバ14は、色処理・反転回路4とクロック作成回路13、及び対向電極駆動回路6に接続されている。 - 特許庁
To provide a bonding sheet which can mount an electronic part to a circuit board by a simple process and surely prevents shortcircuiting among electrode pads, and to provide an electronic circuit device using the same and its manufacturing method.例文帳に追加
簡単なプロセスで電子部品を回路基板に実装でき、電極パッド間のショートを確実に防止できる接合シートと、その接合シートを用いた電子回路装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a nano gap electrode having a gap width of ≤100nm, ≤50nm in particular, by using technique of patterning precision of a micron order degree without using a wet process of light exposure, electronic beam exposure, etc.例文帳に追加
光露光や電子ビーム露光などのウェットプロセスを用いることなく、ミクロンオーダー程度のパターンニング精度の技術を用いて、100nm以下、特に50nm以下のギャップ幅のナノギャップ電極を提供する。 - 特許庁
To provide a flexible film which facilitates alignment with an electrode of a panel and a driving circuit in manufacturing process of a display device by forming holes in prescribed regions of an insulating film and a metal layer.例文帳に追加
絶縁フィルム及び金属層の所定の領域にホールを形成することによって、表示装置の製造工程におけるパネルの電極及び駆動回路との整列が容易な軟性フィルムを提供する。 - 特許庁
In a process (a), after forming an insulation film 2 and a diffusion layer 3 on a silicon substrate 1, a gate oxide film is formed on the surface of the diffusion layer 3 to form thereon a gate electrode 4 by its patterning.例文帳に追加
工程(a)は、シリコン基板1上に絶縁膜2と拡散層3とを形成し、拡散層3の表面にゲート酸化膜を形成してパターンニングにより前記ゲート電極4を形成する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a glass electrode whose strength is enhanced without sacrificing its responsiveness, whose manufacturing process can be automated easily and whose productivity is enhanced.例文帳に追加
応答性を犠牲にすることなく強度を大幅に向上させると共に、製造工程の自動化を容易に図ることができ生産性を向上するガラス電極の製造方法を提供する。 - 特許庁
To cope with both the cost reduction and the high frequency response characteristics of a longitudinal NPN bipolar transistor having a polysilicon emitter electrode structure, by controlling the current amplification factor of the transistor without adding any process.例文帳に追加
ポリシリコンエミッタ電極構造の縦型NPNバイポーラトランジスタの電流増幅率を、何らの工程を付加することなく制御し、低コスト化とバイポーラトランジスタの高周波数応答特性とを両立させる。 - 特許庁
The weld wire electrode for use as a consumable in a gas-metal arc welding process comprises two or more strips (20, 22, 28) wrapped around one another and drawn to a desired wire diameter.例文帳に追加
ガス金属アーク溶接プロセスにおいて消耗品として使用される溶接ワイヤ電極は、互いに巻き付けられ、所望のワイヤ直径に延伸された複数のストリップ(20、22、28)を有して構成される。 - 特許庁
Because this method is free of generation of a large electric discharge during the sandblasting process, there is no risk of producing any defect in the electrode or barrier, and the patterning of the barrier can be conducted while the quality of the base board is well maintained.例文帳に追加
サンドブラスト加工中に大きな放電を起こすことがないことから、電極や障壁に欠陥を生じることなく、基板品質を良好に保って障壁のパターニングを行うことができる。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an information display panel in which a satisfactory production efficiency can be obtained by performing a short-circuit removal process of removing inter-electrode short-circuit of a completed dry information display panel.例文帳に追加
完成した乾式の情報表示用パネルの電極間ショートを除去するショート除去工程を行うことにより、生産効率の良い情報表示用パネルの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a copper nano paste that can be used to form an electrode on a silicon substrate, a polymer substrate, a glass plate, a printed circuit board, or the like, to which it is difficult to apply a high temperature process, and also provide a method for forming the same.例文帳に追加
高温工程の適用が困難なシリコン基板、高分子基板、ガラス基板、印刷回路基板などに対して電極の形成が可能な銅ナノペースト及びその形成方法を提供する。 - 特許庁
Color filter layers 201 and 202 are formed in a pixel area 18, but not arranged at the outer circumferential part 19 due to the requirement of a process for forming a counter electrode 205.例文帳に追加
画素領域18にはカラーフィルタ層201,202が形成されているが、対向電極205形成のためのプロセス上の要求から外周部19には、カラーフィルタ層201,202が配されていない。 - 特許庁
For example, after a contact hole 25a for forming the CB is formed between gate electrode parts 17, 17 by lithography process and etching, a second interlayer film 35 is removed by pullback.例文帳に追加
たとえば、リソグラフィ工程およびドライエッチングにより、ゲート電極部17,17の相互間に、CBを形成するためのコンタクト孔25aを開孔した後、さらに第2の層間膜35をプルバックにより除去する。 - 特許庁
To provide a displaying device having high reliability which prevents diffusing from an aluminum element to a polysilicon layer in a heating process when using an aluminum conductive layer to a source-drain electrode contacting a low-temperature polysilicon, and avoids the occurrence of a displaying failure.例文帳に追加
低温ポリシリコンと接するソース・ドレイン電極にアルミニウム系導電層を用いた場合の加熱工程でのポリシリコン層へのアルミニウム元素の拡散を防止し、表示不良の発生を回避する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device, the method enhancing design flexibility for wiring, generating hardly a problem when forming a contact part connected to a gate electrode and a source/drain area, and being suitable for a refining process.例文帳に追加
配線の設計自由度が高く、ゲート電極及びソース/ドレイン領域に接続されるコンタクト部の形成に問題が生じ難く、微細化プロセスに適した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
Finally, while conveying the film-shaped base material the from a first winding roller 2_1 to the second winding roller 2_2, a post-plasma process is performed by performing the plasma processing on the electrode film by the plasma generation unit 6.例文帳に追加
最後に、第1巻出巻取ローラ2_1から第2巻出巻取ローラ2_2にフィルム状基材aを搬送しつつ、プラズマ発生ユニット6により電極膜にプラズマ処理を施す後プラズマ工程を行う。 - 特許庁
As a result, the battery becomes a nonpolar secondary battery, and has no distinction in the terminal electrode, thereby, it is not necessary to take care in mounting direction and mounting process is simplified, enabling reduction in manufacturing cost.例文帳に追加
その結果、電池は無極性の二次電池となり、端子電極に区別がないため、実装方向に注意する必要がなく実装工程が簡略化され、製造コストの低減が可能となった。 - 特許庁
To provide an organic semiconductor device free from damages to an organic semiconductor layer having proper on/off ratio regardless of the presence of a source/drain electrode formed through etching process.例文帳に追加
エッチングによりソース・ドレイン電極を形成しても、有機半導体層が損傷を受けることなく、良好なオン/オフ比を示す有機半導体装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device that suppresses a decrease of process margin of lithography when forming a pair of MISFETs each of which includes a gate electrode of different thickness and a channel type different with each other.例文帳に追加
厚さが異なるゲート電極を含む、互いにチャネルタイプの異なるMISFETの対を形成する際におけるリソグラフィのプロセスマージンの低下を抑制できる半導体装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor package, capable of preventing incidence of static electricity from an internal electrode group in an assembly process, and capable of reducing power consumption, and to provide a method of manufacturing the semiconductor package.例文帳に追加
アッセンブリ工程において内部電極群から静電気が入射することを防止でき、且つ、消費電力を低減することのできる、半導体パッケージ、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To suppress the damage of a magnetic element and to prevent oxidation of a conductive member existing in a lower layer without using an ashing process for processing a lower electrode film when a semiconductor device equipped with the magnetic element is manufactured.例文帳に追加
磁気素子を備えた半導体装置の製造で、磁気素子のダメージを抑止し、下部電極膜の加工に灰化処理を用いないことで下層に存する導電部材の酸化を防止する。 - 特許庁
To join electrode tabs of bare cells and connection tabs of a protection circuit module in relation to an electric connection process of the bare cells and the protection circuit module to constitute a battery pack.例文帳に追加
電池パックを構成するためのベアセルと保護回路モジュールとの電気的な接続工程に属するベアセルの電極タップと保護回路モジュールの接続タップとを接合させることを目的とする。 - 特許庁
To precisely achieve conveyance of work pieces among a plurality of assembly process parts with a simple constitution in assembling a fuel battery cell in which a membrane electrode assembly is sandwiched by first and second separator plates.例文帳に追加
膜電極接合体を第1および第2のセパレータプレートで挟持した燃料電池セルの組立において、複数の組立の工程部間のワークの搬送を簡素な構成で精度良く実現する。 - 特許庁
With this structure, oxidizing of the metal film is prevented to suppress rising in resistance of the gate electrode A when a contact hole is formed by the self-alignment process between adjoining side walls B.例文帳に追加
このような構造とすることにより、隣接するサイドウォールBの間に自己整合的にコンタクトホールを形成するとき、金属膜の酸化を防止して、ゲート電極Aの抵抗上昇を抑えることができる。 - 特許庁
When a shortcircuit part is generated between the storage capacitance electrode 6 and the drain bus line 2 in the manufacturing process, the shortcircuit part is not cut by using a laser but the connection part 11 is cut.例文帳に追加
そして、製造過程において、蓄積容量電極6とドレインバスライン2との間に短絡部が発生した場合には、レーザを用いて短絡部を切断するのではなく、連結部11を切断する。 - 特許庁
The hydrating process of the cadmium oxide of an electrode plate is conducted in a hydrated solution added with a phosphate and/or a silicate to a potassium hydroxide aqueous solution with the specific gravity of 1.25 or below at 25°C.例文帳に追加
電極板の酸化カドミウムの水和処理を、25℃における比重が1.25以下の水酸化カリウム水溶液に燐酸塩及び/又は珪酸塩を添加して調製された水和液の中で行なう。 - 特許庁
To provide a display device suppressing occurrence of a connection failure by preventing exposure of a wiring layer or an electrode during a manufacturing process, and improving reliability of a display panel; and its manufacturing method.例文帳に追加
製造プロセス中の配線層或いは電極の露出を防止して接続不良の発生を抑制し、表示パネルの信頼性を向上させた表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a ridge type semiconductor laser element, in which an electrode on the ridge section side can be installed stably on a fixed mounting surface surely without complicating a manufacturing process.例文帳に追加
製造工程を複雑化することなくリッジ部側の電極を所定の取り付け面に安定かつ確実に取り付けることができる信頼性の高いリッジ型の半導体レーザ素子を提供することである。 - 特許庁
To provide a solar cell, having a backside electrode capable of coping with the laser scribing process of the solar cell, while holding predetermined electromagnetic characteristics and protection against corrosion, and to provide a manufacturing method of the solar cell.例文帳に追加
所定の電磁気的特性や耐腐食性を保持しながら、太陽電池のレーザスクライブ工程に対応可能な裏面電極を有する太陽電池及び太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁
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