「electrode process」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of forming a conductor that is to be an electrode or interconnect by attaching and depositing conductive metal particles onto the throughout holes or blind holes beforehand formed in the electronic circuit board with cold spray process.例文帳に追加

電子回路基板に形成された貫通孔または有底の止り穴にコールドスプレー法により導電性金属粒子を付着堆積させて電極または配線となる導電体を形成する方法。 - 特許庁

To perform alignment of a shadow mask and a transparent substrate by irradiating light of an appropriate wavelength corresponding to the thickness of the transparent electrode without providing a dedicated process to form an alignment mark on the transparent substrate.例文帳に追加

透明基板にアライメントマークを形成する専用工程を設けず、透明電極の厚さに対応した適切な波長の光を照射してシャドーマスクと透明基板とのアライメントを行う。 - 特許庁

Thus, breakage of the IDT electrode 3 caused by static electricity generated by pyroelectric effect of the piezoelectric substrate 1 is prevented, and a process which is conventionally required is omitted.例文帳に追加

これにより、圧電基板１の焦電効果によって発生する静電気によるＩＤＴ電極３の破壊を防止することができ、しかも従来必要であった工程を省略することができる。 - 特許庁

This method of producing the negative electrode for nonaqueous secondary battery comprises a process for adding graphite containing lithium of the content, corresponding to the irreversible capacity to a carbon material, capable of doping and dedoping lithium.例文帳に追加

非水電解質二次電池用負極の製造方法においてリチウムのドープおよび脱ドープが可能な炭素材料に、不可逆容量相当分のリチウムを含有する黒鉛を添加する工程を有する。 - 特許庁

To reduce manufacturing costs in a semiconductor device manufacturing method including a resin sealing process for applying resin sealing to a semiconductor wafer substrate forming an electrode on one surface in a wafer state.例文帳に追加

一表面上に電極が形成された半導体ウエハ基板にウエハ状態で樹脂封止を行なう樹脂封止工程を含む半導体装置の製造方法において、製造コストを低減する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for the process of forming catalyst layers on an ion exchange membrane using coating liquid, in which a joined unit of an electrode and membrane has a smooth joining surface with no wrinkles on ion exchange membrane.例文帳に追加

イオン交換膜上に、塗工液を用いて触媒層を形成する方法において、イオン交換膜にしわが発生せず接合面が平滑な電極・膜接合体を得る方法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a multilayer wiring structure which is provided with an electrode pad exhibiting high reliability in external electric connection and is formed without increasing the fabrication process.例文帳に追加

多層配線構造を有する半導体装置において、製造工程を増加させることなく形成される、外部との電気接続信頼性の高い電極パッドを備える半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a wiring board for efficiently inspecting whether each electrode has wire disconnection and whether adjacent electrodes short-circuit in a process of manufacturing the wiring board which has a plurality of electrodes.例文帳に追加

複数の電極を有する配線基板の製造工程において、各電極の断線の有無及び隣り合う電極間の短絡の有無を効率よく検査できる配線基板の製造法を提供する。 - 特許庁

So, no process for grinding the semiconductor substrate when forming a through-electrode by a conventional plating method is required, and the semiconductor device is prevented from contaminated with metal.例文帳に追加

それゆえ、従来のめっき法による貫通電極を形成する時の半導体基板を研削する工程を必要とせず、半導体装置が金属で汚染されることを防止することができる。 - 特許庁

To provide an integrated photovoltaic device manufacturing method which prevents process failures of a backside electrode film, even if an amorphous semiconductor layer constituting a photoelectric conversion layer is made thin.例文帳に追加

この発明は、光電変換層を構成する非晶質半導体層が薄膜化しても、裏面電極膜の加工不良の発生を防止する集積型光起電力装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for surely manufacturing a semiconductor device having a conductive element made of an elastic polymer material, formed on the pad electrode of a semiconductor element, by a simple process.例文帳に追加

半導体素子のパッド電極上に弾性高分子物質よりなる導電素子が形成されてなる半導体装置を、簡単な工程で確実に製造することができる方法を提供する。 - 特許庁

Even though the connection hole 4 has a high aspect ratio, film formation with the low-temperature process is allowed by using the conductive material 7, instead of forming the second electrode 6 up to a bottom portion of the connection hole 4.例文帳に追加

接続孔４が高アスペクト比であっても、第２の電極６を接続孔４の底部まで形成する代わりに導電物７を用いることで、低温プロセスによる成膜が可能となる。 - 特許庁

An element structure and a surface electrode are formed on the front surface side of an n^+ type substrate 1, and thereafter a polishing process is executed to the back face 1b of the n^+ type substrate 1 to form minute irregularity on the back face 1b.例文帳に追加

ｎ^+型基板１の表面側に素子構造や表面電極を形成した後、ｎ^+型基板１の裏面１ｂに研磨処理を行って裏面１ｂに微細な凹凸を形成する。 - 特許庁

To provide a lateral MOS transistor that is manufactured without adding any manufacturing process and reduces electric current concentration on a source-electrode side of a Locos oxide film, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

製造工程を追加せずに作製可能で、Ｌｏｃｏｓ酸化膜のソース電極側の電界集中を緩和した横型ＭＯＳトランジスタ及びその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element which utilizes a damascene process to provide a reliable damascene gate by preventing a prescribed part at the outside part of a gate electrode edge from being etched.例文帳に追加

ゲート電極エッジ外部の所定部分がエッチングされることを防止し、信頼性の高いダマシーンゲートを得ることができるダマシーン工程を利用した半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a field emitter electrode which has a simple manufacturing process and in which carbon nanotubes are aligned at high density, with high capacity and in a fixed direction according to the direction of the generation of the electric field.例文帳に追加

製造工程が簡単で、カーボンナノチューブが高密度、大容量で電磁場の発生方向によって一定の方向に整列された電界放出エミッタ電極の製造方法の開発。 - 特許庁

A process of manufacturing a semiconductor device having the gate electrode made of metal silicide which is a metal-containing material or metal alone includes steps of: etching the gate electrode 14G, thereafter oxidizing a surface of a gate part; and trimming the gate electrode 14G by exposing the gate part to a gaseous substance containing organic acid and heating it to volatilize a reaction product of the metal and the organic acid.例文帳に追加

金属を含む材料である金属シリサイド或いは金属単体から成るゲート電極をもつ半導体装置を作製する工程に於いて、ゲート電極１４Ｇのエッチング後にゲート部の表面を酸化させ、ゲート部を有機酸を含むガス状物質に曝露すると共に加熱して金属と有機酸との反応生成物を揮発させてゲート電極１４Ｇのトリミングを行う。 - 特許庁

A manufacturing process for a transistor includes: sequentially forming an oxide semiconductor layer, a source electrode layer, a drain electrode layer, a gate insulation film, a gate electrode layer, and an aluminum oxide film; and performing heat treatment on the oxide semiconductor layer and the aluminum oxide film, thereby removing impurities including hydrogen atoms and forming an oxide semiconductor layer including a region containing oxygen more than the stoichiometric ratio.例文帳に追加

トランジスタの作製工程において、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、ゲート絶縁膜、ゲート電極層、酸化アルミニウム膜を順に作成した後、酸化物半導体層および酸化アルミニウム膜に対して熱処理を行うことで、水素原子を含む不純物が除去され、かつ、化学量論比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体層を形成する。 - 特許庁

To provide: a new conductive paste for intaglio offset printing, which can form an electrode pattern having a sufficient thickness and which excels in three-dimensional shape accuracy and conductivity on a surface of a substrate by increasing a transfer rate in a first transfer process out of an electrode pattern forming processes using an intaglio offset printing method; and a method of manufacturing an electrode substrate using it.例文帳に追加

凹版オフセット印刷法を利用した電極パターンの形成工程のうち、１回目の転写工程での転写率を高めて、基板の表面に、十分な厚みを有し、三次元の形状精度と導電性に優れた電極パターンを形成することができる、新規な凹版オフセット印刷用導電ペーストと、それを用いた電極基板の製造方法とを提供する。 - 特許庁

In manufacturing the Schottky barrier MOSFET, a damascene gate process for forming a gate electrode and a gate insulating film after a source/drain structure is formed is applied to the Schottky barrier MOSFET, so that the gate electrode and the gate insulating film may not be received with a high temperature heat treatment to thereby prevent the deterioration of the metal and the metal oxide for constituting the gate electrode and the gate insulating film.例文帳に追加

ショットキー障壁型MOS FET の製造において、ソース／ドレイン構造を形成した後にゲート電極およびゲート絶縁膜を作成するダマシンゲートプロセスをショットキー障壁型MOS FET に適用することにより、ゲート電極やゲート絶縁膜が高温の熱処理を受けないようにして、ゲート電極やゲート絶縁膜を構成する金属および金属酸化物が劣化するのを防止する。 - 特許庁

The process for manufacturing a semiconductor device comprises a step for preparing a semiconductor substrate 10 on which an integrated circuit 12 is formed while internally having an electrode 14 connected electrically, a member 16 formed integrally on the surface where the electrode 14 is formed in a region on the outside of the electrode 14 to surround all electrodes 14, and a passivation film 18 covering the surrounding member 16.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、内部に電気的に接続された電極１４と、電極１４が形成された面の電極１４よりも外側の領域にすべての電極１４を囲むように一体的に形成された囲繞部材１６と、囲繞部材１６を覆うパッシベーション膜１８とを有する、集積回路１２が形成された半導体基板１０を用意することを含む。 - 特許庁

In a first sub-field SF1 and a second sub-field SF2 in a unit display period, a pixel data pulse DP is applied to a column electrode while applying respective reset scanning pulses SPW, SPWW of negative polarity to one row electrode out of each row electrode pair to execute a reset address process for causing a discharge cell to transition from an OFF mode to an ON mode.例文帳に追加

単位表示期間内の第１サブフィールドＳＦ１及び第２サブフィールドＳＦ２では、負極性の各書込走査パルスＳＰＷ、ＳＰＷＷを各行電極対の一方の行電極に印加しつつ画素データパルスＤＰを列電極に印加してこの放電セルを消灯モードから点灯モードの状態に遷移させる書込アドレス行程を実行する。 - 特許庁

To provide surface processing nickel powder having characteristics suited as an internal electrode material for suppressing cutoff of an internal electrode by lamination of the internal electrode and structural defects such as crack and delamination in a manufacturing process of a laminated ceramic electronic component, to provide conductive coating using the same and to provide a high-quality laminated ceramic electronic component thereby.例文帳に追加

積層セラミック電子部品の製造工程において、内部電極の薄層化による内部電極切れや、クラックやデラミネーション等の構造欠陥を抑制するために、内部電極材料として適した特性をもつ表面処理ニッケル粉末を提供すること、およびそれを用いた導電性塗料、さらにはこれにより高品質な積層セラミック電子部品を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the coating method in which a raw material 3 containing a solid component and fluid component is coated on an electrode plate material 10 to form a heat-resistant porous film layer, the raw material 3 is coated on the electrode plate material 10, after carrying out a process of substituting gas contained in the electrode plate material 10 made of a porous material with a fluid matter 4 beforehand.例文帳に追加

本発明の塗工方法は、極板素材１０に固形成分と液状成分とを含む原料３を塗工して耐熱多孔膜層を形成するに際して、多孔質の材料からなる極板素材１０の内部に含まれる気体を予め液状物質４と置換する工程を実行した後に、原料３を極板素材１０に塗工するものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of forming the film thickness of a metal silicide film formed in a source drain region to be thick without suffering from an increase of a junction leakage current even in the semiconductor device having a fully silicided gate electrode (full silicide gate electrode), and capable of forming the full silicide gate electrode and the metal silicide film in a one time silicide formation process.例文帳に追加

フルシリサイド化されたゲート電極（フルシリサイドゲート電極）を有する半導体装置であっても、接合リーク電流増大の問題なく、ソースドレイン領域に形成された金属シリサイド膜の膜厚を厚く形成することが可能であり、かつ一回のシリサイド形成工程でフルシリサイドゲート電極及び金属シリサイド膜を形成可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an electrode of a lithium ion secondary battery for avoiding a damage to an active material coated film at a position with a positive electrode, a separator and a negative electrode, all of a belt-shape, of the battery are wound therearound, and obtaining the positive and the negative electrodes without deterioration of dimension accuracy by allowing stable operations in a coating process of an active material paste.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池の帯状の正極と帯状のセパレータと帯状の負極を巻回する箇所の活物質塗膜に損傷がなく、また、活物質ペーストの塗布工程を安定して操作できることにより、寸法精度の劣化のない帯状の正極および帯状の負極を得るリチウムイオン二次電池の電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method is provided with a process of forming the upper surface electrodes 13 made of a thick film on the upper surface of a sheet-like insulation substrate 11; a process of sticking the insulation substrate 11 on a fixing tape 19 so that its upper surface side may contact the fixing tape; and a process of dicing a region including the upper surface electrode 13 of the insulation substrate 11 stuck on the fixing tape 19.例文帳に追加

シート状の絶縁基板１１の上面に厚膜からなる上面電極１３を形成する工程と、前記絶縁基板１１をその上面側が固定テープ１９に接するように固定テープ１９に貼り付ける工程と、前記固定テープ１９に貼り付けられた絶縁基板１１の上面電極１３を含む領域をダイシングで切断する工程とを備えたものである。 - 特許庁

The forming method for conductive patterns includes a lipophilic-pattern forming process of forming a lipophilic pattern on the substrate which has on a base material an insulating layer containing inorganic particles and having a hydrophilic property, and includes a conductive-pattern forming process of so feeding a fluidic electrode material to the substrate, whereon the lipophilic pattern has been formed in the lipophilic-pattern forming process as to form a conductive pattern.例文帳に追加

基材上に、無機粒子を含有しかつ親水性を有する絶縁性層を有する基板上に、親油性パターンを形成する親油性パターン形成工程と、前記親油性パターン形成工程で親油性パターンが形成された基板に流動性電極材料を供給して導電性パターンを形成する導電性パターン形成工程とを含む。 - 特許庁

When depositing the colossal magneto-resistive material thin film which has epitaxially grown after crystal orientation on a base electrode by sputtering using facing targets, a sputtering process having at least two steps are used, a deposition rate is relatively slowed down in the sputtering process in a first step, and the deposition rate is relatively accelerated in the sputtering process in later steps to form the thin film.例文帳に追加

対向ターゲットを用いたスパタッリングによって下地電極上の結晶方位に倣ってエピタキシャル成長した巨大磁気抵抗材料薄膜を成膜する際に、少なくとも２段階のスパッタリング工程を用い、第１段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に遅くし、その後の段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に速くして薄膜を形成する。 - 特許庁

When performing dicing process for a lamination 15 after the completion of wafer process, as a pretreatment, a first grinding process is performed in advance for removing not only an electrode pad 16b, but also a silicon oxide film 14b and passivation film 18b, which are formed on a silicon substrate 12 of the dicing area 20, being a component part of TEG, and cannot make a laser beam penetrate.例文帳に追加

ウェハプロセス終了後の積層体１５に対してダイシング工程を行うに当たり、その前処理として、ダイシング領域２０のシリコン基板１２上に形成されている、ＴＥＧの構成部分である、レーザ光を透過させ難い電極パッド１６ｂをはじめシリコン酸化膜１４ｂやパッシベーション膜１８ｂを除去するための第１の研削工程を行っておく。 - 特許庁

This method of manufacturing the electrode has a preliminary kneading process preparing preliminary paste by mixing a part of the positive active material, a conductive material, and a solvent; a main kneading process mixing the remaining positive active material with the preliminary paste; and a positive mix preparing process preparing the positive mix paste in which the positive active material and the conductive material are dispersed into the solvent.例文帳に追加

正極活物質の一部と導電材と溶媒とを混合して予備ペーストとする予備混練工程と、該正極活物質の残部を該予備ペースト内に加え混合する本混練工程とをもつ、該正極活物質と該導電材とを該溶媒中に分散した正極合材ペーストを調製する正極合材調製工程を有することを特徴とする電極の製造方法である。 - 特許庁

A dry etching process, constituted of a process for dry-etching the upper electrode film 10 by using a condition that the adhesion 14 of a reaction product to the sidewall of the photoresist mask 5, and a process subjecting the ferroelectric film 11 to dry etching by condition that the reaction product does not adhere to the sidewall of the photoresist mask, when a ferroelectric film single layer is subjected to dry etching is performed.例文帳に追加

フォトレジストマスク５側壁への反応生成物の付着１４が発生する条件を用いて上部電極膜１０のドライエッチングを行う工程と、強誘電体膜単層のドライエッチング時にフォトレジストマスク側壁に反応生成物の付着が発生しない条件により強誘電体膜１１のドライエッチングを行う工程からなるドライエッチングプロセスを行う。 - 特許庁

The manufacturing method of the electronic device includes a process for forming concave-convex parts on the surface of the substrate; a process for forming a conductive seed layer on a surface to be plated of the substrate; and a process for selectively forming an electroplating inhibitor in the convex part of the substrate, performing the electroplating processing on the seed layer as a common electrode, and forming the plating film.例文帳に追加

基材の表面に凹凸部を形成する工程と、 前記基材のめっきすべき表面に導電性のシード層を形成する工程と、 前記基材の凸部に選択的に電解めっき阻害物質を形成し、前記シード層を共通電極として電解めっき処理を施してめっき膜を形成する工程とを含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the membrane electrode assembly for a fuel cell includes (a) a process of forming a gas diffusion layer powder for forming a gas diffusion layer with the use of a conductive member, (b) a process of forming a catalyst layer on an electrolyte membrane, and (c) a process of forming the gas diffusion layer by depositing the gas diffusion layer powder on the catalyst layer.例文帳に追加

燃料電池用の膜電極接合体の製造方法は、（ａ）ガス拡散層を形成するためのガス拡散層用粉体を、導電性部材を用いて生成する工程と、（ｂ）電解質膜上に触媒層を形成する工程と、（ｃ）前記触媒層上に前記ガス拡散層用粉体を堆積させてガス拡散層を形成する工程と、を備える。 - 特許庁

The method of fabricating the acicular sample for field ion microscopy includes a process for machining the desired part of the sample to be observed with a field ion microscope into an acicular shape by irradiating the sample with a focused charged-particle beam, a process for cutting the acicular sample away from a sample base, and a process for fixing the cut acicular sample to an electrode bar.例文帳に追加

電界イオン顕微鏡観察用針状試料の作製方法は、集束した荷電粒子ビームを照射することにより電界イオン顕微鏡で観察する所望の箇所を針状に加工する工程と、針状試料を試料基板から切り離し摘出する工程と、摘出した針状試料を電極棒に固定する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

This method of manufacturing the positive electrode material for the secondary battery has a process to obtain a granulated powder by granulating mixed powder obtained by mixing powder of a lithium compound used as a raw material and powder of a metal compound, and a process to obtain a composite oxide of lithium and metal as the positive electrode material for the secondary battery by burning the granulated powder continuously at a predetermined temperature for a predetermined time to cause a reaction.例文帳に追加

本発明の二次電池用正極材料の製造方法は、原料となるリチウム化合物の粉体と、金属化合物の粉体とを混合して混合粉を得て、この混合粉を造粒して造粒粉体を得る工程と、この造粒粉体を所定の温度および時間で連続的に焼成して反応させ、リチウムと金属との複合酸化物を二次電池用正極材料として得る工程とを有する。 - 特許庁

This electrode degradation preventing system comprises an electrode 12 which is provided in a reaction chamber 10 of an etching device and supports a substrate 26 to be etched and has a plurality of openings 24, and a gas line 122 for supplying a gas passing through respective openings 24 to prevent the adherence of the deposited materials onto the openings 24 during the pre-process or post-process of the etching processing.例文帳に追加

電極部劣化防止機構は、エッチング装置の反応室１０に設けられる電極部であって、エッチング処理される基板２６を支持するとともに、開口部２４を複数有する電極部１２と、エッチング処理の前工程または後工程における、開口部２４に対する堆積物の付着を防止するため、開口部２４のそれぞれに通気されるガスを供給するためのガスライン１２２とを具える。 - 特許庁

In manufacturing the air electrode catalyst, at least, treated by a process mixing and stirring carbon, rare earth oxide and polytetrafluoroethylene, carbon and rare earth oxide are added to excessive water to be mixed and stirred, polytetrafluoroethylene aqueous dispersion is added thereto to be mixed and stirred, an organic solvent is added thereto, and then the air electrode catalyst is manufactured through a process of heating and mixing it.例文帳に追加

少なくともカーボン、希土類酸化物およびポリテトラフルオロエチレンを混合攪拌する工程を経て空気極触媒を製造するにあたり、大過剰の水にカーボンおよび希土類酸化物を添加して混合攪拌し、次いでポリテトラフルオロエチレン水性分散液を添加して混合攪拌し、その後、有機溶媒を添加し、その有機溶媒の添加後に加熱混合攪拌する工程を経て空気極触媒を製造する。 - 特許庁

The method of manufacturing an electrode comprises a process of etching a ZnSe substrate 1 with an etchant and then forming a protective film 3 by depositing a deposit generated by the etching reaction on the etched surface of the ZeSe substrate 1, and a process of removing the protective film 3 formed on the surface of the ZeSe substrate 1 and then forming an electrode 4 on the exposed surface of the substrate 1.例文帳に追加

この電極製造方法は、ＺｎＳｅ基板１をエッチング液を用いてエッチングするとともに、エッチングされた表面に、エッチング反応で生成する析出物を堆積して保護膜３を形成する工程と、ＺｎＳｅ基板１の表面に形成された保護膜３を除去して、表面１１を露出させる工程と、露出した表面に電極４を形成する工程とを備える。 - 特許庁

This method includes a process 216 wherein conductive material having one work function is so formed as to cover an insulated semiconductor substrate, and a process 218 wherein part of the conductive material is reformed to change the work function of the conductive material, a first gate electrode is formed with the conductive material, and a second gate electrode is formed with the reformed part of the conductive material.例文帳に追加

本方法は、半導体基板を覆って、１つの仕事関数を有する伝導性材料を絶縁して形成する工程（図２の工程２１６）、および伝導性材料の一部を改質して伝導性材料の仕事関数を変化させることによって、伝導性材料が第１ゲート電極を、また改質された伝導性材料が第２ゲート電極を形成するようにする工程（図２の工程２１８）を含む。 - 特許庁

In the method of manufacturing the organic electroluminescent element provided with a first electrode formed on a substrate, an organic emission medium layer including an organic light-emitting layer made of at least low-molecule light-emitting materials formed on the first electrode, and a second electrode formed in opposition to the first electrode, the organic light-emitting layer is formed in a wet process, which is carried out as the substrate is heated.例文帳に追加

基板上に形成された第一電極と、前記第一電極上に形成された少なくとも低分子発光材料からなる有機発光層を含む有機発光媒体層と、前記第一電極に対向するように形成された第二電極と、を具備した有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記有機発光層はウェットプロセスで形成され、前記ウェットプロセスは前記基板を加熱しながら行うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法としたもの。 - 特許庁

To increase productivity by smoothly quickly conducting pre-occlusion of lithium ions into a negative electrode and decreasing frequencies handling lithium metal in a production process in a lithium ion occulusion/release type organic electrolyte storage battery having an electrode body formed by laminating a positive electrode made of a substance capable of reversely carrying lithium ions or anions and a negative electrode capable of occluding/releasing lithium ions which are an electrolyte cation through a separator in order.例文帳に追加

リチウムイオンもしくはアニオンを可逆的に担持可能な物質からなる正極と、電解質カチオンであるリチウムイオンの吸蔵・放出が可能な負極とが、間にセパレータを挟みながら順次積層されてなる電極体を備えたリチウムイオン吸蔵・放出型有機電解質蓄電池において、負極へのリチウムイオンの予備吸蔵を円滑かつ迅速に行わせることを可能にするとともに、生産工程にてリチウム金属を扱う頻度を低減させて生産性を高める。 - 特許庁

The manufacturing method of the lithium secondary battery contains a process combining a lithium desorption positive electrode obtained by desorbing Li from a lithium-containing positive electrode containing Li, or a no lithium-containing positive electrode containing no lithium with a lithium-containing negative electrode containing a Li-Si alloy containing at least Li and Si or containing a Li-Sn alloy containing at least Li and Sn.例文帳に追加

本発明は、Ｌｉを含有するＬｉ含有正極からＬｉを脱離することにより得られるＬｉ脱離正極、またはＬｉを含有しないＬｉ非含有正極と、少なくともＬｉおよびＳｉを含有するＬｉ−Ｓｉ合金、または少なくともＬｉおよびＳｎを含有するＬｉ−Ｓｎ合金を有するＬｉ含有負極と、を組み合わせて用いることを特徴とするリチウム二次電池の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

In the memory cell array of this NOR type flash memory, a conductive material is supplied to the cavity 22 formed in the source wiring 21 having a U-shaped structure not only from a hole for source contacting but also from a hole for dummy source contacting in the process of forming a source contact electrode 23 and a dummy contact electrode 24.例文帳に追加

本発明に係るＮＯＲ型フラッシュメモリのメモリセルアレイは、ソースコンタクト電極２３及びダミーコンタクト電極２４を形成する工程においてＵ字構造のソース配線２１に形成された空洞２２にソースコンタクト用のホールに加えてダミーソースコンタクト用のホールからも導電体が供給される。 - 特許庁

In this structure, the rear of the second semiconductor chip 15 is subjected to thinning process according to grinding, and the upper surface of the ball electrode 16 is also ground so that the rear of the second semiconductor chip 15 and the surface of the ball electrode 16 are nearly in the same plane to be able to improve reliability.例文帳に追加

この構造により、第２の半導体チップ１５の裏面は研削により薄厚加工されているとともに、ボール電極１６の上部表面も研削され、第２の半導体チップ１５の裏面とボール電極１６の表面とが略同一面に構成されているため、信頼性を向上させることができる。 - 特許庁