「electrode process」に関連した英語例文の一覧と使い方(65ページ目) - Weblio英語例文検索

During the process of source/drain region formation after the formation of a well region and a gate electrode for the construction of this MOS transistor, Ge or Si ions are first implanted for making amorphous the source/drain forming regions, and then two or more species of impurity ions different in mass number but the same in conductivity type are successively implanted into the regions by using the ion implantation method.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタの形成において、ウェル領域、ゲート電極を形成した後、ソース・ドレイン領域を形成する際、Ｇｅ又はＳｉをイオン注入してアモルファス化した後、連続して質量数の異なる２種類以上のイオン種で且つ同じ導電型の不純物をイオン注入法により注入することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic element sealing panel in which an organic element formed on a brittle substrate is sealed by a sealing film, except for an electrode connecting portion for connecting with an external circuit and a plurality of organic element are formed in a matrix on the brittle substrate and an occurrence of scribe failures in a scribe process is reduced.例文帳に追加

脆性基板上に形成された有機素子が、外部回路との接続を行う電極接続部を除いて封止膜で封止された構成の有機素子封止パネルの製造方法において、脆性基板上に複数の有機素子をマトリックス状に形成し、湿式法により封止膜を形成しても、スクライブ工程でのスクライブ不良の発生を低減する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic EL element having a negative electrode layer opposed to a transparent conductive layer and an organic EL layer interposed between both electrodes, in which when the organic EL layer is formed by a wet process method, there occurs no deterioration of the characteristics of the organic EL element accompanying removal of solvent and a high performance organic EL element is manufactured.例文帳に追加

透明導電層と対向する陰極層と、両電極に挟持された有機ＥＬ層を備えた有機ＥＬ素子の製造方法において、有機ＥＬ層をウエットプロセス法で作成した場合に、溶媒の除去に伴う有機ＥＬ素子の特性の低下が起きず、高性能な有機ＥＬ素子を製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

As an initial manufacturing process of ink jet head, a drive circuit and the terminals thereof are formed on a silicon substrate followed by formation of an oxide film, wiring electrodes, fine resistors (heating elements 15) of Ta-Si-SiO, for example, and electrodes (common electrode 12, individual wiring electrodes 14) of Ni, for example, before determining the position and shape of the heating element 15.例文帳に追加

インクジェットヘッド製造の最初の工程としてシリコン基板に駆動回路とその端子を形成し、酸化膜と配線電極を形成し、Ｔａ−Ｓｉ−ＳｉＯなどの微細抵抗（発熱素子１５）、Ｎｉなどによる電極（共通電極１２、個別配線電極１４）を形成して発熱素子１５の位置と形状を決める。 - 特許庁

To provide a piezoelectric actuator being driven with a high field strength to produce a larger displacement while ensuring high conduction reliability of an electrode and which can be fabricated through a smaller number of fabrication steps without restricting the ink to be used by the characteristics or components when the actuator is used an ink jet head, and to provide its fabricating process.例文帳に追加

高い電界強度で駆動出来、より大きな変位を得ることが可能であって、電極の導通信頼性が高く、例えばインクジェットヘッドとして用いた場合に、特性・成分等により利用するインクを制約することなく、より少ない製造工程数で作製可能な、圧電式のアクチュエータ、及び、その製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method for fabricating the semiconductor device includes at least a process of treating the substrate by generating radical at a small space between a rotor end and the substrate while a rotor end with rotational wing that circulates and evacuates gas of a local region is made to be an electrode and the rotor end is placed near the substrate and a second gas is circulated and evacuated.例文帳に追加

局所領域の気体を旋回させ排気を行う回転翼付きロータ端を電極とし，基板に該ロータ端を近接配置し，該第二の気体を旋回させ排気しながら，該ロータ端と該基板との微小間隙にラジカルを発生させて基板を処理する工程を少なくとも有する半導体装置の製造方法を用いる。 - 特許庁

To provide a MOS transistor having an intermediate breakdown voltage structure including a large drain breakdown voltage, small capacitance between a source-drain region and a gate electrode and a high junction breakdown voltage of a channel stop and the source-drain region formed under a field oxide film and capable of controlling the drain breakdown voltage by a simple process.例文帳に追加

ドレイン耐圧が大きく、・ドレイン・ソース領域とゲート電極間の容量が小さく、・フィールド酸化膜下に形成されたチャネルストップとソース・ドレイン領域の接合耐圧の高い、しかもそのドレイン耐圧を制御することのできる中耐圧構造を有するＭＯＳ型トランジスタを簡単なプロセスにより提供することを目的とする。 - 特許庁

The plasma processor for plasma-processing a substrate 7 housed in a process chamber 8 of a vacuum chamber 1 comprises an insulator 10 of a specified width on the top face of a lower electrode 5 insulatively mounted in a base 2 of the chamber 1 forming a gap 9 with the chamber 1 along an entrance of the gap 9.例文帳に追加

基板７を真空チャンバ１の処理室８内に収容してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、真空チャンバ１の基部２に絶縁状態で装着され真空チャンバ１との間に空隙部９を形成する下部電極５の上面に、空隙部９の入口部に沿って所定幅で絶縁体１０を装着する。 - 特許庁

Since the auxiliary electrodes 13 and 14 are formed, respectively, at the short-circuit end of the pair of strip resonance electrodes 11 and 12, length of the resonance electrode portion is stable even if displacement takes place in cutting so long as a portion with a conductor pattern as the auxiliary electrodes 13 and 14 formed thereon is cut in the cutting process during manufacture.例文帳に追加

一対の共振電極１１，１２のそれぞれの短絡端に補助電極１３，１４が形成されていることで、製造時の切断工程において、その補助電極１３，１４となる導体パターンが形成されている部分を切断するようにすれば、切断時に位置ずれが生じたとしても、共振電極部分の長さは変わらない。 - 特許庁

To shorten a process time of, especially, a liquid crystal display device having a driving circuit mounted thereon and to prevent short-circuit between a common electrode of a color filter array substrate and a driving circuit part of a thin film transistor array substrate, with respect to the liquid crystal display device and a method of fabricating the same.例文帳に追加

本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に係り、特に駆動回路が実装された液晶表示装置の工程時間を短縮すると共に、カラーフィルタアレイ基板の共通電極と薄膜トランジスタアレイ基板の駆動回路部との間の短絡を防止するための液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The feature of the photoelectric transfer element comprising a laminated structure containing a conductive supporting body, having a conductive layer, a semiconductor corpuscular layer, a charge transporting layer, and a counter electrode is that it is formed by a process to cause the semiconductor corpuscular layer to adhere to the conductive layer of the conductive supporting body by electrophoresis.例文帳に追加

導電層を有する導電性支持体、半導体微粒子層、電荷輸送層および対極を含む積層構造からなる光電変換素子において、該半導体微粒子層が、半導体微粒子の電気泳動により導電性支持体の導電層上へ付着させる工程によって形成されることを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁

In a manufacturing process of a microelectromechanical device, after forming a groove 20 as a gap by applying a processing using photolithography and etching to the resonator 22 and an Si layer as an electrode 21, the pair of thermal oxidation films 5, 5 of Si are formed on the opposite surfaces of the groove 20 by applying thermal oxidation treatment to the Si layer.例文帳に追加

本発明に係るマイクロエレクトロメカニカルデバイスの製造工程においては、共振子２２と電極２１となるＳｉ層に対し、フォトリソグラフィとエッチングを用いた加工を施して、ギャップとなる溝２０を形成した後、該Ｓｉ層に対し、熱酸化処理を施して、溝２０の対向面に一対のＳｉ熱酸化膜５、５を形成する。 - 特許庁

This positive electrode active material is obtained by adjusting the primary grains of the Li compound oxide mainly composed of at least one kind or more of CO, Ni, Mn and Li to the porous secondary grains through each process of calcination, pulverization and dispersion, spray, granulation and burning.例文帳に追加

CO、Ni、Mnのうちの一種以上とLiを主成分とするLi複合酸化物からなる一次粒子を、仮焼、解粒分散後、噴霧、造粒し、本焼成の工程を経て、多孔質二次粒子に調製し、水銀圧入法による細孔分布測定での細孔平均径が0.1〜1μm の範囲内で、且つ0.01〜1μmの径をもつ細孔の合計容積が 0.01cm^3/g以上としたものを用いる。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor memory in which operating speed can be enhanced by bringing a contact and a gate electrode close to each other through a simple arrangement thereby realizing scaling-down, and to provide a semiconductor memory, a semiconductor device, an IC card and a portable electronic apparatus employing it, and a process for fabricating a semiconductor memory.例文帳に追加

過消去による読出し不良を防止でき、簡単な構成でコンタクトとゲート電極を接近させて微細化することにより動作速度を向上できる信頼性の高い半導体記憶素子およびそれを用いた半導体記憶装置および半導体装置およびＩＣカードおよび携帯電子機器および半導体記憶素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a display panel substrate including an electrode provided on a flat surface of a substrate partitioned by a rib at low manufacturing cost and high yield without needing a complicated manufacturing process, a display panel provided with the display panel substrate manufactured by the method, and a display device provided with the display panel.例文帳に追加

複雑な製造工程を要さず、低い製造コスト及び高い歩留まりで、リブで区画された基板の平面上に電極を備えた表示パネル用基板を製造する方法を提供し、更に、この製造方法で製造された表示パネル用基板を備えた表示パネル及びこの表示パネルを備えた表示装置を提供する。 - 特許庁

In the process of successively forming layers of a light reflecting film 2, transparent resin layer P, color layer 3, overcoat layer 4, transparent electrode 5 and alignment layer 6 on a glass substrate 1 in the liquid crystal display (A), the area of the transparent resin layer P with respect to the light reflecting film 2 is varied in accordance with the respective color layer 3.例文帳に追加

液晶表示装置Ａにおいて、ガラス基板１上に光反射膜２と透明樹脂層Ｐと着色層３とオーバーコート層４と透明電極５と配向膜６とを順次積層するに当り、透明樹脂層Ｐに対し個々の着色層３に対応して、透明樹脂層Ｐの光反射膜２に対する被着面積を異ならしめる。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting device and its manufacturing method that use a ZnO-family compound semiconductor, are a vertical type that can take out an electrode from the upper and lower surfaces of a chip, having superior crystallinity of a semiconductor layer and high light emission efficiency, at the same time, which do not use a sapphire substrate, and are convenient in a manufacturing process and use.例文帳に追加

ＺｎＯ系化合物半導体を用い、チップの上下両面から電極を取り出すことができる垂直型で、かつ、半導体層の結晶性が優れて発光効率が高いと共に、基板にサファイア基板を用いないで製造プロセスおよび使用面で便利な半導体発光素子およびその製法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a MOS structure capable of solving problems such as fermi-level pinning, gate electrode depletion, and diffusion phenomena; and capable of appropriately adjusting (controlling) a threshold voltage by using a material suitable for respective gate electrodes of the MOS structure with different threshold voltages by a more simplified manufacturing process.例文帳に追加

本発明は、フェルミレベルピニング、ゲート電極空乏化、拡散現象等の各問題を解決することができ、より簡略化した製造プロセスにより、閾値電圧が異なるＭＯＳ構造のそれぞれのゲート電極に適した材料を採用して閾値電圧を適切に調整（制御）することができる、ＭＯＳ構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the multilayered electrode includes alternately layering a conductor layer and a dielectric layer on the ceramic workpiece, wherein the above conductor layer is formed in a wet process, and the above dielectric layer is formed by at least one method selected among a coating-sintering method, an electrolytic reduction method, an electrolytic oxidation method, a liquid-phase precipitation method, or an electrodeposition coating method.例文帳に追加

セラミックス素体上に、導体層と誘電体層とを交互に積層して形成する多層電極の製造方法であって、前記導体層を湿式プロセスにより形成し、前記誘電体層を塗布−焼成法、電解還元法、電解酸化法、液相析出法、電着塗装法から選ばれる少なくとも一つ以上の方法によって形成する。 - 特許庁

To provide a conductive paste containing conductive metal powder without being easily oxidized in a process of binder removal or baking, and having high dry density after printing, in a conductive paste for an internal electrode used for an electronic part such as a laminated capacitor, and to provide an electronic part having an excellent dielectric characteristic and high reliability.例文帳に追加

積層セラミックコンデンサなどの電子部品に用いられる内部電極用の導電性ペーストにおいて、脱バインダや焼成の過程における導電性金属粉末の酸化が少なく、且つ、印刷後の乾燥密度が高い導電性ペーストを提供するとともに誘電的特性と信頼性に優れる電子部品を提供すること。 - 特許庁

This manufacturing method comprises a manufacturing process for a piezoelectric head driving element material 30 wherein piezoelectric materials and electrode materials are laminated alternately so that an activating layer 31 (31a, 31b) having inner electrodes 18, 19 and generating a distortion displacing operation by being applied with a voltage and an inactivating layer 31a not having inner electrodes nor generating a distortion displacing operation.例文帳に追加

圧電材と電極材とを交互に積層し、内部電極１８，１９を有して電圧印加により歪み変位動作が発生する活性層３１と、内部電極１８，１９を有しておらず電圧印加によっても歪み変位動作が発生しない不活性層３２とを積層形成する圧電へッド駆動素子素材３０の製作工程を有する。 - 特許庁

The manufacturing method of the porous electrode comprises a process of applying a liquid containing conductive material selected from a group consisted of conductor and semiconductor on a surface of the porous film (A) having through holes with average diameter d1 of 0.02 to 3μm, of which porosity is 40 to 90%, and filling the conductive material in the through holes of the porous film (A).例文帳に追加

貫通孔を有し、平均孔径ｄ１が０．０２〜３μｍであり、空孔率が４０〜９０％である多孔質フィルム（A）の表面に導電体と半導体とからなる群から選択される導電性物質を含む液を塗工し、多孔質フィルム（A）の貫通孔に前記導電性物質を充填する工程を有する多孔質電極の製造方法。 - 特許庁

A pair of main electrodes 50 are arranged outside of a process tube 31 defining a processing chamber 32 to be opposed to each other and be vertically extended, and a pair of first auxiliary electrodes 51 and a pair of second auxiliary electrodes 52 are arranged at both sides of electrodes 50a and 50b in the main electrode pair 50 to be vertically extended respectively.例文帳に追加

処理室３２を形成したプロセスチューブ３１の外側において主電極対５０を互いに対峙した状態で垂直方向に延在させて配置し、主電極対５０の両方の電極５０ａと５０ｂとの両脇に第一補助電極対５１と第二補助電極対５２とを垂直方向に延在させて配置する。 - 特許庁

To minimize deterioration of characteristics of an element by preventing an increase of resistance of a bit line and a storing electrode by lowering a deposition temperature of a buffer oxide film formed before deposition process of a nitride film for a gate spacer and by preventing out-diffusion of impurities implanted to a source/drain region.例文帳に追加

ゲートスペーサ用窒化膜の蒸着工程の前に形成する緩衝酸化膜の蒸着温度を低め、ソース／ドレイン領域に注入された不純物のアウト・ディヒュージョンを防ぐことにより、ビットラインと貯蔵電極のコンタクト抵抗の増加を防いで素子の特性の劣化を最小化させ、素子の特性及び信頼性を向上させること。 - 特許庁

The metal thin film 10 of which the joining face 10a is formed of a pure Al film of high reflecting efficiency, and of which the surface opposed to the color selecting electrode is formed of a pure Fe film of low reflecting efficiency is formed on the fluorescent face 2 formed on an inner face of a face plate 1 of the cathode ray tube, by one vacuum evaporation process.例文帳に追加

カラー陰極線管のフェースプレート１の内面に形成された蛍光面２上に、その接合面１０ａが高反射効率の純Ａｌ膜によって形成され、色選別電極に対向する表面１０ｂが低反射効率の純Ｆｅ膜によって形成された金属薄膜１０を１つの真空蒸着工程で形成する。 - 特許庁

A process B of impressing a given voltage between a collector 12 and the surface of the active material layer formed on the surface of the collector by having a collector (an electrode body 10b) with the active material layer formed on the surface pass between a pair of press rollers 64 with a voltage impressed by a voltage impressing device 70.例文帳に追加

電圧印加装置７０によって電圧を印加された一対のプレスローラ６４の間を表面に活物質層が形成された集電体（電極体１０ｂ）を通過させることで、集電体１２と、集電体の表面に形成された活物質層の表面との間に所定の電圧を印加する工程Ｂを実施する。 - 特許庁

To automatically control a welding electric current Iw to be a proper value while manually adjusting a welding speed and a feed speed of a filler wire 4 to make a weld quality uniform corresponding to a temperature rise of a base material due to the progress of a welding process in non-consumable electrode arc welding manually carried out using the filler wire 4.例文帳に追加

溶加ワイヤ４を使用して手動で行う非消耗電極アーク溶接において、溶接の進行に伴う母材温度の上昇に対応して溶接品質を均一にするために、溶接速度及び溶加ワイヤ４の送給速度を手動で調整しながら溶接電流Ｉｗを自動的に適正値に修正することができるようにすること。 - 特許庁

This method for manufacturing the polycrystalline compound semiconductor solar battery has a process for composing a sub module by forming each semiconductor layer for forming a p-n junction and an electrode layer that is continuous to the p-n junction, and then allowing a current to flow to the sub module in a forward or backward direction from an external power supply while a light-inducing current does not flow.例文帳に追加

ｐ−ｎ接合を形成する各半導体層とそれらに連なる電極層を形成してサブモジュールを構成した後、このサブモジュールに、光誘起電流が流れない状態で外部電源から順方向または逆方向に電流を流す工程を有する多結晶化合物半導体太陽電池の製造方法。 - 特許庁

Preferably, in the internal electrode 11, its part is extruded from the capacitor element body 10 and an oxide film 11a is formed on a surface of a conductor 11b of the extrusive portion, in the laser beam radiation process, at least a part of the oxide film 11a is removed and the laser beam radiation is carried out till the surface of the conductor 11b is exposed.例文帳に追加

好ましくは、内部電極１１は、コンデンサ素子本体１０からその一部が突出し、かつ当該突出部分は導体１１ｂの表面に酸化膜１１ａが形成されたものであり、レーザ光照射工程では、酸化膜１１ａの少なくとも一部を除去して導体１１ｂの表面が露出するまでレーザ光照射を行う。 - 特許庁

A cylinder core film, having an aperture for forming a capacitor electrode, is formed on a semiconductor substrate 1 formed via a prescribed semiconductor manufacturing process and thereafter, a first non-doped amorphous Si film 9a, a second impurity-containing amorphous Si film 9b and a third non-doped amorphous Si film 9c are formed, in order to form an amorphous Si film 9 on the silicon core film.例文帳に追加

所定の半導体製造プロセスを経た半導体基板１上に、キャパシタ電極形成用の開口を有するシリンダコア膜を形成した後、ノンドープの第１の非晶質Ｓｉ膜９ａ、不純物を含む第２の非晶質Ｓｉ膜９ｂおよびノンドープの第３の非晶質Ｓｉ膜９ｃを順次形成して、非晶質Ｓｉ膜９を形成する。 - 特許庁

The carbon material for an electrode is formed through plasma treatment process conducting high frequency thermal plasma treatment to a raw material composition of carbon or an organic material in a plasma gas atmosphere containing a boron-containing compound so that a region near the surface of the carbon material is made into a turbulent layer structure in the vicinity of the surface of the carbon material and also cleaning and surface-reforming are attained.例文帳に追加

ホウ素含有化合物を含むプラズマガス雰囲気中において、炭素又は有機材料からなる原料組成物に対して高周波熱プラズマ処理を施すプラズマ処理工程を経て電極用炭素材料を形成させることにより、炭素材料の表面近傍の乱層構造化とともに、クリーニング、表面改質を併せ行う。 - 特許庁

A multilayered structure of a buffer layer 41, an internal-electrode conducting layer 42, a dielectric layer 43, and an external-electrode conducting layer 44 is formed on a ceramic substrate, with a gap 5 of an appropriate depth to intersect the ceramic substrate in a cutting process after completion of overall structure.例文帳に追加

セラミック製基板上にバッファ層４１、内側の電極導体層４２、誘電体層４３、および外側の電極導体層４４からなる多層構造を形成し、全体の構造が出来上がった後に切削工程で適切な深さの間隙５をセラミック製基板を横断する形で形成することで、２つの重なり合った電極層４２、４４が横断的な間隙に相対する２つの部分に分けられ、かつ誘電体層４３によっても内側の電極導体層４２および外側の電極導体層４４に隔てられる。 - 特許庁

A powder of hydrogen storage alloy provided with a surface layer containing at least nickel metal or nickel compound is mixed with a water solution containing lithium salt and subjected to a heating process so that the surface layer containing lithium-containing nickel oxide is formed on the surfaces of the powder, and a hydrogen storage alloy electrode 2 is fabricated using this alloy powder and used in the negative electrode of the alkaline storage battery.例文帳に追加

少なくともニッケル金属又はニッケル化合物を含む表面層が形成された水素吸蔵合金粉末をリチウム塩を含む水溶液と混合させた後、この水素吸蔵合金粉末を加熱処理して、水素吸蔵合金粉末の表面にリチウム含有ニッケル酸化物を含む表面層を形成し、このようにリチウム含有ニッケル酸化物を含む表面層が形成された電極用水素吸蔵合金粉末を用いて水素吸蔵合金電極２を作製し、この水素吸蔵合金電極をアルカリ蓄電池の負極に使用した。 - 特許庁

Concerning colloidal solution of metal nanoparticles having at least one of surface enhanced Raman activity function, the metal nanoparticle colloidal solution containing a detection sample is dropped onto a substrate having or setting a higher electrode potential than a metal electrode potential of a colloidal metal, and molecules adsorbed on the metal nanoparticle surface is irradiated with prescribed laser light in an aggregation process on the substrate of the metal nanoparticles, to thereby measure Raman scattered light generated from adsorbed molecules.例文帳に追加

少なくとも１種の表面増強ラマン活性機能を有する金属ナノ粒子のコロイド溶液を、コロイド金属の金属電極電位より高い電極電位を有するまたは設定される基板上に被検出試料を含む金属ナノ粒子コロイド溶液を滴下し、金属ナノ粒子の基板上での凝集過程で金属ナノ粒子表面に吸着させた分子に所定のレーザ光を照射し吸着分子から発生するラマン散乱光を測定することを特徴とする。 - 特許庁

Light metal electroslag welding process, wherein after arranging the parts to be welded together with specified gaps, inserting an electrode from below the pieces into a gap together with flux fill the makeup of which is 65-75% barium fluoride, 15-25% cryolite and 5-10% (by weight) sodium bromide and placing the vessels above and below the pieces, applying current to melt the electrode and the flux for floating up the molten metal from a slag bath, forming the molten metal bath in the upper vessel, and opening the lower vessel by the melted electrode, and allowing the slag into the said vessel, which introduces molten metal into the gap between the pieces to be welded. 例文帳に追加

溶接される部材間に所要のギャップを設けてこれらの部材を配設し、上記ギャップに電極を下から挿入するとともに、弗化バリウム65～75％、氷晶石15～25％、臭化ナトリウム５～10％（質量％）の組成よりなるフラックスを充填し、ギャップの上下に容器、を配置した後、電極に通電して電極及びフラックスを溶融し、溶融金属をスラグ浴より浮き上がらせることにより、上部の容器内に溶融金属浴を形成し、その後電極の溶融により下部の容器を開口してその中にスラグを流入させることにより上記ギャップに溶融金属を流入させることを特徴とする軽金属のエレクトロスラグ溶接法。 - 特許庁

A process of fabrication of keyboard switches wherein a masking layer, composed of material without affinity toward elastomer resin, is placed on a metal plate, after etching the indentations on the metal plate surface, filling the indentations up to the level of the surface of the masking, followed by removal of the masking layer and forming the elastomer projections and the flat electrode with electrical contact members, and laminate the said flat electrode and membrane electrodes ascertaining that the electrical contact members and the membrane electrodes oppose one another. 例文帳に追加

金属板の表面にエラストマー樹脂に対して親和性のない材料からなるマスク層を形成し、露出した金属板表面をエッチングして凹部を設けたのち、該凹部にエラストマー樹脂をマスク層の表面に至るまで充填し、次いで該マスク層を除去してエラストマー樹脂からなる所定の突出絶縁部と、それ以外の電気接点部とを有する電極板を形成し、該電極板と薄膜電極を有する基板とを、電気接点部と薄膜電極とが対向するよう積層一体化させることを特徴とするキーボードスイッチの製造方法。 - 特許庁

In the method for manufacturing the electrode catalyst for the fuel cell including a catalyst support process for supporting the catalyst component containing a noble metal component on a carrier composed of conductive particles, a conductive particle component is further vapor-deposited on the surface of the catalyst component containing the noble metal component after supporting the catalyst component containing the noble metal component on the surface of the conductive particles.例文帳に追加

貴金属成分を含む触媒成分を導電性粒子からなる担体に担持させる触媒担持工程を含む燃料電池用電極触媒の製造方法において、該導電性粒子の表面に該貴金属成分を含む触媒成分を担持させた後、該貴金属成分を含む触媒成分の表面に更に導電性粒子成分を蒸着させる。 - 特許庁

The manufacturing method of the membrane-electrode assembly for the fuel cell having a catalyst layer on the surface of an electrolyte membrane contains a process arranging the electrolyte membrane on a substrate which has a surface hardness of pencil hardness 5B or less, and applying catalyst ink containing at least a catalyst component and a solvent to the electrolyte membrane.例文帳に追加

電解質膜の表面に触媒層を備えた燃料電池用膜・電極接合体の製造方法であって、表面硬度が鉛筆硬度５Ｂ以下である基材上に、前記電解質膜を配置した状態で、少なくとも触媒成分及び溶媒を含む触媒インクを、該電解質膜に塗布する工程を含むことを特徴とする、燃料電池用膜・電極接合体の製造方法。 - 特許庁

In the fabricating method for the cold cathode device having a field emission cold cathode comprising a cathodic bus bar formed on a substrate and silicon electrically connected to the cathodic bus bar and a gate electrode arranged away from the electron emission cold cathode, a process is provided of adding an n-type impurity in an electron emitting area of the field emission cold cathode.例文帳に追加

基板に形成された陰極母線及び該陰極母線に電気的に接続されるシリコンからなる電界放出冷陰極を有すると共に、前記電界放出冷陰極から離間して配設されるゲート電極を有する冷陰極装置の作製方法において、前記電界放出冷陰極の電子放出領域にｎ型の不純物を添加する工程を備える。 - 特許庁

The manufacturing method of the membrane electrode assembly for the fuel cell containing at least the solid polymer electrolyte and the catalyst layer containing the catalyst comprising the wire-like substance and the thin film arranged on the top of the wire-like substance and having conductivity contains a process forming the the thin film by a gas phase growth method or a liquid phase growth method.例文帳に追加

少なくとも固体高分子電解質と、ワイヤ状物質からなる触媒並びに前記ワイヤ状物質の上部に導電性を有する薄膜を含む触媒層を有する燃料電池用膜電極接合体の製造方法であって、前記薄膜を気相成長法若しくは液相成長法で作製する工程を含む膜電極接合体の製造方法。 - 特許庁

The process for manufacturing a semiconductor device comprises a step for mounting a semiconductor chip 30 having a plurality of electrodes 32 in a semiconductor chip mounting region 31 of a wiring board 10 including a wiring pattern 12 having a plurality of electrical connections 14 and a base substrate 20, and connecting each electrical connection 14 electrically with any one electrode 32 while opposing each other.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、複数の電気的接続部１４を有する配線パターン１２とベース基板２０とを含む配線基板１０の、半導体チップを搭載するための領域３１に、複数の電極３２を有する半導体チップ３０を搭載して、それぞれの電気的接続部１４といずれかの電極３２とを対向させて電気的に接続することを含む。 - 特許庁

When regions 6a and 6b, where the impurities of different concentration or the impurities of different types are partially implanted, exist in a polysilicon film 6 formed on a semiconductor substrate as shown in Fig. (b), the impurities of high etching rate are implanted (6c) in an etched region after a lithographic process for patterning a gate electrode, and the etching rate is made uniform.例文帳に追加

図３（ｂ）に示すように、半導体基板上に形成されたポリシリコン膜（６）に部分的に異なる濃度の不純物または異なる種類の不純物が注入された領域（６ａ及び６ｂ）がある場合に、図３（ｃ）に示すゲート電極をパターニングするためのリソグラフィー工程の後、エッチングする領域にエッチングレートの大きな不純物を注入し（６ｃ）、エッチングレートの均一化を図る。 - 特許庁

To simplify the manufacturing process of a semiconductor device having a Co silicide electrode and realize the reduction of an aspect ratio in a contact hole by permitting the control of thickness of a Co silicide film and a cap layer, while permitting to maintain cleanness by eliminating the generation of residue consisting of non-reacted Co upon forming the Co silicide film and removing easily Co oxide.例文帳に追加

Ｃｏシリサイド電極をもつ半導体装置の製造プロセスを簡素化し、Ｃｏシリサイド膜及びキャップ層の厚さを制御可能とすることでコンタクトホールに於けるアスペクト比の減少を実現し、Ｃｏシリサイド膜を形成する際の未反応Ｃｏからなる残渣の発生を皆無にすると共にＣｏ酸化物を容易に除去して清浄を維持できるようにする。 - 特許庁

To provide a multi-core cable and the connection method of the same in which each of conductors of a multi-core cable and electrode terminals on a connected member are certainly connected in a connection structure with a sufficient electrical reliability and moreover stability, without making complex a connection process and by a connection method capable of connecting in a narrow pitch using an anisotropic conductive material.例文帳に追加

多芯ケーブルの各導体と被接続部材上の電極端子とを、接続工程を煩雑化させることなく、異方性導電材を用いた狭ピッチ接続可能な接続方法により、十分な電気的信頼性を持って且つ安定した接続構造を持って確実に接続することができる、多芯ケーブルの接続部及びその接続方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a developing device having a developer carrier including a plurality of kinds of electrode members to which voltages different from each other are applied and capable of performing stable development without causing lowering of image density and damage due to leak even if a value of characteristics of a surface layer is not constant, to provide an image forming apparatus including the developing device, and to provide a process unit.例文帳に追加

互いに異なる電圧が印加される複数種類の電極部材を備えた現像剤担持体を有する現像装置で、表層の特性の値が一定でなくても、画像濃度の低下やリークによる損傷が発生せず、安定した現像を行うことが可能となる現像装置、並びにこれを備えた画像形成装置及びプロセスユニットを提供する。 - 特許庁