「energy band」に関連した英語例文の一覧と使い方

入力信号を、複数の周波数帯域の信号に分割する周波数帯域分割手段と、前記各帯域に分割された入力信号に対して、帯域ごとの帯域エネルギーを抽出する帯域エネルギー抽出手段と、前記抽出された帯域エネルギーを、帯域ごとに正規化し、帯域ごとの正規化帯域エネルギーを求める正規化手段とを、有する信号分析装置である。 - 特許庁

With a voltage in an 'OFF' state, energy levels of a conduction band 24 and a valence band 25 are in a state of (a).例文帳に追加

電圧ＯＦＦの状態では伝導帯２４、価電子帯２５のエネルギー順位は（ａ）の状態にある。 - 特許庁

The multilayer structure includes high band-gap energy layers and a plurality of low band-gap energy layers laminated alternately.例文帳に追加

多層構造体は、交互に積層された、高バンドギャップエネルギー層と、複数の低バンドギャップエネルギー層と、を含む。 - 特許庁

例文

The band gap energy (Eg2) of the group third-fifth compound semiconductor layer 14 is larger than the band gap energy (Eg1) of the GaAs board 12.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体層１４のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ２）は、ＧａＡｓ基板１２のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ１）よりも大きい。 - 特許庁

例文

The second semiconductor film has a second energy band gap larger than the first energy band gap.例文帳に追加

上記第２半導体膜は、第１エネルギーバンドギャップよりも大きな第２エネルギーバンドギャップを有している。 - 特許庁

The band gap energy of the first contact layer and the window layer is larger than the band gap energy of the light emitting layer.例文帳に追加

前記第１コンタクト層および前記窓層のバンドギャップエネルギーは、前記発光層のバンドギャップエネルギーよりもそれぞれ大きい。 - 特許庁

The band gap energy (Eg3) of the active layer 16 is smaller than the band gap energy (Eg1) of the GaAs board 12.例文帳に追加

活性層１６のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ３）は、ＧａＡｓ基板１２のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ１）よりも小さい。 - 特許庁

The outer reflection sector 35 reflects the RF energy from a beam with the 1st frequency band doss not reflect the RF energy from a beam with the 2nd frequency band.例文帳に追加

外側反射セクタ３５は、第１の周波数帯では、反射するが、第２の周波数帯ではＲＦエネルギを反射しない。 - 特許庁

To provide a wide band light source which is excellent in energy efficiency and permits miniaturization.例文帳に追加

エネルギー効率が優れ小型化が可能な広帯域光源を提供する。 - 特許庁

The wave energy is constituted of a sub-millimeter wave band of radio wave or ultrasonic wave.例文帳に追加

波動エネルギーを亜ミリ波帯の電波または超音波で構成する。 - 特許庁

In addition, the superlattice may have a common energy band structure.例文帳に追加

また前記超格子は、共通のエネルギーバンド構造を有しても良い。 - 特許庁

The hole selectively passing film 54 has an energy level of a conduction band higher than an energy level of a conduction band of the semiconductor layer 30, and has an energy level of a valence band higher than an energy level of a valence band of the semiconductor layer 30.例文帳に追加

正孔選択通過膜５４は、伝導帯のエネルギレベルが半導体層３０の伝導帯のエネルギレベルよりも高く、価電子帯のエネルギレベルが半導体層３０の価電子帯のエネルギレベルよりも高いことを特徴としている。 - 特許庁

A second energy band being a band larger than the first energy band in energy is contained in the primary X-rays A as an exciting component for exciting Fe and X-rays of this second energy band act as one of exciting components for exciting an element Fe.例文帳に追加

吸収後の１次Ｘ線Ａには、第一エネルギ帯域よりもエネルギの大きい帯域である第二エネルギ帯域がＦｅを励起する励起成分として含まれ、この第二エネルギ帯域のＸ線は、元素Ｆｅを励起する励起成分の１つとして作用する。 - 特許庁

The metal band wound on the drum dissipates energy.例文帳に追加

金属バンドは、ドラムに巻き付けられており、エネルギを散逸する。 - 特許庁

To analyze and composite the band of an image by saving energy and with a low delay.例文帳に追加

省メモリ且つ低遅延で画像の帯域分析・帯域合成を行う。 - 特許庁

The structure(250) has almost the same conduction band energy as the conduction band energy of the base(208) on the interface with the base(208) and has almost the same conduction band energy as the conduction band energy of the emitter(214) on the interface with the emitter(214).例文帳に追加

この構造（２５０）は、ベース（２０８）との界面では、ベース（２０８）の伝導帯エネルギーにほぼ等しい伝導帯エネルギーを有し、エミッタ（２１４）との界面においては、エミッタ（２１４）の伝導帯エネルギーにほぼ等しい伝導帯エネルギーを有する。 - 特許庁

WIDE-BAND ENERGY RANGE RADIATION DETECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

広域エネルギーレンジ放射線検出器及び製造方法 - 特許庁

An average In composition ratio of one of the high-band gap energy layers and one of the low-band gap energy layers contacting the high-band gap energy layer is higher on the side of the second semiconductor layer than on the side of the first semiconductor layer.例文帳に追加

高バンドギャップエネルギー層と、それに接する低バンドギャップエネルギー層と、のペアの平均Ｉｎ組成比は、第１半導体層の側よりも第２半導体層の側の方が高い。 - 特許庁

The system is provided with sub-band energy calculation means 4, 6 which receive input signals, calculate a plurality of sub-band energy values according to a predetermined sub-band energy calculation format and an encoding rate determination means 16 which receives the plurality of sub-band energy values, selects or determines the encoding rate according to the plurality of sub-band energy values.例文帳に追加

入力信号を受取り、予め定められたサブバンドエネルギ計算フォーマットにしたがって複数のサブバンドエネルギ値を計算するサプバンドエネルギ計算手段4, 6と、それら複数のサブバンドエネルギ値を受取って、複数のサブバンドエネルギ値にしたがってそのエンコーディングレートを選択または決定するエンコーディングレート決定手段16とを具備していることを特徴とする。 - 特許庁

Concretely, spectral energy is small in 430 to 660 nm middle wavelength band, and spectral energy is large in 400 to 430 nm low wavelength band and 660 to 700 nm high wavelength band in a visual light region.例文帳に追加

具体的には、可視光領域のうち、４３０〜６６０ｎｍの中波長域において分光エネルギーが小さく、４００〜４３０ｎｍの低波長域と、６６０〜７００ｎｍの高波長域とにおいては分光エネルギーが大きい。 - 特許庁

The electron transfer layer 3 has a conduction band 3a which has an energy band width narrower than that of the conduction band 2c of the light-absorbing layer 2 and passes electrons at a given energy level E_e selectively.例文帳に追加

電子移動層３は、光吸収層２における伝導帯２ｃのエネルギー幅より狭いエネルギー幅を有しており所定のエネルギー準位Ｅ_ｅの電子を選択的に通過させる伝導帯３ａを有する。 - 特許庁

The hole transfer layer 4 has a valence electron band 4a which has an energy band width narrower than that of the valence electron band 2d of the light-absorbing layer 2 and passes positive holes at a given energy level E_h selectively.例文帳に追加

正孔移動層４は、光吸収層２における価電子帯２ｄのエネルギー幅より狭いエネルギー幅を有しており所定のエネルギー準位Ｅ_ｈの正孔を選択的に通過させる価電子帯４ａを有する。 - 特許庁

Based on the characteristics of the band gap, electrons are made to exist in the conduction band of the thin film 12 on the lower energy level side whereas holes are made to exist in the conduction band of the substrate 11 on the higher energy level side.例文帳に追加

こうしたバンドギャップの特性に基づいて、電子をエネルギレベルの低い側の薄膜１２の伝導帯に存在させ、正孔についてはエネルギレベルの高い側の基板１１の伝導帯に存在させる。 - 特許庁

The second region includes a film 152 which is thinner than the two times of the skin depth of the rays of light, and equipped with an energy band 121, and the carries are subjected to energy relaxation in the energy band 121.例文帳に追加

第二の領域は、前記光の表皮深さの2倍よりも薄く、エネルギーバンド121を備えた膜152を含み、エネルギーバンド121においてキャリアはエネルギー緩和される。 - 特許庁

In the fluorescent X-ray analyzer, the energy of a measuring element band is absorbed by a primary filter which is made up of a light element, such as Si or the like, and energy of an excitation energy band is transmitted, thereby enhancing the strength of excitation X-rays.例文帳に追加

Ｓｉなどの軽元素から構成される１次フィルタで測定元素帯域のエネルギを吸収し、励起エネルギ帯域のエネルギを透過させ、励起Ｘ線強度を高める。 - 特許庁

Defects in a band tail level and a band gap are reduced as much as possible, whereby optical absorption of energy in the vicinity of the band gap or less than or equal to the band gap is reduced.例文帳に追加

バンドすそ準位とバンドギャップ内の欠陥を極力低減することにより、バンドギャップ近傍若しくはそれ以下のエネルギーの光吸収を低減させる。 - 特許庁

The energy level of the conduction band of the second guide layer 19 is lower than that of the conduction band of the first guide layer 17 in terms of electrons.例文帳に追加

第２のガイド層１９の伝導帯のエネルギレベルは、電子に関して第１のガイド層１７の伝導帯のエネルギレベルより低い。 - 特許庁

An energy level at a conduction-band end in at least one of an electric field adjusting layer in a laminating direction is higher than an energy level of the conduction-band end in the light absorbing layer, and is lower than an energy level of the conduction-band end of the multiplying layer.例文帳に追加

電気調整層のうち、積層方向の少なくとも一部における伝導帯端のエネルギー準位が、光吸収層における伝導帯端のエネルギー準位より高く、増倍層の伝導帯端のエネルギー準位より低いことを特徴とする。 - 特許庁

The buffer layer 5 has an energy band gap Eg 1 that serves as an intermediate between the energy band gap Eg2 of an n-type GaAs buffer layer 4 of the convex portion 3 and the energy band gap Eg3 of the clad layer 6.例文帳に追加

Ｎ型ＡｌＧａＡｓバッファ層５は、ストライプ状の凸部３のＮ型ＧａＡｓバッファ層４のエネルギーバンドギャップＥｇ２とＮ型ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層６のエネルギーバンドギャップＥｇ３との中間のエネルギーバンドギャップＥｇ１を有する。 - 特許庁

This substance has a band gap energy larger than those of conventional barrier layer substances, such as InGaP.例文帳に追加

この物質はＩｎＧａＰ等の従来の障壁層物質よりもバンドギャップエネルギーが大きい。 - 特許庁

To reduce parts cost and energy cost of an optical amplifier for 1,580-nm band by improving the excitation efficiency of the amplifier.例文帳に追加

１５８０nm帯の光増幅器のは励起効率を高め、部品コストおよびエネルギコストを改善する。 - 特許庁

The barrier layers (33) and (34) have a band gap energy higher than that of the quantum well layer (32).例文帳に追加

障壁層(33)(34)は量子井戸層(32)よりも高いバンドギャップエネルギーを有する。 - 特許庁

To provide a thin-film solar cell having a band structure ideal for improving the energy conversion efficiency.例文帳に追加

エネルギー変換効率の向上に理想的なバンド構造を有する薄膜太陽電池を提供する。 - 特許庁

The X-ray source 2 emits X-rays containing at least a component in a predetermined energy band.例文帳に追加

Ｘ線源２は、少なくとも所定のエネルギ帯域の成分を含むＸ線を放射する。 - 特許庁

The diffraction lattice layer 25 has a lamination structure where a layer 25a having smaller band gap energy EG1 than band gap energy EGp of the adjoining clad layers 24 and 26 and a layer 25b having larger band gap energy EG2 than the band gap energy EG1 are stacked alternately, and the layer 25a is formed at a layer thickness Lclad where no ground state of the hole exists.例文帳に追加

回折格子層２５は、隣接したクラッド層２４，２６のバンドギャップエネルギーＥＧｐより小さいバンドギャップエネルギーＥＧ１を有する層２５ａと、ＥＧ１より大きいバンドギャップエネルギーＥＧ２を有する層２５ｂとが交互に積層された積層構造を有し、層２５ａはホールの基底準位が存在しない層厚Ｌcladに形成される。 - 特許庁

To take a radiation detection image with less blurring over a wide energy band.例文帳に追加

広いエネルギー帯にわたってぼけの少ない放射線検出画像を取得すること。 - 特許庁

To obtain an insulating film for reducing a shallow energy level in a band gap.例文帳に追加

バンドギャップ中の浅いエネルギー準位を低減させた絶縁膜を得ることを可能にする。 - 特許庁

To provide a surface-mounting inductor capable of improving a Q value (disintegration energy) in a high-frequency band.例文帳に追加

高周波帯域でのＱ値を向上させることができる表面実装型インダクタを提供する。 - 特許庁

An energy band gap Eg (106a) in the first upper clad layer 106a is larger than an energy band gap Eg (106b) in the second upper clad layer 106b, and each of the energy band gaps of the first upper clad layer 106a and the second upper clad layer 106b is larger than an energy band gap Eg (105) in the active layer 105.例文帳に追加

第１上部クラッド層１０６ａのエネルギーバンドギャップＥｇ（１０６ａ）は、第２上部クラッド層１０６ｂのエネルギーバンドギャップＥｇ（１０６ｂ）より大きく、かつ、第１上部クラッド層１０６ａ及び第２上部クラッド層１０６ｂのエネルギーバンドギャップが活性層１０５のエネルギーバンドギャップＥｇ（１０５）より大きい。 - 特許庁

Heat treatment is applied to the thin film while irradiating it with electromagnetic waves having higher energy than a band gap.例文帳に追加