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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > energy bandの意味・解説 > energy bandに関連した英語例文

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energy bandの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 493



例文

A radiation image photographing device 1 generates image data of a phase contrast image corresponding to a high-energy band and image data of a phase contrast image corresponding to a low-energy band, and the generated image data of the images are displayed in a display part of an image display 50.例文帳に追加

放射線画像撮影装置1により高エネルギー帯域に対応する位相コントラスト画像の画像データと低エネルギー帯域に対応する位相コントラスト画像の画像データとを生成し、生成された画像の画像データを画像表示装置50の表示部に表示させる。 - 特許庁

The first region includes a plurality of sub-bands 111 and 112, and carriers are transported by tunneling tolerated by their interaction with the rays of light from a sub-band 111 at the upstream side of energy through a potential barrier 143 to a sub-band 112 at the downstream side of energy in the first region 110.例文帳に追加

第一の領域は複数のサブバンド111、112を含み、第一の領域110におけるエネルギーの上流側のサブバンド111からポテンシャル障壁143を介したエネルギーの下流側のサブバンド112へ、キャリアが光と相互作用することで許容されるトンネリングによって輸送される。 - 特許庁

When the conduction band or the valence band aligns with the Fermi energy of the source and drain, the tunneling current can pass between the source, island, and drain.例文帳に追加

伝導帯又は価電子帯がソース及びドレインのフェルミ準位と整合している時、トンネル効果電流がソース、アイランド及びドレインの間を通ることができる。 - 特許庁

In an embodiment, this model defines a pattern of the attenuated sub-band energy of each sub-band moving from the highest level of wavelet decomposition to the lowest level thereof.例文帳に追加

ある実施形態において、このモデルは、ウェーブレットデコンポジションの最も高いレベルからそのデコンポジションの最も低いレベルに動く各サブバンドについての減衰サブバンドエネルギーのパターンを定義する。 - 特許庁

例文

The thin film crystal layer is constituted of a material to be type II energy band discontinuity to the base semiconductor layer or a material having a band gap larger than the base semiconductor layer.例文帳に追加

薄膜結晶層は、下地半導体層に対してタイプII型のエネルギバンド不連続となる材料、または、下地半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料で構成される。 - 特許庁


例文

A hetero-spike buffer layer 12 having an intermediate valence band energy is arranged between semiconductor layers 11 and 13, whose band gap energies are different and which constitutes a semiconductor distributed Bragg reflector.例文帳に追加

半導体分布ブラッグ反射器を構成するバンドギャップエネルギーの異なる半導体層11,13の間に中間の価電子帯エネルギーを持つヘテロスパイク緩衝層12を設けた。 - 特許庁

This infrared detecting method has its detectivity improved by increasing the number of carriers participating in the detection of infrared rays 20 through irradiation with light (inter-band light) 30 corresponding to inter-band energy.例文帳に追加

本発明は、バンド間エネルギーに対応する光(バンド間光)30を照射することで赤外線20の検出に関与するキャリアの数を増加させ検出能力を向上させる赤外線検出方法である。 - 特許庁

Consequently, sub-band data are generated after decoding processing and the arithmetic processing quantity can be reduced in the present invention as compared with a conventional method of classifying features of small sections by observing energy that the sub-band has.例文帳に追加

これにより、復号処理した後にサブバンドデータが生成され、そのサブバンドが持つエネルギーを観測して小区間が持つ特徴を分類する従来の方法に比べ、本発明では演算処理量を減らすことができる。 - 特許庁

Furthermore, a band value calculation part 17 detects a range of FFT resultant data belonging to the 1/6 octave band, and acquires a total value of the FFT resultant data within the range, and outputs it to the display part 18 as energy data.例文帳に追加

また、バンド値算出部17は、1/6オクターブバンドに属するFFT結果データの範囲を検出し、その範囲内のFFT結果データの合算値を求め、エネルギーデータとして表示部18に出力する。 - 特許庁

例文

The sub-bands are encoded as two parameters: a scale factor, which may represent energy in the band; and a shape parameter, which may represent a shape of the band.例文帳に追加

サブバンドは、2つのパラメータ、すなわち、その帯域内のエネルギーを表すことができるスケールファクタと、帯域の形状を表すことができるシェープパラメータとして符号化される。 - 特許庁

例文

Second sleeve tube 3 having a radiation band 10 is provided, and the radiation band 10 is connected electrically to an outside energy supply part through sealed end parts 15, 16 and outer connecting terminals 17, 18.例文帳に追加

放射バンド10を有する第2のスリーブ管3が設けられており、該放射バンド10が、シールされた端部15,16と外部接続端子17,18とを介して、外側のエネルギ供給部に電気的に接続されている。 - 特許庁

The parameters of the periodic structure are such that the energy of the photons, emitted by the PXLED, lies close to a band edge of the band structure of the periodic structure.例文帳に追加

周期的構造のパラメータにより、PXLEDによって発せられた光子のエネルギは、周期的構造のバンド構造のバンド縁部の近傍にある。 - 特許庁

When there is a risk of effects on the human body due to the use of the electric wave energy of the UHF band or the microwave band, an electromagnetic wave protective sheet, constituted of an electric wave shielding material permitting the permeation of moisture, is inserted between the human body and the RF tag.例文帳に追加

UHF帯、マイクロ波帯の電波使用による人体への影響の恐れがある場合は、水分を透過する電波遮蔽材で構成された電磁波防護シートを人体−RFタグ間に挿入して防護する。 - 特許庁

The valence band of the AlGaAs is formed in a range lower in energy level than the upper end of the valence band of the GaAs layer and higher than that of the InAlP layer.例文帳に追加

AlGaAs層の価電子帯は、GaAs層の価電子帯の上端よりも低く、InAlP層の価電子帯の上端よりも高いエネルギ準位の範囲に形成される。 - 特許庁

To provide a mechanism which can successively punch holes at a constant pitch while synchronizing with the movement of a band material by utilizing the energy of the movement of the band material.例文帳に追加

帯材が移動する推進力を利用し、帯材の流れに同調させるようにして孔を一定のピッチで連続的にあけることができる機構を提供する。 - 特許庁

Grating constants Lx1, Ly1, Lz1 of the three-dimensional photonic crystal are determined to allow an operational band of the optical function circuit to include a first energy band gap in a point X of the three-dimensional photonic crystal.例文帳に追加

この3次元フォトニック結晶の格子定数Lx1、Ly、Lz1を、光機能回路の動作帯域が3次元フォトニック結晶のX点にある第1エネルギーバンドギャップを含むように決定する。 - 特許庁

The peak wavelength of a laser beam L is included in a luminous wavelength band (2.94 μm band) when the energy level of Er^3+ is transits from ^4I_11/2 to ^4I_13/2, and the peak wavelength of the exciting light Lp is longer than the maximum absorption peak wavelength included in the absorption wavelength band of the Er^3+.例文帳に追加

レーザ光Lのピーク波長は、Er^3+のエネルギー準位が^4I_11/2から^4I_13/2へ遷移する場合の発光波長帯(2.94μm帯)に含まれており、励起光Lpのピーク波長は、Er^3+の上記吸収波長帯に含まれる最大吸収ピーク波長より長い。 - 特許庁

This ink for scratch-printing contains a substance having, in an ink base agent for offset-printing, a wider band gap than that of the energy of irradiation light, e.g., a substance having a band gap of >4.1 eV and ≤20 eV, or a substance having a band gap of >4.88 eV and ≤20 eV.例文帳に追加

スクラッチ印刷用インクは、例えばオフセット印刷用のインク基剤に、照射光のエネルギーよりも大きなバンドギャップを有する物質、例えばバンドギャップが4.1eVを超え、20eV以下の物質、又はバンドギャップが4.88eVを超え、20eV以下の物質を含有する。 - 特許庁

In a band profile before forming a bonding with the active layer 13, the p-type GaP layer 14, and the upper clad layer 15; the energy level of a conductive band lower end in the p-type GaP layer 14 is higher by 0.05 eV to 1.0 eV than that of a conductive band lower end in the upper clad layer 15.例文帳に追加

活性層13、p型GaP層14及び上部クラッド層15の接合を形成する前のバンドプロファイルでは、p型GaP層14における伝導帯下端のエネルギー位置が、上部クラッド層15における伝導帯下端のエネルギー位置よりも0.05eV〜1.0eV高くなっている。 - 特許庁

Energy level of band gap is shifted between the 6H-SiC substrate 11 and the 3C-SiC thin film 12 due to difference of the crystal structure (hexagonal system and cubic system) wherein the conduction band of the substrate 11 is higher than that of the thin film 12 and the valence band of the substrate 11 is also higher than that of the thin film 12.例文帳に追加

6H—SiCの基板11と3C—SiCの薄膜12は、その結晶構造(六方晶系と立方晶系)の相違によりバンドギャップのエネルギレベルがずれており、伝導帯は薄膜12より基板11が高く、価電子帯も薄膜12より基板11が高い。 - 特許庁

Signal light SL of a wavelength band having the energy lower than an energy gap of silicon passes a signal light waveguide 1a of a signal light passage section 1 formed of silicon.例文帳に追加

シリコンにより形成された信号光通過部1の信号光導波路1aにシリコンのエネルギーギャップより低いエネルギーを有する波長帯の信号光SLが通過する。 - 特許庁

The minimum energy level 21 of the mini band 18 is equal to or greater than the energy level of a guiding region 3 between the active region 2 and the superlattice region 13.例文帳に追加

ミニバンド18の最小エネルギー準位21は、活性領域2と超格子領域13との間のガイド領域3のエネルギー準位に等しいかまたはこれより大きい。 - 特許庁

Rays (ultraviolet rays) with the wavelength of energy higher than the band gap energy of the zinc oxide photocatalyst are emitted on the surface to covert a part of the surface into a surface demonstrating hydrophilic properties.例文帳に追加

この表面に、酸化亜鉛光触媒のバンドギャップエネルギよりも高いエネルギをもつ波長の光(紫外線)を照射し、表面の一部を、親水性を示す表面に変換する。 - 特許庁

The printing area 4 is returned thereby from hydrophobiacity to hydrophilicity by irradiating it with the light having a higher energy than the band gap energy of the titanium oxide photocatalyst and the coating layer 3 is easily regenerated.例文帳に追加

このため、酸化チタン光触媒のバンドギャップエネルギーより高いエネルギーをもつ光を照射すれば、画線部4は疎水性から親水性へと戻り、コート層3は容易に再生される。 - 特許庁

The protection layer 27a includes a gallium nitride based semiconductor whose energy is larger than the band gap energy of the well layer 25a and is not more than that of a barrier layer 23.例文帳に追加

保護層27aは、井戸層25aのバンドギャップエネルギより大きく障壁層23のバンドギャップエネルギ以下の窒化ガリウム系半導体からなる。 - 特許庁

The control light CL is the light of the wavelength band having the energy higher than the energy gap of the silicon and is guided to the passage section 1 by a control light waveguide 2a formed of the silicon dioxide.例文帳に追加

制御光CLは、シリコンのエネルギーギャップより高いエネルギーを有する波長帯の光であり、二酸化シリコンで形成された制御光導波路2aにより信号光通過部1に導かれる。 - 特許庁

An organosilicon compound containing hydroxyl group(s) in the molecule is condensed in the presence of an n-type photo-semiconductor by irradiating light of a wavelength having above an energy corresponding to the band gap energy of the photo-semiconductor.例文帳に追加

n−型光半導体の存在下、該n−型光半導体のバンドギャップエネルギーに相当するエネルギー以上の波長の光を照射して分子中に水酸基を含有する有機ケイ素化合物を縮合させる。 - 特許庁

To provide a technique and a device estimating the azimuth line of an acoustic energy source by deriving time delay between two broad band signals generated by acoustic energy source.例文帳に追加

音響エネルギー源によって生成された2つの広帯域信号間の時間遅延を求め音響エネルギー源の方位線を推定する方法及び装置。 - 特許庁

The electron energy level of the quantum well structure can be obtained easily, the energy band structure of the quantum well structure is specified, and the design of a semiconductor device can be supported.例文帳に追加

量子井戸構造の電子エネルギー準位を簡単に求めることができ、量子井戸構造のエネルギーバンド構造を特定し、半導体装置の設計を支援することができる。 - 特許庁

To enable a multi-junction solar cell, which allow users to efficiently utilize solar energy by making combinations of band gap energy more flexible, to be formed at lower cost by using high quality silicon solar cells.例文帳に追加

バンドギャップエネルギーの組み合わせを柔軟にすることで太陽光エネルギーを効率的に利用できる多接合型太陽電池を、高品質なシリコン太陽電池を用いることでより安価に形成できるようにする。 - 特許庁

To provide a photon count detector capable of detecting a photon number of X-ray in each of a plurality of energy bands and capable of fulfilling the minimum photon number and the minimum measuring interval in each energy band.例文帳に追加

複数のエネルギー帯毎にX線のフォトン数を検出することができ、かつ各エネルギー帯の最小フォトン数と最小計測間隔を満たすことができるフォトンカウント検出器を提供する。 - 特許庁

The second unit provides both pump energy for the expanded part of the gain spectrum and pump energy for the C band which compensates any disruption of a gain profile.例文帳に追加

第2のユニットはゲインスペクトラムの拡張された部分に対するポンプエネルギと、ゲインプロファイルの崩れを補償するC帯域に対するポンプエネルギの両方を提供する。 - 特許庁

To provide an optical element of which the optical characteristics, functions, etc., can be relatively easily changed or controlled by operation from the outside with respect to electromagnetic waves having photon energy lower than that of the band gap energy of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板のバンドギャップエネルギーより低い光子エネルギーを持つ波長の電磁波に対して、外部からの操作によって比較的容易に光学特性、機能等を変更ないし制御できる光学素子である。 - 特許庁

To provide a pigment-sensitizing solar cell exhibiting enhanced light energy utilization efficiency, by shifting a light-absorption band of pigments used for the solar cell to the center side of energy spectrum distribution of solar light.例文帳に追加

色素増感太陽電池に用いられる色素の光吸収帯を太陽光のエネルギースペクトル分布の中心側にシフトさせて光エネルギーの利用効率の向上を図る。 - 特許庁

To provide an X-ray component measuring apparatus capable of measuring the components of a measurement object using the X-rays of a plurality of energy bands and easily changing the energy band to be identified corresponding to the measurement object.例文帳に追加

複数のエネルギー帯のX線を用いて測定対象の成分を計測できるとともに、測定対象に応じて識別すべきエネルギー帯を容易に変更できるX線成分計測装置を提供する。 - 特許庁

An energy analyzing part 14 specifies the block of the MRA, based on the secondary key and calculates the energy of the transformation factor for MRR (plural frequency bands other than the lowest frequency band), corresponding to the same spatial expression area at the block position.例文帳に追加

エネルギー解析部14は、二次鍵に基づいてMRAのブロックを特定し、当該ブロック位置の同一空間表現領域に対応するMRRの変換係数のエネルギーを算出する。 - 特許庁

A method for measuring the fluorescence comprises the step of measuring a defective fluorescence present from a defect level of a surface site mainly having an energy level existing in a forbidden band of the energy level in the semiconductor nanoparticles.例文帳に追加

半導体ナノ粒子内部のエネルギーレベルの禁制帯内に存在するエネルギーレベルを持つ主に表面サイトの欠陥準位から現れる欠陥蛍光を測定する。 - 特許庁

The compressor (10), the gas/liquid separator (23) and the securing band (25) are heated by leakage field of the coil, and the energy thereof is collected as thermal energy by refrigerant in the compressor (10) and the gas/liquid separator (23).例文帳に追加

上記コイルの漏れ磁界によって、圧縮機(10)、気液分離器(23)及び固定バンド(25)が加熱され、漏れ磁界のエネルギーは、圧縮機(10)内及び気液分離器(23)内の冷媒に熱エネルギーとして回収される。 - 特許庁

In the case of amplifying a selection frequency band selected by the operator, the control microcomputer 7 sets a reduction rate of a sound pressure level to be a level greater than an increase rate so that the reduced amount of the sound pressure energy of the sound signal when the selection frequency band is attenuated is greater than the increased amount of the sound pressure energy of the sound signal when the selection frequency band is amplified.例文帳に追加

制御マイコン7は、操作者が選択した選択周波数帯域を増幅する場合に、選択周波数帯域を減衰したときの音声信号の音圧エネルギの減少量が、選択周波数帯域を増強したときの音声信号の音圧エネルギの増加量よりも大きくなるように、音圧レベルの減少率を増加率よりも大きい値に設定する。 - 特許庁

It is possible to rapidly increase the absorption coefficient at the photon energy of about 4 eV and to form high absorption band at the high photon energy range of >4 eV, in the absorption characteristic prescribed by the relation of the photon energy and the absorption coefficient, by co-doping Sn in addition to Ge.例文帳に追加

Geに加えSnを共ドープすることにより、光子エネルギーと光の吸収係数との関係により定められる吸光特性において約4eVの光子エネルギー値を境にして吸収係数の値が急増して高光子エネルギー側領域の全体に広がる吸収帯を生じさせる。 - 特許庁

Difference between an energy level of a quantum dot included in the sample 100 and that in the bottom of the conductive band of an insulating layer close to or adjacent to the quantum dot is obtained as an irradiating energy E2 of the irradiation light with the wavelength λ2 to enable to measure the energy level with accuracy.例文帳に追加

サンプル100に含まれる量子ドットのエネルギ準位と、量子ドットに近接又は隣接する絶縁層の伝導帯の底のエネルギ準位との差は、波長λ2の照射光の照射エネルギE2としても求まるため、エネルギ準位の正確な測定が可能である。 - 特許庁

Thereby, since the metallic carbon nanotubes can be changed to the semiconductor like carbon nanotubes and also the semiconductor like carbon nanotubes having a narrow energy band gap to those having a wide energy band gap, such semiconductor like carbon nanotubes are widely utilized as an electronic element, electrooptical element, energy storage element or the like.例文帳に追加

これにより、金属性炭素ナノチューブを半導体性炭素ナノチューブに、かつ、エネルギーバンドギャップの狭い半導体性炭素ナノチューブをエネルギーバンドギャップの広い半導体性炭素ナノチューブに変えられるため、電子素子、電気光学的な素子又はエネルギー貯蔵素子などに幅広く利用できる。 - 特許庁

This magnetic substance is formed by making electrons movable between adjacent quantum dots and including the flat-band structure, in which energy diffusion of electrons hardly depends on wave number, in an electron energy band by locating the semiconductor quantum dots, with which the area of high energy potential is formed around the periphery and the electrons are contained, on grid points.例文帳に追加

格子点上に、周囲にエネルギーポテンシャルの高い領域が形成され電子が閉じ込められた半導体量子ドットを配置することにより、隣接した量子ドット間を電子が移動可能であり、電子のエネルギー分散が波数依存性をほとんど持たないフラットバンド構造が電子エネルギーバンドに含まれるようにすることにより磁性体が形成される。 - 特許庁

Furthermore, while performing efficient energy absorption by converting explosion energy of the linear pyrotechnic when separating by absorption by share pin like use of a fastening bolt of the band 16 or absorption by moving of the band 16 to the head side, light weight and miniaturization of the flying object is achieved by such energy dispersion.例文帳に追加

さらに、分離時の線状火工品の爆発エネルギーを、バンド16の締結ボルトのシェアーピン的使用による吸収やバンド16の頭部側への移動による吸収により転換して、効率的なエネルギー吸収を行うと共に、このようなエネルギー分散により飛翔体の軽量・小型化を図ることができる。 - 特許庁

Concerning the ADSL modem connected to a telephone line, this ADSL modem is provided with an ADSL band signal detecting part 11 for detecting whether another ADSL modem connected to the telephone line is under use of an ADSL frequency band or not and control parts 12 and 13 for performing control so as not to output energy to the ADSL frequency band when it is detected that the other ADSL modem is under use of that band.例文帳に追加

電話回線に接続されたADSLモデムであって、電話回線に接続された他のADSLモデムがADSL周波数帯域を使用中であるか否かを検出するADSL帯域信号検出部(11)と、使用中であることを検出した場合にはADSL周波数帯域への信号エネルギーを出さないように制御する制御部(12,13)とを備える。 - 特許庁

The Fermi level is higher than the evergy levels of the first and second valance bands, and the evergy level of the second valance band exists between the Fermi level of the metal layer 130 and the energy level of the first valance band.例文帳に追加

このフェルミエネルギレベルは第1および第2の価電子帯のエネルギレベルより高く、第2の価電子帯のエネルギレベルは金属層130のフェルミエネルギレベルと第1の価電子帯のエネルギレベルとの間に存在する。 - 特許庁

The formed resist film 102 is pattern-exposed by selective irradiation with exposure light 104 comprising high-energy lines or electron beams of which the wavelength is 100-300 nm band or 1-30 nm band.例文帳に追加

その後、形成されたレジスト膜102に対して、波長が100nm帯以上且つ300nm帯以下若しくは波長が1nm帯以上且つ30nm帯以下の高エネルギー線又は電子線よりなる露光光104を選択的に照射してパターン露光を行なう。 - 特許庁

To provide an active layer energy band for a laser diode by which a conduction band gap differential value between a quantum well and a well barrier of the laser diode is improved up to 300 meV or 450 meV and a characteristic temperature of the laser diode is improved.例文帳に追加

レーザダイオードの量子井戸と井戸障壁との間の伝導帯ギャップ差値が、300meV乃至450meVまで向上され、レーザダイオードの特性温度が向上されるレーザダイオードの活性層エネルギー帯を提供する。 - 特許庁

To provide a receiving apparatus and method for communication systems capable of improving the entire performance of the systems by decreasing energy differences among signals received by each sub-band in the communication systems performing multi-band ultra-wideband communications.例文帳に追加

マルチバンド超帯域通信を行う通信システムにおいて、サブバンドごとに受信される信号のエネルギーの差を減少させ、システムの全体性能を向上させることができる通信システムの受信装置及びその受信方法を提供する。 - 特許庁

例文

To preclude a fire signal from being issued, by using generation of a difference between energy measured values in two fire detecting elements of a center wavelength band, even when one-sided light is caught by one of the fire detecting elements of the center wavelength band, so as to prevent an erroneous notification.例文帳に追加

偏った光がこの中心波長帯域の火災検知用素子の一方に当たっても、2個の中心波長帯域の火災検知用素子間においてエネルギー測定量に差が出ることにより火災信号が発せられず、誤報が防止できる炎検知器を得る。 - 特許庁

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