「energy band」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Nitrogen N2 of the sealed gas shifts energy from argon to a C^3Π_U level of a nitrogen molecule by the Penning effect to emit a near ultraviolet ray (300-400 nm) of a second positive band of the nitrogen molecule.例文帳に追加

封入ガスの窒素Ｎ_２がペニング様効果により、アルゴンから窒素分子のＣ^3Π_uの準位へのエネルギーを移行させ、窒素分子の第２ポジティブバンドの300ｎｍ〜400ｎｍの近紫外線を放射させる。 - 特許庁

Here, a high refractive index semiconductor material is made to correspond to a semiconductor material having the smallest band gap energy among semiconductor materials constituting the grating.例文帳に追加

ここで、前記高屈折率半導体材料は回折格子を構成する半導体材料のうち、最もバンドギャップエネルギーが小さい半導体材料に相当する。 - 特許庁

A wavelength λg equivalent to band gap energy of the grating layer 112 and an oscillation wavelength λ of a laser beam satisfy a relation of λ-150nm<λg<λ+100nm.例文帳に追加

ここで、回折格子層１１２のバンドギャップエネルギーに相当する波長λｇとレーザ光の発振波長λとは、λ−１５０ｎｍ＜λｇ＜λ＋１００ｎｍの関係を満たす。 - 特許庁

The application of the external energy is preferably made by the radiation of a polarized pulse laser beam having a wavelength equivalent to a plasmon absorbing band of the longer axis or shorter axis of the metal nano- rod.例文帳に追加

外部エネルギーの印加は、好ましくは、金属ナノロッドの長軸または短軸のプラズモン吸収バンドに相応する波長を有する偏光パルスレーザー光の照射による。 - 特許庁

A photoconductive switch 100 comprises a photoconductive layer 106 which consists of first and second semiconductors, each having a relatively broad energy band gap, and a third semiconductor interposed between the first and second semiconductors.例文帳に追加

光導電性スイッチは、比較的広いエネルギーバンドギャップを有する第１及び第２の半導体、及びそれらの間に挟まれるように置かれる第３の半導体からなる光導電層を有する。 - 特許庁

To provide a light emitting diode of a wavelength transformation type capable of varying a luminescence wavelength by utilizing a pressure and adjusting an energy band gap of an active layer thereof.例文帳に追加

圧力を利用しその活性層のエネルギーバンドギャップを調整することにより発光波長を可変させることが可能な波長変換型の発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

The method of detecting a half tone in a wavelet domain includes a step for deciding the energy value of a sub-band for the wavelet decomposition.例文帳に追加

ウェーブレットドメインにおけるハーフトーンを検出する方法は、ウェーブレットデコンポジションのサブバンドについてエネルギー値を判断することを含む。 - 特許庁

The band gap of the current diffusing layer is smaller than that of the upper clad layer and larger than the energy corresponding to the light emitting wavelength of the active layer.例文帳に追加

電流拡散層のバンドギャップは、上部クラッド層のバンドギャップよりも小さく、活性層の発光波長に対応するエネルギよりも大きい。 - 特許庁

A photonic band gap related to TM polarization as it includes a transition energy between a plurality of sub-bands of the quantum well is formed by appropriately arranging the pores 22.例文帳に追加

空孔２２を適切に配置することにより、前記量子井戸の複数のサブバンドの間の遷移エネルギーを含むようなTM偏波に関するフォトニックバンドギャップが形成されるようにする。 - 特許庁

To provide an electron beam device capable of detecting by dividing detected electrons into each energy band in the electron beam device wherein an electron detector is arranged above an objective lens.例文帳に追加

対物レンズの上方に電子検出器が配置された構成からなる電子線装置において、被検出電子をそのエネルギー帯ごとに分けて検出できる電子線装置を提供する。 - 特許庁

To provide a prism with high transmittance antireflection films capable of narrowing the band of a laser light source having ≤200 nm wavelength and not lowering the efficiency of laser energy and to provide an optical device using the prism.例文帳に追加

波長が２００ｎｍ以下のレーザ光源を狭帯域化することができ、レーザエネルギの効率を低下させることのない、透過率の高い反射防止膜を備えたプリズムと、それを用いた光学装置とを提供することである。 - 特許庁

The compressive stress varies a vibration mode of a nano crystal lattice to shift the energy position of a corresponding raman phonon band higher or lower, which can be read by a spectroscopic means.例文帳に追加

該圧縮応力は、ナノ結晶格子の振動モードを変化させ、分光学的手段により読み取り可能である、対応するラマンフォノンバンドのエネルギー位置を上下にシフトさせる。 - 特許庁

The field effect transistor is provided with a first semiconductor layer of an i-type layer and a second semiconductor layer of bigger band gap energy than that of the first semiconductor layer formed on the first semiconductor layer.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、ｉ型層の第１の半導体層と、第１の半導体層上に形成され該第１の半導体層よりバンドギャップエネルギーの大きい第２の半導体層を備える。 - 特許庁

In a region on the interface between the buffer layer 13 and the electron gas layer 14, the end of the conduction band is less than the Fermi energy, and an electron gas can be accumulated.例文帳に追加

バッファ層１３と電子ガス層１４との界面において伝導帯端がフェルミエネルギーを下回る領域には、電子ガス蓄積することができる。 - 特許庁

Since a fixed negative charge layer in high density by the ionized Ga voids 14 exists, the curvature of energy band becomes large, the Schottky barrier becomes thin, and the ohmic property is materialized.例文帳に追加

イオン化したＧａ空孔１４による高密度の固定負電荷層が存在するため、エネルギーバンドの曲率が大きくなり、ショットキー障壁が薄くなって、オーミック特性が実現する。 - 特許庁

A p+ type hole block layer 4 with an energy band gap larger than the light absorption layer 3 and made of AlGaSb is formed between the semiconductor substrate 2 and the light absorption layer 3.例文帳に追加

半導体基板２と光吸収層３との間には、光吸収層３より大きいエネルギーバンドギャップを有し、ＡｌＧａＳｂからなるｐ^＋型の正孔ブロック層４が形成されている。 - 特許庁

The light non-absorption layer 13A is formed of a p-type semiconductor having a band gap larger than energy equivalent to an oscillation wavelength λ_0 and provided at the antinode of standing wave of a laser beam.例文帳に追加

光非吸収層１３Ａは発振波長λ_０に相当するエネルギーよりも大きなバンドギャップを有するｐ型半導体からなり、レーザ光の定在波の腹の位置に設けられている。 - 特許庁

A second filter (2062 of Figure 1) computes a long time average of second fluctuation amount based on the difference between all frequency band energy of the inputted voice signals and its long time average.例文帳に追加

第２のフィルタ（図１の２０６２）は、入力音声信号の全帯域エネルギーとその長時間平均との差分に基づく第２の変動量の長時間平均を計算する。 - 特許庁

The wavelength of the exciting light or retrieval light may have a value matching the light absorption band gap energy intrinsic to the nonlinear optical crystal or slightly shifted to a longer wavelength side therefrom.例文帳に追加

励起光或いは検索光の波長は、非線形光学結晶に固有な光吸収バンドギャップエネルギーに一致、或いは、若干長波長側にずらした値でもよい。 - 特許庁

To provide a continuous steel material heating furnace and its heating method capable of burning a combustion control band comprising heat storage type switching combustion burners with a proper air ratio to achieve energy saving, low NOx and oxidation control of a steel material.例文帳に追加

省エネルギーや低ＮＯｘや鋼材酸化制御のために蓄熱式切替燃焼バーナを備えた燃焼制御帯を適切な空気比にて燃焼させることができる連続鋼材加熱炉および加熱方法を提供する。 - 特許庁

A third filter (2063 of Figure 1) computes a long time average of third fluctuation amount based on the difference between the low frequency band energy of the inputted voice signals and its long time average.例文帳に追加

第３のフィルタ（図１の２０６３）は、入力音声信号の低域エネルギーとその長時間平均との差分に基づく第３の変動量の長時間平均を計算する。 - 特許庁

An electronic band energy at only a part area of a surface is varied by crystal surface-selectively etching a surface of the particulate photocatalyst or modifying only the part area of the surface by an organic group.例文帳に追加

粒子状光触媒の表面を結晶面選択的にエッチングするか、表面の一部領域のみを有機基で修飾することにより、表面の一部領域のみの電子帯エネルギーを変化させる。 - 特許庁

The controller generates energy for the igniter accompanied with a delay bringing the desired explosion by a sequence of a proper frequency, and by a sequential order by the desired delay for the suitable individual band- pass filter/igniter assembly.例文帳に追加

制御機は周波数の適切なシーケンスと、適切な個々の帯域通過フィルタ／点火器アセンブリの所望の遅延によるシーケンシャルオーダーで、所要の爆発を来たす遅延を伴う点火器に対するエネルギーを発生する。 - 特許庁

The disclosed host material has a large band gap potential and high energy excited triplet state, to emit a short wavelength phosphorescence by a guest material accompanied thereto.例文帳に追加

開示されたホスト材料は、大きなバンド・ギャップ・ポテンシャルおよび高エネルギー３重項励起状態をもつので、それに付随するゲスト材料による短い波長の燐光の放出が可能となる。 - 特許庁

The electromagnetic wave radiation element radiates the electromagnetic wave when an electron and hole pairs are recombined through the energy potential of impurities of a semiconductor, which is provided with inclined band gap areas.例文帳に追加

半導体の不純物のエネルギー準位を介して電子・正孔対が再結合するときに電磁波を放射する電磁波放射素子であり、半導体に傾斜バンドギャップ領域を設ける。 - 特許庁

The light absorbing layer 13B is formed of a p-type semiconductor layer having a band gap of energy smaller than or equivalent to the oscillation wavelength λ_0 and provided at the node of standing wave of the laser beam.例文帳に追加

光吸収層１３Ｂは発振波長λ_０に相当するエネルギー以下のバンドギャップを有するｐ型半導体からなり、レーザ光の定在波の節の位置に設けられている。 - 特許庁

A mat picture photographing device 18 measures energy discharged from a target and a background at a wavelength band of 14-15 mm where atmosphere damping is high and outputs a video signal for a mat picture.例文帳に追加

マット画像撮像装置１８は大気減衰の大きい波長帯１４−１５mmで目標及び背景から放出されるエネルギーを測定してマット画像のビデオ信号を出力する。 - 特許庁

The probe is capable of emitting electromagnetic radiation in a narrow wavelength band and/or capable of absorbing, scattering or diffracting energy when excited by an electromagnetic radiation source of narrow or broad bandwidth or by a particle beam.例文帳に追加

プローブは、狭い波長バンドの電磁放射線を放射し得、そして／あるいは狭いもしくは広いバンド幅の電磁照射供給源、または粒子線により誘発される場合、エネルギーを吸収、散乱、または回折し得る。 - 特許庁

To provide a laser oscillator using a sunlight excited semiconductor by which the sunlight can be used with a high efficiency by optimizing the inclination of an energy band gap in response to the spectrum intensity distribution of the sunlight.例文帳に追加

エネルギーバンドギャップの傾斜を、太陽光のスペクトル強度分布に対応して最適化させることにより、太陽光の高効率利用を図ることができる太陽光励起半導体を用いたレーザ発振装置を提供する。 - 特許庁

When light is propagated in photonic crystal having a periodic distribution of refractive indexes, light having energy corresponding to a photonic band is not propagated in the photonic crystal.例文帳に追加

屈折率の周期的な分布を持ったフォトニック結晶を光が伝播する場合、フォトニックバンドギャップに相当するエネルギーを有する光は、このフォトニック結晶中を伝播できない。 - 特許庁

A part of the electric energy converted by the solar cell panel 1 is supplied to a data demodulation circuit 6 through a band pass filter 5, and a demodulated information signal is inputted to the microcomputer 4.例文帳に追加

また、太陽電池パネル１で変換された電気エネルギーの一部がバンドパスフィルタ５を通じてデータ復調回路６に供給され、復調された情報信号がマイクロコンピュータ４に入力される。 - 特許庁

Due to no interposition of imaging means between an object A and a wavelength conversion plate 6, the influence on radiation having penetrated through the object A is reduced and radiation of a low energy band is appropriately detected.例文帳に追加

ここで、対象物Ａと波長変換板６との間には撮像手段が何ら介在していないため、対象物Ａを透過した放射線に与える影響が低減され、低エネルギー帯の放射線が好適に検出される。 - 特許庁

Even when the effective neutral base is enlarged by the increase of collector current, no energy barrier is formed in a conduction band at the heterointerface of the n-type single crystal SiGe layer and the p-type single crystal SiGeC layer.例文帳に追加

コレクタ電流の増加によって、実効的な中性ベースが拡大した場合でも、ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層とｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のヘテロ界面における伝導帯に、エネルギー障壁が発生しない。 - 特許庁

A multiphoton excitation type polarized electron beam generator has the cathode comprising the compound semiconductor, and a laser source for irradiating the cathode, and the wavelength of a laser beam is set from half to below the energy spread of a forbidden band of the compound semiconductor.例文帳に追加

化合物半導体で構成される陰極と、その陰極を照射するレーザ光源を持ち、そのレーザ光の波長が前記化合物半導体の禁止帯のエネルギー幅の０.５倍以上で１.０倍未満に設定されている。 - 特許庁

To enhance improvement effects on energy saving, low loss, low noise and reduction in size and weight, to improve productivity, to reduce the manufacturing cost and to eliminate redundant band materials.例文帳に追加

省エネルギ化，低損失化，低騒音化及び小型軽量化に対する改善効果をより高めるとともに、加えて生産性の向上及び製造コストの低減を図り、また、帯材の無駄を排除する。 - 特許庁

When a laser beam with a wavelength in a band of 10μm such as 10.6μm is used, the pulse width and the energy density are set so as to cover a region B between segments B_1 and B_2.例文帳に追加

また、波長が１０．６μｍなどの１０μｍ帯のレーザービームを用いる時には、線分Ｂ_１、Ｂ_２の間の領域Ｂを満たすようにパルス幅及びエネルギー密度を設定する。 - 特許庁

To improve the efficiency of electrical energy, and to prevent the contact between electrodes and a metal band.例文帳に追加

電解のための電気エネルギー効率向上を図ったうえ、電極と金属帯の接触を防止することができる電解効率に優れた金属帯の電解処理装置および電解処理方法を提供する。 - 特許庁

A light soure (lamp) 14 is provided in the reaction tank 11 and this light source 14 is set so as to emit light having energy of the band gap of the photocatalyst or more.例文帳に追加

反応槽１１には、光源（ランプ）１４を設け、この光源１４は、光触媒のバンドギャップ以上のエネルギを有する光を発するものである。 - 特許庁

To provide a solar battery having a high voltage characteristic by forming a compound semiconductor thin film between a light absorbing layer and a buffer layer, the semiconductor thin film having a large energy difference between the bottom of a conduction band and a Fermi level.例文帳に追加

光吸収層とバッファ層との間に、伝導帯の底とフェルミレベルとのエネルギー差が大きい化合物半導体薄膜を形成することによって、電圧特性が高い太陽電池を提供する。 - 特許庁

The presence of the buffer layer 5, having the intermediate energy band gap Eg1 significantly improves the current-voltage characteristics, and reduction in the operation voltage can be realized.例文帳に追加

この中間のエネルギーバンドギャップＥｇ１を有するＮ型ＡｌＧａＡｓバッファ層５の存在により、電流−電圧特性が著しく改善されて、動作電圧の低減を実現できる。 - 特許庁

As a result, at the area near the emitting edge of the resonator, a window structure in which band gap energy is acquired sufficiently larger than that at the center of the resonator can be formed on the basis of quantum size effect.例文帳に追加

その結果、共振器の出射端面付近には、量子サイズ効果に基づいてバンドギャップエネルギーが共振器の中央部よりも十分に大きく確保された窓構造を形成することができる。 - 特許庁

An energy band gap of the contact layer is greater than at least that of the photoelectric conversion layer, and the contact layer is lattice-matched with the photoelectric conversion layer.例文帳に追加

コンタクト層のエネルギーバンドギャップは少なくとも光電変換層のエネルギーバンドギャップより大きく、また、コンタクト層は光電変換層と格子整合している。 - 特許庁

To provide a GaN compound semiconductor light-emitting element which with a good active layer with low-band gap energy, provides stable light- emission with efficiency.例文帳に追加

バンドギャップエネルギの低い良質の活性層を備え、発光効率の高い安定な発光を得ることのできるＧaＮ系化合物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

A digital camera 1 is provided with a CL sensor having a spectral sensitivity at a wavelength band between B and G where the spectral energy of a fluorescent light is smaller in comparison with that of other wavelength bands in addition to B, G, R sensors.例文帳に追加

Ｂ、Ｇ、Ｒに加えて、蛍光灯の分光エネルギーが他の波長域と比較して小さくなるＢとＧとの間の波長域に分光感度を有するＣＬセンサをデジタルカメラ１に設ける。 - 特許庁

A reference picture photographing device 16 measures energy discharged from a target 2 and a background at a wavelength band of 8-13 mm, where atmosphere damping is low, and outputs a video signal for a reference picture.例文帳に追加

基準画像撮像装置１６は大気減衰の小さい波長帯８−１３mmで目標２及び背景から放出されるエネルギーを測定して基準画像のビデオ信号を出力する。 - 特許庁