| 例文 |
etching processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2381件
A process of etching an active component from the Si mechanism layer is included.例文帳に追加
Si機構層から活動部品をエッチングする工程を含む。 - 特許庁
To provide a via structure and a via etching process of forming the same.例文帳に追加
ビア構造とそれを形成するビアエッチングプロセスを提供する。 - 特許庁
To provide a silicon wet etching process using a parylene mask.例文帳に追加
パリレンマスクを用いたシリコン湿式エッチング方法を提供する。 - 特許庁
To improve a molybdenum etching process suitable for photomask fabrication.例文帳に追加
フォトマスク製作に適したモリブデンエッチングプロセスの改良を行う。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing an oxide thin film transistor element, wherein an etching process condition is optimized by using specific etching gas through a helicon plasma dry etching process and etching selectivity is improved.例文帳に追加
特定エッチングガスを使用してヘリコンプラズマ乾式エッチング工程を通じてエッチング工程条件を最適化し、エッチング選択性を向上させた酸化物薄膜トランジスタ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁
Plasma is generated in the etching area to convert the process gas into an etchant gas to realize the anisotropic etching process where etching rate is high, etching selection ratio of substrate vs. resist is high and micro-filling property is reduced.例文帳に追加
プラズマをエッチング領域に発生してプロセスガスをエッチングガスに変え、エッチング速度が高く、基板対レジストのエッチング選択率が高く、微小充填性を低減した異方性エッチング処理を実現した。 - 特許庁
Information in the manufacturing line 11 having at least a film-forming process, the exposure process and an etching process is obtained.例文帳に追加
少なくとも成膜工程、露光工程およびエッチング工程を有する製造ライン11内の情報を取得する。 - 特許庁
A manufacturing method includes a cleaning process, a sputtering process, an electroplating process, an etching process, and an electroless plating process.例文帳に追加
製造方法としては、洗浄工程Wと、スパッタリング工程Sと、電解メッキ工程EPと、エッチング工程Eと、無電解メッキ工程CPとからなる。 - 特許庁
In a process for manufacturing a recess-gate type FET, a recess etching process (S105) subjects it to an aqueous solution containing aqueous ammonia for selective etching with GaAs in wet-etching.例文帳に追加
リセスゲート型のFET製造工程において、リセスエッチングプロセス(S105)はアンモニア水を含む水溶液でウエットエッチングでGaAsの選択エッチング(リセスエッチング(S105))を行う。 - 特許庁
A first process difference between a resist dimension by a lithographic process and a process dimension by a dry etching process is calculated in a N-gate portion.例文帳に追加
N型ゲート部に対して、リソグラフィ工程によるレジスト寸法とドライエッチ工程による加工寸法との第1の加工差を算出する。 - 特許庁
To provide an etching method which is capable of easily and accurately detecting an end point of an etching process and carrying out etching with high accuracy.例文帳に追加
エッチング処理の終点を容易かつ正確に検出し、エッチング処理を高精度に行うことが可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁
To prevent the formation of a connection electrode with fault due to excessive etching by etching fluid in the etching process of a photo lithography method.例文帳に追加
フォトリソグラフィ法におけるエッチング工程時に、エッチング液による過食刻によって不良な接続電極が形成されるのを防止する。 - 特許庁
To provide an etching method capable of reducing a manufacturing cost compared to an etching process using acid.例文帳に追加
酸を用いたエッチング処理に比して製造コストを低減することができるエッチング方法を得ること。 - 特許庁
To provide a plasma etching method in which process control is facilitated and etching rate is highly uniform over the surface to be etched.例文帳に追加
プロセス制御が容易で、エッチングレートの面内均一性の優れたプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁
ETCHING LIQUID FOR CONTROLLING SURFACE PROFILE OF SILICON WAFER, AND PROCESS FOR PRODUCING SILICON WAFER USING THAT ETCHING LIQUID例文帳に追加
シリコンウェーハ表面形状制御用エッチング液及び該エッチング液を用いたシリコンウェーハの製造方法 - 特許庁
The remaining intermediate layer 6 is removed using a process of wet-etching to expose the etching-stop layer 5.例文帳に追加
その後、残存している中間層6をウェットエッチングによって除去し、エッチング停止層5を露出させる。 - 特許庁
To suppress etching liquid odor and to reduce the influence of light on the etching behavior in the process.例文帳に追加
エッチング液の臭気を低減し、かつエッチングの際のエッチング挙動に対する光の影響を低減する。 - 特許庁
In the first step of an etching process, a rough control step is carried out on the condition that an etching rate becomes comparatively high.例文帳に追加
エッチング過程の当初は、比較的エッチングレートが高くなる条件で粗調整ステップが実行される。 - 特許庁
The etching of the conductor film 3 which is the process object film is performed by etching using the mask pattern as a mask.例文帳に追加
被加工膜である導体膜3のエッチングは、当該マスクパターンをマスクにしてのエッチングにより行う。 - 特許庁
To make etching treatment where semiconductor such as silicon is dipped in etching liquid a process superior in controllability.例文帳に追加
シリコンなどの半導体をエッチング液に浸漬して行なうエッチング処理を制御性の良いプロセスとする。 - 特許庁
To obtain an etching method for excellently forming etching pits on aluminum foil even through a non-electrolytic process.例文帳に追加
アルミニウム箔に無電解によってもエッチングピットを良好に形成することができるエッチング方法を得る。 - 特許庁
Anisotropic etching (second process) having etching selectivity in a thickness direction is performed and a hole is prepared (c).例文帳に追加
厚さ方向にエッチング選択性を有する異方性エッチング(第2工程)を行って、穴を作成する(c)。 - 特許庁
The portable etching chamber facilitate a process for etching the MEMS substrate held therein.例文帳に追加
可搬式エッチングチャンバは、その中に収容されたMEMS基板をエッチングするための工程を容易にする。 - 特許庁
To form via-holes, each having a uniform depth, on a silicon by a reactive ion etching method, and to prevent the disappearance of a specific part of a protective film covering a silicon board in an etching process.例文帳に追加
反応性イオンエッチング法により、シリコン基板に深さが均一なビアホールを形成する。 - 特許庁
To provide a method for reducing wafer damage during an etching process.例文帳に追加
エッチングプロセス中にウェーハの損傷を低減する方法を開示する。 - 特許庁
The etching step may be performed by a dry process.例文帳に追加
前記エッチングステップがドライプロセスによって行われるものであってもよい。 - 特許庁
ETCHING DEVICE AND FABRICATION PROCESS OF SOLAR CELL ELEMENT EMPLOYING IT例文帳に追加
エッチング装置およびこれを用いた太陽電池素子の製造方法 - 特許庁
Then, the Si nitride film 3 and the Si oxide film 2 are subjected to an etching process.例文帳に追加
次いで、Si窒化膜3及びSi酸化膜2をエッチングする。 - 特許庁
ETCHING METHOD OF SILICON NITRIDE FILM IN MANUFACTURING PROCESS OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
半導体装置製造工程における窒化シリコン膜のエッチング方法 - 特許庁
To stably realize a high etching process performance at a high yield.例文帳に追加
高度なエッチングプロセス性能を高歩留まりで安定して実現する。 - 特許庁
To facilitate a dry-etching process for forming a contact hole.例文帳に追加
接触孔を形成するための乾式エッチング工程を容易にする。 - 特許庁
In the process, the isotropic etching does not attain to the second insulation film 22.例文帳に追加
この際、等方性エッチングは第2絶縁膜22には及ばない。 - 特許庁
The second dry etching process can be carried out using HCl gas.例文帳に追加
第2のドライエッチングはHClガスを用いて行うことができる。 - 特許庁
First, the linewidths of an etching pattern in the wafer surface of a wafer is measured, the wafer having been subjected to a photolithography process and then to an etching process.例文帳に追加
先ず、フォトリソグラフィー処理が終了し、その後エッチング処理が終了したウェハのエッチングパターンのウェハ面内の線幅を測定する。 - 特許庁
After finishing the photolithography process, move on to an etching process (treatment S4) wherein a wiring pattern is formed.例文帳に追加
フォトリソグラフィ工程終了後、エッチング工程に移行し(処理S4)、配線パターンを形成する。 - 特許庁
To provide a wafer to manufacture a crystal vibrator where process control for an etching process is facilitated.例文帳に追加
エッチング工程の工程管理の容易な水晶振動子を製造するためのウエハーの提供。 - 特許庁
A plasma etching apparatus 1 comprises a process chamber 2 and an evacuation system P which is connected to the process chamber 2.例文帳に追加
プラズマエッチング装置1は、処理室2と、処理室2に接続された排気装置Pとを備える。 - 特許庁
The method does not include a resist forming process or an etching process, and therefore the processes are simplified.例文帳に追加
この方法では、レジストの形成工程やエッチング工程がないため、工程が簡素化される。 - 特許庁
The process is, for example, a reverse sputtering process for physically etching the opening edge of the via hole by ion bombardment.例文帳に追加
例えばイオン衝撃でビアホール開口縁部を物理的にエッチングする逆スパッタ工程である。 - 特許庁
In this way, the etching process and the subsequent ashing process are continuously performed by one processor.例文帳に追加
このように、エッチング工程とその後のアッシング工程とを一つの処理装置で連続的に行う。 - 特許庁
A ferroelectric memory element is formed by removing the etching resistant mask TiN film 42a in a third dry etching process after a second dry etching process for removing deposit sticking on the etching resistant mask TiN film 42a by the first dry etching.例文帳に追加
第1のドライエッチングにより耐エッチングマスクTiN膜42a上に付着した析出物を除去する第2のドライエッチング工程を経て、第3のドライエッチング工程で耐エッチングマスクTiN膜42aを除去して、強誘電体メモリ素子を形成する。 - 特許庁
In a preferred forming process, the electrodeposition mold fabrication technology (e.g., selective deposition, bulk deposition, etching process and flattening process) and post deposition process (e.g., selective etching and/or final backfill process) are employed.例文帳に追加
好ましい形成プロセスでは、電着成型加工技術(例えば、選択的堆積、バルク堆積、エッチング作業、および平坦化作業)、及び、後堆積プロセス(例えば、選択的エッチング作業、および/または、裏込め作業)が用いられる。 - 特許庁
This process is not a conventional etching process for forming a capacitor structure but an extra process.例文帳に追加
このプロセスは、キャパシタ構造を形成するための従来の除去エッチング・プロセスではなく、追加的なことが特徴である。 - 特許庁
PROCESS FOR MANAGING ETCHANT FOR EPOXY RESIN CURED MATERIAL AND PROCESS FOR ETCHING EPOXY RESIN CURED MATERIAL USING THIS MANAGEMENT PROCESS例文帳に追加
エポキシ樹脂硬化物用エッチング液の管理方法およびその管理方法を用いたエポキシ樹脂硬化物のエッチング方法 - 特許庁
To provide a method for forming a wiring pattern which prevents the width of the wiring from increasing in an etching process, and prevents the wiring from corroding in a wet treatment process that follows the etching process.例文帳に追加
配線パターンの形成方法に関し、エッチング工程における配線幅の増大と、エッチング工程後のウエット処理工程における配線の腐食を防止する。 - 特許庁
In a first etching process, the surface of a crystal material is wet-etched using a first etching composite containing a buffered hydrofluoric acid as a main component to perform an etching process over a wide area by a required etching quantity.例文帳に追加
第1エッチング工程において、バッファード弗酸を主成分として含有する第1エッチング組成物を用いて水晶材料の表面をウエットエッチングし、広い範囲で必要なエッチング量だけエッチング加工する。 - 特許庁
In another method, the wafer is partitioned by applying an etching process engraving by etching a scribe line from the surface side of the wafer, and another etching process engraving the scribe line by etching from the rear side of the wafer to manufacture a plurality of semiconductor chips.例文帳に追加
若しくは、ウェハの表面側からスクライブラインを触刻するエッチング処理と、ウェハの裏面側からスクライブラインを触刻するエッチング処理とを行うことによりウェハを分割して複数の半導体チップを製造する。 - 特許庁
The thin-film forming zones 11 are composed of a cleaning process 4 and a thin-film forming process 5, the exposure zone 12 is composed of a resist coating process 6, an exposure process 7, and a development process 8, and the etching zones 13 are composed of an etching process 9 and a resist stripping process 10 respectively.例文帳に追加
薄膜形成ゾーン11は洗浄工程4及び薄膜形成工程5で、露光ゾーン12はレジスト塗布工程6、露光工程7及び現像工程8で、エッチングゾーン13はエッチング工程9及びレジスト剥離工程10でそれぞれ構成されている。 - 特許庁
Then a second process difference between a resist dimension by a lithographic process and a process dimension by a dry etching process is calculated in a P-gate portion.例文帳に追加
次に、P型ゲート部に対して、リソグラフィ工程によるレジスト寸法とドライエッチ工程による加工寸法との第2の加工差を算出する。 - 特許庁
In the etching process, the end point of the etching is controlled based on the result obtained by measuring the etching depth of the silicon substrate by an optical microscope.例文帳に追加
エッチング工程では、光学顕微鏡によりシリコン基板のエッチング深さを測定した結果に基づいて、エッチングの終点を管理する。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|