「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method for manufacturing an etching foil for an electrolyte capacitor, which includes a plurality of steps of etching process in an etching liquid containing chlorine ions with respect to an aluminum foil, an immersion step of immersing the aluminum foil in an ethylene glycol aqueous solution having a concentration of 10.0 to 60.0 wt.% is provided between respective steps of etching process.例文帳に追加

アルミニウム箔に対して、塩素イオンを含むエッチング液中でのエッチング工程を複数段有する、電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法において、各段のエッチング工程の間に、濃度１０．０〜６０．０ｗｔ％のエチレングリコール水溶液に浸漬させる浸漬工程を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a semiconductor device having a fin structure which comprises a step of etching a silicon substrate with a recess gate mask, and performing a selective etching process on a device isolation film having a double oxide film structure with a rapid oxide film etching speed and a slow oxide film etching speed to form the fin structure, thereby simplifying the process and maximizing a current driving operation.例文帳に追加

リセスゲートマスクを利用してシリコン基板を食刻し食刻速度の速い酸化膜と、食刻速度の遅い酸化膜の二重酸化膜構造の素子分離膜に対し選択的食刻を行いフィン構造を形成することにより、工程を単純化し電流駆動能力を最大化する。 - 特許庁

Before being sent back to a load lock chamber 13, a silicon substrate 11 completed in an etching process in an etching chamber 16 is carried to a post-processing chamber 20 provided independently from the etching chamber 16 and subjected to plasma treatment thus removing chlorine remaining on each silicon substrate 11 after ending the etching process.例文帳に追加

エッチングチャンバ１６でエッチングプロセスを終了したシリコン基板１１をロードロックチャンバ１３に返送するに先だって、エッチングチャンバ１６とは別途に設けた後処理用チャンバ２０に搬送してプラズマ処理することにより、エッチングプロセス終了後の各シリコン基板１１上に残留した残留塩素を除去する。 - 特許庁

Next, in a second etching process, the surface of the crystal material is wet-etched using a second etching composite containing a hydrofluoric acid a main component to remove protrusions by anisotropic etching caused by crystal orientation which are formed on the surface of the crystal material in the first etching process, thus smoothing the surface.例文帳に追加

次にこの水晶材料の表面を、第２エッチング工程において、弗化水素酸を主成分として含有する第２エッチング組成物を用いてウエットエッチングし、第１エッチング工程で水晶材料表面に形成される、結晶方位に起因した異方性エッチングによる突起を除去して平滑化する。 - 特許庁

A film forming process of supplying a processing gas into a vacuum processing chamber 2, generating decomposition seeds through a heating catalyst 6, and depositing a deposit on a board 5, an etching process of dry- etching a thin film, and a cleaning process of cleaning the inside of the chamber are carried out.例文帳に追加

真空のプロセスチェンバー２内にプロセスガスを供給し、加熱触媒体６により分解種を生成して、基板５上に堆積物を堆積する成膜プロセス、薄膜をドライエッチングするプロセス又はチェンバー内をクリーニングするプロセスを実施する。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device for performing lithography processing and etching processing for a plurality of semiconductor wafers included in each of a plurality of lots comprises an etching condition setting process, a correlation relation acquiring process, and a feedback processing process.例文帳に追加

複数のロットのそれぞれが含む複数の半導体ウェハに対して、リソグラフィ処理及びエッチング処理を行う半導体装置の製造方法であって、エッチング条件設定工程、相関関係取得工程及びフィードバック処理工程を備えている。 - 特許庁

An impurity 12, which determines the etching rate on the surface of a metal film 11 which is an etched film on a wafer 10 that is formed in a film-forming process, is ion-implanted in advance, in an impurity implantation process before the etching process.例文帳に追加

成膜工程にて形成されるウェハ１０上の被エッチング膜である金属膜１１の表面に対するエッチングレートを律速するような不純物１２を、エッチング工程前の不純物注入工程にて予めイオン注入しておくようにする。 - 特許庁

In an etching process for etching an etching ground on a Si film by bringing SF_6 gas into the plasma state, this process comprises two steps: a large-quantity supplying step for supplying a large quantity of SF_6 gas; and a small-quantity supplying step for supplying a small quantity of SF_6 gas.例文帳に追加

ＳＦ_６ガスをプラズマ化してＳｉ膜上のエッチンググランドをエッチングするエッチング工程において、これを、多量のＳＦ_６ガスを供給する多量供給工程と、少量のＳＦ_６ガスを供給する少量供給工程との二工程から構成する。 - 特許庁

Due to this, as the etching process advances at normal temperatures, thermal damages of the MTJ layer can be prevented, and the by-product of the etching process is volatile, therefore, excellent etching can be achieved without re-deposition of the by-product to the sides of the MTJ layer.例文帳に追加

本発明によれば、常温でエッチング工程が進みＭＴＪ層の熱的損傷を防止し、加えてエッチング工程の副生成物は揮発性を有するため、ＭＴＪ層の側面に前記副生成物が再蒸着されず良好なエッチングが得られる。 - 特許庁

By conducting plasma-etching process, materials are removed from the substrate, at least at the apertures.例文帳に追加

プラズマ・エッチング・プロセスを実施することによって、少なくとも開口において、材料が基板から除去される。 - 特許庁

The support film 6 can also play a role of protecting conductive bumps 5 in an etching process.例文帳に追加

さらに、支持フィルム６はエッチング工程において導電性バンプ５を保護する役割を兼ねることができる。 - 特許庁

An anisotropic etching process carried out by the use of a magnetron etching device and an ashing process for removing a fluorocarbon polymer 14 produced in the above etching process are repeatedly carried out three times or so, by which a contact hole 13 is provided to the interlayer insulating film 9 so as to extend to a source/ drain region 6.例文帳に追加

多結晶Ｓｉ膜１０および内壁膜１２ａをマスクとして、マグネトロンエッチング装置を用いた異方性エッチングと、このエッチングで生じたフロロカーボンポリマー１４を除去するアッシングとを３回程度繰り返し行うことにより、層間絶縁膜９にソース／ドレイン領域６に達するコンタクトホール１３を形成する。 - 特許庁

An injection-molded recess and protrusion pattern surface of a resin stamper is subjected to a dry etching process for surface treatment.例文帳に追加

射出成形された樹脂スタンパーの凹凸パターン面をドライエッチングプロセスに供し、表面処理を行う。 - 特許庁

To realize a sacrificial layer of silicon oxide film having a large etching rate in a manufacturing process of microstructures.例文帳に追加

マイクロ構造体の製造工程において、エッチングレートの大きなシリコン酸化膜の犠牲層を実現する。 - 特許庁

The plasma etching method is to etch the base material to be processed by repeating alternately the deposition step S09 by a deposition gas and the etching step S11 by an etching gas, and intervenes an exhaust process providing exhaust steps S10, S13 for exhausting a process gas once when the process gas is switched.例文帳に追加

このプラズマエッチング法は、デポジッションガスによるデポジッション工程Ｓ０９とエッチングガスによるエッチング工程Ｓ１１とを交互に繰り返すことで被加工基材をエッチングするものであり、プロセスガスを切り替える際に一旦そのプロセスガスを排気する排気工程Ｓ１０，Ｓ１３を設けた排気工程を介在させた。 - 特許庁

A method of manufacturing magnetic heads includes: a process for etching a non-magnetic layer 43P, such that an initial groove including the first portion is formed in the non-magnetic layer 43P; a process for forming an initial groove mask 54 covering the first portion; and a second etching process for etching the non-magnetic layer 43P, such that the groove section is completed.例文帳に追加

磁気ヘッドの製造方法は、非磁性層４３Ｐに第１の部分を含む初期溝が形成されるように非磁性層４３Ｐをエッチングする工程と、第１の部分を覆う初期溝マスク５４を形成する工程と、溝部が完成するように非磁性層４３Ｐをエッチングする第２のエッチング工程を含んでいる。 - 特許庁

To provide a method of etching a ferroelectric substrate that suppresses cracking of the substrate during a process.例文帳に追加

プロセス中の基板の割れを抑制することができる強誘電体基板のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

DRY ETCHING DEVICE EXHAUST ELECTRODE AND PROCESS CHAMBER OF FETCHING DEVICE FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

乾式エッチング装置用排気エレクトロ—ド及び半導体装置製造用乾式エッチング装置の工程チャンバ— - 特許庁

Then, an etching process is completed, when the polysilicon layer 103 is exposed completely.例文帳に追加

そして、ポリシリコン層１０３が完全に露出した状態となった時点でエッチング工程を終了する。 - 特許庁

SELECTIVE ETCHING PROCESS FOR CUTTING AMORPHOUS METAL SHAPE, AND COMPONENT MADE THEREBY例文帳に追加

非晶質金属形状を切断するための選択的エッチングプロセスおよびそれから作られた構成要素 - 特許庁

This is equivalent to a trench structure at high aspect ratio, and as compared with a trench etching process, it is damage-free.例文帳に追加

これは高アスペクト比のトレンチ構造に相当し、トレンチエッチング工程と比較してダメージフリーである。 - 特許庁

A treatment gas to be used for film deposition or etching process or the like is introduced into the treatment chamber 11.例文帳に追加

成膜処理あるいはエッチング処理等に使用する処理用ガスを処理室１１内に導入する。 - 特許庁

This wiring forming method is provided with a process for preparing a substrate wherein fine dimples are formed on the surface, a process for plating the surface of the substrate in plating liquid, and a process wherein a plating film formed on the surface of the substrate is subjected to electrolytic etching in etching liquid containing additive which acts as etching promoter.例文帳に追加

表面に微細窪みを形成した基板を用意する工程と、前記基板の表面にめっき液中でめっきを施す工程と、前記基板の表面に形成されためっき膜をエッチング促進剤として機能する添加剤を含有したエッチング液中で電解エッチングする工程とを有する。 - 特許庁

As a result, the plating film of the through hole is not affected by etching in a succeeding process or the like.例文帳に追加

これにより，貫通穴のめっき皮膜は後工程でのエッチング等の影響を受けることがない。 - 特許庁

To obtain a quantum well type infrared sensor in which controllability of machining is enhanced in dry etching process.例文帳に追加

量子井戸型赤外線光センサに関し、ドライエッチング工程における加工制御性を改善する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a circuit board which effectively improves positioning accuracy in laser etching process.例文帳に追加

レーザーエッチング過程の位置決め精度を有効に向上させる回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

When manufacturing the semiconductor device, having the hollow structure by etching of sacrificial layer, a vent hole for ventilating etching gas is formed in the sacrificial layer, and with the sacrificial layer left in a hollow part, a dicing process of a wafer, a dice bond process and a wire bond process are executed, and then the sacrificial layer is removed by etching.例文帳に追加

犠牲層エッチングによって中空構造を有する半導体装置を製造するに際して、犠牲層にエッチングガスを通気するための通気孔を形成し、中空部分に犠牲層を残したまま、ウエハのダイシング工程、ダイスボンド工程、ワイヤーボンド工程を実行した後に、犠牲層をエッチングによって除去する。 - 特許庁

SELECTIVE ETCHING PROCESS OF SILICON NITRIDE THIN FILM AND INDIUM OXIDE THIN FILM FOR FERROELECTRIC RAM DEVICE APPLICATION例文帳に追加

ＦｅＲＡＭデバイスアプリケーションのための窒化シリコン薄膜および酸化インジウム薄膜の選択的エッチングプロセス - 特許庁

To electroless-etch an aluminum foil when roughening the aluminum foil for an electrolytic capacitor through an etching process.例文帳に追加

電解コンデンサ用アルミニウム箔をエッチングによって粗面化する際に、無電解でのエッチングを可能にする。 - 特許庁

After a semiconductor thin film is patterned to the shape of a resistor by the etching process, impurity is injected.例文帳に追加

半導体薄膜を抵抗体の形状にエッチングによりパターニングした後、不純物を注入する。 - 特許庁

The hydroxylated and hydrophilic surface of the implant is obtained by electrolytic or chemical etching process.例文帳に追加

ヒドロキシル化された親水性表面が、電解又は化学エッチング法によって得られたものであるインプラント。 - 特許庁

In the case of an isotropic etching process, meanwhile, mixed gas including at least oxygen gas is introduced.例文帳に追加

一方、等方性エッチング処理を行う場合、少なくとも酸素ガスを含む混合ガスを導入する。 - 特許庁

The method for manufacturing the vapor deposition mask includes forming a hole 25 in a sheet made from a metal 34 through an etching process.例文帳に追加

蒸着マスクの製造方法において、エッチングにより金属製シート３４に孔２５が形成される。 - 特許庁

The antireflection film is left as it is in an etching process for forming a gate electrode.例文帳に追加

また、ゲート電極を形成するためのエッチング工程時には反射防止膜がそのまま残るようにする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device in which an electrochemical etching process can be performed stably.例文帳に追加

電気化学エッチングプロセスを安定して行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To favorably modify a resist film prior to an etching process of an antireflection film where the resist film is set as a mask.例文帳に追加

レジスト膜をマスクとした反射防止膜のエッチング工程の前に、良好にレジスト膜を改質する。 - 特許庁

Therefore, the semiconductor layer is not damaged in the process for enhancing conductivity and the etching process to improve its reliability.例文帳に追加

従って、高導電率化工程及びエッチング工程のいずれにおいても半導体層はダメージを受けることがないため信頼性が向上する。 - 特許庁

To reduce defects generated in an etching process and a wiring material embedding process, in a region where the transfer of a pattern by a template is not performed.例文帳に追加

テンプレートによるパターンの転写を行わない領域においてエッチング工程や配線材料埋め込み工程で生じる欠陥を低減する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a metal circuit which has a low electric resistance value and is stable without performing a conventional photo process nor a conventional etching process.例文帳に追加

従来のフォトプロセス及びエッチングプロセスを行わず、電気抵抗値が低く、且つ安定的な金属回路の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can simplify a photolithography process and an etching process in a dual damascene method.例文帳に追加

デュアルダマシン法において、フォトリソグラフィー工程、エッチング工程を簡略化することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a process S105, an insulation film mask is used for performing plasma etching to the epitaxial substrate to process a plurality of III-V compound semiconductor films.例文帳に追加

工程Ｓ１０５では、絶縁膜マスクを用いてエピタキシャル基板のプラズマエッチングを行って、複数のIII−Ｖ化合物半導体膜を加工する。 - 特許庁

Consequently, an ink supply chamber shallower than the ink pressure chamber can be formed simultaneously by single patterning process and single etching process.例文帳に追加

この結果、１回のパターニング工程および１回のエッチング工程により、インク圧力室よりも浅いインク供給室を同時に形成できる。 - 特許庁

In copper deposition processes, a sputter etching process 162 of deposited copper whose deposition is carried out in a same sputter chamber is performed following a sputter deposition process 160 of copper.例文帳に追加

同じスパッタチャンバ内で実行される堆積された銅のスパッタエッチング１６２が、銅のスパッタ堆積１６０の後に続いて実行される。 - 特許庁

A dry etching process, constituted of a process for dry-etching the upper electrode film 10 by using a condition that the adhesion 14 of a reaction product to the sidewall of the photoresist mask 5, and a process subjecting the ferroelectric film 11 to dry etching by condition that the reaction product does not adhere to the sidewall of the photoresist mask, when a ferroelectric film single layer is subjected to dry etching is performed.例文帳に追加

フォトレジストマスク５側壁への反応生成物の付着１４が発生する条件を用いて上部電極膜１０のドライエッチングを行う工程と、強誘電体膜単層のドライエッチング時にフォトレジストマスク側壁に反応生成物の付着が発生しない条件により強誘電体膜１１のドライエッチングを行う工程からなるドライエッチングプロセスを行う。 - 特許庁

With respect to an etching process in which a polycrystalline silicon layer 12 formed on a semiconductor silicon wafer 10 is patterned in accordance with a resist pattern 13, plasma of a mixed gas containing SF_6 for isotropic etching and HBr for anisotropic etching is utilized for an etching gas species.例文帳に追加

半導体シリコンウェハ１０上の多結晶シリコン層１２をレジストパターン１３に従ってパターニングするエッチング工程に関し、エッチング用のガス種に、等方性エッチング用としてのＳＦ_6と、異方性エッチング用としてのＨＢｒとを含む混合ガスのプラズマを利用する。 - 特許庁