「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

As the forming method, an Al film is formed with the sputtering process from aluminum (Al) as an electrode material and this film is changed to an electrode pattern with the dry etching process.例文帳に追加

形成方法は、電極材料であるＡｌをスパッタ処理によりＡｌ膜を形成し、リソグラフィ、ドライエッチング処理により電極パターンにする。 - 特許庁

Next, after the pn junction is divided with the dicing process, the etching process is conducted using the etchant formed of the mixtured liquid of sulphuric acid + aqueous solution of hydrogen peroxide + water.例文帳に追加

次に前記ｐｎ接合をダイシングにより分断後、硫酸＋過酸化水素水＋水の混合液よりなるエッチング液を用いてエッチング処理する。 - 特許庁

To provide a photomask blank and a method for manufacturing a photomask in which sufficient process accuracy with low dependence of pattern density is obtained in an etching process.例文帳に追加

エッチング加工時にパターンの粗密依存性が低い十分な加工精度を得ることのできるフォトマスクブランクとフォトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To achieve a process without overetching or insufficient etching and a process with high accuracy in surplus defect correction of a photomask by using atomic force microscope techniques.例文帳に追加

原子間力顕微鏡技術を用いたフォトマスクの余剰欠陥修正でオーバーエッチや削り残しのない加工や高精度な加工を実現する。 - 特許庁

It further includes a power feeding layer forming process of forming a metal power feeding layer on the resist and the electrode; after the power feeding layer formation process a plating formation process of performing plating formation on the power feeding layer in contact with the electrode; and after the plating formation process a power feeding layer etching process of etching the power feeding layer leaving a portion which should become the electrode.例文帳に追加

該レジストと該電極上に、金属である給電層を形成する給電層形成工程と、 該給電層形成工程後、該電極と接する該給電層上にめっき形成を行うめっき形成工程と、 該めっき形成工程後、該電極となるべき部分を残して該給電層をエッチングする給電層エッチング工程とを備える。 - 特許庁

The etching method includes a process (a) of etching the material containing silicon using the gas plasma containing halogen atoms other than fluorine, a process (b) of dry cleaning the interior of the reaction chamber using the gas plasma containing fluorine after the above process (a), and a process (c) of generating oxygen plasma within the above reaction chamber and performing plasma treatment immediately after the above process (b).例文帳に追加

エッチング方法は、（ａ）反応室内で、シリコンを含む材料を弗素以外のハロゲン元素を含むガスプラズマを用いてエッチングする工程と、（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記反応室内を弗素を含むガスプラズマを用いてドライクリーニングする工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）の直後に、前記反応室内で酸素プラズマを発生させ、プラズマ処理する工程とを含む。 - 特許庁

With the above process, the cap layer 112 is exposed on a region other than a region on which the etching mask 118 is coated.例文帳に追加

この工程によって、エッチングマスク１１８が被覆している以外の領域にキャップ層１１２が露出する。 - 特許庁

To provide an etching method by which a fine pattern is formed by a simple process.例文帳に追加

本発明は、微細なパターンを単純な工程で形成し得るエッチング方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which can control a variation caused by a fluctuation of an etching process.例文帳に追加

エッチングプロセスのゆらぎによるばらつきを抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide wiring structure that can prevent charging damages in a plasma process such as reactive ion etching(RIE), etc.例文帳に追加

ＲＩＥ等のプラズマ工程におけるチャージングダメージを防止することが可能な配線構造を提供する。 - 特許庁

Then, an anisotropic etching process is carried out as far as the first nitride film 3 to provide a first opening 6.例文帳に追加

次に、第１の窒化膜３の領域に達するまで異方性エッチングを行い、第１の開口部６を設ける。 - 特許庁

A process of forming via holes 8, 9 on the laminate structure 20 is executed by combining first and second dry etching.例文帳に追加

積層構造２０にビアホール８、９を形成する工程は、第１及び第２ドライエッチングを組み合わせて行う。 - 特許庁

Then the first conductive plating film in the detection area is removed by performing an etching process on the substrate.例文帳に追加

そして該基板に対してエッチング工程を行ない、検出領域内の第１導電性めっき膜を除去する。 - 特許庁

To measure the width of a mask pattern for etching fast nondestructively without contacting, especially, during a process.例文帳に追加

エッチング用のマスクパターン幅を、非接触、非破壊、高速で測定でき、特に、プロセス中に測定できるようにする。 - 特許庁

Temperature lowering of the heater board process is attempted by using plasma CVD SiN and SiON films as an etching stopping layer.例文帳に追加

エッチングストップ層として、プラズマＣＶＤのＳｉＮおよびＳｉＯＮ膜を用いて、ヒーターボードプロセスの低温化を図る。 - 特許庁

To reduce dispersion of surface treatment (such as etching) in a substrate surface in a dry process using a reactive gas.例文帳に追加

反応性ガスを用いたドライプロセスにおいて、基板面内での表面処理（エッチングなど）のばらつきを低減する。 - 特許庁

Therefore, the manufacturing process of the device can be simplified, and the device can be refined by adopting the dry etching.例文帳に追加

そのことで、本発明では、製造工程の簡略化、ドライエッチイングを採用することでの微細化を実現できる。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method of high precision graze etching in a simple constitution and process.例文帳に追加

簡単な構成及び工程で高精度エッチングを実現可能なグレーズエッチング装置及びグレーズエッチング方法を得る。 - 特許庁

The dry etching process is carried out by using a chlorine-based gas substantially containing no oxygen.例文帳に追加

前記ドライエッチング処理は、例えば酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理である。 - 特許庁

This method relates to a process of transferring a thin film device formed on a substrate to an arbitrary support after substrate etching.例文帳に追加

基板上形成された薄膜デバイスを、基板エッチング後に任意の支持体へ転写するプロセスに関する。 - 特許庁

To circumvent etching damage when forming a high voltage transistor without forming a protective film by another process.例文帳に追加

高耐圧トランジスタを形成する際のエッチングダメージを、別工程による保護膜を形成することなく回避する。 - 特許庁

To remove a residue simply and effectively by eliminating a decline in tact taken for a residue removing process after dry etching.例文帳に追加

ドライエッチング後の残渣除去工程にかかるタクトの低下をなくして簡便かつ効果的に残渣を除去する。 - 特許庁

To achieve an accurate depth in the control method of an etching depth applied to the manufacturing process of a semiconductor.例文帳に追加

半導体の製造プロセスに適用される食刻深度の制御方法であって、精確な深度を達成する。 - 特許庁

To provide an iridium etching process for use in FeRAM exhibiting high selectivity to a hard mask and a lower layer.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭ用途において、ハードマスクと下層とに対して選択性が高いイリジウムエッチングプロセスを提供する。 - 特許庁

To provide an aluminum material for electrolytic capacitor electrodes which can increase the effective area through the etching process.例文帳に追加

エッチングによって実効面積を増大させることが出来る電解コンデンサ電極用アルミニウム材を提供する。 - 特許庁

After a lithographic process is completed, the chromium film 2 is removed by using an etching solution for chromium.例文帳に追加

リソグラフィ工程が完了した後に、クロム膜２はクロム用エッチング溶液を用いて処理することにより除去する。 - 特許庁

To provide a glass system which behaves advantageously in the construction of a microstructure, especially in a process comprising reactive ion etching.例文帳に追加

微細構造構築時、特に反応性イオンエッチングの方法時に有利に挙動するガラス系を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device comprises: (a) a process of forming the contact hole (6) at an upper part inside an insulation layer 3 containing a silicon oxide by dry etching using a first etching gas containing an Xe gas, (b) and a process of deepening the contact hole 7 more inside the insulation layer 3 by dry etching using a second etching gas not containing the Xe gas.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、（ａ）Ｘｅガスを含む第１エッチングガスを用いたドライエッチングにより、酸化シリコンを含む絶縁層３内の上部にコンタクトホール（６）を形成する工程と、（ｂ）Ｘｅガスを含まない第２エッチングガスを用いたドライエッチングにより、絶縁層３内でコンタクトホール７をより深くする工程とを具備する。 - 特許庁

To provide a composition of etching liquid for conductor film assuring higher stability in processes and excellent economic processes for enabling effective etching of a conductor film without generation of residues after the etching process, suppressing generation of bubbles during the etching processes, and ensuring excellent solubility of indium oxalic acid.例文帳に追加

導電膜を効率よくエッチングすることが可能で、しかも、エッチング後に残渣を生じることがなく、かつ、エッチング時の発泡を抑制することが可能で、さらには、シュウ酸インジウムの溶解性が高く、操業安定性、経済性にも優れた導電膜用エッチング液組成物を提供する。 - 特許庁

To provide dry etching gas selectively etching a resist and underlying silicon while avoiding a reduction of an etching speed of a silicon oxide film, a silicon nitride film, and a silicon-containing film such as a silicon-containing low dielectric constant film in a manufacturing process of a semiconductor device; and to provide an etching method using the same.例文帳に追加

半導体デバイスの製造プロセスにおいて、シリコン酸化膜、窒化シリコン膜、シリコン含有低誘電率膜等のシリコン含有膜のエッチング速度の低下を防ぎ、レジストや下地のシリコンなどに対して、選択的にエッチングすることができるドライエッチングガス及びそれを用いたエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In the piezoelectric element forming process, even when the etching residue of the upper electrode film 83 is generated between the extracting electrodes 90, the etching residue of the upper electrode film 83 is separated by the etching, thereby holding an insulating state between the extracting electrodes 90 formed on the etching residue of the upper electrode film 83.例文帳に追加

圧電素子形成工程の際に、エッチング残り上電極膜８３が引出電極９０間に生じても、エッチング残り上電極膜８３がエッチングによって分断され、エッチング残り上電極膜８３に形成される引出電極９０間の絶縁を保つことができる。 - 特許庁

To provide an etchant for GaInP system compound semiconductor and an etching method which are treated easily, realize the etching at the etching rate which is relatively approximated to that of the etchant for the AlGaInP system and As system compound semiconductors, and obtain a resulting smooth and uniform surface after the etching process.例文帳に追加

手軽に取り扱うことができ、かつAlGaInP系およびAs系化合物半導体などのエッチング液と比較的近いエッチング速度でエッチングが行え、かつエッチング後に得られる表面が平滑かつ均一であるGaInP系化合物半導体用エッチング液およびエッチング方法の提供。 - 特許庁

A mask material is formed on the surface of a substrate consisting of silicone, the mask material is processed by anisotropic dry etching and anisotropic wet etching, and after processing a surface approximately parallel with a crystal surface orthogonal to the surface of the substrate by the anisotropic dry etching, a reflection surface is formed by the anisotropic wet etching process.例文帳に追加

シリコンからなる基板に、前記基板表面に対してマスク材を形成し、異方性ドライエッチングし、異方性ウエットエッチングし、前記基板表面に直交する結晶面と略平行な面を前記異方性ドライエッチングした後、前記異方性ウエットエッチング工程によって、反射面を形成する。 - 特許庁

To prevent re-attachment of a cathode material in consideration of etching process, in which the cathode for mounting an etching object is also etched and the cathode material is re-deposited on the etching object, when the etching object is etched by a plasma apparatus.例文帳に追加

プラズマ装置を用いて被エッチング物の表面をエッチングする際に、被エッチング物を載置している陰電極も同時にエッチングされ、この陰電極物質がイオン化して被エッチング物に付着する現象が起ることに鑑み、このような陰電極物質の再付着を防止する。 - 特許庁

To provide a technique capable of reducing the four processes of a key open photo process, a key open etching process, a photoresist removing process, and a subsequent cleaning process; and reducing a TAT (Total Around Time) and a manufacturing cost by skipping a conventionally used key open process.例文帳に追加

従来用いられていたキーオープン工程を省略することによりキーオープンフォト工程、キーオープンエッチング工程、感光膜除去工程及び後続洗浄工程の４段階を縮小することができ、ＴＡＴ（Total Around Time）及び製造原価を低減させる技術を示す。 - 特許庁

To achieve cost reduction while maintaining quality by reducing the number of processes by eliminating the necessity of any of a printing process of conductive paste or catalytic ink, a plating process, an etching process and a photolithographic process in manufacturing an electromagnetic shielding mesh.例文帳に追加

電磁波シールドメッシュを作製する際に、導電ペーストや触媒インキなどの印刷工程、めっき工程、エッチング工程、フォトリソ工程の何れの工程も不要として工程数を減らし、且つ品質を維持しつつ、低コスト化を図る。 - 特許庁

A method for forming wiring on a substrate comprises a process of preparing a copper substrate, a process of forming a copper-nickel layer on a portion of the copper substrate by plating, a process of bonding the copper substrate to a soft polyamide substrate, and a process of etching the copper substrate.例文帳に追加

基板に配線を形成する方法は、銅基板を用意すること、銅基板上の一部分に胴−ニッケル層をメッキすること、銅基板を軟ポリアミド基板に結合すること、および銅基板にエッチングをすることを含む。 - 特許庁

In this production control system, preparation of lots and members (reticles) and scheduling are controlled by aiming at a set of, for instance, an exposure process (anterior process) and an etching process (posterior process) within a plurality of processes and manufacturing devices of a line.例文帳に追加

本生産管理システムでは、ラインの複数の工程及び製造装置のうち例えば露光工程（先行工程）とエッチング工程（後行工程）の組を対象として、ロット及び部材（レチクル）の配膳及びスケジューリングを制御する。 - 特許庁

To provide a method for regenerating an etching waste liquid produced in a low-temperature etching process, which avoids blockage of a transportation path between a crystallization tank and an etching tank, without providing a special blockage-avoiding means between the tanks.例文帳に追加

晶析槽とエッチング槽との間に特殊な閉塞回避手段を付設することなく、両者間の移送路の閉塞を回避することができる低温エッチングにおいて生成したエッチング廃液を再生する方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a sensor of semiconductor structure at a low cost capable of preventing trouble such as insufficient etching or over etching in etching of a sacrificial layer and dispensing with complicated processes in a semiconductor sensor manufacturing process.例文帳に追加

半導体センサ製造工程において、犠牲層エッチング時の問題である、エッチング不足、もしくは過剰エッチングを防止すること、並びに複雑なプロセスを必要とせず、低コストで半導体構造を用いたセンサを製造すること。 - 特許庁

In an etching method of a silicon wafer, silicon wafers, having a process degenerated surface layer are sequentially impregnated with in an acid-etching solution having a chemical composition of a reaction rate limiting type including a hydrofluoric acid and a nitric acid fully stored in two to six etching tanks sequentially, and the wafers are etched.例文帳に追加

２〜６槽のエッチング槽に満たされたフッ酸及び硝酸を含む反応律速型の化学組成を有する酸エッチング液に加工変質層を有するシリコンウェーハを順次浸漬させてウェーハをエッチングする方法である。 - 特許庁

To provide a method for recovering cerium as high purity cerium ammonium nitrate capable of being used for preparing an etching reagent from waste liquid which is discharged from an etching process where chromium is etched with an etching solution containing cerium ammonium nitrate.例文帳に追加

硝酸セリウムアンモニウムを含むエッチング液でクロムをエッチングする工程から排出された廃液から、セリウムをエッチング液の調製に用い得る高純度の硝酸セリウムアンモニウムとして回収する方法を提供すること。 - 特許庁

A dry-etching method includes the process wherein oxygen is generated while dry-etching a tantalum film or a film containing tantalum as its main component which is the etched film formed on a substrate 100, and the dry-etching method is performed by using a gas containing boron.例文帳に追加

基板１００上に形成された被エッチング膜であるタンタル膜またはタンタルを主成分とする膜のドライエッチング中に酸素が発生する過程を含むドライエッチング方法であって、ドライエッチングはホウ素を含むガスを用いて行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor manufacturing apparatus, wherein etching finish point is set at high precision, even if an etching rate changes variously for high accuracy etching process with good reproducibility.例文帳に追加

エッチングレートが様々に変化してもエッチング終了点を高精度に設定することができ、高精度なエッチング処理を再現性良く行うことのできる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

The evaluation method of a semiconductor substrate includes a process in which a semiconductor substrate is submerged in an etching liquid filled in a vessel, a process in which the semiconductor substrate submerged in the etching liquid is irradiated with light through the etching liquid so that the semiconductor substrate emits photoluminescence light, and a process for observing the photoluminescence light that has been released.例文帳に追加

容器に満たされたエッチング液中に半導体基板を浸漬する工程、エッチング液中に浸漬されている半導体基板に対し、エッチング液を介して光を照射して、半導体基板によりフォトルミネッセンス光を放出させる工程、及び放出されたフォトルミネッセンス光を観察する工程を含む、半導体基板の評価方法。 - 特許庁