「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

DRY ETCHING RESIDUE REMOVING LIQUID FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS例文帳に追加

半導体製造プロセス用ドライエッチング残渣除去液 - 特許庁

Hot water is used for the washing process after the etching.例文帳に追加

また、エッチング後の洗浄工程に、温水を用いる。 - 特許庁

METHOD TO CONTROL CRITICAL DIMENSION IN ETCHING PROCESS例文帳に追加

エッチングプロセスにおける臨界寸法を制御する方法 - 特許庁

METHOD FOR QUANTITATIVELY ANALYZING MIXED ACID LIQUID IN ETCHING PROCESS例文帳に追加

エッチングプロセスにおける混酸液の定量分析方法 - 特許庁

an etching made by a process that makes it resemble a water color 例文帳に追加

水の色に似せるプロセスによって作られるエッチング - 日本語WordNet

Pt/PGO ETCHING PROCESS FOR USE IN FeRAM例文帳に追加

ＦｅＲＡＭ用途のためのＰｔ／ＰＧＯエッチングプロセス - 特許庁

PROCESS FOR ETCHING NICKEL ALLOY BY ELECTROCHEMICAL TECHNIQUE例文帳に追加

ニッケル合金の電気化学的手法によるエッチング加工 - 特許庁

METHOD OF SETTING ETCHING PROCESS CONDITIONS, AND CONTROL METHOD例文帳に追加

エッチングプロセスの条件出し方法および制御方法 - 特許庁

The above etching process is carried out using, for instance, a magnetic field-applied plane parallel plate dry etching device.例文帳に追加

このエッチングは、例えば磁場印加型平行平板ドライエッチング装置を用いて行う。 - 特許庁

THREE-DIMENSIONAL SHAPE MEASURING DEVICE, ETCHING CONDITION DETERMINATION METHOD, AND ETCHING PROCESS MONITORING METHOD例文帳に追加

立体形状測定装置、エッチング条件出し方法およびエッチングプロセス監視方法 - 特許庁

In some implementations, the etching may be performed by means of a reactive ion etching process.例文帳に追加

ある実施態様においては、エッチングは反応性イオンエッチングプロセスにより行うことができる。 - 特許庁

PLASMA ETCHING PROCESS OF Ir-Ta-O ELECTRODE AND CLEANING METHOD AFTER ETCHING例文帳に追加

Ｉｒ−Ｔａ−Ｏ電極のプラズマエッチングおよびエッチング後のクリーニングのための方法 - 特許庁

The preparation of the diaphragm includes a process for providing the substrate, a spin-coating process, a dehydration process, a masking process, and an etching process.例文帳に追加

ダイヤフラムの製造方法は、基板を提供する過程と、スピンコーティング過程と、脱水過程と、マスキング過程と、エッチング過程とからなる。 - 特許庁

As a means of installing the spacer 6, a printing process, a press molding process, an etching process, or a blast process are adopted.例文帳に追加

スペーサ６を立設させる手段としては、印刷処理、プレス成型処理、エッチング処理またはブラスト処理を採用する。 - 特許庁

To provide a resist ink for wet etching having good etching resistance even if an etching process is carried out under severe working conditions.例文帳に追加

より過酷なエッチング条件でエッチング加工してもエッチング耐性が良好なウェットエッチング用レジストインクを提供する。 - 特許庁

When etching the micro pipe using the resist as a masking material, etching is rinsed during process, and then etching is continued.例文帳に追加

続いてレジストをマスキング材としてマイクロパイプをエッチングする際、エッチング途中でリンスし、再びエッチングを続ける工程をとる。 - 特許庁

In the correlation relation acquiring process, there are performed in order a step of acquiring etching apparatus log in the etching process for each semiconductor wafer and measurement of the etching size.例文帳に追加

相関関係取得工程は、各半導体ウェハに対するエッチング処理におけるエッチング装置ログの取得、及び、エッチング寸法の測長を順に行う。 - 特許庁

Then, as the reflection preventing film, one whose etching rate is higher than that of the photoresist is used in the first etching process, and one whose etching rate is lower than that of the base substrate is used in the second etching process.例文帳に追加

そして、反射防止膜として、第１のエッチング工程ではフォトレジストよりもエッチングレートが高く、第２のエッチング工程では下地基板よりもエッチングレートが低いものを用いる。 - 特許庁

DRY ETCHING PROCESS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR INCLUDING THE SAME例文帳に追加

ドライエッチングプロセスおよびそれを含む半導体製造方法 - 特許庁

Accordingly, the etched quantity in an acid etching process is decreased.例文帳に追加

これにより、酸エッチ工程でのエッチング量が減少する。 - 特許庁

In the process (4), the active layer on the InP substrate is subjected to mesa etching.例文帳に追加

（４）ＩｎＰ基板上の活性層をメサエッチングする。 - 特許庁

A device including a body region is defined with an etching process.例文帳に追加

ボディ領域を含むデバイスを、エッチング・プロセスによって定める。 - 特許庁

CONCENTRATION MEASURING METHOD FOR ACID MIXED AQUEOUS SOLUTION IN ETCHING PROCESS例文帳に追加

エチングプロセスにおける混酸水溶液の濃度測定方法 - 特許庁

This spring can be easily manufactured by a single etching process.例文帳に追加

また、単一のエッチング工程によって容易に作製できる。 - 特許庁

WET ETCHING PROCESS OF PEROVSKITE FERRODIELECTRIC MATERIAL AND SOLUTION例文帳に追加

ペロブスカイト強誘電性材料のウェット・エッチング・プロセスと溶液 - 特許庁

ETCHING METHOD OF ORGANIC BASED INSULATING FILM AND DUAL DAMASCENE PROCESS例文帳に追加

有機系絶縁膜のエッチング方法およびデュアルダマシンプロセス - 特許庁

The anisotropic etching process and the isotropic etching process are alternately repeated to etch the color filter on the support member 32.例文帳に追加

異方性エッチング処理と等方性エッチング処理とを交互に繰り返して支持体３２上のカラーフィルタをエッチングする。 - 特許庁

First, the linewidths of an etching pattern of a wafer is measured, the wafer having been subjected to a photolithography process and then to an etching process.例文帳に追加

先ず、フォトリソグラフィー処理が終了し、その後エッチング処理が終了したウェハのエッチングパターンの線幅を測定する。 - 特許庁

The etching process is the process for forming a plurality of concave parts by etching a base material from above the resist film after the exposure/development process.例文帳に追加

エッチング工程は、露光・現像工程の後に、レジスト膜の上から母材をエッチングすることにより複数の凹部を形成する工程である。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises an etching process of carrying out an anisotropic etching of a silicon wafer 102 forming an etching mask by using alkali solution; and a breaking process of breaking a projection of the etching mask projecting against the opening 103 of the silicon wafer 102 so as to reside at the corner of the etching mask after the etching process.例文帳に追加

エッチングマスクを形成したシリコンウェハ１０２をアルカリ溶液を用いて異方性エッチングするエッチング工程と、エッチング工程の後に、エッチングマスクのコーナー部に位置するようにシリコンウェハの開口部１０３に対して突出するエッチングマスクの突出部を破断する破断工程と、を含む。 - 特許庁

Furthermore, profile of etching process can be adjusted with a low process pressure.例文帳に追加

さらには、低い工程圧力でエッチング工程のプロファイルを調節することができる。 - 特許庁

To provide an etching apparatus which can control generation of an etching product during the etching process and an method using the same etching apparatus.例文帳に追加

エッチング時に発生するエッチング生成物の発生を抑制することにできるエッチング装置およびその装置を用いたエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method of contact hole in which etching stop is not generated even if the aspect ratio increases due to progress of the etching process during the dry-etching of the contact hole.例文帳に追加

コンタクトホールをドライエッチングする際に、エッチングが進行してアスペクト比が増加してもエッチストップが生じないコンタクトホールのエッチング方法を提供する。 - 特許庁

A lamination process of laminating a quartz substrate 1 to a silicon substrate 2 whose etching rate is different from that of the quartz substrate 1, a polishing process of polishing the quartz substrate 1, a base etching process of etching the silicon substrate 2, and a quartz etching process of etching the quartz substrate 1 are included.例文帳に追加

水晶基板１と、水晶基板１とはエッチングレートが異なるシリコン基板２とを貼り合わせる貼合工程と、水晶基板１を研磨する研磨工程と、シリコン基板２をエッチングするベースエッチング工程と、水晶基板１をエッチングする水晶エッチング工程とを含むようにした。 - 特許庁

To provide a plasma etching process and a plasma etching system capable of exhibiting excellent controllability of a processing profile.例文帳に追加

加工形状の制御性に優れたプラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide an etching apparatus capable of reducing the occurrence of defects in an etching process.例文帳に追加

エッチング工程における不良の発生を減少させることができるエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide an etching device which can process an etching shape vertically to a wafer outer circumference.例文帳に追加

ウエハ外周までエッチング形状が垂直に加工することができるエッチング装置を提供する。 - 特許庁

The separation process includes selective etching for selectively etching the Si substrate 1.例文帳に追加

上記切り離し工程は、Ｓｉ基板１を選択的にエッチングする選択エッチングを含んでいる。 - 特許庁

To provide an etching process for minimizing the damage of etching on a ferroelectric layer.例文帳に追加

強誘電体層のエッチングによる損傷を最小限にするエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In the case of an anisotropic etching process, mixed gas of nitrogen and oxygen is used as the etching gas.例文帳に追加

異方性エッチング処理を行う場合、エッチングガスとして窒素と酸素との混合ガスを用いる。 - 特許庁

To provide a method for adjusting the characteristics of etching by switching the processing gases during the etching process.例文帳に追加

エッチング処理中に処理用ガスを切り替えて、エッチングの特性を調節する方法を開示する。 - 特許庁

The etching process (1A) is composed of a first etching stage in which the solution temperature of an etching solution is controlled to 60°C or more and a second etching stage in which the solution temperature of an etching solution is controlled to 25°C or less.例文帳に追加

エッチング工程（１Ａ）がエッチング液の液温が６０℃以上の第一エッチング工程と、エッチング液の液温が２５℃以下の第二エッチング工程とで構成されていること。 - 特許庁

To provide an etching processing apparatus and an etching processing method for fine-adjusting the etching process conditions so as to attain a desired finished dimension while suppressing variations in the pattern finish dimensions.例文帳に追加

エッチング処理条件を微調整して、パターン完成寸法のばらつきを押さえつつ所望の完成寸法を得る。 - 特許庁

The static eliminating process after an etching process for RIE is performed under the following condition.例文帳に追加

ＲＩＥのエッチング工程後に行われる除電処理を次に示す条件で行う。 - 特許庁

QUANTITATIVE ANALYSIS METHOD FOR MIXED LIQUID USED FOR METAL ETCHING PROCESS例文帳に追加

金属エッチングプロセスに用いる混酸液の定量分析方法 - 特許庁