「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

After an ion implantation process is carried out, the silicon nitride film 3 is removed by wet etching using a hot phosphoric acid.例文帳に追加

イオン注入後、熱燐酸によりウェットエッチングによりシリコン窒化膜３を除去する。 - 特許庁

To form a semiconductor layer thin while simplifying an etching process.例文帳に追加

本発明は、エッチングプロセスを簡略化して、半導体層を薄く形成することを目的とする。 - 特許庁

An etching-back process is done to remove the sacrificial layer 22 and a part of the dielectric layer 20.例文帳に追加

犠牲層２２と、誘電体層２０の一部とを除去する、エッチバック工程を行う。 - 特許庁

PROCESS FOR FORMING ETCHING RESISTANT RESIN LAYER AND METHOD FOR PRODUCING SHADOW MASK THEREWITH例文帳に追加

エッチング耐蝕樹脂層の形成方法及びそれを用いたシャドウマスクの製造方法 - 特許庁

To dispense with an etching process in forming a glaze layer on a thermal printing head.例文帳に追加

サーマルプリントヘッドにグレーズ層を形成する際に、エッチングプロセスを廃止できるようにする。 - 特許庁

The etching mask 26a is used to process the IrO2 film 18 and to form a bottom electrode 18a.例文帳に追加

エッチングマスクを用いてＩｒＯ_2 膜を加工し、下部電極１８ａを形成する。 - 特許庁

Additionally, this method enables continuous etching and regrowth so that a low cost process is achieved.例文帳に追加

また、エッチングおよび再成長を連続して行えるため、安価なプロセスが可能である。 - 特許庁

An etching process comprises a first step and a second step at least repeated once.例文帳に追加

エッチング処理は、少なくとも１回繰り返す第１のステップと、第２のステップを含む。 - 特許庁

A connection hole 7 is formed to apply an etching process on the insulating film 3.例文帳に追加

次に、この絶縁膜３に対してエッチング加工を施して接続孔７を形成する。 - 特許庁

Next, the first inter-layer insulation film is removed in the predetermined thickness from the entire part thereof with the etching process.例文帳に追加

次に、第１層間絶縁膜の全面をスパッタエッチングにより所定厚さ除去する。 - 特許庁

To enable etching process without needing hands by restraining generation of an imperfect lot of wafers.例文帳に追加

ウェーハのロット不良の発生を抑え、人手のかからないエッチングプロセスを可能にする。 - 特許庁

The via etching process forms a through substrate via having a round corner and a tapered sidewall profile.例文帳に追加

ビアエッチングプロセスは、丸角とテーパ型側壁プロファイルを有するスルーサブストレートビアを形成する。 - 特許庁

In addition, the flattening film of the seal attachment area B is removed by an existing etching process.例文帳に追加

その他、シール付設領域Ｂの平坦化膜を既存のエッチング工程により除去する。 - 特許庁

ETCHING PROCESS USING C4F8 FOR SILICON DIOXIDE AND CF4 FOR TITANIUM NITRIDE例文帳に追加

二酸化シリコンに対してＣ４Ｆ８及び窒化チタンに対してＣＦ４を用いるエッチング工程 - 特許庁

The metal mesh 13 has its opening 13a formed in hexagon by an etching process.例文帳に追加

金属メッシュ１３は、エッチング加工で開口部１３ａが六角形に形成されている。 - 特許庁

ETCHING PROCESS OF SINGLE MASK PT/PCMO/PT STACK TO BE APPLIED TO RRAM例文帳に追加

ＲＲＡＭに応用するための単一マスクＰＴ／ＰＣＭＯ／ＰＴスタックのエッチングプロセス - 特許庁

A second etching process of a semiconductor layer is performed on the condition that an inverted mesa is formed.例文帳に追加

半導体層の第２のエッチング工程は逆メサを形成する条件で行う。 - 特許庁

To provide a method for ensuring improved etching control in terms of semiconductor fabrication method containing an insulating film dry etching process.例文帳に追加

絶縁膜のドライエッチング工程を含む半導体装置の製造方法において、エッチング加工制御性を向上する手段を提供する。 - 特許庁

A dry etching step of a phase shifter film in a phase shift mask essentially comprises predicting an etching rate in the next process substrate by using a correlation between an average phase difference in a plasma current-voltage and the etching rate of the phase shifter film observed during the etching process and using changes in the phase difference output with time, and then setting an optimum etching time to carry out the etching process.例文帳に追加

位相シフトマスクに於ける位相シフター膜のドライエッチング工程に於いて、エッチング処理中に観測されるプラズマ電流−電圧間の位相差の平均値と位相シフター膜のエッチング速度の相関関係と位相差出力の経時変化とを用いて次回処理基板に於けるエッチング速度を予測し、然る後、最適エッチング時間を設定してエッチング処理を行なう過程が含まれてなることを基本とする。 - 特許庁

In the case that the resist material is condensed, resistance to etching is improved and insufficiency of a resist etching mask due to reduction of thickness of the resist pattern which occurs in the slimming process can be compensated for.例文帳に追加

レジストパターンを形成した後、所望の部分にDUVあるいは電子線を照射して選択的にレジストをスリミングする。 - 特許庁

A second trench 225b is formed by etching one portion of the insulation film by a third etching process with the hard mask pattern as a mask.例文帳に追加

前記ハードマスクパターンをマスクとした第３エッチング工程によって前記絶縁膜の一部をエッチングして第２トレンチ２２５ｂを形成する。 - 特許庁

Then, a resist pattern is formed in a lithography process and a groove is formed by dry-etching the organic thin film using the pattern as an etching mask.例文帳に追加

次いで、リソグラフィ工程によりレジストパターンを形成し、それをエッチングマスクとして、前記有機薄膜をドライエッチングして、溝を形成する。 - 特許庁

(2) In the manufacturing process of the Si chip 2, the Si chip 2 is formed by subjecting a silicon wafer acquired by the preceding process to each process such as etching, oxidation, diffusion, CVD or ion implantation.例文帳に追加

（２）Ｓｉチップ２の製造工程では、シリコンウェーハに、前工程により、エッチング、酸化、拡散、ＣＶＤ、イオン注入、等の工程を経て形成する。 - 特許庁

To provide a method for eliminating photo and etching process in a key forming process to prevent a misalignment in the following photo process.例文帳に追加

後続のフォト工程における誤整列を防止するためのキーの形成工程においてフォト及びエッチング工程を省略する方法を提供する。 - 特許庁

Then, the sealing process for plasma-etching (process 212) the device starts, when dimer powder is heated to a temperature of approximately 150°C to be vaporized into a gas (process 214).例文帳に追加

次いで、デバイスを、プラズマエッチングする２１２シーリング工程は、ダイマー粉末がガスへと気化する約１５０℃の温度まで加熱されるときに始まる２１４。 - 特許庁

To provide a plate making material which does not need a plating process, a grindstone polishing process, buff polishing process, a mirror processing process by buff polishing, an applied photosensitive membrane forming process, a development process, an etching process, and a resist peeling process by applying laser ablation and chromium plating to a coat and a plate making roll.例文帳に追加

被膜に対してレーザーアブレーションとクロムメッキを行うことにより、メッキ工程、砥石研磨工程、バフ研磨による鏡面加工工程、感光膜の塗布形成の工程、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程が不要である被製版材料及び被製版ロール。 - 特許庁

To provide a method for controlling the amount of etching in dry etching process that achieves high operating efficiency in simple apparatus structure, and can complete etching by a specific amount of etching accurately without limiting the quality of a workpiece, and to provide a dry etching apparatus.例文帳に追加

本発明は、簡単な装置構成で、高稼動率を実現し、被処理物の材質を限定せず、高精度に所定のエッチング量でエッチングを終了することができるドライエッチングのエッチング量制御方法及びドライエッチング装置を提供することにある。 - 特許庁

After the second process, the active layer 3 is exposed by etching the etching stopping layer 4 in the depth direction by using the mask (third process) and a gate electrode is formed on the active layer 3 by using the same mask (fourth process).例文帳に追加

しかる後、前記マスクを用いてエッチング停止層を深さ方向にエッチングして活性層を露出させ（第３の工程）、次いで前記マスクを用いて活性層上にゲート電極を形成する（第４の工程）。 - 特許庁

A first etching process is used to form a first trench 226, and a second etching process or an oxidation process is used to form a second trench 228 under the first trench 226.例文帳に追加

第１のエッチングプロセスが、第１のトレンチ部分２２６を形成するために用いられ、第２のエッチングプロセスまたは酸化工程が、第１のトレンチ部分２２６の下に第２のトレンチ部分２２８を形成するために用いられる。 - 特許庁

To accurately monitor the degree of progress of an etching process, set the etching time of each vessel to the adequate condition in accordance with an increase in the impurity concentration of an etchant, improve the accuracy of the etching process, and effectively utilize the etchant.例文帳に追加

エッチングの進行度合いを正確に監視して、エッチング液の不純物濃度の増大に応じて、各槽でのエッチング時間を適正な状態に設定でき、エッチング処理の精度を向上させ、かつエッチング液を有効に活用する。 - 特許庁

The etching method includes: a liquid arrangement process for disposing an etching liquid activated chemically by irradiation of light on the body to be treated; and a light irradiation process for applying the light to an interface between the body to be treated and the etching liquid.例文帳に追加

光の照射を受けて化学的に活性化するエッチング液を被処理体上に配置する液配置工程と、前記被処理体と前記エッチング液との界面に前記光を照射する光照射工程とを含む。 - 特許庁

And, it has a process which makes the graphene sheet exfoliate into an etching solution by wet etching the surface of substrate in contact with the graphene sheet, and a process which sticks the graphene sheet which was exfoliated into the etching solution on an object.例文帳に追加

そして、グラフェンシートと接触している基板の表面を、ウエットエッチングして、グラフェンシートをエッチング溶液中に剥離させる工程と、エッチング溶液中に剥離したグラフェンシートを、対象物上に貼り付ける工程とを有する。 - 特許庁

The processing method of semiconductor silicon wafer comprises a polishing process for polishing the surface of semiconductor wafer to the mirror-surface, an evaluation process for evaluating the flatness of a semiconductor wafer polished in the polishing process, an etching process for etching semiconductor wafer determined as defective in the flatness in the evaluation process using an alkali solution, and a re-polishing process for re-polishing the semiconductor wafer which etched in the etching process.例文帳に追加

半導体ウェーハの表面を鏡面研磨する研磨工程と、この研磨工程において研磨された半導体ウェーハの平坦度を評価する評価工程と、この評価工程により平坦度が不良と判定された半導体ウェーハをアルカリ溶液でエッチングするエッチング工程と、このエッチング工程によりエッチングされた半導体ウェーハを再研磨する再研磨工程とを有する半導体ウェーハの加工方法。 - 特許庁

Thus, the etching end point can accurately be detected on the basis of the light emission intensity data in the intermediate time zone of the etching process, which accurately reflects the etching progress state.例文帳に追加

エッチング進行状態を正確に反映している、エッチング工程の中間時間帯の発光強度データを基に判定することで、正確にエッチング終点を検出することができる。 - 特許庁

To solve the problem of the conventional passivation method in the vicinity of a semiconductor bonding pad that, whichever the etching time of a polyimide film 38 is long or short, it causes a trouble in wire bonding, and the margin of the etching time is small in the etching process of the polyimide film 38, failure rate is high.例文帳に追加

従来の半導体のボンディングパッド付近のパッシベーション方法は、ポリイミド膜３８のエッチング時間が長くても短くてもワイヤボンディングに支障をきたす。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing electrode foil for electrolytic capacitor, in which anions sticking on etching foil can be removed while an etching foil surface layer is prevented from being dissolved after an etching process.例文帳に追加

エッチング工程後、エッチング箔表層の溶解を防止しながら、エッチング箔に付着しているアニオンを除去することのできる電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching device capable of reducing particles generated during etching process in an inductive coupling type plasma etching device, and the cleaning method of the device.例文帳に追加

誘導結合型のプラズマエッチング装置において、エッチング処理中に発生するパーティクルを低減することができるプラズマエッチング装置及び当該装置のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method, which can shorten the time required for etching process by suppressing the deterioration of an etching rate during etching processing.例文帳に追加

エッチング処理中におけるエッチングレートの低下を抑制することにより、エッチング処理に要する時間を短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。 - 特許庁

In this etching method, an HBr gas is used as an etching gas in a process of etching an antireflection film 5 and therefore the progression of trimming is suppressed in a resist pattern 6a.例文帳に追加

本発明のエッチング方法は、反射防止膜５をエッチングする工程において、エッチングガスとしてＨＢｒガスを用いるので、レジストパターン６ａにおけるトリミングの進行が抑制される。 - 特許庁

The method for manufacturing an etching foil for an electrolytic capacitor has an electrochemical etching process, a dechlorination treatment process, a post-processing process and a heat treatment process, wherein the post-processing process consists of a first process for performing hydration treatment, and a second process immersed in 0.5-10wt% solution of water of aluminum nitrate or magnesium nitrate.例文帳に追加

電気化学エッチング工程と、脱塩素処理工程と後処理工程と熱処理工程とを有し、上記後処理工程が、水和処理する第１工程と、硝酸アルミニウムまたは硝酸マグネシウムの０．５〜１０ｗｔ％水溶液に浸漬する第２工程とからなることを特徴とする電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法である。 - 特許庁

Then, a pre-etching process through which all the area of the non-doped region 132 of the polysilicon layer 13 is removed as thick as prescribed is carried out before the dry etching process is carried out.例文帳に追加

そこで、上記ドライエッチング工程の前に、予めポリシリコン層１３におけるノンドープ領域１３２の全域を所定厚さ分除去しておくプリエッチング工程を設けている。 - 特許庁

A coating process is performed after a first etching process, and thereby the side face of a layer 21 to be treated formed by side-etching can be coated with a resist layer 28.例文帳に追加

第１エッチング処理工程の後に、被覆処理工程を行うことによって、サイドエッチによって形成される被処理層２１の側面をレジスト層２８によって被覆することができる。 - 特許庁

To provide a treatment method in which plasma etching treatment can be effectively performed at a high speed by using a simple device under an atmospheric condition in a plasma etching process in a semiconductor production process.例文帳に追加

半導体製造工程におけるプラズマエッチング工程において、大気圧条件で、簡便な装置を用いてプラズマエッチング処理を高速で効果的に行える処理方法の提供。 - 特許庁

The side face of the processed layer A3 formed by the side etching can be coated with a resist layer 1 by carrying out a coating treatment process after a first etching treatment process.例文帳に追加

第１エッチング処理工程の後に、被覆処理工程を行うことによって、サイドエッチによって形成される被処理層Ａ３の側面をレジスト層１によって被覆することができる。 - 特許庁

In this method, the depth of a pattern can be controlled by the process performing anisotropic etching, and by the process performing isotropic etching, a curved surface structure can be produced.例文帳に追加

本発明の構成によれば、異方性エッチングを行う工程によりパターンの深さを制御することが出来、等方性エッチングを行う工程にり曲面構造にすることが出来る。 - 特許庁