「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

On a surface of aluminum foil, a roll-pressed mark of the aluminum foil is removed, and multiple recessed parts each having a tip with an acute angle are present, and the colorimetric value (L value of Hunter Lab) on the surface of the aluminum foil is set to 65-80, whereby positive electrode foil high in capacitance can be provided by improving pit density by an etching process and uniformizing pit length.例文帳に追加

アルミニウム箔の表面が、アルミニウム箔の圧延傷が取り除かれて先端が鋭角を有する凹部が多数存在し、かつ該アルミニウム箔の表面の測色値（ハンターＬａｂのＬ値）を６５〜８０とすることにより、エッチング処理によるピット密度の向上とピット長さを均一化し、静電容量の高い陽極箔を得ることができる。 - 特許庁

The source and drain electrode sections are formed by successively etching an insulating film 13, an ohmic-contact source electrode and drain electrode layer 12, and a low- resistance diamond layer 11 which transmits carriers metallically and has a certain degree of doping concentration in one photolithography process after the diamond layer 11, source electrode and drain electrode layer 12, and insulating film 13 are successively formed on the diamond layer 10.例文帳に追加

ソース及びドレイン電極部は、高抵抗ダイヤモンド層１０の上にキャリアの伝導が金属的である程度のドーピング濃度を持つ低抵抗のダイヤモンド層１１と、オーミック接触性のソース電極及びドレイン電極層１２と、絶縁膜１３とが順次積層された後、一回のフォトリソグラフィにより順次エッチングされて形成されている。 - 特許庁

An Ellipsometer is arranged in the orienter chamber 55 and by measuring the thickness of ion implemented region (amorphous layer) in a substrate or the thickness of the formed film without exposing a wafer to the atmosphere outside a manufacturing device until a series of processes such as film forming, annealing, and etching is completed, the management of the condition setting of the next process etc. is made possible.例文帳に追加

オリエンターチャンバ５５にエリプソメータが配設され、成膜，アニール，エッチング等の一連のプロセスが終了するまでウエハを製造装置外の大気にさらすことなく、基板内のイオン注入領域（アモルファス層）の厚みや、成膜した膜の厚みなどをエリプソメータにより測定することで、次の処理の条件設定などの管理が可能となる。 - 特許庁

One part in the medium facing surface and the other part are formed of the plurality of conductive materials different from each other, so that the medium facing surface different in height of both parts is easily formed by a surface removal process by polishing, etching, or the like from the medium facing surface side on the basis of the difference in the materials.例文帳に追加

媒体対向面の内の一の部分と他の部分とが互いに異なる複数の導電材料から形成されているので、このような媒体対向面は、媒体対向面側から研磨やエッチング等による表面除去工程により、一の部分と他の部分との高さの差が材料の違いに基づいて容易に形成される。 - 特許庁

To provide a multilayered laminated body in which substrate internal stress is relaxed, thereby alleviating the warp after circuit forming and improving the product yield by suppressing a resin from releasing its stress through contraction after removing a copper foil of an outermost layer etching or the like, in a circuit forming process, and a resin which has lost the support of the copper foil.例文帳に追加

回路形成工程において、最外層の銅箔がエッチング等により除去され、銅箔の支えを失った樹脂が収縮することにより応力を開放しようとするのを抑制する、すなわち基板内部応力を緩和することで、回路成形後の反りを軽減し、製品歩留まりを向上できる多層積層体を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a reflective mask, which can simply form a light shielding region and can achieve highly accurate pattern transfer, without increasing a manufacturing process such as resist coating, drawing, developing and etching, and without needing to prepare a special mask blank; an ion beam device for the reflective mask; and the reflective mask.例文帳に追加

本発明は、レジスト塗布、描画、現像、エッチング等の製造工程を増やすことなく、特殊なマスクブランクを準備する必要もなく、簡便に遮光領域を形成することが可能であり、高精度なパターン転写を実現することが可能な反射型マスクの製造方法、反射型マスク用イオンビーム装置、および反射型マスクを提供することを主目的とする。 - 特許庁

These methods include stages of: forming a thin film 52 of a microlens constituting substance on a substrate 51, forming a photo register pattern 53 on the thin film 52, forming a thin film constituting substance 54 though an etching process using the photo register pattern 53, and forming the microlens by reflow by thermal processing of the thin film constituting structure 54.例文帳に追加

基板５１上にマイクロレンズ構成物質の薄膜５２を形成する段階と、前記薄膜５２上にフォトレジストパターン５３を形成する段階と、前記フォトレジストパターン５３を用いたエッチング工程を通じて薄膜構造物５４を形成する段階と、前記薄膜構造物５４を熱処理してリフローによってマイクロレンズを形成する段階と、を含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride gallium substrate includes a step of forming a porous nitride gallium substrate 11a having a thickness of 10 nm to 1000 nm by etching a nitride gallium substrate 11 in an atmosphere of HCl and NH_3 gas in a reaction chamber of an HVPE apparatus, and further includes a step of forming a nitride gallium growth layer 20 in a single reaction chamber by in situ process.例文帳に追加

ＨＶＰＥ装置の反応チャンバ内でＨＣｌ及びＮＨ_３ガス雰囲気で窒化ガリウム基板１１をエッチングして１０〜１０００ｎｍの厚さの多孔性窒化ガリウム層１１ａを形成するステップを含み、ひいては、単一の反応チャンバ内でインシチュで窒化ガリウム成長層２０を形成するステップをさらに含む窒化ガリウム基板の製造方法。 - 特許庁

A thick-film resist formed by a photolithographic technique and a film represented by a silicon oxide film formed by an etching technique with the resist patterns of the thick-film resist as a mask are laminated as a mask for ion implantation in a semiconductor manufacturing process step, by which the ion implantation mask patterns having fine patterns of a high aspect ratio not possible heretofore are obtained.例文帳に追加

半導体製造工程におけるイオン注入用マスクとして、フォトリソグラフィ技術により形成した厚膜レジストと、この厚膜レジストのレジストパターンをマスクとしてエッチング技術により形成した酸化シリコン膜に代表される膜を積層し、従来にない高アスペクト比の微細パターンを有するイオン注入マスクパターンを得るようにした。 - 特許庁

To manufacture, with good productivity, a buried hetero structure type optical semiconductor element which has a small capacity and is suitable for high speed transmission of light which has a semi-insulating semiconductor block layer and a carrier trap layer by lowering the requirement for a controllability of an etching depth which is required for a mesa narrowing process to reduce the element capacity.例文帳に追加

半絶縁性半導体ブロック層とキャリアトラップ層を有する埋め込みヘテロ構造型光半導体素子において、素子容量低減の為に必要な狭メサ化プロセスに必要とされるエッチング深さの制御性を緩和し、素子容量が小さく高速光伝送に好適な光半導体素子を再現性良く作製することを可能とする。 - 特許庁

The sensor part of the infrared detection device of thermal-type forms the micro air bridge structure 11 on the SOI substrate 27 by the ICP dry etching process, the semiconductor diode part 18 comprising a plurality of p-n junction diodes in its active region 12 is formed, and the metal reflecting film 15 and the infrared-absorbing layer 14 are provided there, in this order.例文帳に追加

熱型赤外線検出装置のセンサ部は、ＳＯＩ基板２７上にＩＣＰドライエッチングプロセスによってマイクロエアブリッジ構造体１１を形成し、その活性領域１２に複数のｐｎ接合ダイオードからなる半導体ダイオード部１８を形成し、その上面に金属反射膜１５および赤外線吸収層１４を順に設ける。 - 特許庁

To provide a thin film pattern forming method for directly forming a thin film circuit pattern using a mask by which a continuous circuit pattern difficult to be formed by mask film deposition can be formed without using any photo-lithography etching process in forming thin film circuit pattern, a pattern forming apparatus using the method, and an electronic circuit device manufactured by the forming apparatus.例文帳に追加

薄膜回路パターン形成において、ホトリソグラフィー・エッチィングプロセスを用いることなく、かつマスク成膜では難しかった連続回路パターン形成を可能とするマスクを用いた薄膜回路パターン直接形成するパターン形成方法とそれを用いたパターン形成装置、さらには該形成装置により製造された電子回路装置を提供する。 - 特許庁

In the process for producing electric wiring, a metal layer 25 becoming a conductor is formed on a substrate layer 12, unnecessary portion 26 of the metal layer 25 is removed by laser ablation, and then the residue 27 of unnecessary portion 26 of the metal layer 25 remaining on the substrate layer 12 is removed by etching the metal layer 25 with an etchant.例文帳に追加

本発明の電気配線の製造方法は、基材層１２上に導体となる金属層２５を形成し、レーザアブレーションにより金属層２５の不要部分２６を除去した後、腐食液で金属層２５をエッチング処理することにより、レーザアブレーション後に基材層１２上に残っている金属層２５の不要部分２６の残渣２７を除去する。 - 特許庁

Prior to a pattern boring process by dry etching, a stencil mask substrate 1 on a region 13 of a fine pattern is etched away along the depth to make the substrate film thickness less than that of a region 12, and then even a stencil mask substrate having various pattern sizes can be processed to precise size in the mask surface.例文帳に追加

ドライエッチングによるパターン開口工程に先立って、微細パターンの領域１３上のステンシルマスク基板１をエッチングによりエッチング深さ方向に除去し、基板膜厚を他の領域１２に対し薄膜化することにより、種々のパターン寸法が混在するステンスルマスク基板においてもマスク面内の寸法を精度よく加工することができる。 - 特許庁

To provide, in a working process of a substrate in MEMS manufacturing, a coating composition used for forming an organic film for protecting the substrate, a composition applied by evenly plugging silicon wafer steps especially having a high step shape, and also to provide a coating composition available for a protective film in etching processing of a silicon oxide film.例文帳に追加

ＭＥＭＳの製造における基板の加工工程において、基板保護用の有機膜を形成するのに用いる塗布組成物、特に高段差形状を有するシリコンウエハの段差を平坦に埋め込み塗布することができる組成物、またシリコン酸化膜のエッチング加工時の保護膜としても使用できる塗布組成物を提供しようとするものである。 - 特許庁

In a manufacturing process of a microelectromechanical device, after forming a groove 20 as a gap by applying a processing using photolithography and etching to the resonator 22 and an Si layer as an electrode 21, the pair of thermal oxidation films 5, 5 of Si are formed on the opposite surfaces of the groove 20 by applying thermal oxidation treatment to the Si layer.例文帳に追加

本発明に係るマイクロエレクトロメカニカルデバイスの製造工程においては、共振子２２と電極２１となるＳｉ層に対し、フォトリソグラフィとエッチングを用いた加工を施して、ギャップとなる溝２０を形成した後、該Ｓｉ層に対し、熱酸化処理を施して、溝２０の対向面に一対のＳｉ熱酸化膜５、５を形成する。 - 特許庁

To provide a technique by which a metallic oxide film deposited on a metallic surface can be subjected to removing tretment for oxide so that the surface is made smooth and uniform without roughening the metallic surface after the removal of the oxide which has been shown in the conventional etching process, and the metallic oxide film deposited on the metallic surface can be removed even in the case energizing operation is difficult.例文帳に追加

金属表面に形成される金属酸化物被膜を、従来のエッチング法のように酸化物除去後の金属表面が荒らされることなく、表面平滑且つ均一に酸化物の除去処理が行え、通電操作が困難な状態場合でも金属表面に形成された金属酸化物被膜が除去できる技術を提供する。 - 特許庁

The second thin film 13 is anisotropically etched through the etching masks 15b for the formation of fine patterns 13a, and after a selective oxidation process is carried out using the fine patterns 13a as an oxidation mask, the fine patterns 13a are selectively removed, the first thin film 12a is eliminated, and then a quantum fine wire 17 is epitaxially grown on a part where the semiconductor substrate 11 is exposed.例文帳に追加

エッチングマスク１５bを介して第２薄膜１３を異方性エッチングすることにより形成された微細パターン１３aを酸化用マスクとして選択酸化した後、微細パターン１３aを選択的に除去すると共に、第１薄膜１２aを除去して、半導体基板１１が露出した部分に量子細線１７をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

According to the structure, reaction products resulting from etching in storage element fabrication process are prevented from adhering to the side wall to cause short circuit and leakage current.例文帳に追加

基板上に第２の絶縁膜を形成・加工して開口部を形成し、開口部内に下部電極及び強誘電体膜を形成し、強誘電体膜上に上部電極を形成する製造方法としたので、容量素子の面積を増大させることなく、平坦でエッチングダメージのない強誘電体を用いた半導体記憶素子が容易に形成できる。 - 特許庁

A method for manufacturing a solid electrolytic capacitor comprises the steps of forming (etching to cut-surface chemical conversion, carbonization process) a capacitor element having an anode body with an anode oxide film formed on its surface, impregnating an oxide reagent to the capacitor element by immerging the capacitor element in an oxide reagent solution, and then impregnating a monomer to the capacitor element by immerging the capacitor element in a monomer soluion.例文帳に追加

表面に陽極酸化皮膜が形成された陽極体を有するコンデンサ素子を形成し（エッチング〜切り口化成・炭化処理）、該コンデンサ素子を酸化剤溶液に浸漬することによって、該コンデンサ素子に酸化剤を含浸させ（酸化剤含浸）、その後、該コンデンサ素子をモノマー溶液に浸漬することによって、該コンデンサ素子にモノマーを含浸させる（モノマー含浸）。 - 特許庁

Previously, the electric field concentrated place in a target 11 for sputtering is removed by etching or the like, and then, the target 11 for sputtering freed from the electric field concentrated place is housed into a transporting case 13 protecting the surface to prevent the generation of an another electric field concentrated place caused by its contact with solids and contaminants in the process of transportion or the like.例文帳に追加

予めスパッタリング用ターゲット１１の電界集中箇所をエッチングなどにより除去し、そして、電界集中箇所が除去されたスパッタリング用ターゲット１１を、その表面を保護する輸送ケース１３に収納して、輸送中などに固体や汚染物質と接触して再度電界集中箇所が生じるのを防ぐようにしている。 - 特許庁

Thus, since a certain thickness of the second insulating film 106 is left at the upper part of the drain contact plug 104 during the overetching process for forming metal wiring 116, even if an unconformable part is generated between the drain contact plug 104 and the metal wiring 116, the loss of the drain contact plug 104 caused by an SF_6 gas acting as an etching gas is prevented.例文帳に追加

したがって、金属配線１１６を形成するオーバーエッチング工程時にドレインコンタクトプラグ１０４の上部に一定の厚さの第２絶縁膜１０６が残留しているので、ドレインコンタクトプラグ１０４と金属配線１１６との間に不整合部が生じた場合でも、エッチングガスのＳＦ_６ガスでドレインコンタクトプラグ１０４が損失するのを防ぐ。 - 特許庁

To solve the problems relating to a yield and reliability caused by the cracks of a glass substrate or the like due to the exposure of the entire cutting area during dicing, in a method of manufacturing a semiconductor device, which has a process of bonding the glass substrate on the first surface of a semiconductor substrate, and etching the semiconductor substrate from the second surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の第１の面上にガラス基板を接着して、当該半導体基板の第２の面から当該半導体基板をエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法において、ダイシング時の切断領域全体を露出することによるガラス基板等のクラック等に基づく歩留上、信頼性上の問題の解決を図る。 - 特許庁

This method comprises a step for executing a selective etching process using TMAH (Tetra-Methyl-Ammonium-Hydroxide) to form a plurality of trenches with slow inclination of the side surface, and a step for forming a gate pattern at the top of the substrate so that at least the inclination part of the trench acts as a part of a channel.例文帳に追加

本発明は、ＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａ−Ｍｅｔｈｙｌ−Ａｍｍｏｎｉｕｍ−Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）を用いた選択的エッチング工程を実施し、側面の傾斜が緩慢な複数のトレンチを形成するステップと、少なくとも前記トレンチの傾斜部分がチャネルの一部になるように前記基板上部にゲートパターンを形成するステップとを含む。 - 特許庁

To provide a multilayer board that has capabilities of forming a low-resistance embedding electrode without use of the etching process and bringing the low-resistance embedding electrode into contact with an ITO transparent electrode to reduce the wiring resistance of the ITO transparent electrode, while increasing the light passing through the multilayer board, and to provide a manufacturing method for such a multilayer board.例文帳に追加

エッチング工程を使用せずに、低抵抗の埋め込み電極を形成し、低抵抗の埋め込み電極をＩＴＯ透明電極に接触させて、ＩＴＯ透明電極の配線抵抗を低減させるとともに、多層基板を通過する光を増大する機能を有する多層基板及び多層基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a resist composition which is suitably used in a super-microlithography process and other photofabrication processes such as manufacture of VLSIs and high capacity microchips and whose surface roughness in etching is reduced, and further a resist composition which has superior characteristics of sensitivity, resolving power, a profile, a pattern fall, a side lobe margin, roughness and fineness dependency, etc.例文帳に追加

超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに於いて好適に使用することができ、エッチング時の表面荒れが低減されたレジスト組成物、また更には、感度、解像力、プロファイル、パターン倒れ、サイドローブマージン、疎密依存性などの諸特性にも優れたレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and an apparatus for manufacturing the semiconductor device where the surface of a copper film is etched precisely, in a short time with few steps, while the surface roughness of the copper film is not progressed in the etching process of the surface of the copper film that includes oxidation of the copper film and removing the oxide thereof, with an acid or alkali.例文帳に追加

銅膜を酸化させその酸化物を酸もしくはアルカリなどで除去することにより銅膜の表面をエッチングする方法において、エッチング処理を行った後の銅膜表面が荒れてしまうことが少なく、少ない工程で短時間に精度良く行うことができる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

A process chamber 30 of an inductively coupled plasma etching system is provided with a plate 34, which is extended in parallel with the top wall 32 of the chamber 30 and made of Si or SiC and a low-frequency power source 36, which impresses a low-frequency voltage of 400-800 kHz upon the plate 34.例文帳に追加

本誘導結合型プラズマエッチング装置のプロセスチャンバ３０は、従来の装置の構成に加えて、天井壁３２から僅かに離隔して平行に延在するＳｉ又はＳｉＣからなるプレート３４と、プレート３４に４００ＫＨｚから８００ＫＨｚの範囲の低周波数電圧を印加する低周波電源３６とを備えている。 - 特許庁

A MOS gate device manufacturing process includes a first mask 30 for continuously forming a cell body 50 and a source region 51 in the cell body 50, and a second mask for forming a center opening in the silicon surface of each cell by silicon etching and consecutively for undercutting an oxide 60 surrounding the center opening.例文帳に追加

ＭＯＳゲートデバイス製造プロセスであって、該プロセスは、セルボディ５０とセルボディ５０中のソース領域５１を連続して形成するための第１のマスク３０を有し、シリコンエッチにより各セルのシリコン表面に中央開口部８０、８１を形成し続いて中央開口部８０、８１を囲む酸化物６０をアンダーカットするための第２のマスク工程を有する。 - 特許庁

The process for producing a nozzle plate having a nozzle hole for ejecting a liquid drop comprises a step for forming a nozzle hole 22 by etching a silicon substrate 10 from the other side in such a state that the silicon substrate 10 having one side bonded with a substrate 50 for supporting the silicon substrate 10 is supported by the supporting substrate 50.例文帳に追加

液滴を吐出するためのノズル孔を有するノズルプレートの製造方法であって、シリコン基板１０の一方の面に、シリコン基板１０を支持するための支持基板５０を接合して、シリコン基板１０を支持基板５０により支持した状態で、シリコン基板１０の他方の面からエッチングを施して、ノズル孔２２を形成するノズル孔形成工程を有する。 - 特許庁

The uniformity of the film thickness of a BARC is improved by a process for embedding a structure in which an organic material different from the BARC is applied at least once so that flatness is assured to an extent that does not influence lithography and the organic material is etched once and planarizing the organic material by removing the organic material so that the surface of an embedded layer is exposed by etching back.例文帳に追加

さらに、リソグラフィへの影響が無い程度の平坦性が確保できるようにＢＡＲＣとは異なる有機材料を少なくとも一回塗布して一度エッチングした構造を埋め込み、エッチバックによって被埋込み層の表面が出るように有機材料を除去して平坦化する工程により、ＢＡＲＣの膜厚の均一性を改善する。 - 特許庁

When a predetermined process is performed for a wafer W by using the processing device, in monitoring the change of the etching state of the wafer W by utilizing the age-based change of detection data from an optical measuring instrument 21, "1" and "3" are set as constant and different response variables to two states before and after the change of the etching state, respectively.例文帳に追加

処理装置を用いてウエハＷに所定の処理を施す際に、光学計測器２１からの検出データの経時的変化を利用してウエハＷのエッチング状態の変化を監視するに当たり、エッチング状態が変化する前後の二つの状態に一定の異なった目的変数として「１」、「３」をそれぞれ設定し、これらの目的変数と複数の検出データを説明変数とする重回帰分析を行って重回帰モデル式１を予め作成し、この重回帰モデル式１に実際にウエハＷを処理する時の検出データを当て嵌めた結果に基づいてプロセスの監視を行う。 - 特許庁

When the protective layer is used as an etching stopper, a TFT having an LDD structure by self-aligned process using a sidewall 126 is arranged in a peripheral drive circuit, and a TFT having an LDD structure by nonself-aligned process using an insulator 125 is arranged in a pixel matrix section.例文帳に追加

耐熱性の高いＴａ膜またはＴａを主成分とする膜を配線材料に用い、さらに保護層で覆うことで、高温（４００〜７００℃）での加熱処理を施すことが可能となり、且つ保護層をエッチングストッパーとして用いることで周辺駆動回路部においては、サイドウォール１２６を用いた自己整合プロセス（セルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する一方、画素マトリクス部においては、絶縁物１２５を用いた非自己整合プロセス（ノンセルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する - 特許庁

The process for fabricating a group III nitride based compound semiconductor laser comprises a step for forming a plurality of semiconductor layers composed of a group III nitride based compound semiconductor on a substrate, a step for forming an electrode narrower than the semiconductor layer on the surface thereof, and a step for forming a ridge by etching the semiconductor layer using the electrode as a mask.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体レーザの製造方法において、基板上にIII族窒化物系化合物半導体から成る複数の半導体層を形成する工程と、前記半導体層の表面に、前記半導体層よりも狭い幅を有する電極を形成する工程と、前記電極をマスクとして前記半導体層をエッチングし、リッジ部を形成する工程とを含む。 - 特許庁

Related to a semiconductor film forming device 800, a film- forming device 870 is integrated with a laser etching device 850 and a substrate is transported by a transportation mechanism 860 in a non-oxidizing atmosphere, so that the surface of an amorphous semiconductor film is never exposed to an oxidizing atmosphere while subjecting to an anneal process after the amorphous semiconductor film is formed on the surface of substrate.例文帳に追加

半導体膜形成装置８００において、成膜装置８７０とレーザエッチング装置８５０とを一体化し、かつ、非酸化性雰囲気中で基板を搬送機構８６０で搬送することにより、基板の表面に非晶質の半導体膜を形成した後、アニール工程を行うまでの間、非晶質の半導体膜の表面を酸化性雰囲気に一切、晒さない。 - 特許庁

To provide a Ge crystal growth method using a cast process, wherein the crystal orientation of the Ge crystal can be freely controlled, and a textured structure uniform in shape and orientation is easily formed within the Ge crystal so that a wafer cut from the Ge crystal may have a textured structure uniform in shape and orientation after it is subjected to a specified etching operation.例文帳に追加

キャスト法を用いたＧｅ系結晶の成長方法において、前記Ｇｅ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｇｅ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｇｅ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。 - 特許庁

As a result, the silicon film becomes an etching stopper in an oxide film removal process and thus the divot can be reduced.例文帳に追加

半導体基板上に形成された素子分離溝内および第１絶縁層上にシリコン膜を形成し酸化すること、または、分離マスク開口部および第１絶縁層上にシリコン膜を形成した後に素子分離溝を形成し、素子分離溝内およびシリコン膜を酸化することを特徴とする半導体装置製造方法により、シリコン膜が酸化膜除去工程でのエッチングストッパーとなりディボットを軽減できる。 - 特許庁

The method for analysis includes: performing removal or inactivation processing on various products (by-products) produced on a decomposition (or etching) surface as a first process and making the surface hydrophobic rapidly with an HF gas thereafter at need; and thereby scanning the hydrophobic silicon wafer surface with drops of water with extremely high reproducibility and efficiency to collect and analyze decomposed matter on the surface.例文帳に追加

本発明に係る分析方法は、第１工程である分解（又はエッチング）表面に生じる種々の生成物（副生物）を除去又は不活性化処理を行い、かつその後必要であれば表面を速やかにＨＦガスで疎水性化することで、極めて再現よく効率的に、疎水性シリコンウェハ表面を水滴でスキャンして表面の分解物を回収して分析する。 - 特許庁

To provide a cleaning agent for magnetic disk substrate having a satisfied dispersibility of particle desorbed from a substrate surface and also an excellent re-adhering prevention property, by comprising an excellent cleaning ability to the particle derived from a metallic ion represented by iron ion eluted from a device for use at a manufacturing process and also by comprising an appropriate etching property.例文帳に追加

製造工程時に使用する装置から溶出する鉄イオンに代表される金属イオンに由来するパーティクルに対して優れた洗浄性を有するとともに、適度なエッチング性を有することで基板表面から脱離したパーティクルの分散性が良好であり、かつ再付着防止性に優れた磁気ディスク用基板洗浄剤を提供することを目的とする。 - 特許庁

The epitaxial growth method includes a cleaning treatment step of etching and removing a silicon deposit that adheres to the inside of an epitaxial growth furnace 2 by a hydrogen chloride containing gas, and a polysilicon depositing step of forming a polysilicon film having a grain size of 0.7 μm -0.3 μm on the surface of a susceptor by supplying a silicon source gas to the inside of the epitaxial growth furnace, following the cleaning process.例文帳に追加

エピタキシャル成長炉２内に付着したシリコン堆積物を塩化水素含有ガスによりエッチング除去するクリーニング処理工程と、クリーニング処理工程に引き続き、エピタキシャル成長炉内にシリコンソースガスを供給してサセプタ表面にグレーンサイズが０．７μｍ〜０．３μｍのポリシリコン膜を形成するポリシリコン成膜工程とを有することを特徴とするエピタキシャル成長方法である。 - 特許庁

A water-repellent film with repellency which has an opening is formed on a surface of a processed layer of the substrate, a watery solution is arranged in the opening to form a mask part, and the processed layer is processed by etching using the mask part as a mask so as to perform the texture process on the substrate efficiently in the easy method without requiring large-scale facilities or placing a load on an environment.例文帳に追加

多大な設備を必要とすることなく、また環境に負荷を与えることなく、簡便な方法で効率良く基板にテクスチャ加工を施すために、基板の被加工層の表面に、開口を有する撥水性の撥水性膜を形成し、前記開口に水溶液を配置してマスク部を形成し、前記マスク部をマスクとして用いたエッチングにより前記被加工層を加工する。 - 特許庁

To provide a composition for an antireflection coating which prevents lowering of the dimensional accuracy of a pattern caused by interference of multiply reflected light in a photoresist film and enables formation of a resist pattern free of deterioration in the pattern shape such as T-top or round top shape adverse to an etching process caused chiefly by intermixing of a chemically amplified resist and an antireflection film.例文帳に追加

フォトレジスト膜内における多重反射光の干渉によりもたらされるパターン寸法精度の低下を防止し、且つ化学増幅型レジストと反射防止膜とのインターミキシングなどにより引き起こされる、エッチング工程に不都合なＴ−トップ、ラウンドトップなどのパターン形状の劣化を起こさないレジストパターンを形成することのできる反射防止コーティング用組成物を提供する。 - 特許庁

Accordingly, since plasma formed in an upper part of the electrode plate 12 of the exhaust electrode 11 is made uniform, effects which enable constant etching are obtained, and also since the function of an exhaust pipe 4 is integrated with a function of an electrode, thereby functioning by the one exhaust electrode 11, a volume occupied by a process chamber is reduced and efficiency of a purity chamber is enhanced.例文帳に追加

従って、排気エレクトロード１１の電極板１２の上部に形成されるプラズマが均一になって一定なエッチングを可能にする効果があるし、また排気管４の機能とエレクトロードの機能を統合して一つの排気エレクトロード１１によって機能するようにすることで工程チャンバーが占める体積が減り清浄室の効率を向上させる効果がある。 - 特許庁

A process of manufacturing a semiconductor device having the gate electrode made of metal silicide which is a metal-containing material or metal alone includes steps of: etching the gate electrode 14G, thereafter oxidizing a surface of a gate part; and trimming the gate electrode 14G by exposing the gate part to a gaseous substance containing organic acid and heating it to volatilize a reaction product of the metal and the organic acid.例文帳に追加

金属を含む材料である金属シリサイド或いは金属単体から成るゲート電極をもつ半導体装置を作製する工程に於いて、ゲート電極１４Ｇのエッチング後にゲート部の表面を酸化させ、ゲート部を有機酸を含むガス状物質に曝露すると共に加熱して金属と有機酸との反応生成物を揮発させてゲート電極１４Ｇのトリミングを行う。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a process of subjecting an inter-layer insulating layer 61 to dry etching using a mask having a plurality of first openings and a plurality of second openings arranged more closely than the first openings, and forming first holes reaching a ground layer 10 below the first openings and second holes 41 reaching the ground layer 10 below the second openings.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、複数の第１の開口と第１の開口よりも密に並んだ複数の第２の開口とを有するマスクを用いて層間絶縁層６１をドライエッチングし、第１の開口の下で下地層１０に達する第１のホールと、第２の開口の下で下地層１０に達する第２のホール４１とを同時に形成する工程を備えている。 - 特許庁