「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a positive-type resist material, particularly a chemically-amplified, positive-type resist material, having a high resolution, margin of exposure, a small difference between sparse and dense dimensions, and process adaptability, surpassing those of conventional positive-type resist materials, furnishing a good pattern shape on exposure, and showing excellent etching resistance.例文帳に追加

従来のポジ型レジスト材料を上回る高解像度、露光余裕度、小さい疎密寸法差、プロセス適応性を有し、露光後のパターン形状が良好であり、さらに優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。 - 特許庁

The surfaces of super-abrasive grains 1 are covered with metal covering layers 11 consisting of copper, and a chemical agent such as Mech-Etch Bond (trade mark) is applied to the surface of each covering layer 11 followed by a chemical etching process so that a surface is formed where a number of micro-projections 11a remain.例文帳に追加

超砥粒１の表面を銅からなる金属被覆層１１で被覆し、金属被覆層１１の表面にメックエッチボンド（商標）等の薬剤を塗布して化学的にエッチング処理し、多数の微細な突起１１ａ…の残存した表面を形成して金属被覆砥粒１０を構成する。 - 特許庁

This treatment system 10 comprises a reactive species generator generating reactive gaseous specifies for chemically removing the deposited materials from the components of the chamber by etching and a process chamber 11 having at least one component which is exposed to the reactive spices and coated with a fluoropolymer.例文帳に追加

本処理システム10は、堆積した材料をチャンバコンポーネントから化学的にエッチング除去するための反応ガス種を発生させる反応種発生器と、その反応種に暴露される少なくとも一つのフッ素重合体被覆されたコンポーネントを有するプロセスチャンバ11とを含む。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and an apparatus thereof, capable of generating plasma suitable to a process by controlling the kind of radical species or ionic species existing in plasma or density thereof, and switching the plasma state, depending on the presence or the absence of radiation of light having a controllable radiation range.例文帳に追加

プラズマ内に存在するラジカル種及びイオン種の種類又は密度を制御し、プロセスに対して適したプラズマを生成し、かつ、照射範囲の制御可能な光の照射の有無によりプラズマ状態の切り換えをすることができるプラズマエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a process and apparatus for manufacturing a tape carrier for a semiconductor device, in which, when forming wiring patterns, a substrate hardly flaps during conveyance, etching treatment with higher accuracy and less variations is performed and the uniform wiring patterns can be formed over all the upper part of the substrate.例文帳に追加

配線パターンを形成する際、搬送時に基板のバタつきを低く抑え、より精度の高い、ばらつきのないエッチング処理を行うと共に、基板全体に配線パターンの均一化を図ることができる半導体装置用テープキャリアの製造方法及びその製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and an apparatus thereof, capable of generating plasma suitable to a process by controlling the kind of radical species or ion species existing in plasma or density thereof, and switching the plasma state, depending on the presence or absence of radiation of light having a controllable radiation range.例文帳に追加

プラズマ内に存在するラジカル種及びイオン種の種類又は密度を制御し、プロセスに対して適したプラズマを生成し、かつ、照射範囲の制御可能な光の照射の有無によりプラズマ状態の切り換えをすることができるラズマエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of processing a plasma CVD apparatus which can obtain a high productivity by performing simultaneously cleaning in a reaction chamber and processing a semiconductor substrate by safe process with a low cost without etching in the reaction chamber or without taking a time and effort in handling.例文帳に追加

反応室内がエッチングされたり、取り扱いに手間がかかったりすることのない安全で低コストのプロセスによって、反応室内をクリーニングと半導体基板の処理を同時に実施して高い生産性を得ることができるプラズマＣＶＤ装置の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a microstructure of a nitride semiconductor capable of forming the microstructure including a vacancy inside the semiconductor without greatly changing the size of a hole formed by precise control in an etching step of the semiconductor after performing a heat treatment process.例文帳に追加

半導体のエッチング工程で精密に制御して形成した孔のサイズを、熱処理工程を施した後に大きく変動させることなく、半導体の内部に空孔を含む微細構造の形成が可能な窒化物半導体の微細構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for preparing the oxide thin film transistor having a substrate, a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode, a drain electrode, and a semiconductor thin film includes a step for patterning the gate insulating film or the semiconductor thin film through the helicon plasma dry etching process.例文帳に追加

基板とゲート電極とゲート絶縁膜とソース及びドレイン電極と半導体薄膜とを含む酸化物薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜又は半導体薄膜は、特定エッチングガスを使用するヘリコンプラズマ乾式工程を通じてパターン化されるステップを含んでいる。 - 特許庁

To provide a light emitting element formed on a gallium oxide substrate which is not affected by etching even with hydrogen gas used in a compound semiconductor growing process of the gallium oxide substrate, and which is superior in substrate planarity and transparency of the substrate; and to provide a manufacturing method of the element.例文帳に追加

ガリウム酸化物基板の化合物半導体成長工程において使用する水素ガスによってもエッチング等の影響を受けず、基板平面性がよく、基板の透明性に優れたガリウム酸化物基板上に形成された発光素子、及び、その製造方法を提供する。 - 特許庁

The piezoelectric element plate whose surface process layer is removed through chemical etching and whose frequency is adjusted with precision, a media whose main component is amorphous alumina, chrome oxide as an abrasive, and a surface active agent are put in a cylindrical plastic container and this container is filled with water.例文帳に追加

円筒形プラスチック容器に、化学的エッチングによって圧電素板片の表面加工層が除去され、かつ周波数が精度良く調整された圧電素板片と不定形のアルミナを主体とするメディアと、研磨材として酸化クロム、及び界面活性剤を容器に投入し、水で容器を満たす。 - 特許庁

The process for fabricating a nitride-based semiconductor laser element comprises a step for etching the backside (nitrogen surface) of an n-type GaN substrate 1 having wurtzite structure by RIE, and a step for forming an n-side electrode 8 on the backside (nitrogen surface) of the etched n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element which has high reliability by suppressing current leakages, by avoiding forming a sub-trench in an etching-back process for forming a sidewall insulating film as an inter-electrode insulating film, and then forming the inter-electrode insulating film which is readily made fine and which is high in quality.例文帳に追加

電極間絶縁膜となるサイドウォール絶縁膜を形成するためのエッチバック工程におけるサブトレンチの生成を回避し、電流リークを抑制することで、微細化が容易でかつ高品質の電極間絶縁膜を形成することにより、信頼性の高い固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the stamper including a process for forming a metal thin film 61 on a stamper original plate 50 on which a rugged pattern is formed by etching and then performing electroplating, before the metal thin film 61 is formed, the stamper original plate 50 is heat-treated at 200 to 500°C in air.例文帳に追加

エッチングにより凹凸パターンが形成されたスタンパ原版５０に、金属薄膜６１を形成して電気メッキする工程を備えたスタンパの製造方法において、金属薄膜６１を形成する前に、スタンパ原版５０を、空気中において２００℃以上５００℃以下の温度で熱処理する。 - 特許庁

To produce a jig for the processing of a semiconductor wafer and made of a quartz glass having high etching resistance, causing little generation of dust such as particles and effective for stabilizing the surface treatment of the jig as a post-treatment process by completely removing stains such as oil attached to a quartz glass jig for the processing of a semiconductor.例文帳に追加

石英ガラス製の半導体処理用治具に付着した油分などの汚染物を完全に除去し、後工程である治具の表面処理の安定化を図り、パーティクルなどの発塵が少なく、耐エッチング性の高い石英ガラス製半導体処理用治具を製造する。 - 特許庁

To provide an abrasive compound capable of polishing in high speed while especially keeping the planarity of a metal film by suppressing etching and erosion, a polishing method of the metal film using the abrasive compound simultaneously, and a manufacturing method of a substrate including a process of planarizing with the abrasive compound.例文帳に追加

エッチング、エロージョンを抑制し特に金属膜の平坦性を維持したまま高速に研磨できる研磨組成物を提供すると共にこの研磨組成物を用いた金属膜の研磨方法、およびこの研磨組成物で平坦化する工程を含む基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor-device damage evaluation method capable of statistically evaluating the damage of a constitution layer caused by etching, by a nondestructive manner with a small number of man-hours during the manufacturing process of the semiconductor device, to provide a manufacturing method for the semiconductor device, and to provide a damage evaluation apparatus for the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造過程において、エッチングによる構成層のダメージを、非破壊に、且つ、少ない工数を以って統計的に評価することができる半導体装置の損傷評価方法および製造方法と、半導体装置の損傷評価装置を提供する。 - 特許庁

In a process of forming a plurality of trenches in a semiconductor substrate, an etching gas containing oxygen and at least sulfur hexafluoride is used, where a flow rate of the oxygen is set at approximately 0.8 times or more and 2.0 times or less than a flow rate of the sulfur hexafluoride, or preferably nearly equal flow rate.例文帳に追加

複数のトレンチを半導体基板に形成する工程において、少なくとも六フッ化硫黄、及び、酸素を含むエッチングガスを用い、酸素の流量を六フッ化硫黄の流量の略０．８倍以上２．０倍以下とし、好ましくは略等しい流量とする。 - 特許庁

A formation such as an organic layer on each glass substrate is disposed on its inside surface; two of the glass substrates are stuck to each other while sealing the circumference of the formation; thereafter the glass substrates are polished by the etching solution; and then the glass substrates are thinned by a process for opening the circumference sealing.例文帳に追加

ガラス基板上の有機層等の形成物が内面に配置されるとともに、この形成物の外周を封止しつつ２枚のガラス基板を貼り合せた後、ガラス基板をエッチング液で研磨し、次いで、外周封止を開封する工程によりガラス基板を薄型化する。 - 特許庁

To provide a method for inexpensively producing a seed crystal for growing a SiC single crystal, by which a high-quality single crystal ingot can be grown without requiring a special process such as polishing with diamond free abrasive grains or by an etching means, and to provide a seed crystal for growing a SiC single crystal obtained by the above method.例文帳に追加

ダイヤ遊離砥粒研磨やエッチング手段等の特別な処理を必要とすることなく、良質な単結晶インゴットを育成可能なSiC単結晶育成用種結晶を低コストで製造する方法及びこの方法で得られたSiC単結晶育成用種結晶を提供する。 - 特許庁

A mask pattern (selective mask) is formed on a nickel (Ni) film 1 after a desired pattern is formed on a resist film 3, a selective etching can be performed on a wafer W by merely dipping the wafer W on which the film 3 and the film 1 are coated into the process liquid to treat the wafers W with high throughput at the low cost.例文帳に追加

レジスト膜３に所望のパターンを形成した後、ニッケル(Ni)膜１にマスクパターン（選択マスク）を形成し、レジスト被膜３とニッケル膜１を被着したウエハＷを処理液に浸漬させるだけでウエハＷの選択的エッチングが可能であり、スループット高く低コストでウエハＷを処理できる。 - 特許庁

Thereafter, in the dry etching process of the second stage, a mixture gas of CF_4 and O_2 is used, a bottom part 4R of the hole 4a is removed in a state where pressure in the reaction chamber is set to 50-1,000 Pa, and the upper surface of the carbon nanotube layer 3 is exposed.例文帳に追加

その後、第２段階のドライエッチング工程においては、ＣＦ_4およびＯ_2の混合ガスが用いられ、反応室内圧力が５０以上１０００Ｐａ以下に設定されている状態で、ホール４ａの底面部４Ｒが除去され、カーボンナノチューブ層３の上面が露出する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a silicon carbide semiconductor device in which the problems of aggregation of impurities, and the like, are eliminated in a silicon carbide layer, etching of a base contact portion is suppressed in activated annealing, or the like, and low resistivity ohmic contact is established between the source-base common electrode and the base contact portion.例文帳に追加

不純物の炭化珪素層内での凝集等の問題なく、活性化アニール等でのベースコンタクト部のエッチングを抑制し、ソース・ベース共通電極とベースコンタクト部とが、抵抗率の低いオーミックコンタクトとなる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the lead frame wherein the thin metal bar formed with a resist film is dipped in an etchant to form a prescribed pattern, a lead frame base material 11 which has finished with etching process is passed between rollers 15 and 16 which are located opposite to each other to crush the end parts in the width direction of the material.例文帳に追加

レジスト膜が形成された薄板金属条材をエッチング液に浸漬して所定のパターンを形成するリードフレームの製造方法において、エッチング処理が完了したリードフレーム基材１１を、対向配置されたローラ１５、１６の間を通過させて、その幅方向端部を押し潰す。 - 特許庁

In the patterning process of the gate, a polycrystalline silicon film 16a which constitutes the floating gate 6 is left in the element formation area 12, and besides in condition that the element isolation film 14 is exposed, the etching is stopped once, and a groove is made in the surface of the element isolating and insulating film 14.例文帳に追加

ゲート部のパターニング工程では、浮遊ゲート６を構成する多結晶シリコン膜１６ａが素子形成領域１２に残され、且つ素子分離絶縁膜１４が露出した状態で一旦エッチングを止めて、素子分離絶縁膜１４の表面に溝２３を加工する。 - 特許庁

To provide a positive resist material, in particular a chemically amplified positive resist material, which surpasses a conventional positive resist material, has high sensitivity, high resolution, exposure margin and process adaptability, ensures a good pattern shape after exposure and particularly small line edge roughness, and exhibits superior etching resistance.例文帳に追加

従来のポジ型レジスト材料を上回る高感度及び高解像度、露光余裕度、プロセス適応性を有し、露光後のパターン形状が良好であり、特にラインエッジラフネスが小さく、さらに優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。 - 特許庁

A conductive film is processed in a first etching process, and thinned by reprocessing using light ashing, the conductive film is thinly reprocessed, and at the same time, an exposed portion of an insulating film is etched away in the film thickness direction, thereby forming a step on the insulating film, and implanting impurity ions into the semiconductor layer by an ion implantation.例文帳に追加

第１のエッチング工程で導電膜を加工し、ライトアッシングして細く再加工し、導電膜を細く再加工するとともに露出していた部分の絶縁膜を膜厚方向に削り、絶縁膜に段差を作り、イオン注入で不純物イオンを半導体層に注入する。 - 特許庁

To provide a composition for forming a lower layer film for lithography and a composition for forming a planarizing film, both being used for a lithography process for manufacturing a semiconductor device, and to provide a lower layer film and a planarizing film that exhibit an etching rate greater than that of a photoresist and does not cause the intermixing with a photoresist.例文帳に追加

半導体装置製造のリソグラフィープロセスに使用される、リソグラフィー用下層膜形成組成物並びに平坦化膜形成組成物、及びフォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、そして、フォトレジストとのインターミキシングを起こさない下層膜並びに平坦化膜を提供すること。 - 特許庁

In this laminated plate for flexible printed wiring board where copper foil is laminated via an adhesive agent layer at least on the single surface of a flexible insulation film, haze (cloudiness) value of the flexible insulation film, after the copper foil is removed with the etching process, is 50% or smaller.例文帳に追加

可撓性絶縁フィルムの少なくとも片面に接着剤層を介して銅箔が積層されたフレキシブルプリント基板用積層板であって、その銅箔をエッチングにより除去した後の可撓性絶縁フィルムのヘーズ（曇価）が５０％以下であることを特徴とするフレキシブルプリント基板用積層板。 - 特許庁

A manufacturing method for a semiconductor device including a channel-etched inverted-staggered thin film transistor includes a process of etching an oxide semiconductor film and a conductive film with a mask layer formed using a multi-gradation mask, which is an exposure mask allowing transmitted light to have a plurality of intensities.例文帳に追加

チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical disk substrate and an optical master disk having a shape with which a land prepit(LPP) and neighboring grooves thereof do not affect groove recording quality when pits and grooves having different depths are formed in the same master disk by using plasma etching and an ashing process.例文帳に追加

プラズマエッチングとアッシングプロセスを用いて、深さが異なるピットとグル−ブを同一原盤内に形成する際に、ランドブリピット（ＬＰＰ）及びその隣接グル−ブがグル−ブ記録品質に影響を与えることない形状の光ディスク基板および光ディスク原盤の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a liquid crystal display unit capable of preventing the end of a gate line, the end of a data line, and the surface of a drain electrode from being damaged and from having a reversed tapered structure during the period of the progress of an etching process for forming a contact hole and thereby improving electrical characteristics and the reliability of the liquid crystal display unit.例文帳に追加

接触孔形成のためのエッチング工程進行時に、ゲート線の端部、データ線の端部及びドレーン電極の表面が損傷及び逆テーパ構造となることを防止し、液晶表示装置の電気的特性及び信頼性を向上する製造方法の提供。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor device, in order to provide a semiconductor substrate (202), to form a dielectrics layer (204) on the semiconductor substrate (202) and to expose part of a surface of the semiconductor substrate (202), a process is contained wherein a trench or a via (206) is formed on the dielectrics layer (204) by etching.例文帳に追加

半導体デバイスを製造する方法は、半導体基板（２０２）を提供し、半導体基板（２０２）の上に誘電体層（２０４）を形成し、半導体基板（２０２）の表面の一部を露出させるため、誘電体層（２０４）にトレンチ又はバイア（２０６）をエッチングする工程を含む。 - 特許庁

The mask blanks for electron beam lithography are manufactured as intermediate products by forming a protective coat 14 and a hard mask 15 on the front and back sides of the SOI substrate 10 (Fig. 1 (A)), respectively (process for simultaneously forming a protective film and a hard mask in Fig. 1 (B)), followed by subjecting the silicon base layer 13 and a BOX layer 12 to etching.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１０（図１（Ａ））の表裏面に保護膜１４およびハードマスク１５を形成した後（保護膜・ハードマスク同時形成工程 図１（Ｂ））、シリコンベース層１３およびＢＯＸ層１２をエッチングして、中間製品としての電子ビーム描画用マスクブランクスを製造する。 - 特許庁

To provide a metallic pattern forming method capable of forming fine metallic patterns, without performing etching process and forming the metallic patterns having superior adhesiveness between a base material and a metal film and having a high thermal resistance, even when there is little irregularities of the base material interface.例文帳に追加

エッチング工程を行うことなく微細な金属パターンの形成が可能であり、且つ、基材界面の凹凸が少ない場合でも基材と金属膜との密着性に優れた耐熱性の高い金属パターンを形成しうる金属パターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

Furthermore, an electrode pattern can be formed in a short process, without forming a mask required for protecting silver in etching, by leaving, as it is, only silver on the gold or platinum layer, in the silver thin film formed on the whole surface on the glass substrate where a gold or platinum pattern is formed.例文帳に追加

さらに、金や白金のパターンを形成したガラス基板上の全面に形成された銀薄膜のうちの、金や白金層の上のみに銀を残し、エッチングの際に銀を保護するために必要となるマスクを形成することなく短い工程で電極パターンを形成できる。 - 特許庁

Thus, it is possible to prevent excessive etching caused by the variation of a process by the dummy gate wiring 52 on which the insulating film 21 is formed and the sidewall insulating film 4, and to prevent the insulating film 21 from being dug down in advance by the sidewall insulating film 4.例文帳に追加

これにより、絶縁膜２１をその上に形成されたダミーゲート配線５２およびサイドウォール絶縁膜４によってプロセスばらつきによる過度のエッチングを防止し、また、事前に発生した絶縁膜２１の掘れ下がりをサイドウォール絶縁膜４によって埋め戻すことができる。 - 特許庁

To provide a remover for multistage processing which safely and efficiently removes an etching residue in a short time that is formed in the forming process of a semiconductor multi-layer wiring structure and a display panel such as a liquid crystal panel, and to provide a stripping method using the remover.例文帳に追加

半導体多層配線構造や液晶パネルなどの表示パネルの配線構造形成工程において形成されるエッチング残渣物を安全に、かつ短時間に効率的に除去することのできる多段階処理用剥離液およびこれを用いた剥離方法を提供する。 - 特許庁

To provide a negative resist material, in particular, a chemically amplified negative resist material that can exhibit higher resolution than conventional hydroxy styrene or novolac negative resist materials, that provides excellent pattern profiles after being exposed and that exhibits excellent etching resistance; and a patterning process that uses the resist material.例文帳に追加

従来のヒドロキシスチレン系、ノボラック系のネガ型レジスト材料を上回る高解像度を有し、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すネガ型レジスト材料、特に化学増幅ネガ型レジスト材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Also, a contact hole 10 is formed in an interlayer insulating film 9, and the high melting point metal silicide is accumulated on the whole face, and the patterning of the high melting point metal silicide is carried out, without etching-back, and metallic wirings including the bit lines 12 are formed so that a manufacturing process can be shortened in time.例文帳に追加

また、層間絶縁膜９にコンタクト孔１０を形成し高融点金属シリサイドを全面に堆積させた後にエッチバックを行うことなく、そのまま高融点金属シリサイドのパタ−ニングを行い、ビット線１２を含む金属配線を形成しているので製造工程を短縮できる。 - 特許庁

High-frequency energy is given to a gas introduced into the processing chamber 2D by a gas inlet means 6 from a high-frequency power supply 71 through the intermediary of a matching device 72 to produce a plasma P, and the surface of a substrate 9 held by the substrate holder 5 located at a closing position is subjected to pre-process etching.例文帳に追加

ガス導入手段６が導入したガスに、基板ホルダー５と一体に移動する整合器７２を介して高周波電源７１から高周波エネルギーが与えられてプラズマＰが形成され、閉位置にある基板ホルダー５に保持された基板９の表面が前工程エッチング処理される。 - 特許庁

The fine pillar structure is formed on the polymer material by carrying out dry-etching under the condition of process pressure of the reactive ion by mixed gas of more than 0.01 Pa and less than 0.2 Pa by using the mixed gas of oxygen or inactive gas mainly with oxygen and halogen containing gas.例文帳に追加

酸素もしくは酸素を主体とした不活性ガスやハロゲン含有ガスとの混合ガスを用いて、これら混合ガスによる反応性イオンのプロセス圧力を０．０１Ｐａ以上０．２Ｐａ以下の条件にして、ドライエッチングを行い、ポリマー材料に微細なピラー構造を形成する。 - 特許庁

To provide a process for producing an epitaxial wafer for nitride semiconductor light-emitting diode, in which a moderately roughened surface exhibiting high light take-out efficiency is provided, without bringing about increase in fabrication method and fabrication cost, as in the methods where wet etching or a resist pattern have been used for a long time.例文帳に追加

長時間のウエットエッチングやレジストパターンを用いる方法のように製造工程及び製造コストの増加をもたらすことがなく、光取出し効率の高い適度に荒れた表面を有する窒化物半導体発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The conductive flat cable with good heat resistant property having a narrow pitched conductive circuit is manufactured without going through a complicated manufacturing process such as etching, if it matches a material quality of the insulating base material, and not limited by any electric connection conduction method if it matches usage of conductive paste.例文帳に追加

エッチング等の煩雑な製造プロセスを介することなく、絶縁基材の材質特性に合わせれば、耐温性がよく、導電回路のピッチが小さい導電フラットケーブルを製造でき、導電ペーストの使用に合わせれば、いずれの電気的接続導通方式にも制限されない。 - 特許庁

The photoresist compositions exhibit both acceptable resistance to dry etching processing and light transmittance suitable for use with various light sources such as KrF excimer lasers, ArF excimer lasers or F_2 excimer lasers, in a photolithography process to produce fine photoresist patterns.例文帳に追加

ドライエッチング工程で許容可能な耐性を提供し、微細なフォトレジストパターンを形成するためのフォトリソグラフィ工程において、ＫｒＦエキシマーレーザー、ＡｒＦエキシマーレーザー、またはＦ_２エキシマーレーザーのように多様な光源の使用に適した光透過度を提供するフォトレジスト組成物。 - 特許庁