「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve resistance characteristics of a gas barrier layer against an etching liquid and a cleaning liquid in a process after a gas barrier layer film forming in an organic EL element composed of sequentially laminating a color filter layer, the gas barrier layer, and an organic EL structure on a substrate.例文帳に追加

基板上にカラーフィルタ層、ガスバリア層、および有機ＥＬ構造体を順次積層してなる有機ＥＬ素子において、ガスバリア層成膜後の後工程におけるエッチング液や洗浄液に対するガスバリア層の耐性を向上させる。 - 特許庁

In the removal process of the semiconductor layer 14, a dry etching method is used so that even an electrode film 19 hidden under a resist 20 can be prevented from being removed, and that any level in difference can be prevented from being generated between the electrode 15 and 16 and the semiconductor layer 14.例文帳に追加

半導体層１４の除去工程では、ドライエッチング法を用いているので、レジスト２０の下に隠れている電極膜１９まで除去されることがなく、電極１５，１６と半導体層１４との間で段差は生じない。 - 特許庁

To provide a low cost film key sheet capable of selecting a free character color by forming a colorless region by removing dye with an etching solution, and enhancing a mass production capability by shortening the time of a decoloring process of a transparent colored layer.例文帳に追加

エッチング溶液による染料の除去により無色領域を形成することで自由な文字色が選定でき、さらに透明着色層の脱色工程が短時間とでき、量産性が向上した低コストのフィルムキーシートの提供 - 特許庁

To provide semiconductor light emission equipment that can be manufactured by simplifying a process without deterioration in the crystallizability of any etching stop layer in the semiconductor light emission equipment where pluralities of semiconductor light-emitting devices are mounted, and to provide a method for manufacturing the semiconductor light emission equipment.例文帳に追加

複数個の半導体発光素子を搭載する半導体発光装置においていずれのエッチングストップ層の結晶性を悪化させることなく工程を簡略化して製造可能である半導体発光装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for removing dross generated by laser boring during processing of a via hole connecting upper and lower conductor wiring layers by etching which is excellent in dimensional stability and realizes connection reliability in a following process.例文帳に追加

上下の導体配線層を接続するビアホールをレーザー穴あけ加工により加工した際に発生するドロスを、寸法安定性に優れ、後のめっき工程において接続信頼性の得られるエッチングにより除去する製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby phase difference control based on the additional etching can be performed also on the way of the phase shifting mask preparing process, the preparation efficiency of the phase shifting mask can be improved, the quality of a semiconductor device can be stabilized, and the cost of the device can be reduced.例文帳に追加

したがって、位相シフトマスクの作製工程途中でも、追加エッチングによる位相差制御を行なうことが可能になり、位相シフトマスクの作製効率を改善でき、半導体装置の品質の安定化やコストダウンを図ることが可能となる。 - 特許庁

To control excessive etching process within a reactor during dry cleaning while controlling the accumulated film thickness in the down-stream side of a processing region for the purpose of forming a film within the reactor of a double structure including a vertical internal pipe and an external pipe.例文帳に追加

縦型の内管及び外管を含む二重構造の反応容器内を用いて成膜を行うにあたって、処理領域の下流側の累積膜厚を抑制してドライクリーニング時における反応容器内の過剰なエッチングを抑えること。 - 特許庁

To provide a device for processing work by plasma capable of moving electrodes closer to each other, to increase an etching rate, when plasma- processing a work and of increasing a gap between the electrodes, when putting the work into or out of the gap between the electrodes after the plasma process is finished.例文帳に追加

プラズマ処理時には電極部同士を接近させてエッチングレートを上げ、プラズマ処理が終了してワークを電極部間に出し入れするときには、電極部間の間隔を大きくできるワークのプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

Next, the wiring protecting metal film 9 in other than the area under the columnar electrode 10 is removed by the etching process with the columnar electrode 10 as a mask to expose the upper surface of the wiring 8 in other than the area under the columnar electrode 10.例文帳に追加

次に、柱状電極１０をマスクとして、柱状電極１０下以外の領域における配線保護金属膜９をエッチングして除去し、柱状電極１０下以外の領域における配線８の上面を露出させる。 - 特許庁

A side wall protective film 4 which is formed in a plasma etching process for forming a viahole 2a as the electric continuity hole in a silicon based oxide film 2 as the interlayer insulating film of a substrate is reformed so as to be easily dissolved in water in plasma treatment for eliminating a resist mask 3.例文帳に追加

基板の層間絶縁膜であるシリコン系酸化膜２に導通孔であるビアホール２ａを設けるためのプラズマエッチング工程で形成される側壁保護膜４を、レジストマスク３を除去するプラズマ処理において水に溶けやすく改質する。 - 特許庁

When an opening is shaped in the insulation films 10, 30, an insulation film in a part which becomes island-like insulation films 11i, 31i is precluded from etching removal so that flattening in a CMP process can be carried out properly.例文帳に追加

ここにおいて、絶縁膜１０，３０への開口に際しては、ＣＭＰ工程における平坦化を好適に行うことを可能とすべく、島状絶縁膜１１ｉ、３１ｉとなる部分の絶縁膜はエッチング除去される対象から外される。 - 特許庁

In the dry etching process of the first stage, a mixture gas of CF_4 and O_2 is used, and a hole 4a having a depth of a level without exposing the carbon nanotube layer 3 is formed in a state where pressure in a reaction chamber is set below 50 Pa.例文帳に追加

第１段階のドライエッチング工程においては、ＣＦ_4およびＯ_2の混合ガスが用いられ、反応室内圧力が５０Ｐａより小さく設定されている状態で、カーボンナノチューブ層３を露出させない程度の深さのホール４ａが形成される。 - 特許庁

Specifically, a dual damascene structure corresponding to a design pattern figure can be formed by means of one exposure, development and etching step using a high resolution gray scale mask, which reduces a production process of a dual damascene structure and enhances the pattern accuracy.例文帳に追加

具体的には、高分解能グレーマスクを用いて、１回の露光、現像及びエッチング工程により、設計パターン形状に対応したデュアルダマシン構造を形成可能とし、デュアルダマシン構造の作製工程の短縮化及びパターン精度を向上させる。 - 特許庁

To provides an inhibition to a short circuit between a bit line and a capacitance contact without employing an SAC (self alignment contact) process of forming a hard mask film on an upper surface of the bit line and providing a side surface of the bit line with a sidewall formed by etching back a nitride film.例文帳に追加

ビット線の上面にハードマスク膜を形成し、ビット線の側壁に窒化膜をエッチバックして形成したサイドウォールを設けるＳＡＣ（セルフアラインコンタクト）プロセスを用いることなくビット線と容量コンタクトとの間の短絡を防止する。 - 特許庁

Here, before the etching process is applied, a portion where a contact hole is formed is covered above peripheral circuit elements constituting a peripheral circuit SK, and the second insulating film 512 is patterned so that a portion other than the portion is opened.例文帳に追加

ここでは、上記のエッチング処理の実施前に、周辺回路ＳＫを構成する周辺回路素子の上方においてコンタクトホールを形成する部分を被覆し、その部分以外の部分が開口するように、第２の絶縁膜５１２をパターン加工する。 - 特許庁

Then, a signal wiring layer 9 having the specific pattern is formed on the copper layer 1 by the photo process and etching, photo solder resist 10 is applied, patterning is made into a prescribed shape, and a via hole 11 for a soldering ball is formed by baking for curing.例文帳に追加

次に、他の銅層１にフォトプロセスとエッチングによって所定のパターンを有する信号配線層９を形成し、フォトソルダレジスト１０を塗布し、所定の形状にパターニングし、ベークを行って硬化させて半田ボール用のビア１１を形成する。 - 特許庁

In the emitter aperture window forming process, immediately after a SiO_2 layer is removed with the dry etching method using a resist mask, the phosphorus ion is implanted into an Si substrate through the IBDP layer, SiO_2 layer and Si/SiGe layer using the same resist mask.例文帳に追加

エミッタ開口窓の形成工程において、レジストマスクを用いてＳｉＯ_2層をドライエッチングした直後に、同じレジストマスクを用いてＩＢＤＰ層とＳｉＯ_2層とＳｉ／ＳｉＧｅ層を貫通させて、Ｓｉ基板中にＰのイオン注入を行う。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device excellent in element characteristics with a better yield by removing a resist by wet cleaning and by sufficiently removing particles and metal impurities without damaging a micro pattern after dry etching in a lithographic process.例文帳に追加

リソグラフィ工程のドライエッチング後において、ウェット洗浄によりレジストを除去するとともに、微細パターンにダメージを与えることなくパーティクルや金属不純物を十分に除去し、素子特性に優れた半導体装置を歩留まりよく製造する。 - 特許庁

To provide a plate surface processing liquid, such as a neutralization stabilizing liquid or an etching liquid applied after the development processing of a lithographic printing plate by a silver complex salt diffusion transfer process, in which the plate wear of silver image is enhanced and, at the same time, an ink transfer point is improved.例文帳に追加

銀錯塩拡散転写法を用いた平版印刷版の現像処理後に施される中和安定化液あるいはエッチ液のような版面処理液に於いて、銀画像の耐刷力を向上させ、かつインキ乗り点を改良する。 - 特許庁

The process of forming the covering layer includes: a stage wherein at least a part of the surface of the support or at least a part of the surface layer is subjected to anodic oxidation; a stage wherein etching is performed after that; and a stage wherein anodic oxidation is further performed.例文帳に追加

被覆層を形成する工程は、支持体の表面の少なくとも一部または表面層の少なくとも一部を陽極酸化する工程と、その後にエッチングを行う工程と、さらにその後に陽極酸化を行う工程を包含する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device which reduces loading effect by dry etching that occurs due to density difference between a test pattern for estimating transistor characteristics and a pattern in a pixel main body and that causes different processed shapes and displays different characteristics in a process for forming a TFT thin film transistor of the liquid crystal display device.例文帳に追加

液晶表示装置のＴＦＴ薄膜トランジスタ形成工程において、トランジスタ特性を評価するテストパターンと画素本体内のパターンの密度差からドライエッチによるローディング効果で、加工形状が異なり、特性に差が現れる。 - 特許庁

In the method for reducing a hydrochloric acid odor of a hydrochloric acid-containing aluminum chloride solution, such as a concentrated liquid of an etching treatment process waste liquid of aluminum foil, the addition of polyaluminum chloride to the solution reduces the odor of the aluminum chloride solution.例文帳に追加

アルミニウム箔のエッチング処理工程廃液の濃縮液など、塩酸を含む塩化アルミニウム溶液の塩酸臭を低減する方法において、該溶液にポリ塩化アルミニウムを添加することにより、該塩化アルミニウム溶液の臭気を低減する。 - 特許庁

The trench 106 is formed in a semiconductor silicon substrate 101 by dry etching using the mask, and hydrophilic treatment is performed on the interior of the hydrophobic trench 106, and then, the SiO_2 film 104 used as the mask for trench formation is removed by a wet process.例文帳に追加

マスクを用いて、シリコン基板１０１にドライエッチングにより溝部１０６を形成し、その疎水性の溝部１０６の内部に親水化処理を行った後に、溝部形成にマスクとして用いたＳｉＯ_２膜１０４をウェット処理により除去する。 - 特許庁

Upon forming a light-transmitting pixel electrode 7a having a slit 7b on an insulating film 8 in the process of manufacturing an element substrate of a liquid crystal, a resist mask 96 is formed on an overlay conductive film 7 and subjected to dry etching.例文帳に追加

液晶装置の素子基板の製造工程において、スリット７ｂを備えた透光性の画素電極７ａを絶縁膜８上に形成するにあたって、上側導電膜７の上にレジストマスク９６を形成した後、ドライエッチングを行なう。 - 特許庁

To provide a ridge type semiconductor laser so constituted as to improve the reproducibility of diffraction grating formation during a production process, and to prevent the deterioration of the crystal quality of an etching stopper layer, and a method for manufacturing the ridge type semiconductor laser.例文帳に追加

製造中に回折格子形成の再現性を良くすること及びエッチングストッパ層の結晶品質の劣化を防ぐことができる構造のリッジ型半導体レーザ及びリッジ型半導体レーザの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To considerably reduce the load on the environment by not using any hexavalent chromium or potassium permanganate which has been used in the etching process, and to enhance the adhesiveness of a plating coating film applied on a polystyrene-based resin.例文帳に追加

従来からエッチング工程において使用されてきた六価クロムや過マンガン酸カリウムなどを一切使用しないことで、環境に対する負荷を極めて少なくすることができ、更にポリスチレン系樹脂に施しためっき皮膜の密着性を向上させる。 - 特許庁

After the edge property of the exposed photoresist layer is varied, an etching process is performed to the wafer by using the exposed photoresist layer as a mask, so as to make a patterned material layer having a uniform critical dimension formed on the wafer.例文帳に追加

露光されたフォトレジスト層のエッジプロパティを変化させた後、露光されたフォトレジスト層をマスクとして使用することによりウエハにエッチングプロセスを行い、ウエハ上に形成された均一な最小加工寸法を有するパターン化材料層を形成する。 - 特許庁

As the source electrode 107 can be formed of two layers and an etching process of the second metal layer 1072 of the source electrode 107 in the through hole 130 can be eliminated, the cost for manufacturing the liquid crystal display device can be reduced.例文帳に追加

ソース電極１０７を２層で形成できることと、スルーホール１３０におけるソース電極１０７の第２の金属層１０７２のエッチングプロセスを削減することができるので液晶表示装置の製造コストを低減することが出来る。 - 特許庁

To provide a process for producing electrolessly plated articles by providing electroless plating having high adhesive strength on molded articles of a thermoplastic resin composition composed of a high hardness thermoplastic resin composition and an inorganic filler without effecting chemical etching treatment.例文帳に追加

硬度の高い熱可塑性樹脂組成物と無機充填材からなる熱可塑性樹脂組成物の成形品に化学エッチング処理することなく密着強度の大きな無電解メッキを施す無電解メッキ品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resist composition less liable to cause the photodegradation and crosslinking reaction of a base resin in a lithographic process using radiation of an ultra-short wavelength of ≤160 nm as a light source and excellent in dry etching resistance.例文帳に追加

波長１６０ｎｍ以下の超短波長放射線を光源に用いるリソグラフィープロセスにおいて、基材樹脂の光分解や架橋反応が起こりにくく、しかも耐ドライエッチング性に優れる放射線感応性レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing an element including the structures 3, 5 having the photonic crystal effect comprises the steps of forming a GaN system semiconductor layer 3 including a crystal inverting region 4 and removing the crystal inverting region 4 with the wet etching process.例文帳に追加

フォトニック結晶効果を有する構造３，５を含む素子を製造する方法であって、結晶反転領域４を含むＧａＮ系半導体層３を形成する工程と、結晶反転領域４をウェットエッチングにより除去する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a substrate treatment method and a substrate treatment device in which the line width or the like of a resist pattern really formed in a photo-lithography process can be precisely measured and a desired circuit pattern can be finally formed after etching.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程で実際に形成されたレジストパターンの線幅等を精密に測定でき、エッチング処理後において最終的に所望の回路パターンを形成することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method or the like for a semiconductor device capable of making the time required for a plasma etching process forming a trench for an element isolation shorter than conventional devices, and capable of improving a productivity by enhancing a throughput.例文帳に追加

素子分離のためのトレンチを形成するプラズマエッチング工程に要する時間を従来に比べて短縮することができ、スループットの向上による生産性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法等を提供する。 - 特許庁

This apparatus 10 for chemically etching a workpiece includes: a chamber 11 having a pumping port 16 for receiving a process gas and extracting exhaust gas; and a workpiece support 12 arranged in the chamber 11 upstream of the pumping port 16.例文帳に追加

本発明の、ワークピースを化学的にエッチングする装置１０は、プロセスガスを受け入れて排気ガスを抜き出すポンピングポート１６を有するチャンバ１１と、ポンピングポート１６の上流側においてチャンバ１１内に配置されるワークピース支持部１２と、を備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an oscillating body apparatus by which micro oscillating bodies having different resonance frequencies are manufactured with the same etching mask, and reduction in an effective reflection area and variation in the resonance frequency in manufacturing process is suppressed.例文帳に追加

異なる共振周波数のマイクロ揺動体を同じエッチングマスクで製造することができ、有効反射面積の低下及び共振周波数の製造ばらつきを抑制することが可能となる揺動体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After catalyst metal particles of a nanometer size are formed as separated on a substrate by an etching process (step 30), high purity carbon nanotubes perpendicularly arranged on the substrate are grown by a thermochemical vapor phase vapor deposition method using a carbon source gas (step 40).例文帳に追加

蝕刻工程を用いて基板上に分離されたナノサイズの触媒金属粒子を形成した（３０段階）後、カーボンソースガスを用いた熱化学気相蒸着法で基板に垂直整列された高純度のカーボンナノチューブを成長させる（４０段階）。 - 特許庁

This connector has an insulating board 10 and wiring parts 11 formed on one surface thereof, and the wiring parts 11 are formed by etching a metal thin layer formed by subjecting a transferred plating catalyst layer to electrodeless plating process.例文帳に追加

コネクターは、絶縁性基板およびその一面に形成された配線部とを有し、配線部は、転写されたメッキ触媒層に無電解メッキ処理を行うことによって形成された金属薄層が、エッチングされることにより形成されたものである。 - 特許庁

To provide a surface treatment agent composition for a silicon wafer, having good cleaning performance to coolants, abrasive-grains or silicon powders and also being capable of making a wafer surface allowing formation of good texture in a subsequent etching process.例文帳に追加

クーラント、砥粒、あるいはシリコン粉に対する優れた洗浄性能を有し、かつ、その後のエッチング工程において良好なテクスチャーを形成することができるウェハ表面を作り上げることができるシリコンウェハ用表面処理剤組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory element and a manufacturing method thereof capable of reducing a load in an etching process for a storage electrode and a plate electrode, and capable of realizing higher integration of a ferroelectric capacitor module.例文帳に追加

ストレージ電極およびプレート電極のエッチング工程における負荷を軽減させるとともに、強誘電体キャパシタモジュールを高集積化させることができる強誘電体メモリ素子の製造方法および強誘電体メモリ素子を提供すること。 - 特許庁

To prevent a lower structure from being damaged by an oxide film etchant by adjusting an etchant proportion in a step of applying specified etching added to a nitride film strip process to remove a natural oxide film on a nitride film.例文帳に追加

窒化膜ストリップ工程に、酸化膜エッチャントを用いた所定のエッチングを行う段階を追加して窒化膜上の自然酸化膜を除去するが、エッチャントの割合を調節してエッチャントによる下部構造物の損傷を防止することを目的としている。 - 特許庁

To protect carbon from separation from the exposed surface of a recess area due to the plasma used for the ashing when such ashing of a resist film at the upper part of a SiOCH film is conducted to a wafer having the SiOCH film to which the recess area is formed by the etching process.例文帳に追加

エッチングによって凹部の形成されたＳｉＯＣＨ膜を有するウェハに対してＳｉＯＣＨ膜の上方のレジスト膜のアッシングを行うにあたり、アッシングに用いられるプラズマによって前記凹部の露出面から炭素を脱離させないこと。 - 特許庁

To provide an electrode plate for a plasma device which can easily be positioned when fitted to a diffusion plate of a plasma dry etching device, etc., and causes neither cracking nor breaking during fitting using a bolt and an actual process.例文帳に追加

プラズマ装置用電極板をプラズマドライエッチング装置等の拡散板部に取り付けるに際して、容易に位置決めが可能で、かつボルトによる取り付け時および実プロセスにおいて、クラックや割れが発生しないプラズマ装置用電極板を提供する。 - 特許庁

To provide manufacturing technique which suppresses damage given to an aluminum alloy film as much as possible, and permits the realization of highly reliable element, in reference to the manufacturing method of the element which comprises a process for forming a wiring circuit by etching the aluminum alloy film.例文帳に追加

アルミニウム合金膜をエッチングして配線回路を形成する工程を備える素子の製造方法に関し、アルミニウム合金膜へダメージを与えることを極力抑制し、信頼性の高い素子を実現可能とする製造技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor devices using a multichamber system of etching facility for manufacturing semiconductor devices, which has effects of increasing a transfer speed of wafers and the like by arranging many process chambers in series in many layers.例文帳に追加

本発明は、多数個の工程チャンバーを多層に直列配置してウェハの移送速度を向上させる等の効果を奏する半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムを用いる半導体素子の製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electro-optical apparatus capable of certainly preventing poor etching of a semiconductor film caused by remaining contaminations, with the capability of certainly removing the contaminations deposited on a substrate in a process of resist trimming.例文帳に追加

レジストをトリミングする工程において基板に付着した異物を確実に除去できることにより、残留した異物による半導体膜のエッチング不良を確実に防止することができる電気光学装置の製造方法を提供する。 - 特許庁