「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a high reliability thin film capacitor by preventing the exfoliation of the periphery of a thin film upper electrode and a dielectric layer from a support substrate, in a photolithographic etching process, after the formation of the thin film upper electrode layer.例文帳に追加

薄膜上部電極層形成後のフォトリソエッチング工程において、薄膜上部電極及び誘電体層の外周部の支持基板からの剥離を防止し、信頼性の高い薄膜コンデンサを提供する。 - 特許庁

Firstly, in a first cleaning step, a SiN film/quartz etching-rate-selection ratio is increased by setting a temperature in the treatment chamber to 300°C to mainly remove the SiN film attached to the quartz memeber in the film forming process.例文帳に追加

まず、第１のクリーニング工程で、処理室内の温度を３００℃とすることで、ＳｉＮ膜／石英エッチングレート選択比を上げ、成膜工程において石英製部材に付着したＳｉＮ膜を主に除去する。 - 特許庁

To provide a negative resist material, particularly a chemically amplified negative resist material, having high sensitivity, high resolution, exposure latitude and process adaptability, giving a good pattern shape after exposure and exhibiting excellent etching resistance.例文帳に追加

高感度及び高解像度、露光余裕度、プロセス適応性を有し、露光後のパターン形状が良好であり、さらに優れたエッチング耐性を示すネガ型レジスト材料、特に化学増幅ネガ型レジスト材料を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a printed wiring board which eliminates the need of a quick etching process for removing an unnecessary part of a foundation metallic layer while using a plating method, and can supply electric power even by a continuous transfer type method.例文帳に追加

めっき法を用いながら、下地金属層の不要な部分を除去するクイックエッチング工程を不要とし、また連続搬送型製法にしても給電できるプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, the side faces of the gate groove 9 become smooth, so that the ON-state resistance of the power MOSFET can be reduced, and furthermore a round etching process can be dispensed with, whereby the manufacturing TAT of the power MOSFET can be shortened.例文帳に追加

従って、ゲート溝９の側面が滑らかとなることからオン抵抗は低減し、さらにラウンドエッチング工程が削除できることからパワーＭＯＳＦＥＴの製造ＴＡＴを短縮することができる。 - 特許庁

To provide a method for correcting variations in a CD due to fogging effect, that appears in electron beam exposure and/or loading effect that appears in a dry etching process for exposure, and to provide a record medium where the method is recorded.例文帳に追加

電子ビーム露光時に現れるフォギング効果及び／または乾式エッチング工程時に現れるローディング効果によるＣＤの変化を補正して露光する方法及びこれを記録した記録媒体を提供する。 - 特許庁

A wafer W on which needle-like projections T are generated on a surface side bevel part and a complex compound P adheres to a rear face side bevel part by being exposed in an etching process is placed on a rotary stage in a vacuum chamber.例文帳に追加

エッチング工程にて曝されて表面側ベベル部に針状突起群Ｔが生成され、また裏面側のベベル部に複合化合物Ｐが付着したウエハＷを真空室内の回転ステージに載置する。 - 特許庁

To provide a device for preventing a running out of gaseous raw material in a process in which a deposited film is formed or an etching is proceeded in correspondence with the kind of gas by irradiating the surface of a specimen with a beam in the environment of the gas.例文帳に追加

ガス雰囲気中の試料表面にビームを走査し、ガス種に応じたデポジション膜の形成やエッチンク加工を行うに際し、工程の途中でガス原料が無くなるのを防ぐための装置を提供すること。 - 特許庁

As the etching reaction advances, the concentration of the fluorine radical decreases, and in due course, an atmosphere in the reaction vessel is replaced by the thin-film formation process gas, a deposition reaction is started, and a film grows on the thin-film formation surface of the substrate.例文帳に追加

エッチング反応の進行によりフッ素ラジカルの濃度は減少し、やがて、薄膜形成用プロセスガスに反応容器内の雰囲気が置換されて、堆積反応が開始し、基板の被形成面に膜が成長する。 - 特許庁

Since a process for masking and etching a part contacting a source electrode 18 is omitted to form the inter-layer insulating film 17 at a required part in self- alignment manner, higher integration is provided and greatly contributes to lowering the on-resistance.例文帳に追加

ソース電極１８にコンタクトする部分をマスクおよびエッチングする工程が省け、セルフアラインで層間絶縁膜１７を必要な部分に形成できるため、高集積化が図れ、低オン抵抗化にも大きく寄与できる。 - 特許庁

In an evacuation process after the apparatus is cleaned in the open atmosphere, the vacuum-chamber wall temperature is set higher than by ordinary etching of the products while discharge is simultaneously carried out in a gas containing SF_6 or CF_4.例文帳に追加

装置の大気開放清掃終了後の真空引きにて、真空容器壁温度を通常の製品エッチング時の温度より高く設定すると同時にＳＦ６あるいはＣＦ４を含むガスで放電を行う。 - 特許庁

To provide a transparent conductive film which does not erode a supplemental electrode when patterning, disusing a complicated patterning process like photolithographic etching, and a manufacturing method of the same, and to provide an electroluminescent element using the same.例文帳に追加

フォトリソ・エッチングなどの複雑なパターニング工程が不要であり、また、パターニング時に補助電極を侵食しない透明導電性フィルム及びその製造方法、並びにそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming an insulating film and the insulating film, wherein the insulating film at a low relative dielectric constant and excellent in resistance or the like to a process such as etching, ashing or wet cleaning can be formed.例文帳に追加

低比誘電率であり、エッチング，アッシングあるいはウエット洗浄などのプロセスに対する耐性などにも優れた絶縁膜を形成することができる絶縁膜の形成方法および絶縁膜を提供する。 - 特許庁

In a process for patterning the wiring 30, etching is performed so as to cut the wiring 30 so that the semiconductor layer 20 is left as it is, on a position furthermore in the cutting line direction of the substrate 10 than the drain electrode 32 or the source electrode 34.例文帳に追加

配線３０をパターニングする工程で、ドレイン電極３２又はソース電極３４よりも基板１０の切断ライン方向の位置で、半導体層２０を残すように配線３０を切断するようにエッチングする。 - 特許庁

Here, the resist film 10 is removed, the Ni film 2 exposed by the removal of this resist 10 is then removed by an etching process to selectively form a Cu film 4 on the Au film with the electrolytic or non-electrolytic plating.例文帳に追加

上記レジスト膜１０を除去し、このレジスト１０の除去によって露出したＮｉ膜２をエッチングで除去し、上記Ａｕ膜３上に選択的に電解もしくは無電解メッキによりＣｕ膜４を形成する。 - 特許庁

To pattern a laminated film with small size shift, without reducing photoresist size, in a process where an upper electrode film and a ferroeelctric film are subjected to in batch dry etching by using the same photoresist mask and a pattern is formed.例文帳に追加

上部電極膜と強誘電体膜を同一のフォトレジストマスクを用い一括でドライエッチングを行いパターンを形成する工程において、フォトレジストサイズの縮小がなく、サイズシフトの小さい積層膜のパターニングを行う。 - 特許庁

To provide a light emitting element and a method of manufacturing the same which can prevent a residue of a protective metal layer in a dry etching process from being deposited on a compound semiconductor layer and degrading electrical characteristics.例文帳に追加

ドライエッチング工程で生じる保護金属層の残留物が化合物半導体層に付着され、電気的特性が低下することを解決することができる発光素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

When the fluorine remains therein, the fluorine is so dissolved in a water by the rinsing of a cleaning process performed thereafter, etc., and is so changed into a hydrofluoric acid as to generate voids in after-processes by etching the porous low dielectric-constant film 3a.例文帳に追加

フッ素が残留すると、その後の洗浄工程の水洗などによりフッ素が水に溶解してフッ酸となり、多孔質低誘電率膜３ａをエッチングし、その後の工程でボイドが発生してしまう。 - 特許庁

To provide a patterning method capable of accurately processing a processing object layer even when the processing object layer is formed by containing a material unsuitable for a wet process or a material having a large amount of etching shift.例文帳に追加

被加工層がウエットプロセスに適さない材料、またはエッチングシフト量の多い材料を含んで構成されている場合であっても、高精度に被加工層を加工することを可能とするパターニング方法を提供する。 - 特許庁

A patterned metallic wiring 4 is formed by etching the metallic wiring layer 16 using the patterned photoresist layer 18 and the insulating film 2 as masks, and the photoresist layer 18 is removed and a process is completed.例文帳に追加

そして、パターンニングしたフォトレジスト層１８および絶縁膜２をマスクとして金属配線層１６をエッチングして、パターンニングした金属配線４を形成し、フォトレジスト層１８を除去して工程を完了する。 - 特許庁

A base film may be formed between the first trenches, and on the side wall of the first trench (this first trench protects the side wall of the first trench during the second etching process) in one embodiment.例文帳に追加

一形態では、下地膜が、第１のトレンチ部分の間、第１のトレンチ部分の側壁上に形成されてもよい（この第１のトレンチ部分は、第２のエッチングプロセスの間、第１のトレンチ部分の側壁を保護する）。 - 特許庁

The antireflection coating is formed at PN junction with a photodiode and in a CMOS process for assembly/manufacture of a CMOS device for amplifying a photodetector signal, with a polysilicon gate layer used as an etching stop here.例文帳に追加

反射防止コーティングをフォトダイオードでのＰＮ接合と光検出器信号を増幅するためのＣＭＯＳ装置を組立製造するためのＣＭＯＳ工程で形成し、ここでポリシリコンゲート層をエッチイングストップとして用いる。 - 特許庁

To provide a method which manufactures a quartz-crystal vibrator for obtaining a desired quartz-crystal piece from a quartz-crystal wafer by etching and freely disposes electrodes without adding a new process.例文帳に追加

新規の工程を追加することなく、エッチングによって水晶のウエハから所望の水晶片を得ることができると共に、電極を自由に配設することができる水晶振動子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a large-area substrate processor using hollow cathode plasma capable of executing a process such as ashing, washing, and etching by using plasma to a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate.例文帳に追加

半導体ウエハまたはガラス基板などのような基板に対して、プラズマを利用してアッシング、洗浄、エッチングなどのプロセスを実行することができるホローカソードプラズマを利用した大面積基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the silicon carbide single crystal substrate has a process for removing zones affected by treatment on the surface of the silicon carbide single crystal substrate by etching by using reactive gas excluding fluorine base gas.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板表面の加工変質部を、フッ素系ガスを除く反応性ガスを用いたエッチングによって除去する工程を有することを特徴とする炭化珪素単結晶基板の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for forming the element isolation film of a semiconductor element, in which the upper and lower corners of a trench can be roundly formed without performing an etching process using polymer.例文帳に追加

本発明は、ポリマーを用いたエッチング工程を行わなくても、トレンチの上部及び下部コーナー部分を丸く形成することが可能な半導体素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a method for oxide dielectric layer formation by a sol-gel process where the oxide dielectric layer is less likely to undergo damage by an etching liquid and has excellent dielectric properties such as high electric capacity.例文帳に追加

ゾル−ゲル法を用いて誘電層を形成し、その誘電層がエッチング液による損傷を受けにくく、且つ、高い電気容量等の誘電特性に優れた酸化物誘電層の形成方法を提供する。 - 特許庁

During an etching process for forming the storage electrode via the compensation member, particularly the loss of the upper part of the storage electrode can be compensated, therefore, the structural stability of the storage electrode can be prevented from deteriorating.例文帳に追加

補償部材を通じてストレージ電極を形成するエッチング工程の間、特にストレージ電極上部の損失を補償できるので、ストレージ電極の構造的安定性が低下することを防止することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and a method of correcting etching width which reduce process irregularities and improve precision in semiconductor substrate processing to manufacture a semiconductor device with less irregularities.例文帳に追加

プロセス処理のばらつきを低減し、半導体基板の加工精度を向上することでばらつきの少ない半導体装置を製造できる半導体装置の製造方法およびエッチング幅の補正方法を提供する。 - 特許庁

This method for polishing the semiconductor comprises a process of etching a part which belongs to a film formed on a semiconductor substrate and is thicker in thickness than the other part, prior to the other part.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の研磨方法は、半導体基板上に形成された膜のうちの一の部分であって厚さが他の部分より大きい一の部分を他の部分より優先的にエッチングする工程を含む。 - 特許庁

To provide an abatement agent and method, which has high eliminating capability per unit capacity to remove harmful halogen type gas in exhaust gas during fabricating process, such as etching and cleaning of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程のエッチング及びクリーニング排ガスに含まれる有害なハロゲン系ガスに対する単位容積当たりの除害能力が高く、しかも廉価な除害剤及び除害方法を提供する。 - 特許庁

To provide a transflective electrode substrate having a transparent conductive film, with which no etching process residue is produced and which is resistant to an etchant for a metal reflection layer constituting the reflection electrode, formed thereon.例文帳に追加

エッチング処理による残渣の発生がなく、反射電極を構成する金属反射層のエッチャントに対し耐性を有する透明導電膜が設けられた半透過・半反射電極基板を提供すること。 - 特許庁

A process is also disclosed for removing photoresist and the residue of etching and ashing of electronic device substrates by contacting the substrate with a formulation comprising deionized water, carboxylic acid, glycol, glycol ether and ammonium fluoride.例文帳に追加

および、電子素子基板に、脱イオン水、カルボン酸、グリコール、グリコールエーテルおよびフッ化物を含む調合物を接触させることによって、そのフォトレジストならびに基板のエッチングおよびアッシングの残留物を除去する方法。 - 特許庁

In the solder plating process of semiconductor, smut deposited on the surface of the special copper alloy material at the time of treatment with an etching agent of fluoride free sulfuric acid-hydrogen peroxide is removed by jetting hydraulic jet water.例文帳に追加

半導体の半田メッキ工程において、フッ化物フリーの硫酸−過酸化水素のエッチング剤で処理したとき特殊銅合金材の表面に堆積するスマットを水圧ジェット水の噴射により除去する。 - 特許庁

To prevent a test wire from being broken during dry etching and to prevent a test error by shortening a process time by forming source and drain electrodes of molybdenum and forming the test wire of a gate substance.例文帳に追加

ソース及びドレイン電極をモリブデンで形成して工程時間を短縮し、テスト配線をゲート物質で形成することにより、乾式エッチングの間テスト配線が断線されないようにしてテスト誤りを防止する。 - 特許庁

In the cleaning method of the semiconductor substrate, the residual generated in dry-etching the insulating film layer is removed by a cleaner including oxidizing agent and chelate agent in the manufacturing process of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の製造工程において、絶縁膜層のドライエッチング時に発生する残渣物を酸化剤とキレート剤とを含有する洗浄剤により除去することを特徴とする半導体基板の洗浄方法である。 - 特許庁

To provide a resist residue remover and cleaner capable of removing dry etching residue in a semiconductor device manufacturing process and particles and metal impurities on a wafer surface without corroding wiring and gate metals.例文帳に追加

半導体デバイス製造プロセスにおけるドライエッチング残渣及びウエーハ表面のパーティクル粒子、金属不純物を配線及びゲート金属を腐食することなく除去可能な除去剤・洗浄剤を提供する。 - 特許庁

A manufacturing method of the semiconductor device, in which a semiconductor substrate 100 is etched by using a photoresist 102 including sulfur, in the manufacturing method of the semiconductor device including a dry etching process using a chlorine gase.例文帳に追加

塩素系ガスを用いるドライエッチング工程を含む半導体素子の作製方法において、硫黄を含むフォトレジスト102を用いて半導体基体100をエッチングすることを特徴とする半導体素子の作製方法。 - 特許庁

The mask pattern to etch the film to be etched is formed by etching the organic film of the multilayer resist along the resist pattern using a plasma obtained by making a process gas containing carbon dioxide and hydrogen into the plasma.例文帳に追加

前記複数層レジストの前記有機膜を、二酸化炭素と水素とを含む処理ガスをプラズマ化して得たプラズマにより前記レジストパターンに沿ってエッチングして、前記被エッチング膜をエッチングするためのマスクパターンを形成する。 - 特許庁

Once the mask layer (250) is removed, the pattern (242) is completely transferred to the ARC layer (240) using an etching process, and the pattern (242) in the ARC layer (240) is transferred to the underlying thin film (220).例文帳に追加

一旦マスク層（２５０）が除去されると、パターン（２４２）は、エッチングプロセスを用いることによって、ＡＲＣ層（２４０）へ完全に転写され、ＡＲＣ層（２４０）中のパターン（２４２）は、下地の薄膜（２２０）へ転写される。 - 特許庁

A substrate coated with a negative type photoresist is rotated and is continuously subjected to surface exposure, heat treatment, development by a dry process, etching and resist removal, thereby, signal projections are formed on the substrate surface and the substrate is worked to have a stamper size.例文帳に追加

ネガタイプフォトレジストを塗布した基板を回転させ、表面露光、加熱処理、ドライプロセスによる現像及びエッチング及びレジスト除去を連続して行い、基板表面に信号突起を形成し、スタンパーサイズに加工する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a patterned magnetic recording medium by which only a necessary part can be highly accurately machined in a dry etching process when forming a rugged pattern of an interlayer.例文帳に追加

本発明の目的は、中間層の凹凸パターン形成時のドライエッチングプロセスにおいて、必要部位のみを高精度に加工することができる、パターンドメディア型の磁気記録媒体の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To increase the proportion occupied by polysilicon with respect to the entire chip surface, i.e., its numerical aperture, and prevent the gate electrode of a MOS transistor from thinning in its etching process, to obtain a desired gate electrode width.例文帳に追加

チップ全面に占めるポリシリコンの割合、つまりポリシコンの開口率を上げ、ＭＯＳトランジスタのゲート電極のエッチング工程においてゲート電極の細りを防止して、所望のゲート電極の幅が得られるようにする。 - 特許庁

An insulating layer is formed of a positive photosensitive polyimide resin material, the same resin can undergo photoengraving a few times through a photolithographic method, and the formation of resist masks in a solder ball forming process and a rear etching process in a conventional manufacturing process can be dispensed with, so that a semiconductor device circuit member can be simplified in manufacturing process markedly reducing the manufacturing cost.例文帳に追加

絶縁層２１にポジ型の感光性ポリイミド樹脂材料を使用することで、フォトリソグラフィー法によって同一の樹脂に対して複数回の製版を行うことが可能であり、従来の製造方法における半田ボール形成工程、裏面エッチング工程時のレジストによるマスク形成を省略することができるので、工程を簡略化でき、かつ使用する材料を減らすことができるので、製造コストの大幅な低減を図ることができる。 - 特許庁

The manufacturing method for the semiconductor device has a process forming a photo-resist film on a film to be etched 11, a process forming rectilinear resist patterns 50 placed on the film to be etched 11 by exposing and developing the photo-resist film and a process forming a rectilinear pattern 11a by etching the film to be etched 11 while using the resist patterns 50 as masks.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、被エッチング膜１１上にフォトレジスト膜を形成する工程と、フォトレジスト膜を露光及び現像することにより、被エッチング膜１１上に位置する直線状のレジストパターン５０を形成する工程と、レジストパターン５０をマスクとして被エッチング膜１１をエッチングすることにより、直線パターン１１ａを形成する工程とを具備する。 - 特許庁