「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the supply quantity of process gas to the substrate to be processed S is uniformized for the whole etching face, a rotation control means 14 changes the angular velocity of the rotation of the substrate to be processed S during one turn.例文帳に追加

被処理基板Ｓに対するプロセスガスの供給量をエッチング面全体にわたって均一化するために、回転制御手段１４により被処理基板Ｓの回転の角速度を１回転中において変化させる。 - 特許庁

To prevent the exposure of a conductive pattern caused by excessive etching of an insulating layer, concerning the manufacture of a semiconductor device including the process of forming a contact hole which passes between the two conductive patterns covered with insulating films.例文帳に追加

絶縁膜に覆われた２つの導電パターンの間を通るコンタクトホールを形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、絶縁層の過剰エッチングによる導電パターンの露出を防止すること。 - 特許庁

When the methylpolysiloxane composed of hydrophobic groups of Si-CH_3 bonds is used as the interlayer dielectric, the surface of the interlayer dielectric is damaged in an etching process and the carbon concentration is decreased due to defect of methyl group.例文帳に追加

Ｓｉ−ＣＨ_3結合たる疎水基からなるメチルポリシロキサンを層間絶縁膜に用いた場合、エッチング工程等において前記層間絶縁膜表面がダメージを受け、メチル基の欠陥により炭素濃度が減少する。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition having excellent resolution and etching resistance, capable of giving a resist pattern that undergoes a small dimensional change per unit temperature by a thermal flow process and having good aging stability.例文帳に追加

解像性及び耐エッチング性に優れ、サーマルフロープロセスにより単位温度当りの寸法変化量が小さいレジストパターンを与えることができ、かつ経時安定性の良好なポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The plasma processing method has, in the deep-mined process for the silicon substrate, a conditioning step of cleaning a surface of a target 32, in addition to an etching step and a protective film forming step.例文帳に追加

本発明に係るプラズマ処理方法は、シリコン基板に対する深掘り加工プロセスにおいて、エッチング工程と保護膜形成工程のほかに、ターゲット３２の表面を清浄化するコンディショニング工程を有している。 - 特許庁

In some embodiments, the thickness of the cavity is maintained constant by incorporating an etching stop layer into the device and then thinning the layer of the device by a process which terminates on the etch-stop layer.例文帳に追加

幾つかの実施形態においは、当該装置にエッチング停止層を組込み、次いで該エッチング停止層上で停止するプロセスによって、当該装置の層を薄膜化することにより、前記キャビティの厚さは一定に維持される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory element which sufficiently compensates for an etching damage while preventing an occurrence of an abnormal oxidation in a metal layer, and enhances a reliability of the process and electric characteristics of the element.例文帳に追加

エッチングダメージを十分補償しながら金属層への異常酸化の発生を防止して工程の信頼性および素子の電気的特性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

This double patterning system provides a means for forming a hard mask feature with a feature interval less than a minimum interval with which the hard mask can be printed according to a single exposure, by of a single hard mask etching process.例文帳に追加

この二重パターニングシステムは、単一露光に基づいてハードマスクにプリント可能な最小間隔よりも小さいフィーチャ間隔で、１回のハードマスクエッチング工程においてハードマスクフィーチャを形成する手段を提供する。 - 特許庁

The optical module comprises the optical element having a metal mark formed for the alignment, and an Si substrate 5 having an etching mark 7 formed of the same process as that for the same mask as that of a V-groove 6 for mounting an optical fiber.例文帳に追加

光モジュールにおいて、アライメント用のメタルマークが形成された光素子と、光ファイバ搭載用Ｖ溝６と同じマスクを用いた同一プロセスで形成されるエッチングマーク７が設けられたＳｉ基板５とを備える。 - 特許庁

After a resist layer thicker than a step is formed on an upper surface of the substrate based on the layers 14a, 16a, this resist layer is thinned by a sheet type ashing or etching process, so that resist layers 20A, 20B are left behind.例文帳に追加

基板上面に層１４ａ，１６ａに基づく段差より厚くレジスト層を形成した後、このレジスト層を枚葉式のアッシングまたはエッチング処理により薄くしてレジスト層２０Ａ，２０Ｂを残存させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method suppressing film thinning of an STI (Shallow Trench Isolation) film by etching in a manufacturing process of a flash memory, and to provide a split gate type MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) type flash memory structure attaining it.例文帳に追加

フラッシュメモリの製造工程において、エッチングによるＳＴＩ膜の膜減りを抑制することができる製造方法と、それを可能にするスプリットゲートタイプのＭＯＮＯＳ型フラシュメモリ構造を提供する。 - 特許庁

To provide a processing method which can easily remove the leftovers occurring at dry etching of an insulating film within a contact hole and also can etch an aluminum film to form an electrode, in a process of manufacturing a liquid crystal panel.例文帳に追加

液晶パネルを製造する工程で、コンタクトホ−ル内の絶縁膜のドライエッチング時に発生した残渣物を容易に除去でき、同時に、電極を形成するアルミニウム膜のエッチングも出来る処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming an ink channel substrate without lowering the work efficiency in a process for making a through hole through the ink channel substrate by etching only the outer circumference of the through hole.例文帳に追加

本発明は、インク流路基板の貫通孔を貫通孔の外周のみをエッチングして形成するプロセスにおいて、作業効率を低下させることなくインク流路基板を形成する方法を提案することを課題とする。 - 特許庁

By raising temperature at the periphery of the dielectric wall during etching process, the reactive products are prevented from sticking even to the periphery of the dielectric wall 2, suppressing the occurrence of particles.例文帳に追加

そして、エッチング処理中に、誘電体壁の周縁部の温度を高めることにより、誘電体壁２の周縁部においても反応生成物が付着することが防止され、パーティクルの発生を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a process for producing a wiring circuit board in which stripping of a conductor layer from a base insulation layer can be prevented even if a side etching portion arises in the conductor layer due to skirting portion of plating resist.例文帳に追加

めっきレジストの裾引き部に起因して、導体層にサイドエッチング部が生じても、ベース絶縁層から導体層が剥離することを防止することができる、配線回路基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To make pattern dimension constant even if variation exists in the thickness of an underlayer resist layer, when a three-layer resist process is performed by a dry development method, concerning the method for forming a multylayer resist pattern and the etching method.例文帳に追加

多層レジスト・パターンの形成方法及びエッチング方法に関し、ドライ現像法に依って３層レジスト・プロセスを実施する場合、下層レジスト層の層厚にばらつきが存在しても、パターン寸法が一定となるようにする。 - 特許庁

Thereafter, a thermal oxidation process is carried out to form a silicon oxide film 8 as thick as 6 nm or so, and then a silicon nitride film 9 is etched using the silicon oxide film 8 as an etching stopper.例文帳に追加

この後、再び、熱酸化を行い、約６ｎｍのシリコン酸化膜８を形成し、ＣＶＤにより、約２０ｎｍのシリコン窒化膜９を形成した後、シリコン酸化膜８をエッチングストッパとしてシリコン窒化膜９がエッチングされる。 - 特許庁

The organic monomolecular film 7 of the segment irradiated with the vacuum UV light in the manner described above is decomposed to gas which is then exhausted and therefore nothing remains after etching and there is no need for cleaning in later process steps.例文帳に追加

このようにして、真空紫外光が照射された部分の有機単分子膜７は分解されて気体となり排気されるので、エッチングされたあとには何も残らず、後工程での洗浄を必要としない。 - 特許庁

To prevent gate insulating film penetration in a dry etching process when forming a gate electrode pattern in a semiconductor apparatus in which gate structures of an n-channel and that of a p-channel are different from each other and which has metal gate electrodes.例文帳に追加

ｎチャネル及びｐチャネルのゲート構造が異なり且つメタルゲート電極を有する半導体装置において、ゲート電極パターン形成時のドライエッチングでゲート絶縁膜の突き抜けが発生しないようにする。 - 特許庁

To provide a method for forming a rugged pattern and a method for manufacturing an optical element by which a fine rugged resist pattern with high aspect ratio is formed only by light irradiation by making an etching process unnecessary.例文帳に追加

エッチング工程を不要として、光照射のみでアスペクト比の高い微細な凹凸状のレジストパターンを形成することができる凹凸状パターンの形成方法、及び光学素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a production method capable of forming a transmission type diffraction element with high precision by simple and low-cost process and equipment without using expensive equipment such as a vapor deposition system and an etching system and an expensive die.例文帳に追加

蒸着装置やエッチング装置などの高額設備や、高額な金型を使用せず、簡単、且つ低コストなプロセス、設備にて精度の良い透過型回折素子を形成することができる製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, the hydroxyl group is removed from the Ga oxide film 108 by heating the GaAs substrate 101 by a hot plate after an etching process in order to change the Ga oxide film 108 into the Ga oxide film 109 having a higher insulation property.例文帳に追加

このため、エッチング後、このＧａＡｓ基板１０１をホットプレートで加熱することにより、このＧａ酸化膜１０８から水酸基を取り除き、絶縁性の高いＧａ酸化膜１０９に変質させる。 - 特許庁

To detect a defect such as conductor omission, short-circuit and foreign matter attachment on a wafer, including a normal conductor pattern having ruggedness with high probability in the process of film creating and etching, in manufacturing of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造における成膜やエッチング過程において、凸凹を有する正常な導体パターンが含まれたウエハ上の、導体欠落、短絡、異物付着などの欠陥を高い確率で検出する。 - 特許庁

Next, after the first inter-layer insulation film is partially removed with the isotropic etching process, the second inter-layer insulation film is evaporated on the first inter-layer insulation film to perfectly embed the gap between the gates 120.例文帳に追加

次に、第１層間絶縁膜を等方性エッチング法により部分的に除去した後、ゲート１２０間のギャップを完全に埋め込むように第１層間絶縁膜上に第２層間絶縁膜を蒸着する。 - 特許庁

To provide a metallic pattern forming method capable of forming a minute metallic pattern without performing an etching process, the metallic pattern which is excellent in bonding properties with a substrate, has sufficient conductivity, and has small unevenness on an interface with the substrate.例文帳に追加

エッチング工程を行うことなく微細な金属パターンの形成が可能で、基板との密着性に優れ、十分な導電性を有し、基板との界面における凹凸が小さな金属パターン形成方法の提供。 - 特許庁

Since the radiating element 1 and the band-adjusting conductive element 3 or the unwanted radiation reducing conductive plate 7 can be produced by an etching process of the printed-circuit board, thereby the planar antenna device having high productivity can be obtained.例文帳に追加

放射素子１や帯域調整導体素子３や不要放射抑制導体板７は印刷配線基板をエッチング処理することにより加工できるので、生産性の高い平面アンテナ装置を得ることができる。 - 特許庁

To provide a substrate processing method capable of forming an organic film pattern after an development process in the intended dimension and shape, even though the initial organic film pattern is damaged by an etching or exposed.例文帳に追加

当初の有機膜パターンがエッチングによるダメージや露光を受けていたりするような場合であっても、現像処理の後の有機膜パターンを所望の寸法・形状にすることが可能な基板処理方法を提供する。 - 特許庁

An etching protection film 17 comprising a silicon nitride film is formed on the side wall of the silicon oxide film 15, thus the side wall of the silicon oxide film 15 is prevented from being etched in a fluoric acid rinsing process after a gate electrode is worked.例文帳に追加

また、酸化シリコン膜１５の側壁に窒化シリコン膜からなるエッチング防止膜１７を形成し、ゲート電極加工後のフッ酸洗浄工程で酸化シリコン膜１５の側壁がエッチングされるのを防止する。 - 特許庁

The recess 6 is sectioned into a plurality of regions by ribs 7 not subjected to wet etching and the area of one recess 6 is increased as much as possible within a range causing no problem of strength in the production process.例文帳に追加

凹部６は、ウエットエッチングを施さず厚みの残ったリブ７によって領域が複数に区切られ、凹部６一つの面積は、製造工程において強度上問題のない範囲で出来るだけ大きく形成されている。 - 特許庁

Next, a protective film is formed, and gate pads and data pads are exposed by removing the protective film as well as the gate insulating film corresponding to the exposed part of the thin film transistor substrate by dry-etching after the assembly process.例文帳に追加

その次に、保護膜を形成し、アセンブリー工程後に薄膜トランジスタ基板の露出された部分に該当する保護膜をゲート絶縁膜と共に乾式エッチングで除去してゲートパッドとデータパッドとを露出させる。 - 特許庁

To provide a coating composition for manufacturing a protective film used for protecting a wafer and/or a device surface at the time of etching the protective film of a substrate, especially a silicon film, in a working process of the substrate in MEMS manufacturing.例文帳に追加

ＭＥＭＳ製造における基板の加工工程において、基板の保護膜、特にシリコンのエッチング時のウエハおよび／またはデバイス面を保護するために用いられる保護膜を作製するための塗布組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a reliable process for achieving selectivity for selectively etching spacer/side wall material on fin against spacer/side wall material on a gate stack of finFET structure in an integrated circuit.例文帳に追加

集積回路内のｆｉｎＦＥＴ構造体のゲート・スタック上のスペーサ／側壁材料に対してフィン上のスペーサ／側壁材料を選択的にエッチングするための選択性を達成するための信頼できるプロセスを提供する。 - 特許庁

The package device is immersed in a soft etchant containing sulfuric acid and hydrogen peroxide and stored in a vessel 33, and cleaned by pure water by ending the etching process when the decomposition of the resin at a necessary part is ended.例文帳に追加

容器３３内に収容された硫酸及び過酸化水素を含むソフトエッチング液にパッケージ装置を浸漬し、必要な部分の樹脂の分解が終了したらエッチング処理を終了し純水により洗浄する。 - 特許庁

In one embodiment, a base film 222 may be formed between the first trenches, and on the side wall of the first trench (the first trench protects the side wall of the first trench during the second etching process).例文帳に追加

一形態では、下地膜２２２が、第１のトレンチ部分の間、第１のトレンチ部分の側壁上に形成されてもよい（この第１のトレンチ部分は、第２のエッチングプロセスの間、第１のトレンチ部分の側壁を保護する）。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high quality crystal oscillator with a reduced leak vibration and an appropriately regulated detuning degree, that can be realized by regulating the leak vibration and the detuning degree in a single etching process.例文帳に追加

漏れ調整と離調度調整をひとつのエッチング工程によって実現し、漏れ振動が抑制され、且つ、適正に離調度調整された高性能な水晶振動子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain an electromagnetic shielding film manufactured by a predetermined pattern-forming with an etching process causing no whitening of an adhesive agent so as not to deteriorate an optical characteristic of the film.例文帳に追加

エッチング処理によって所定のパターンを形成することにより製造される電磁波シールドフィルムにおいてエッチング処理によって接着剤が白化せず、結果として光学特性が低下しない電磁波シールドフィルムを得る。 - 特許庁

Inside of a chamber is cleaned with the processing using plasma containing hydrogen (step S1) and processes such as formation of trench and via-hole are conducted by etching to a wafer using the chamber having completed the cleaning process (steps S2, S3).例文帳に追加

チャンバ内を水素を含むプラズマを用いて処理することによってクリーニングし（ステップＳ１）、クリーニングされたチャンバを用い、ウェーハにエッチングによりトレンチやビアホールを形成する等の加工を行う（ステップＳ２，Ｓ３）。 - 特許庁

To prevent generation of defective leak due to breakdown through an upper electrode and a capacitance dielectric film because of difference in contact depth at the upper and lower electrodes during the etching process of via holes in an MIM type capacitance element.例文帳に追加

ＭＩＭ型容量素子において、ヴィアホールのエッチング時に上部電極と下部電極ではコンタクト深さが異なるため、上部電極及び容量誘電膜の突き抜けによるリーク不良が発生する。 - 特許庁

To provide a process of manufacturing a single gate or multiple gate field plate using consecutive steps of depositing/growing a dielectric material, etching the dielectric material, and evaporating a metal on a surface of a field effect transistor.例文帳に追加

電界効果型トランジスタの表面に、誘電性材料の堆積／成長させ、誘電性材料をエッチングし、および、メタルを蒸着させる、連続的なステップを用いる、シングルゲートまたはマルチゲートプレートの製造プロセスの提供。 - 特許庁

To maintain a remaining film thickness of an insulating film on a trimming fuse stably with sufficient precision without adding a process of forming an etching stop layer and a dedicated film as an insulating film on the trimming fuse at an trimming opening portion.例文帳に追加

エッチングストップ層及びトリミング開口部におけるトリミングヒューズ上の絶縁膜について専用の膜を形成する工程を追加することなく、トリミングヒューズ上の絶縁膜の残膜厚を安定して精度よく残す。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition having particularly superior adhesion, resolution and film strength as an etching or plating resist used in the production of printed wiring board, the precision working of a metal or another process.例文帳に追加

プリント配線板の製造や金属の精密加工等に用いられるエッチングレジスト又はめっきレジストとして、特に優れた密着性、解像性及び膜強度を有する感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

In the feedback processing process, parameters acquired for every semiconductor wafer is substituted into the foregoing relational expression to estimate the predicted value of the etching size, and lithography conditions for every semiconductor wafer is set on the basis of the predicted value.例文帳に追加

フィードバック処理工程は、半導体ウェハ毎に取得されたパラメータを、上述の関係式に代入してエッチング寸法の予測値を求め、当該予測値に基づいて半導体ウェハ毎のリソグラフィ条件を設定する。 - 特許庁

The method of manufacturing a flash memory having conductor lines (24) crossing a trench isolation structure (70) comprises forming nitride side walls (125) for protecting a laminate during an SAS etching process.例文帳に追加

溝隔離構造（７０）を横断する導電線（２４）を有するフラッシュ・メモリ装置を製造する方法であって、この方法は、ＳＡＳ食刻プロセス中に積層を保護するために窒化物側壁（１２５）を形成することを含む。 - 特許庁

To realize fine wirings of highly reliable connections, without bringing about the nonconformity state such as side etching, electromigration or the like and without needing a refined process control in a multilayer wiring board.例文帳に追加

多層配線基板において、サイドエッチングやエレクトロマイグレーション等の不都合を招くことなく、また高度な工程管理を必要とすることなく、接続信頼性の高い微細配線を実現することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element, wherein a positioning recognition pattern for an element is formed in an crystal with the same photoresist etching process as for the emission part, and the element is mounted on a package with high accuracy.例文帳に追加

素子の位置決め用認識パターンを結晶内部に、かつ発光部と同一のフォトレジスト・エッチング工程によって形成し、高精度で素子をパッケージにマウントすることができる半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁