「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

The wet etching method includes: a process in which a groove extended along the protection target of a processed structure is formed to the processed structure; a process in which an etchant-resistant protection film covering the protection target and the groove and partially entering the groove is formed on the processed structure; and a process for making an etchant act on the processed structure.例文帳に追加

本発明のウエットエッチング方法は、被加工構造体の保護対象箇所に沿って延びる溝部を被加工構造体に形成する工程と、保護対象箇所および溝部を覆い且つ当該溝部に一部が入り込むエッチング液耐性保護膜を被加工構造体上に形成する工程と、被加工構造体に対してエッチング液を作用させる工程とを含む。 - 特許庁

This probe pin manufacturing method for manufacturing the probe pin for supplying a signal to an electronic device is provided with a mask layer formation process for forming a mask layer having a predetermined pattern on a substrate, a groove part formation process for forming a groove part on the substrate by etching the substrate, and an accumulation process for accumulating a metal material in the groove part by using the mask layer as a mask.例文帳に追加

電子デバイスに信号を供給するためのプローブピンを製造するプローブピン製造方法であって、基板に所定のパターンを有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、マスク層をマスクとして、基板をエッチングし、前記基板に溝部を形成する溝部形成工程と、マスク層をマスクとして、溝部に金属材料を堆積する堆積工程とを備える。 - 特許庁

This strain sensor is manufactured by a patterning process for forming a pattern having a beltlike aperture surrounding a predetermined point in one surface of the substrate, and a process for etching the substrate along the beltlike aperture by a predetermined amount after this patterning process, and integrally forming the diaphragm copying the outline of the beltlike aperture and the needlelike projection supported at the center of the diaphragm on the substrate.例文帳に追加

この歪センサは、基板の一面に、所定の点を取り囲む帯状の窓を設けたパターンを形成するパターニング工程と、このパターニング工程の後に帯状窓に沿って基板を所定量エッチングし、基板に帯状の窓の外形に倣ったダイアフラムとダイアフラムの中央に支持された針状突起とを一体に形成する工程によって製造される。 - 特許庁

The present invention provides a manufacturing method comprising: a film formation process which forms vapor phase synthesized diamond film 2 on a main surface of a silicon substrate 1 by a vapor phase deposition method; a routing process which forms a pattern on the vapor phase synthesized diamond film 2 using a laser; and a protrusion process which forms a protrusion on the routed vapor phase synthesized diamond film 2 by a reactive chemical dry etching.例文帳に追加

本発明は、シリコン基板１主面部に気相合成法によって気相合成ダイヤモンド膜２を成膜する成膜工程と、該気相合成ダイヤモンド膜２をレーザーによって外形を切り出す外形工程と、切り出した気相合成ダイヤモンド膜２に反応性化学ドライエッチングによって突起を形成する突起工程を経ることを特徴とするダイヤモンドプローブの製造方法である。 - 特許庁

This organic electronic device is manufactured by using: a first process for forming a polymer film from a polymer solution on a first surface of the substrate by casting; a second process for reducing the thickness of the substrate by etching a second surface located on the back side of the first surface of the substrate; and a third process for forming the organic electronic device on the surface of the polymer film formed by casting.例文帳に追加

基板の第一の表面上に高分子溶液から高分子膜をキャスティング成膜する第一工程と、基板の第一の表面の裏側にある第二の表面をエッチングして基板の厚みを薄くする第二工程と、キャスティング成膜した高分子膜の表面に有機電子デバイスを形成する第三工程を用いて有機電子デバイスを製造することとした。 - 特許庁

The method includes a process of forming an energy-sensitive negative type resin composition film containing at least one kind of polymerizable compound by using an energy-sensitive negative type resin composition, a process of irradiating the energy-sensitive negative type resin composition film with an active energy beam in the shape of an image, and a process of heating the energy-sensitive negative type resin composition film without performing etching operation.例文帳に追加

感エネルギー性ネガ型樹脂組成物を用い、少なくとも１種類の重合可能な化合物を含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜を形成する工程；前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜に画像状に活性エネルギー線を照射する工程；および前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜をエッチング操作を行うことなく加熱する工程を含む。 - 特許庁

The technology of the semiconductor element manufacturing method includes a process, especially, of burying the insulating film between gate patterns in place of the photo-sensitive film when implanting the ions into the semiconductor substrate of lower portion of the bit line contact area, etching it to expose the bit line contact area without a residue of etching, thereby, preventing the leakage current of the cell transistor.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、特にビットラインコンタクト領域下部の半導体基板にイオンを注入するときゲートパターン等の間を感光膜の代わりに絶縁膜で埋め、これを食刻して食刻残留物なくビットラインコンタクト領域を露出することにより、セルトランジスタの漏洩電流を防止することができる技術である。 - 特許庁

To provide an optical imprint method that measures a remaining film thickness of a dummy pattern so as to recognize a remaining film amount after imprint without cutting an effective region, to allow the same substrate, whose remaining film thickness is actually measured, to advance to etching being the next process, to feedback the remaining film amount to the etching conditions, and consequently, to reliably achieve stable processing.例文帳に追加

本発明は、ダミーパターンの残膜厚さを測定することで、有効領域を切断することなくインプリント後の残膜量を把握することができ、残膜厚さを実際に測定した同一基板を次工程であるエッチングに進めることができ、残膜量をエッチング条件にフィードバックさせることが可能であり、確実に安定した加工を実現できる。 - 特許庁

In the method of etching process for selectively etching a silicon nitride film for a silicon oxide film after arranging, within a plasma processing chamber, a laminated film formed by laminating the silicon nitride film 15 on the silicon oxide film 14, a gas including oxygen is supplied into the plasma processing chamber using a halogen gas including boron as the principal gas as an additive gas.例文帳に追加

シリコン酸化膜１４上にシリコン窒化膜１５を積層してなる積層膜をプラズマ処理室内に配置して、前記シリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対して選択的にエッチングするエッチング処理方法において、前記プラズマ処理室内に、主ガスとしてホウ素を含むハロゲンガスを、添加ガスとして酸素含有ガスを供給する。 - 特許庁

The respective base layers of the predetermined materials and the base substrate are arranged in increasing order of etching rate in the predetermined etching process from the base substrate side.例文帳に追加

前記型部は、所定の同一元素から成り、かつ、同一の結晶構造を有する所定の材質をベースとし、且つ、所定のエッチング工程におけるエッチングレートが異なる所定材質ベース層を、Ｎ層以下の層数で積層した構造のもので、前記各所定材質ベース層とベース基板とは、ベース基板側から順に所定のエッチング工程におけるエッチングレートが小さい。 - 特許庁

Then the insulating material layer is removed secondarily by a normal wet etching method or a dry etching method, to a prescribed protruded thickness from the surface of the semiconductor substrate, namely a thickness equal to the insulating material layer which is removed at intermediate treatment process, after removing the CMP cut-off pattern and before forming a gate oxide film is left.例文帳に追加

次に、半導体基板の表面から所定の突出した厚さ、すなわち、ＣＭＰ遮断パターンを除去してからゲート酸化膜を形成する前までの中間処理工程時に除去される絶縁物質層の厚さに該当する厚さが残るまで絶縁物質層を通常のウェットエッチング法またはドライエッチング法により２次的に除去する。 - 特許庁

An upper part photoresist layer 18 which is relatively thin is patterned with an improved resolution and, next, an intermediate metal or a ceramic layer 16 is stipulated by using the upper part photoresist layer 18 as a reactive ion etching(RIE) mask and the lowermost thick photoresist layer 14 is stipulated in a second RIE process by using the intermediate layer as an etching mask.例文帳に追加

改良された解像度で比較的薄い上部フォトレジスト層（１８）がパターニングされ、次に上部フォトレジスト層を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）マスクとして利用し中間金属またはセラミック層（１６）が規定され、次に中間層をエッチングマスクとして使用して、最下層の厚いフォトレジスト層（１４）が第２のＲＩＥプロセスにおいて規定される。 - 特許庁

The method of manufacturing the compound semiconductor includes a process wherein, after bonding the surface side of the SiC wafer 1 whereon a compound semiconductor element is formed and a support substrate 2 for supporting the SiC wafer by an adhesive 3 whose softening temperature is above 200°C, the hole 6 is formed by dry-etching from the rear face side of the SiC wafer using a fluorine-contained etching gas.例文帳に追加

化合物半導体素子が形成されたＳｉＣウエハ１の表面側と、このＳｉＣウエハを保持する支持基板２とを、軟化温度が２００℃を超える接着材３により接着した後、上記ＳｉＣウエハの裏面側から弗素を含むエッチングガスを用いてドライエッチングによりバイアホール６を形成する工程を含むようにしたものである。 - 特許庁

The dry etcher comprises an evacuatable chamber 5, a chemical species generating source 2 mounted in the chamber 5 for generating a chemical species 3 having etching actions, and a substrate holder 1 disposed in the chamber 5 for holding a plurality of substrates 4 under process to expose them to the chemical species 3, thereby etching the surface of each substrate.例文帳に追加

ドライエッチング装置は、真空排気可能なチャンバ５と、チャンバ５に搭載されエッチング作用を有する化学種３を発生する化学種発生源２と、チャンバ５内に配され処理対象となる基板４を複数個保持して化学種３に暴露するための基板保持部材１とを有し、各基板４表面のエッチング処理を行う。 - 特許庁

The production process of such a ceramic member comprises subjecting a dense ceramic base material which has a ≥95% purity and a density exceeding 90% of the theoretical density, to etching treatment with an acidic etching liquid, to form the plurality of projections on the surface of each of most of the crystal grains existing in the surface or in the vicinity of the surface of the base material.例文帳に追加

このような、セラミックス部材は、純度が９５重量％以上で、理論密度の９０％を超える緻密質セラミックス基材の表面を酸性エッチング液中で侵食処理することにより、基材の表面またはその近傍に存在するセラミックス粒子の表面に複数の突起状部分を形成することによって製造することができる。 - 特許庁

This sheet part, fitted onto the shaft for use and formed by etching, consists of a shaft hole periphery part and a body part disposed outside the shaft hole periphery part, wherein the shaft hole periphery part is formed so as to be thinner than the body part by means of a half etching process.例文帳に追加

軸に挿通し固定して使用されるエッチングにより形成された薄板状部品であって、軸孔周辺部と該軸孔周辺部の外側に配置された本体部とからなり、軸孔周辺部がハーフエッチング加工によって本体部より薄肉に形成されていることを特徴とする、軸に挿通し固定して使用されるエッチングにより形成された薄板状部品である。 - 特許庁

The method of removing the substrate structure includes a step of forming a plurality of peeler-shape bodies on the substrate by a photolithography etching process; a step of growing a group-III nitride semiconductor layer on a plurality of peeler-bodies; a step of chemical-etching a plurality of peeler-bodies; and a step of separating the group-III nitride semiconductor layer from the substrate.例文帳に追加

本発明の基板構造体を除去する方法は、基板上にフォトリソグラフィーエッチング方式で複数の柱状体を製作し、前記複数の柱状体上にＩＩＩ族窒化物半導体層を成長させ、化学エッチング方式で複数の柱状体をエッチングし、前記ＩＩＩ族窒化物半導体層と前記基板を分離する。 - 特許庁

To provide a method for peeling a photoresist by which a photoresist film and an etching residue after etching can be effectively removed without using O_2 plasma ashing even in a process of forming a fine pattern on a substrate having at least copper wiring and a low dielectric material layer, no adverse effect is given to the dielectric constant of the low dielectric material layer, and excellent corrosion resistance is obtained.例文帳に追加

少なくとも銅配線と低誘電体層を有する基板上の微細パターン形成において、Ｏ_２プラズマアッシング処理を行わないプロセスにおいても、エッチング後のホトレジスト膜、エッチング残渣物を効果的に剥離することができ、しかも低誘電体層の誘電率への悪影響を及ぼさず、防食性にも優れるホトレジスト剥離方法を提供する。 - 特許庁

A pad oxidation film 2 and a nitriding silicon film 3 are formed on a silicon substrate 1, a trench 4 is formed by dry etching to make the nitriding silicon film 3 an etching mask, further the nitriding silicon film 3 is made an oxidation mask to thermally oxidize the silicon substrate 1, and a reforming layer formed on the surface of the nitriding silicon film 3 is removed by a neutral radical containing fluorine in a thermal oxidation process.例文帳に追加

シリコン基板１上にパット酸化膜２と窒化珪素膜３を形成し、窒化珪素膜３をエッチングマスクにしたドライエッチングでトレンチ４を形成し、更に窒化珪素膜３を酸化マスクにしてシリコン基板１を熱酸化し、上記熱酸化工程において窒化珪素膜３表面に形成される改質層をフッ素含有の中性ラジカルで除去する。 - 特許庁

A pattern of the wiring 2 is formed by performing pattern processing on a conductive foil or a conductive plate like a copper foil 11 in etching process, a pattern of the bump 5 is also formed, and half etching is performed on the pattern 14 of the wiring 2 to thin the wiring 2 further than the bump 5, thereby relatively thickening the bump 5 further than the wiring 2.例文帳に追加

銅箔１１のような導体箔または導体板をエッチング法によってパターン加工して配線２のパターンを形成すると共にバンプ５のパターンも形成し、かつ配線２のパターン１４にハーフエッチングを施すことで、その配線２の厚さをバンプ５の厚さよりも薄くし、相対的にバンプ５の厚さが配線２の厚さよりも厚くなるようにする。 - 特許庁

The process for manufacturing a patterned circuit board 4 by applying a mask 3 onto a metal plate 2 and removing the non-masked part by wet etching comprises a step for previously forming a groove 2b in the center of the non-masked part on the metal plate and the wet etching is carried out after the step for forming the groove.例文帳に追加

金属板２上にマスク３を施して、マスクされていない部分をウェットエッチングにより除去してパターンニングされた回路基板４を製造する方法であって、前記金属板上のマスクされていない部分の中央に溝２ｂを予め形成する溝形成工程を有し、該溝形成工程後に、前記ウェットエッチングを行うことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor surface treatment agent along with a manufacturing method of a semiconductor device using the same, capable of selectively and efficiently etching the insulating material of high dielectric ratio which is used in a transistor formation process in manufacturing a semiconductor device, and also capable of easily etching, in a short time, such insulating material of high dielectric ratio as is difficult to be etched.例文帳に追加

半導体デバイス製造のトランジスタ形成工程に用いられる高誘電率絶縁材料を選択的に、かつ効率よくエッチングし、さらにエッチングが困難である高誘電率絶縁材料に対しても短時間で容易にエッチングできる半導体表面処理剤及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The inner structure of the syringe comprises special materials, especially glass, plastics, quartz and/or corundum, and the surface is reformed by an etching agent, e.g. acid or caustic alkali solution, especially the chromic acid mixture, uninterruptedly after removal of the etching agent and cleaning of the syringe, and the surface of the syringe inner structure is especially sterilized by a pressurized heating process according to circumstances.例文帳に追加

注射器の内部構造は特別な材料、特にガラス、プラスチック、石英および／またはコランダム、からなり、その表面は特にエッチング剤、例えば酸または苛性アルカリ溶液、特にクロム硫酸で改質され、引き続きエッチング剤の除去と注射器の洗浄後に場合によっては注射器内部構造の表面が、特に加圧熱処理によって、滅菌される。 - 特許庁

Since a capacitance insulating film (520) is composed of the dielectric film (521) having a high dielectric constant, and a protective film (522) having an etching rate lower than that of the dielectric film (521), when the capacitance insulating film (520) is patterned by an etching process, the dielectric film (521) is never be excessively etched, and is patterned to a prescribed shape.例文帳に追加

容量絶縁膜（５２０）は、高誘電率を有する誘電体膜（５２１）と、当該誘電体膜（５２１）よりエッチングレートが低い保護膜（５２２）とから構成されているため、容量絶縁膜（５２０）がエッチング処理によってパターニングされた際に、誘電体膜５２１が過剰にエッチングされることがなく、所定の形状にパターニングされる。 - 特許庁

In a method for producing a semiconductor integrated circuit device, when a plurality of semiconductor integrated circuit devices, in which a circuit pattern having a linear pattern is provided and at least a part of production process is common, is produced, dry etching is performed to a film for processing with controlling dry etching conditions depending on circumferential length per unit area of the linear pattern in each of the semiconductor integrated circuit devices.例文帳に追加

ライン状パターンを有する回路パターンを備えており、製造工程の少なくとも一部が共通する複数の半導体集積回路装置を製造する際に、各半導体集積回路装置におけるライン状パターンの単位面積当たりの周縁長に応じてドライエッチング条件を調整しながら被加工膜に対してドライエッチングを行なう。 - 特許庁

A plasma etching process is carried out using a process gas containing CF_4 and O_2 to simultaneously form a hole 111 which penetrates a passivation film 108 and a gate insulating film 103 to reach a gate electrode 102, and a hole 112 which penetrates the passivation film 108 to reach a drain electrode 107.例文帳に追加

ＣＦ_４とＯ_２を含む処理ガスを用いてプラズマエッチング処理を行なうことによって、パッシベーション膜１０８とゲート絶縁膜１０３を貫通し、ゲート電極１０２に到達するホール１１１と、パッシベーション膜１０８を貫通してドレイン電極１０７に到達するホール１１２とが一度に形成される。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes a process of manufacturing a thickened resist pattern by forming a resist pattern on a base layer and then coating the resist pattern surface with the thickening material to thicken the resist pattern and a process of patterning the base layer by etching the base layer by using the thickened resist pattern.例文帳に追加

下地層上にレジストパターンを形成後、該レジストパターン表面に前記厚肉化材料を塗布し該レジストパターンを厚肉化し厚肉化レジストパターンを製造する工程と、該厚肉化レジストパターンを用いてエッチングすることにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a discharge plasma processor and a processing method using the same which continuously and stably generates a uniform glow discharge plasma substantially under the atmospheric pressure to form a thin film, using not only a single process gas but a plurality of process gases, and can deal with complicated processes in etching, ashing steps, etc.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して、安定して発生させ、単一の処理ガスのみならず複数の処理ガスを用いた薄膜形成、エッチング処理、アッシング処理等の工程における複雑な処理にも対応できる放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法の提供。 - 特許庁

The planar optical waveguide is manufactured by depositing an under clad layer 20 on a silicon substrate 10, depositing a core layer on the under clad layer 20 by using an aerosol process, etching the core layer to produce the core 30, and forming the over clad layer 40 on the under clad layer 20 and on the core 30 in an aerosol process.例文帳に追加

シリコン基板１０上にアンダークラッド層２０を被着し、エアゾール工程を用いてアンダークラッド層２０上にコア層を被着し、このコア層をエッチングしてコア３０を生成し、エアゾール工程を通じてアンダークラッド層２０及びコア３０上にオーバークラッド層４０を形成することによって、プレーナ型光導波管が製造される。 - 特許庁

The micro-corner cube array 10 is produced by a process for preparing single crystal substrates 1 and 4 which consist of a cubic system crystal and have a surface being substantially in parallel with the (111) surface of the crystal and a process for performing an anisotropic etching processing concerning the surfaces of the single crystal substrates 1 and 4.例文帳に追加

マイクロコーナーキューブアレイ１０は、立方晶系の結晶からなる単結晶基板１，４であって結晶の｛１１１｝面と実質的に平行な表面を有する単結晶基板１，４を用意する工程と、この単結晶基板１，４の表面に対して異方性エッチング処理を行なう工程とによって作製される。 - 特許庁

To provide a method of forming contact plug of a semiconductor element which can suppress formation of voids in a metal layer forming process subsequent to a contact plug forming process by selectively etching a subsequent interlayer insulation film formation of a contact plug so that the surface of the uppermost portion of the contact plug is higher than the surface of the uppermost portion of the interlayer insulation film.例文帳に追加

コンタクトプラグの形成後、コンタクトプラグの最上部の表面が層間絶縁膜の最上部の表面より高くなるように層間絶縁膜を選択的にエッチングすることにより、後続の金属層形成工程の際にボイドの生成を抑制する、半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を提供すること。 - 特許庁

To favorably obtain an extinction characteristic, in metal fine particle-dispersed type polarizing glass, and to stably enhance mass-productivity, by manufacturing an aggregate of metal elementary pieces arranged with an island shape by a process using a nano-ion-print lithography and a reactive ion etching method, not through a process of drawing, reduction and the like of glass.例文帳に追加

金属微粒子分散型偏光ガラスにおいて、その消光特性を良好に得ると共に、ガラスの延伸、還元等の工程を経ずに、島状に配設された金属素片の集合体をナノインプリントリソグラフィと反応性イオンエッチング法を用いた工程で作製することにより安定な量産性の向上を図る。 - 特許庁

A tower type of cathode 17 is formed inside of the lower dioxide silicon film 16A, the upper dioxide silicon film 18A, and the drawer electrode 19A, and a leading end of the cathode 17 has a steep portion of 2 nm radius formed by a crystal anisotropy etching process and thermal oxide of silicon process.例文帳に追加

下部酸化シリコン膜１６Ａ、上部酸化シリコン膜１８Ａ及び引き出し電極１９Ａの開口部の内部には、タワー形状の陰極１７が形成されており、該陰極１７の先端部は結晶異方性エッチングとシリコンの熱酸化プロセスとによって形成された半径２ｎｍ以下の急峻な形状を有している。 - 特許庁

The surface treatment method includes a process for treating the surface of a resin pattern formed on a substrate or an etched pattern formed on the substrate by etching with a surface treatment liquid containing a silylation agent and a solvent, and a process for cleaning the resin pattern obtained after treatment by the surface treatment liquid, or the etched pattern.例文帳に追加

本発明に係る表面処理方法は、基板上に設けられた樹脂パターン、又はエッチングにより基板に形成された被エッチングパターンの表面を、シリル化剤及び溶剤を含有する表面処理液で処理する工程と、表面処理液による処理後の樹脂パターン又は被エッチングパターンを洗浄する工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material for a multilayer resist process, particularly for a two-layer resist process, which functions as an excellent antireflection film particularly for exposure at a short wavelength, that is, has high transparency and the optimum n and k values and is excellent also in etching resistance during substrate processing.例文帳に追加

多層レジストプロセス用、特には２層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、すなわち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

A stencil mask manufacturing process in the preceding back etching process includes forming gradations of a film thickness of a resist left in a pattern field, after developing by adjusting the amount of exposed light, and selectively thinning a masking substrate film in a minute pattern formation field, with an aspect ratio higher than that of the surrounding region, prior to patterning.例文帳に追加

先行バックエッチングプロセスのステンシルマスク製造工程において、現像後のパターン領域のレジスト残膜厚に露光量を調整することにより階調をつけ、周辺領域よりアスペクト比が高い微細パターン形成領域のマスク基板膜厚を選択的にパターニング以前に薄膜化することにより、ステンシルマスクを形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor devices has a process step of selectively removing the build-up segments (projecting parts) of the projecting shape produced on the surface of the metallic film (copper plating film 15) by electrolytic etching and a process step for chemicomechanically polishing the surface of the metallic film 15.例文帳に追加

電解エッチングによって金属膜（銅メッキ膜１５）の表面に生じている該金属膜の凸状の盛り上がり部（凸状部）を選択的に除去する工程と、前記金属膜１５の表面を化学的機械研磨する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The micromirror device is obtained by using a semiconductor anisotropic etching process to process a silicon substrate and has a structure, wherein a shear-type strain gauge 3 which measures the angle of rotation of a mirror 1 and utilizes a piezoresistance effect is provided in a torsion bar 2 divided p-type or n-type semiconductor areas in a perpendicular direction of the silicon substrate.例文帳に追加

半導体異方性エッチングプロセスを使用してシリコン基板を加工したマイクロミラーデバイスであって、シリコン基板の厚さ方向にｐ型またはｎ型の半導体領域に分割したトーションバー２に、ミラー１の回転角を測定するピエゾ抵抗効果を利用したせん断型歪ゲージ３を設けた構造を特徴とする。 - 特許庁

The control device 41 instructs, when the plasma treatment apparatus 11 performs the actual device manufacturing process, the plasma treatment apparatus 11 to perform the predetermined etching process based on data detected by electric measuring devices 17, 20, gas flow rate sensors 27, 29, a temperature sensor 13b, a pressure sensor 12a, and a plasma emission spectroscope 31.例文帳に追加

制御装置４１は、プラズマ処理装置１１がデバイス製造の実処理時には、電気測定器１７，２０、ガス流量センサ２７，２９、温度センサ１３ｂ、圧力センサ１２ａ、プラズマ発光分光器３１が検出した検出データに基づいてプラズマ処理装置１１に所定のエッチング処理を実行させる。 - 特許庁

Furthermore, an etching process to the single crystal silicon layer 10b of a substrate which requires a long time, and film deposition of the piezoelectric material layer 34 by a hydrothermal crystallization method are performed simultaneously, by which time required for one process is shortened, and improvement in production efficiency and reduction in manufacturing cost are attained.例文帳に追加

更に、長時間を要する基板の単結晶シリコン層１０ｂに対するエッチング処理と水熱合成法による圧電体層３４の成膜とを同時に行うことで、一方の工程に要する時間を短縮することが可能となり、生産効率の向上と製造コストの削減とを図ることができる。 - 特許庁

For an ECR plasma etching device D1, a mechanism is provided where a movable diaphragm 110 is lifted for a wafer processing vessel 100a to be shielded from a process gas exhaust port 106, and a switching valve 108 allows a gas inlet port 103 to communicate with a high-pressure gas inlet piping 105, while being shielded from a process gas inlet piping 104.例文帳に追加

ＥＣＲプラズマエッチング装置Ｄ１の場合、可動式隔壁１１０を上昇させウェハ処理槽１００ａをプロセスガス排気口１０６から遮断し、切り替えバルブ１０８によりガス導入口１０３を高圧ガス導入配管１０５と導通させプロセスガス導入配管１０４から遮断する機構を備えている。 - 特許庁

The method comprises a process for coating an uneven wafer surface with a photoresist layer, to cover the undesirable characteristics in the structure of the wafer for coating to a uniform height and for obtaining the substantially flat upper surface of the photoresist layer; and a process for etching the photoresist 40, having substantially the same rate and an insulating layer 30.例文帳に追加

第１に、凸凹なウェーハ表面上にフォトレジスト層を塗布してウェーハの望ましくない構造的特徴を覆って均一な高さにコーティングし、実質的に平坦なフォトレジスト層の上部表面を得る工程と、第２に、実質的に同率にフォトレジスト４０および絶縁層３０をエッチングする工程と、から成る。 - 特許庁

In this method for manufacturing the lithographic printing plate support, the lithographic printing plate support is obtained by performing an electrochemical surface roughening process using alternating current in an aqueous solution 14 containing at least, nitric acid, aluminum nitrate and sulfuric acid and an etching process in an aqueous alkali solution, to an aluminum plate 11 in that order.例文帳に追加

アルミニウム板１１に、少なくとも、硝酸、硝酸アルミニウムおよび硫酸を含有する水溶液中１４での交流電流を用いた電気化学的粗面化処理、および、アルカリ水溶液中でのエッチング処理をこの順に施し、平版印刷版用支持体を得る、平版印刷版用支持体の製造方法。 - 特許庁

A silicon oxide film 5 is accumulated in a HDP-CVD method, and continuously a polysilicon film 6 is accumulated in the thickness, in which the polysilicon film 6 in a region over a projecting part region is removed in a first CMP process, meanwhile the polysilicon film 6 in a recessed part region remains, and further the polysilicon film 6 functions as a mask of etching process in the later stage.例文帳に追加

ＨＤＰ−ＣＤＶ法によるシリコン酸化膜５の堆積に続いて、第１のＣＭＰ処理時に凸部領域の上部領域のポリシリコン膜６が除去され、凹部領域のポリシリコン膜６が残存し、かつポリシリコン膜６が後段のエッチング処理のマスクとして機能する膜厚でポリシリコン膜６を堆積する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of a defective shape of a via hole which can occur in the case of using an alumina mask for dry etching of an interlayer insulation film consisting of an SiOC film in a dual damascene process for forming the via hole in advance of forming a wiring groove.例文帳に追加

配線溝の形成に先立ってビアホールを形成するデュアルダマシン工程において、ＳｉＯＣ膜からなる層間絶縁膜のドライエッチングにアルミナマスクを使用する場合に生じ得るビアホールの形状不良を防止する。 - 特許庁