「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

The mixed gas in the dry etching advancing process is prepared by mixing the fluorocarbon gas of 5-12 volume is mixed into the SF_6 gas of 100 volume, and the mixed gas in the protective film forming process is prepared by mixing the SF_6 of 2-5 volume into the fluorocarbon gas of 100 volume.例文帳に追加

ドライエッチング進行工程における混合ガスは、ＳＦ_６ガス１００容量に対してフロロカーボンガスを５〜１２容量混合させたものとし、保護膜形成工程における混合ガスを、フロロカーボンガス１００容量に対してＳＦ_６ガスを２〜５容量混合させたものとされる。 - 特許庁

The method includes (1) depositing or growing a dielectric material in intrinsic and extrinsic regions of a device, (2) patterning the dielectric material by a dry or wet etching process or a lift-off process, and (3) performing vapor deposition of a field plate on the patterned dielectric material.例文帳に追加

（１）デバイスの真性および外因性領域に誘電性材料を堆積または成長させ、（２）乾式または湿式エッチングプロセス、あるいはリフトオフプロセスで誘電性材料をパターニングし、（３）パターニングされた誘電性材料上にフィールドプレートを蒸着させるステップを包含する方法。 - 特許庁

A semiconductor wafer provided by slicing from a semiconductor single crystal ingot is worked in an etching process for removing work distortion of the wafer, before a chamfering process for chamfering the wafer.例文帳に追加

劈開面を有する半導体ウェハの加工方法において、半導体単結晶インゴットからスライスされた半導体ウェハを、ウェハの面取りを行う面取工程の前に、ウェハの加工歪みを取り除くエッチング工程で加工することを特徴とする劈開面を有する加工方法である。 - 特許庁

To improve characteristics and reliability of an element by simplifying a process by pattering an MTJ cell and a connection layer simultaneously and by preventing generation of metallic polymer or the like by carrying out an etching process by using an insulating film spacer and a hard mask as a mask instead of a photosensitive film pattern.例文帳に追加

ＭＴＪセルと連結層を同時にパターニングすることにより工程を単純化させ、感光膜パターンに代えて絶縁膜スペーサ及びハードマスク層をマスクにエッチング工程を行って金属性ポリマー等の発生を防ぎ、素子の特性及び信頼性を向上させること。 - 特許庁

The manufacturing method of a light emitting element mounting substrate includes a process of selectively etching a surface metal layer 22 laminated on a metal substrate 10 to form a metal protruded part 22b at a mounting position of a light emitting element; and a process of forming an electrode 23a in the vicinity of the metal protruded part 22b.例文帳に追加

金属基板１０に積層された表面金属層２２を選択的にエッチングして発光素子の搭載位置に金属凸部２２ｂを形成する工程と、その金属凸部２２ｂの近傍に電極部２３ａを形成する工程と、を含む発光素子搭載用基板の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process of forming a gettering layer 19 in the SOI layer 16 surfaced by etching and removing the metal layer 18, and gettering a metal in the SOI layer 16; and a process of removing the gettering layer 19, and making the SOI layer 16 from which the metal is removed surface.例文帳に追加

金属層１８をエッチング除去することにより表出したＳＯＩ層１６にゲッタリング層１９を形成してＳＯＩ層１６中における金属をゲッタリングさせる工程と、ゲッタリング層１９を除去して金属が除去されたＳＯＩ層１６を表出させる工程とを備える。 - 特許庁

In a step for forming the recessed parts on the surface of the glass substrate in a production process of the micro-lens array, a process for forming the recessed parts is performed by etching the glass substrate after forming indentations or parts where residual stress remains by pressing the surface of the glass substrate with a pointed article.例文帳に追加

マイクロレンズアレイの製造工程中、ガラス基板表面に凹部を形成する工程において、当該凹部を形成する工程を、ガラス基板表面に尖状物で加圧して圧痕又は応力残留部を形成した後、当該ガラス基板のエッチングを行う工程とする。 - 特許庁

After an active layer 3, an etching stopping layer 4, and a cap layer 5 are successively grown on a substrate 1 composed of a III-V compound semiconductor, an element region is separately formed by subjecting it to mesa etching (first process), and a mask having an opening for controlling the width of a gate electrode G is formed on the formed mesa.例文帳に追加

III-Ｖ族化合物半導体からなる基板１上に活性層３、エッチング停止層４、およびキャップ層５を順に成長させた後、メサエッチングを施して素子領域を分離形成し（第１の工程）、上記メサ上にゲート電極Ｇの幅を規定する開口部を有するマスク１１を形成する。 - 特許庁

To improve controllability for an etching process, crystallinity at the time of regrowth and luminous efficiency in a surface emitting laser element of a selective oxidation current constrictive with a controlling system in an oxidation shape by arranging each semiconductor layer with different compositions in a current path and an oxidation area by means of etching and regrowth.例文帳に追加

エッチング及び再成長により電流通路と酸化領域にそれぞれ組成の違う半導体層を設けて酸化形状の制御を行う方式の選択酸化電流狭窄型の面発光型レーザ素子において、エッチング工程の制御性，再成長時の結晶性、および発光効率を向上させる。 - 特許庁

To provide a gate formation method of a semiconductor device capable of minimizing tunnel oxide film loss, preventing a semiconductor substrate from being damaged, and improving cell characteristics by removing a nitride film in a wet etching process when performing the gate etching of a SANOS structure where a dielectric film is formed by a high-dielectric substance.例文帳に追加

誘電体膜を高誘電物質で形成したＳＡＮＯＳ構造のゲートエッチングの際、窒化膜をウェットエッチング工程で除去することにより、トンネル酸化膜損失を最小化し、半導体基板の損傷を防止してセル特性を向上させることが可能な半導体素子のゲート形成方法の提供。 - 特許庁

Since a traditional etching process to remove the oxidization layer becomes unnecessary by properly protecting the contact layer 36 with the coil underlayer 47, the gap layer will not be scraped by the etching, and the film thickness control etc. of the gap layer can be improved than before.例文帳に追加

このように前記コンタクト層３６を前記コイル下地層４７によって適切に保護することで、従来のように、前記酸化層を除去するエッチング工程が必要ないから、ギャップ層が前記エッチングによって削られることなく、前記ギャップ層の膜厚制御等を従来よりも向上させることができる。 - 特許庁

The manufacturing method of semiconductor device including a substrate to be processed having a conductive layer 28 which is mainly formed of platinum comprises a process for etching the conductive layer 28, and processes to generate plasma and to conduct the cleaning of the substrate to be processed to which an etching product 30 is adhered.例文帳に追加

プラチナを主体とする導電層２８を有する被処理基板を含む半導体装置の製造方法であって、前記導電層２８をエッチングする工程と、プラズマを発生させ、このプラズマ中のイオンによってエッチング生成物３０が付着した前記被処理基板をクリーニングする工程とを含む。 - 特許庁

The process for producing a transfer mask comprises a step for forming a stress control layer for canceling variation in the stress of a thin film layer being generated before a resist layer is formed, and an etching step using the resist pattern as an etching mask.例文帳に追加

転写用マスクの製造工程において、前記レジスト層の形成前に、マスクの製造工程において発生する薄膜層の応力変化を相殺する応力制御層を前記薄膜層上に形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングマスクとしてエッチングする工程とをさらに含むことを特徴とする転写用マスクの製造方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a stacked semiconductor integrated device that attains grinding resistance in reverse-surface grinding of a semiconductor wafer, heat resistance in an anisotropic dry etching process etc., chemical resistance during plating and etching, final smooth peeling from a support substrate for processing, and low adherend contamination at the same time.例文帳に追加

半導体ウエハの裏面研削時の耐研削抵抗、異方性ドライエッチング工程などにおける耐熱性、メッキやエッチング時の耐薬品性、最終的な加工用支持基板とのスムースな剥離と低被着体汚染性を同時に成立させる、積層型半導体集積装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To carry out simultaneously a short circuit revision of TFT (Thin Film Transistor) semi conductor layer by simultaneously etching a short circuit position with the semiconductor in etching a protective film, which is set an outer surface of a pixel electrode in preparing an array substrate for a liq. crystal display device, and to dispense a special process for restoring a short circuit.例文帳に追加

液晶表示装置用のアレイ基板の製造に当たり、保護膜を画素電極の外側に設け、この保護膜のエッチング時に、半導体との短絡箇所も同時にエッチングすることにより、ＴＦＴ半導体層の短絡修正を同時に実施し、短絡修復のための特別な工程を不要にする。 - 特許庁

An Si substrate is subjected to isotropic etching by the use of a dry etcher of down flow-type using an oxide film 2 as a mask, and an etching groove 3 is formed so as to round a point where the flat surface of the Si substrate intersects a trench opening that is formed in a following process or a part which becomes the edge of a trench opening.例文帳に追加

酸化膜２をマスクにして、ダウンフロー型のドライエッチャーによる等方性のＳｉエッチングを行い、シリコンの平坦な面とつぎの工程で形成されるトレンチの開口部とが交わる箇所、つまり、トレンチ開口部の縁となる箇所を予めエッチングして丸めるために、エッチング溝３を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the flexible printed board is characterized by maintaining an oxygen concentration in an etching processing atmosphere at 2 vol.% or below in a process of forming a copper wiring pattern by performing etching processing on a copper coating layer formed at least on one surface of an insulator film without interposing an adhesive.例文帳に追加

フレキシブルプリント基板の製造方法であって、絶縁体フィルムの少なくとも片面に接着剤を介さずに形成された銅被覆層をエッチング処理して銅配線パターンを形成する工程における前記エッチング処理雰囲気の酸素濃度が、２体積％以下に維持されることを特徴とする。 - 特許庁

A process of manufacturing heat absorbing substrate wherein a large number of holes can be produced employing gas phase etching medium in equal proportion of O2, Ar and CCl2F2, and exposing the medium to the substrate, the substrate is placed near the sputterable component, and …effect sputtering, and complete etching are conducted. 例文帳に追加

多数の空孔を生成するように、ガス状エッチング媒体として等比率のO2、Ar、及びCCl2F2を使用し、該ガス状エッチング媒体に基板をさらすことからなる基板の製造方法において、基板をスパッタ可能な組成の近くに置きスパッタをさせ、エッチングすることを特徴とする熱吸収基板の製造方法。 - 特許庁

In an intermittent etching process where the etching mode is switched intermittently to a deposition mode, the level switching timing of a bias voltage being applied to a substrate is delayed from the switching timing of atmospheric gas being introduced into a vacuum chamber by a time t_d required for switching the composition of the atmospheric gas in the vacuum chamber.例文帳に追加

エッチングモードを間歇的にデポモードに切り替える間歇エッチング方式のプラズマエッチング法において、基板に印加するバイアス電圧のレベルの切替えタイミングを、真空チャンバ内の雰囲気ガスの組成が切り替わるのに必要とする時間ｔ_ｄだけ、真空チャンバに導入する雰囲気ガスの切替えタイミングから遅らせる。 - 特許庁

The cool-down step is a process wherein Ar gas of the flow rate of 400-800 sccm is introduced into the plasma etching device for 80 seconds or more, and the pressure in the etching device is made at 200-300 mTorr, and high-frequency voltage of 150 W or less is applied to an upper electrode and a lower electrode, respectively.例文帳に追加

クールダウンステップは、プラズマエッチング装置内に４００sccm以上８００sccm以下の流量のＡｒガスを８０秒間以上導入し、エッチング装置内の圧力を２００ｍTorr以上３００ｍTorr以下にし、上部電極及び下部電極それぞれに１５０Ｗ以下の高周波電圧を印加する工程である。 - 特許庁

The method for straightening the warping of the ceramic plate 50 in which the warping is generated has an etching process of etching a surface 50A formed to a convex shape by the warping in the ceramic plate 50 by irradiating the surface 50A formed to the convex shape with a beam of at least either of an ion beam or neutral particle beam.例文帳に追加

反りを生じたセラミック板５０の反りの矯正方法であって、セラミック板５０において反りによって凸状とされている面５０Ａに対してイオンビーム又は中性粒子ビームの少なくとも一方のビームを照射して、凸状とされている面５０Ａをエッチングするエッチング工程を備える。 - 特許庁

In the method of dry-etching the silicon nitride film 103 for dry-etching the silicon nitride film 103, the silicon nitride film 103 is dry-etched with no generation of plasma by using a process gas at least containing a hydrogen fluoride gas (HF gas) and a fluorine gas (F_2 gas) for an object to be processed 100 with the silicon nitride film 103 formed.例文帳に追加

窒化珪素膜１０３をドライエッチングする窒化珪素膜１０３のドライエッチング方法であって、窒化珪素膜１０３が形成された被処理体１００に対して、少なくともフッ化水素ガス（ＨＦガス）とフッ素ガス（Ｆ_２ガス）とを含む処理ガスを用いて、プラズマを生成することなく、窒化珪素膜１０３をドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a non-chelating type remover free from discoloration of a metallic material used as a substrate and capable of releasing a photoresist film or a film of etching resistant resin composition each remained on the surface of the substrate after etching and easy in elluent treatment after releasing under a wide range of releasing condition, accordingly, under a simple process management.例文帳に追加

広範囲の剥離条件下で、したがって簡便な工程管理の下に、基材として用いる金属材料に変色を生じることなく、エッチング後の基材表面に残るフォトレジスト皮膜や耐エッチング性樹脂組成物皮膜を剥離でき、しかも剥離後の排水処理の容易な非キレートタイプの剥離剤を提供する。 - 特許庁

Only silicon tetrachloride is used for an etching gas when a cathode is formed on a n-type semiconductor layer by removing a part of a light emitting layer and a p-type semiconductor layer in reactive-ion etching process after the n-type semiconductor layer, light emitting layer and p-type semiconductor layer are sequentially laminated on a substrate.例文帳に追加

基板上にｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層をこの順序で積層した後、発光層およびｐ型半導体層の一部を反応性イオンエッチング法により除去してｎ型半導体層上に負極を形成する際に、エッチングガスに四塩化珪素のみを用いる。 - 特許庁

The manufacturing method of an organic electroluminescent light emitting device includes a process in which an organic EL element, a color conversion layer by a vapor depositing method and a barrier layer are formed on a supporting body, and a patterned high refractive index layer is formed on the barrier layer by a dry etching with the barrier layer as an etching-stop layer and is stuck to a color filter.例文帳に追加

支持体上に、有機ＥＬ素子、蒸着法による色変換層、およびバリア層を形成し、バリア層をエッチストップ層とするドライエッチングにより、バリア層上にパターン化高屈折率層を形成し、カラーフィルタと貼り合わせることを特徴とする有機ＥＬ発光装置の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a step of forming an insulation film on the semiconductor substrate, a step of dry-etching the insulation film by a dry process, and a step of removing the damaged layer occurring on the semiconductor substrate by the dry etching by thermally decomposed atomic hydrogen at a predetermined temperature.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を、ドライ工程によりエッチングする工程と、前記エッチングにより前記半導体基板上に生じたダメージ層を、熱分解した原子状の水素により、所定の温度下で除去する工程とを含む。 - 特許庁

The additive of phosphorus cuts off or weakens the Si-O bond in the layer insulation film 15, and the RTA process lessens the group -OH or hydrogen, etc., in this film 15, thereby lessening the deposits to the sidewalls of the contact holes 17 during etching and improving the etching rate.例文帳に追加

リンが添加されていることで層間絶縁膜１５のＳｉ−Ｏ結合が切断または弱められ、さらにＲＴＡ処理によって層間絶縁膜１５の−ＯＨ基または水素等が低減するので、エッチング中のコンタクトホール１７の側壁への堆積物が低減でき、また、エッチング速度が向上する。 - 特許庁

To provide a process for forming an etching resistant resin layer which perfectly fills an ostium opening pattern formed in a metal sheet and does not leave bubbles in the ostium opening pattern, that is, which does not proceed an anomalous etching, and to provide a method for manufacturing a shadow mask using the forming method.例文帳に追加

金属薄板上に形成された小孔開口パターンへのエッチング耐触樹脂の充填が完全であり、且つ小孔開口パターンに気泡を残留させない、すなわち、異常エッチングを進行させないエッチング耐蝕樹脂層の形成方法、及びこの形成方法を用いたシャドウマスクの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a cleaning liquid with which etching residues remaining after a dry etching in a wiring process of a semiconductor device or a display device subjected to a copper wiring to be used for a semiconductor integrated circuit, or the like can perfectly be removed in a short period of time, and a copper wiring material, insulation film material or the like cannot be oxidized or corroded.例文帳に追加

半導体集積回路等に用いられる、銅配線が施された半導体素子または表示素子の配線工程におけるドライエッチング後に残存するエッチング残渣を短時間で完全に除去でき、かつ銅配線素材や絶縁膜材料等を酸化または腐食しない洗浄液を提供する。 - 特許庁

The method of use thereof includes a process which makes the almost plane surface of polysilicon film contact with the solution which is highly aqueous and strongly basic for a sufficient time to make etching selectively the salient or the protrusion from the surface of the almost plane polysilicon film without etching significantly the almost plane polysilicon film.例文帳に追加

その使用方法は、概ね平面であるポリシリコン膜を有意にエッチングすることなく、概ね平面であるポリシリコン膜の表面を、該水性の高い強塩基性の溶液と、概ね平面であるポリシリコン膜の表面から隆起または突起を選択的にエッチングするのに十分な時間、接触させることを含む。 - 特許庁

The method of use thereof includes a process which contacts the almost plane surface of polysilicon film with the solution which is highly aqueous and strongly basic for a sufficient time to make etching selectively the upheaval or protrusion from the surface of the almost plane polysilicon film without etching significantly the almost plane polysilicon film.例文帳に追加

その使用方法は、概ね平面であるポリシリコン膜を有意にエッチングすることなく、概ね平面であるポリシリコン膜の表面を、該水性の高い強塩基性の溶液と、概ね平面であるポリシリコン膜の表面から隆起または突起を選択的にエッチングするのに十分な時間、接触させることを含む。 - 特許庁

To provide an etching method for collecting heavy metals such as indium or the like with a simplified method generating a small amount of sludge by making smaller an undercut by the etching process, in regard to formation of high precision circuit of an image of the IZO film suitable for a transparent electrode of a thin film transistor liquid crystal display apparatus for flat panel display or the like.例文帳に追加

フラットパネルディスプレイ用薄膜トランジスター液晶表示装置等の透明電極に好適なＩＺＯ膜の画像の高精細化回路形成等に関し、エッチングによるアンダーカットを小さくし、かつ汚泥発生量の少なく簡素な方法でインジウム等の重金属を回収可能とするエッチング方法の提供。 - 特許庁

To provide an etchant composition which is used for etching a metallic thin film and a metal oxide film, in a process of manufacturing electronic equipment such as a semiconductor device and a flat panel display device, has no problem with an odor of acetic acid, has superior etching performance, is easily handled and has superior practicability.例文帳に追加

半導体装置ならびにフラットパネルディスプレイ装置等の電子装置の製造工程において、金属薄膜及び金属酸化物膜をエッチングする際に用いることができる、酢酸の臭気の問題がなく、エッチング性能に優れ、また取り扱いが容易で実用性に優れている、エッチング液組成物を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing process of the droplet ejection head 10, the diaphragm portion 100 is formed by etching a portion 100a of a silicon substrate 200 becoming the diaphragm portion down to a required depth from one side and then wet-etching a portion 23a serving as the reservoir from the opposite side of the silicon substrate 200.例文帳に追加

また、液滴吐出ヘッド１０の製造方法は、シリコン基材２００の一方の面からダイアフラム部になる部分１００ａを所要の深さエッチングし、その後、シリコン基材２００の反対側の面からリザーバになる部分２３ａをウェットエッチングにより加工して、ダイアフラム部１００を形成するようにしたものである。 - 特許庁

To accurately detect an end point of plasma etching in a process of forming a pattern on an extreme ultraviolet absorption film, in a method of manufacturing a mask for extreme ultraviolet exposure including the process of forming a pattern on an extreme ultraviolet absorption film by performing plasma etching using a gas containing carbon (C) to the extreme ultraviolet absorption film using a substrate having the extreme ultraviolet absorption film formed of a material containing Ta and N.例文帳に追加

ＴａとＮを含有する材料からなる極端紫外線吸収膜を有する基板を用い、前記極端紫外線吸収膜に対して炭素（Ｃ）を含むガスを用いたプラズマエッチングを行うことにより、前記極端紫外線吸収膜にパターンを形成する工程を有する極端紫外線露光用マスクの製造方法において、前記工程でのプラズマエッチングの終点を高精度に検出する。 - 特許庁

This method includes the steps of forming a film 2 on a semiconductor substrate 1 and forming an interlayer insulating film 3 thereon, subjecting the film 3 through photolithography to a patterning process to form a hole 4, subjecting the film 3 to wet etching process with use of an etchant having a etching rate larger than that of the film 2 to the film 3, and observing the hole 4 from an open side thereof.例文帳に追加

半導体基板１上に膜２を形成し膜２の上に層間絶縁膜３を形成する工程と、層間絶縁膜３をフォトリソグラフィ法によりパターニングしてホール４を形成する工程と、層間絶縁膜３に対する膜２のエッチング速度の比が大きいエッチング液を使用して層間絶縁膜３をウェットエッチングする工程と、ホール４を開口側から観察する工程とを有する。 - 特許庁

This electrode degradation preventing system comprises an electrode 12 which is provided in a reaction chamber 10 of an etching device and supports a substrate 26 to be etched and has a plurality of openings 24, and a gas line 122 for supplying a gas passing through respective openings 24 to prevent the adherence of the deposited materials onto the openings 24 during the pre-process or post-process of the etching processing.例文帳に追加

電極部劣化防止機構は、エッチング装置の反応室１０に設けられる電極部であって、エッチング処理される基板２６を支持するとともに、開口部２４を複数有する電極部１２と、エッチング処理の前工程または後工程における、開口部２４に対する堆積物の付着を防止するため、開口部２４のそれぞれに通気されるガスを供給するためのガスライン１２２とを具える。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material which shows an excellent antireflection effect on exposure light by using together with, if necessary, a resist intermediate layer film having an antireflection effect, which has excellent etching durability during etching a substrate rather than polyhydroxystyrene, cresol novolac or the like and a high poisoning resistant effect, and which is suitable to be used for a multilayer resist process such as a two-layer or three-layer resist process.例文帳に追加

レジスト下層膜材料であって、必要により反射防止効果のあるレジスト中間層膜と併せることで露光光に対して優れた反射防止効果を示し、かつ、ポリヒドロキシスチレン、クレゾールノボラックなどよりも基板エッチング時のエッチング耐性に優れ、耐ポイゾニング効果が高く、多層レジストプロセス、例えば２層又は３層レジストプロセスでの使用に好適なレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing an electrode comprises a process of etching a ZnSe substrate 1 with an etchant and then forming a protective film 3 by depositing a deposit generated by the etching reaction on the etched surface of the ZeSe substrate 1, and a process of removing the protective film 3 formed on the surface of the ZeSe substrate 1 and then forming an electrode 4 on the exposed surface of the substrate 1.例文帳に追加

この電極製造方法は、ＺｎＳｅ基板１をエッチング液を用いてエッチングするとともに、エッチングされた表面に、エッチング反応で生成する析出物を堆積して保護膜３を形成する工程と、ＺｎＳｅ基板１の表面に形成された保護膜３を除去して、表面１１を露出させる工程と、露出した表面に電極４を形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a method of forming an element isolation layer of a semiconductor memory device, capable of filling a fluid first insulating film on the bottom surface of a trench, forming a second insulating film, then performing a dry etching process and a wet etching process and reducing the amount of fluorine (F) included in the second insulating film while expanding the top width of the trench.例文帳に追加

本発明は、トレンチの底面に流動性の第１の絶縁膜を満たし、第２の絶縁膜を形成した後に乾式エッチング工程及び湿式エッチング工程を行ってトレンチの上部の幅を広げながら第２の絶縁膜に含まれるフッ素(Ｆ；fluorine；フローリン)の量を減少させることができる半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

The method of manufacturing the laminated structure for the disk driving suspension assembly comprising using the multilayered lamination sheet having the first layer 50 consisting of the metallic spring material, the intermediate second layer 90 consisting of the electrical insulating material and the third layer 70 consisting of the conductive material and performing the dry etching process after wet etching as a process step of molding the second layer 90 and the laminated structure thereof are provided.例文帳に追加

金属ばね材からなる第１層５０と、電気絶縁材からなる中間の第２層９０と、導電材からなる第３層７０とを有する多層合わせシートを使用し、第２層９０の成形工程としてウェットエッチングの後、ドライエッチングプロセスを行うことを特徴とするディスク駆動サスペンションアセンブリ用の積層構造体の製造方法及びその積層構造体を提供する。 - 特許庁

To provide an SOI wafer including a low-stress film without causing a problem in a process of lithography, resist application, dry etching or the like when used as an MEMS substrate; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、ＭＥＭＳ基板として使用する際に、リソグラフィー、レジスト塗布、ドライエッチングなどの工程で問題を引き起こさないような低応力膜を備えたＳＯＩウェーハとその製造方法を提供する。 - 特許庁

Extremely thinner high density layer to work as an etching stopper film and a protection film is formed because of forming the highly dense layer through the process to give high density to the front surface of the porous insulating film.例文帳に追加

多孔質絶縁膜の表層部を緻密化する緻密化処理を行うことにより緻密層を形成するため、エッチングストッパ膜や保護膜として機能しうる良質な緻密層を極めて薄く形成することができる。 - 特許庁

In a process for forming a separation groove for separating into chips by dry etching and then surface-roughening a surface where the n-type nitride semiconductor layer 2 is exposed, the side of the active layer 3 is melted and the width is narrowed.例文帳に追加

チップに分離するための分離溝をドライエッチングで形成した後、ｎ型窒化物半導体層２が露出した表面の粗面加工を行う工程で、活性層３の側面が溶けて幅が狭くなったものである。 - 特許庁

To provide an electro-optical apparatus having a reflection plate structure which does not receive a damage of etching in a process in which an electrode is formed in a reflection display region, a method of manufacturing the apparatus and electronic equipment.例文帳に追加

反射表示領域において、電極を形成する工程におけるエッチングにより損傷を受けない反射板構造を有する電気光学装置およびその製造方法、ならびに電子機器を提供すること。 - 特許庁