「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

The isotropic dry etching process is executed in such a way that a reaction gas of 100 Pa-1,000 Pa is introduced and a bias voltage is not applied while plasma is ignited to the reaction gas.例文帳に追加

その等方性ドライエッチング工程は、１００Ｐａ以上１０００Ｐａ以下の反応ガスを導入し、その反応ガスにプラズマを点火しつつバイアス電力を印加しないで行う。 - 特許庁

This film forming material can be manufactured by substituting nitrogen for hydrogen and then heating the material under the nitrogen atmosphere after conducting the etching process to the SiC substrate using the hydrogen gas.例文帳に追加

この成膜体は、ＳｉＣ基板に対して水素ガスを用いてエッチングを行った後に、水素を窒素に置換して窒素雰囲気中で加熱することにより、製造することができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a both-sided flexible circuit board which can process an insulating base material by a resin etching method and suitably form a hole for conduction needed for via hole formation.例文帳に追加

樹脂エッチング手法で絶縁べ−ス材の加工とビアホ−ル形成のために必要な導通用孔を好適に形成できる両面可撓性回路基板の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate which suppresses the peeling of a thermoplastic polymer and the permeation of a wet etching liquid and a plating liquid into a resist or into a boundary between a metal layer and the resist in a thermal nanoimprint process.例文帳に追加

熱ナノインプリント法における熱可塑性高分子の剥がれや、ウェットエッチング液やめっき液の、レジスト内や金属層とレジストとの界面への浸入を抑制する基板を提供する。 - 特許庁

In the early stage of the second etching process, the initial groove mask 54 covers a portion of the upper surface of the bottom formation layer 42 in a region where the second portion is scheduled to be formed.例文帳に追加

第２のエッチング工程の当初は、第２の部分が形成される予定の領域における底部形成層４２の上面の一部が初期溝マスク５４によって覆われている。 - 特許庁

To provide a surface treatment process which reduces damage to a photoresist and a substrate, in improving wettability of the surface for the purpose of eliminating defects in plating or wet etching.例文帳に追加

めっき処理やウェットエッチング処理の不良をなくすために表面の濡れ性を向上させる際に、フォトレジストおよび下地へのダメージを減らした表面処理方法を提供する。 - 特許庁

In the process shown in (i), the three-dimensional microfabrication structure is fabricated on which a dent is formed by performing etching and by detaching Ga preferably from the exposed portion of the GaAs substrate 1.例文帳に追加

（ｉ）に示す工程では、エッチング処理を行って、ＧａＡｓ基板１の露出部分からＧａを優先的に剥離させることで窪み等が形成された三次元微細構造を作製する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor apparatus preventing a dielectric breakdown of a passivation film in a process of dry etching for forming a pad opening on the passivation film.例文帳に追加

パッシベーション膜にパッド開口部を形成するためのドライエッチング工程において、パッシベーション膜が絶縁破壊することを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing submicron gate including the anisotropical etching, which enables the self alignment by a simple process and can manufacturing high-reliability submicron gates at a low cost.例文帳に追加

簡単な工程により自己整合が可能で、しかも信頼度が高いサブミクロンゲートを安価に製造することができる、非等方性エッチングを含むサブミクロンゲートの製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a gate insulation film at the lower part of a drain electrode from being etched during the process of etching a protective film by extending an active layer at the lower part further on one side of the drain electrode.例文帳に追加

ドレイン電極の一側に下部のアクティブ層をさらに延ばして、保護膜をエッチングする工程中ドレイン電極下部のゲート絶縁膜がエッチングされることを防止する。 - 特許庁

The area corresponding to this external layer rigid plate 5 and shield layer 2 is formed thinner with the etching process so that the shield layer 2 is no longer in contact with the external layer rigid plate 5.例文帳に追加

この外層リジッド板５のシールド層２に対応する領域をエッチング処理によって薄くしておき、このシールド層２と外層リジッド板５とが接触しないようにしておく。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which realizes a removal of an etching stopper film stably with excellent controllability in a SAC process, and is superior in reproducibility and high in reliability.例文帳に追加

ＳＡＣプロセスにおいて安定かつ制御性良くエッチングストッパ膜の除去を実現し、再現性の優れた信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In such a forming process of the elements 3, a constitution material of the magnetic gear layers 8, 11, 13 existing in a region to which etching for processing a slider shape is performed is previously eliminated.例文帳に追加

かかる素子３の形成過程で、スライダ形状加工のためのエッチングが施される領域に存在する磁気ギャップ層８，１１，１３の構成材料を予め除去する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a semiconductor device, a working process for forming the hole in the insulating film on a wafer using the plasma etching device is performed continuously for a plurality of wafers.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、プラズマエッチング装置を用いてウエハ上の絶縁膜にホールを形成する加工処理を、複数のウエハに連続して施すものである。 - 特許庁

One-side mounting surface 101a of a transparent flexible substrate is formed with a wiring pattern and an identification pattern 104b indicating the identification information such as the serial number by a same etching process.例文帳に追加

透明なフレキシブル基板の片側実装面（１０１ａ）に、配線パターンと、シリアルナンバ等の識別情報を表す識別パターン（１０４ｂ）とを同一のエッチング工程で形成する。 - 特許庁

To enable quick discharge at the time of programming, simplifying a process at the time of forming contacts of a cell array part and a peripheral circuit part, and reducing etching damage.例文帳に追加

プログラム時の放電を迅速に行い、セルアレイ部及び周辺回路部のコンタクト形成時の工程を単純化し、蝕刻損傷を減らすＮＯＲ型フラッシュメモリ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multilayer ceramic capacitor that has reduced alignment precision required in a lamination process and dispenses with any special processes, such as etching processing, and to provide a method of manufacturing the multilayer ceramic capacitor.例文帳に追加

積層工程で要求される位置合わせ精度が緩く、かつ、エッチング処理などの特殊な工程を必要としない積層セラミックコンデンサおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, the insulating layer 30a for silicide block is formed on the etching stopper film 20 to process the insulating layer 30a and form the silicide block layer 30 in a region for preventing silicide formation.例文帳に追加

次に、エッチングストッパ膜２０上にシリサイドブロック用の絶縁層３０ａを形成し、絶縁層３０ａを加工して、シリサイド化を防止する領域にシリサイドブロック層３０を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of reducing the size, after etching, of a contact pattern formed on an insulating film, without changing a photolithographic process.例文帳に追加

絶縁膜に形成されるコンタクトパターンのエッチング処理後の寸法を、ホトリソ工程を変更させることなく、小さい値に変更させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The glass spacer 5 can be provided by applying an etching process to a cut end face of drawn glass formed by cutting drawn raw glass 41 and by chipping the cut end face of the drawn glass by a predetermined amount.例文帳に追加

ガラススペーサ５は、延伸された母材ガラス４１が切断された延伸ガラスの切断端面にエッチング処理を施し、延伸ガラスの切断端面を所定量削り得られる。 - 特許庁

Thus, since nano-dots are never exposed in a etching process for the gate formation, a problem of projection of the nano-dots outside the gate, or irregularity of an edge of the gate is prevented.例文帳に追加

これにより、前記ゲート形成のためのエッチング工程でナノドットが全く露出されないので、ナノドットがゲートの外に突出するか、またはゲートの縁部がでこぼこになることを防止できる。 - 特許庁

A etching process is executed to leave the sidewall-spacer material 416 as a conductive link between a free magnetic layer 412 and the conductive hard mask 418, around the low-conductivity layer 416.例文帳に追加

エッチング・プロセスを実行して、低伝導率層４１６の周りに、自由磁性層４１２と導電ハード・マスク４１８との間の導電リンクとして、側壁スペーサ材料４１６を残す。 - 特許庁

To provide a defect correction method for a distortion occurring in a reed screen type part of a thin metal sheet with very narrow slit type apertures manufactured by a photo-etching process.例文帳に追加

フォトエッチング法にて製造された微細なスリット状開口部を有する金属製薄板における簾部分に生じる変形を修正するための欠陥修正方法を提供すること。 - 特許庁

The markers are etched on the substrate using anisotropic etching process, the markers are those such that their apparent positions after they are etched depend on their orientation to the crystal axis.例文帳に追加

マーカは、異方性エッチング・プロセスを使用して基板にエッチングされ、マーカは、エッチングの後でそれらの見掛けの位置が結晶軸に対するそれらの方位に依拠するようなものである。 - 特許庁

Moreover, if the light shielding wall 16 is formed at the same time in an etching process to form the light emitting portion 14, only the same number of processes as such case where the light shielding wall 16 is not provided is needed.例文帳に追加

また、この遮光壁１６を発光部１４を形成するためのエッチング工程において同時に形成すれば、遮光壁１６を設けない場合と同じ工程数で済む。 - 特許庁

To provide an etching preventing layer where only a part of a lower inter-layer insulating layer is selectively patterned for allowing outgassing in a manufacturing process thereafter.例文帳に追加

ボイド領域内に形成された局部エッチング阻止層が備えられたビットラインスタッド上のビットラインランディングパッドとボーダレスコンタクトを有する半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a process of checking the laminated green sheet 1, a part of the laminated green sheet 1 is subjected to dry etching so as to expose the cross section of the dielectric layers 11 and the internal electrodes 12 in the direction of lamination.例文帳に追加

積層グリーンシート１を検査する工程では、積層グリーンシート１の一部をドライエッチングし、誘電体層１１及び内部電極１２の積層方向の断面を露出させる。 - 特許庁

In manufacturing a liquid crystal device, large-sized substrates 100 and 200 are thinned in an etching process after forming a panel structure 300 by bonding the large-sized substrates 100 and 200.例文帳に追加

液晶装置を製造するにあたって、大型基板１００、２００を貼り合わせてパネル構造体３００を形成した後、エッチング工程で大型基板１００、２００を薄板化する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a liquid crystal display element, which can reduce the loading effect of dry etching in an array process for forming a TFT thin film transistor of a liquid crystal display device.例文帳に追加

液晶表示装置のＴＦＴ薄膜トランジスタ形成のアレー工程において、ドライエッチングのローディング効果を低減できる液晶表示素子の製造方法を提案する - 特許庁

To obtain a process and apparatus for etching an exposed area of a multi-layer metal having at least two layers, that is, a layer of a high melting point metal and a layer of aluminum alloy on the high melting point metal layer.例文帳に追加

少なくとも２層、即ち高融点金属の層及びその上にあるアルミニウム層又はアルミニウムアロイ層、を有する多層メタルの露出領域をエッチングするためのプロセス及び装置。 - 特許庁

To provide a method of forming a mask pattern, which prevents pattern collapse of the mask pattern by omitting an etching process of an antireflection film when forming the mask pattern by a Side Wall Patterning (SWP) method.例文帳に追加

ＳＷＰによりマスクパターンを形成する場合に、反射防止膜のエッチング工程を省略し、マスクパターンのパターン倒れを防止することができるマスクパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element effective to suppress the occurrence of active attack in an etching process upon formation of a gate for example by suppressing an EFH change of an element separation film.例文帳に追加

素子分離膜のEFH変化を抑えることで、たとえばゲート形成時のエッチング工程でアクティブアタックが発生するのを抑えるのに有効なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for producing highly pure copper from a hydrous impure copper powder containing chlorine compounds and oxides of copper, such as deteriorated copper etchant generated upon etching a copper-clad laminate.例文帳に追加

銅張積層板をエッチングする際に生ずる劣化銅エッチング液等の銅の塩素化合物及び酸化物を含有する含水不純銅粉から高純度の銅を製造する方法の提供。 - 特許庁

In addition, in the gas phase etching process P4, since the contact layer 26 which absorbs light in a red wavelength band is sufficiently removed, the high light extraction efficiency is obtained also in this point.例文帳に追加

また、気相エッチング工程Ｐ４では、赤色の波長帯の光を吸収するコンタクト層２６が十分に除去されるので、この点においても、高い光取り出し効率が得られる。 - 特許庁

The number of process steps and manufacturing cost are reduced because a single etching step is needed by forming the conductive trace only on the single side of the base film.例文帳に追加

ベース膜の片面のみに導電性トレースを形成することにより、単一のエッチングステップしか必要とされないので、プロセスステップの数及び製造コストを減少することができる。 - 特許庁

To realize an etching liquid and a method, by which a Ti-W(titanium- tungsten) alloy thin film is removed in a process where a solder bump electrode is formed on a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置上への半田バンプ電極製造におけるＴｉ−Ｗ(チタン−タングステン)合金の薄膜を除去するためのエッチング液とそのエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for ion beam etching which can improve the productivity by simplifying the manufacturing process and which is suitable for being used in manufacturing an optical device.例文帳に追加

製造プロセスを簡素化して生産性の向上を図ることができ、また、光学デバイスの製造に用いて好適なイオンビームエッチング方法及びイオンビームエッチング装置を提供すること。 - 特許庁

By forming the resistor 2A using a semiconductor process (lithography, etching and chemical-mechanical polishing or the like), the work dimension errors of the width and film thickness of the resistor 2A are reduced.例文帳に追加

上記抵抗体２Ａを半導体プロセス（リソグラフィ、エッチングおよび化学的機械的研磨等）を用いて形成することで、抵抗体２Ａの幅および膜厚の加工寸法誤差を低減できる。 - 特許庁

A reflecting pixel electrode 11 (third metal film) and a second transparent conductive film 12 as a layer above it are patterned with the same mask pattern and subjected to a batch wet etching process using the same etchant.例文帳に追加

反射画素電極１１（第３の金属膜）とその上層の第２の透明導電性膜１２を同じマスクパターンでパターニングし、同じエッチング液を用いて一括ウェットエッチング処理した。 - 特許庁

To eliminate or reduce deterioration in oscillation characteristic by making etching residues small in a process of processing the external shape of a face crystal oscillator piece oscillating in lame mode or face shear mode.例文帳に追加

ラーメモード又は輪郭すべりモードで振動する輪郭水晶振動片を外形加工する工程において、エッチング残渣を小さくして振動特性の劣化を解消又は低減する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a diffraction optical element capable of performing phase correction without adding an etching process and without being subjected to the restriction due to resolution ability of photolithography.例文帳に追加

エッチング工程を追加することなく，また，フォトリソグラフィの解像能力による制限を受けることなく位相補正を行うことの可能な回折光学素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A first patterning and an etching process are performed to the lower wiring material and the switching material to form a first structure 1102 having an upper surface area and a side area.例文帳に追加

下部配線材料及びスイッチング材料に対して第１パターニング及びエッチングプロセスを行い、上部表面領域及びサイド領域を有する第１構造１１０２を形成する。 - 特許庁

In a crystal structure, element positioning recognition patterns (trapezoidal protruded parts 7a and 7b) formed with the same photoresist etching process as for a current mesa stripe 6 which acts as an emission part are provided.例文帳に追加

結晶構造内に、発光部となる電流メサストライプ部６と同一のフォトレジスト・エッチング工程で形成された素子位置決め用認識パターン（台形凸部７ａ、７ｂ）を有する。 - 特許庁

A polyimide film 32 is formed by applying a polyimide on a PET sheet 33 and a hole 34 of a desired shape is formed by applying dry-etching process to the polyimide film 32 (Fig.3(A)).例文帳に追加

ＰＥＴシート３３上にポリイミドを塗布等して、ポリイミド膜３２を形成し、このポリイミド膜３２に対して、ドライエッチングして所望の形状の孔３４を形成する（図３（Ａ））。 - 特許庁

Before performing this etching process, projecting portions of the electrodes 15' are removed or decreased in order to prevent sticking to the electrodes of air bubbles 27 contained in the chemical solution.例文帳に追加

このエッチング工程を行う前に、化学溶液に含まれている気泡２７の電極への付着を防止するために電極１５’の突出部分を除去するか減少させる。 - 特許庁