「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

Accordingly, the practical resist removing velocity can be attained in the mass-production system without any problems of variation in quality and side etching of insulation film, and insufficient exposure in the lithography process.例文帳に追加

本発明によれば、絶縁膜の変質やサイドエッチ、リソグラフィー工程における露光不良の問題がなく、量産で実用的なレジスト除去速度が得られる。 - 特許庁

Next, unwanted part of the metal underlayer 7 is removed by etching process using the wiring protecting metal film 9 as a mask, leaving the metal underlayer 7 only under the wiring 8.例文帳に追加

次に、配線保護金属膜９をマスクとして下地金属層７の不要な部分をエッチングして除去し、配線８下にのみ下地金属層７を残存させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical integrated element using a simple and convenient manufacturing process, in which the effect due to oxidization and side etching of an Al-system semiconductor material is small, and combination efficiency is high.例文帳に追加

Ａｌ系半導体材料の酸化とサイドエッチの影響が小さく、結合効率が高い半導体光集積素子を、簡便な作製プロセスで提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a test pattern of a semiconductor device that allows recognizing an overetch or an underetch occurring at a side wall after an etching process.例文帳に追加

エッチング工程後に側壁で発生するオーバーエッチングまたはエッチング不足を確認することが可能な半導体素子のテストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a forming mold of a microneedle having a desired shape by precisely controlling the etching process of a silicon substrate.例文帳に追加

本発明の１つの態様は、シリコン基板のエッチングプロセスを正確に制御して、所望の形状を有する微細針の成形鋳型を製造することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method and a device for the production of an epitaxially grown water which includes the treatment of a silicon wafer by plasma etching before the epitaxial growth process.例文帳に追加

プラズマエッチング方法によるエピタキシャル成長工程前のシリコンウェーハの処理方法を含んだエピタキシャル成長ウェーハの製造方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of AlGaP light emitting diode with light reflecting layer which perfectly removes distortion by dicing process without resulting in over-etching of the light reflecting layer.例文帳に追加

光反射層をオーバーエッチすることなく、ダイシング加工歪を完全に除去することができる光反射層付きＡｌＧａＰ発光ダイオードの製造方法を提供する。 - 特許庁

In a process vessel 2 of a plasma etching processing device 1, a probe 40 is installed for detecting a time variation of a magnetic field around a central axis of a processing space K.例文帳に追加

プラズマエッチング処理装置１の処理容器２内に、処理空間Ｋの中心軸周りの磁界の時間変化量を検出するプローブ４０が取り付けられる。 - 特許庁

To provide an environment-friendly process for producing a printed board having no etching step in which high definition and high reproducibility are ensured without producing a waste developer.例文帳に追加

エッチング工程が製造工程中に全くなく、高精細、高再現性かつ現像廃液のない環境に優しいプリント基板製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a color filter, by which a pattern suppressed in residual film after development can be formed by a dry etching process and the color filter almost free from damage and having good surface state can be manufactured.例文帳に追加

ドライエッチング法を利用して現像残膜を抑えたパターン形成を可能とし、ダメージが抑えられ表面性状の良好なカラーフィルタを提供する。 - 特許庁

A recess 110 is formed by allowing upper portions of the wiring 102 and the wiring 103 to be recessed by chemical mechanical polishing process or etching.例文帳に追加

次に、化学的機械研磨法やエッチングによって、第１の金属配線１０２および第２の金属配線１０３の上部をリセスさせて凹部１１０を形成する。 - 特許庁

To provide a surface protective member that has improved productivity by facilitating formation and peeling of a protective film in a process of etching a crystalline semiconductor substrate.例文帳に追加

結晶系半導体基板のエッチング工程における保護膜の形成と剥離を簡略化し、生産性を向上させることができる表面保護部材を提供する。 - 特許庁

To provide a stencil mask and its manufacturing method which improve size precision in a stencil mask substrate surface by making the influence of microloading effect reduced in a dry etching process.例文帳に追加

ドライエッチング工程におけるマイクロローディング効果の影響を低減させ、ステンシルマスク基板面内の寸法精度を向上させるステンシルマスクおよび製造方法を提供する。 - 特許庁

The control gates CG are formed so that a polysilicon layer 14 may be left in large amounts on an ONO film 13 in the side sections of memory gates MG through an anisotropic etching process.例文帳に追加

異方性エッチング工程を経てメモリゲートＭＧ側部のＯＮＯ膜１３上にポリシリコン層１４が多く残存するようにしてコントロールゲートＣＧを形成する。 - 特許庁

To allow a product such as a thin substrate to withstand processing and handling and allow work to be easily performed, in an existing etching process.例文帳に追加

既存のエッチング処理する工程において、薄物基板等の製品が処理及び取り扱いに耐えられるようにするとともに、簡易的に作業を行えるようにする。 - 特許庁

To obtain the manufacturing method of a semiconductor device, in which a processed layer used as the layer having a protective function in an after etching process can be accurately processed.例文帳に追加

後工程でエッチングからの保護機能を有する層として用いられる被加工層の加工を精度良く行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the breakage of the object is prevented and the object can be uniformly etched during the etching process, the thickness of the object may be minimized.例文帳に追加

これによって、エッチング過程において、対象物の破損を防止し、対象物の厚さを均一にエッチングすることができるため、対象物の厚さを最小化することができる。 - 特許庁

So, an etching process for forming the clearance 47 for separating by pixel unit can be omitted, and the fine structure which needs high dimensional accuracy can be produced highly accurately and simply.例文帳に追加

このため、画素単位で分離する隙間４７をエッチング工程を省くことができ、高い寸法精度が要求される微細構造体を精度良く簡単に製造できる。 - 特許庁

As a consequence, since the metal base 1 is supported by the permanent dry-film resist 5 after the etching process, no anxiety exists on the deformation or the like of the metal base 1.例文帳に追加

これにより、エッチング加工後は永久ドライフィルムレジスト５により金属基材１が支持されることになるので、金属基材１の変形等の心配がなくなる。 - 特許庁

Subsequently, the heated substrate is immersed in the plating solution for plating nickel/iron alloy during a prescribed time and the oxide film on the surface of seed is removed by etching (oxide film removing process).例文帳に追加

次に、加温された基板を、ニッケル／鉄合金をメッキするためのメッキ液に所定時間浸漬し、シード表面の酸化膜をエッチング除去する（酸化膜除去工程）。 - 特許庁

To provide a surface treatment device where the application of bias voltage upon sputtering treatment to the substrate to be treated and power supply upon etching treatment by a sputtering process can be satisfactorily performed.例文帳に追加

被処理基板へのスパッタ処理の際のバイアス電圧の印加や、スパッタ法によるエッチング処理の際の給電を良好に行える表面処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a photomask so as to reduce dispersion in the size of a pattern due to a loading effect and a micro-loading effect produced in an etching process.例文帳に追加

エッチング工程で発生するローディング効果及びマイクロローディング効果によるパターンのパターン寸法ばらつきを低減するようにしたフォトマスクを作製する方法を提供する。 - 特許庁

To provide both a method for producing a high-purity texafluorothane usable as an etching gas or a cleaning gas in a production process for a semiconductor device and the use thereof.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程でエッチングガスあるいはクリーニングガスとして使用することができる高純度のヘキサフルオロエタンを製造する方法およびその用途を提供する。 - 特許庁

Residues generated when a semiconductor layer is subjected to dry-etching in a semiconductor substrate manufacturing process are removed by the use of a cleaning agent containing an oxidizing agent and a chelating agent.例文帳に追加

半導体基板の製造工程において、半導体層のドライエッチング時に発生する残渣物を酸化剤とキレ−ト剤とを含有する洗浄剤により除去する。 - 特許庁

In this growth method, a process for successively injecting source, etching, and reduction gases into a chamber where a semiconductor substrate is loaded is repeatedly performed.例文帳に追加

本発明の成長方法では、半導体基板がローディングされたチャンバ内にソースガス、エッチングガス及び還元ガスを順に注入する過程を反復的に実施する。 - 特許庁

With this arrangement, it can be prevented particularly that the insulating film 6 near the opening of trench 16 is removed by the etching process when forming a contact region 13.例文帳に追加

この構造により、特に、トレンチ開口部１６近傍の絶縁膜６が、コンタクト領域１３を形成する際のエッチング工程により除去されることを防ぐことができる。 - 特許庁

In this method for constructing a damascene structure, a process gas containing CHF_3 as its main constituent is used for etching a barrier layer 44 containing SiC or SiCN.例文帳に追加

本発明のダマシン構造を形成する方法では、ＳｉＣ又はＳｉＣＮを含むバリア層４４をエッチングするプロセスガスに、主としてＣＨＦ_３を含むプロセスガスが用いられる。 - 特許庁

The insulator, comprising one or more insulation unit layer and being etched by a wet process, is processed through a dehydration catalyst following wet etching.例文帳に追加

ウェットプロセスによってエッチング可能な、一層以上の絶縁ユニット層を積層した絶縁体が、ウエットエッチングされた後に脱水触媒により処理して得られた絶縁体である。 - 特許庁

In a process S109, etching equipment performs a differential operation or a difference operation of a signal to detect a change in the signal indicating the valve travel of the CV valve.例文帳に追加

工程Ｓ１０９では、エッチング装置では、ＣＶバルブの開度を示す信号の変化を検知するために、この信号の微分演算又は差分演算を行う。 - 特許庁

A single crystal substrate 1 having a plurality of recesses 1a formed is prepared and is subjected to a process of removing part of the substrate, like anisotropic wet etching.例文帳に追加

複数の凹部１ａが形成された単結晶基板１を用意し、これに異方性のウエットエッチングなどの基板の一部を基板から除去する工程を行なう。 - 特許庁

To provide a method of removing a polysilicon film for reliably etching/removing the polysilicon film at an end of a substrate in desired width without a complicated process.例文帳に追加

煩雑な工程を経ることなく、基板の端部のポリシリコン膜を所望の幅で確実にエッチング除去することができるポリシリコン膜の除去方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that reduces a processing amount of a non-processed film when selectively processing a processed film and the non-process film in a reactive ion etching (RIE) method.例文帳に追加

加工膜と非加工膜をＲＩＥ法で選択的に加工するときに、非加工膜の加工量を低減させる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a second process, sand blast etching is performed from the nozzle surface side in a mask pattern formed of a dry film and then through holes communicating with the pressurized liquid chambers are made thus completing the ink jet head.例文帳に追加

第２の工程は、ノズル面側からドライフィルムで形成されたマスクパターンでサンドブラストエッチングを行い、加圧液室と連通する貫通孔を完成させる。 - 特許庁

To prevent the occurrence of cracks in an insulating film which functions as an etching stopper without inhibiting the accomplishment of the purpose of a hydrogen annealing process which is executed after the formation of memory cells.例文帳に追加

メモリセル形成後に実行される水素アニール工程の目的達成を阻害することなく、エッチング・ストッパとして機能する絶縁膜におけるクラックの発生を防止する。 - 特許庁

To provide a method of reducing light-induced etching and redeposition of metal used to make mutually connected wires during a semiconductor manufacturing process, e.g., copper.例文帳に追加

半導体製造プロセス中に相互接続配線を作るために用いられる金属、例えば銅の光誘導の腐蝕及び再堆積を減少する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has less number of processes such as film formation and etching, can control each process easily, and reliably and electrically join members.例文帳に追加

成膜、エッチング等の工程数が少なく、各工程のコントロールが容易で、部材間の電気的接合が確実な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Respective layers of a multi-layer magnetic stack with are etched, using process sequence including plasma-etching steps 108, 112, 116 and plasma-treatment steps 110, 114, 118, followed by those.例文帳に追加

複数層磁性スタックの各層は、プラズマエッチングステップ１０８,１１２,１１６、それに続くプラズマ処置ステップ１１０,１１４,１１８を含むプロセスシーケンスを使用してエッチングされる。 - 特許庁

After finish of the etching treatment to a specified number of wafers W, the anodized surface of the upper chamber part 5 in the process chamber 2 is wiped with cloth or the like wet with IPA or water.例文帳に追加

所定枚数のウェハＷに対するエッチング処理の終了後、プロセスチャンバー２における上部チャンバー部５のアナダイズ表面をＩＰＡや水を濡らした布などで拭く。 - 特許庁

Then, the photopolymer film 107 is planarized by a development process under development condition under which differences between a latent image 110 portion and a non-exposed portion in film thickness and etching speed are balanced.例文帳に追加

次に、潜像１１０部分と未感光部分の膜厚差とエッチング速度差がバランスする現像条件で現像処理して感光性樹脂膜１０７を平坦化する。 - 特許庁

To provide a material for forming a lower layer film of a photoresist with which a lower layer film with high etching resistance, a high reflection preventing effect, and a high poisoning resistant effect is formed as a lower layer film for a two layered or three layered resist process, and also to provide a pattern forming method.例文帳に追加

２層あるいは３層レジストプロセス用下層膜として、エッチング耐性、反射防止効果、耐ポイゾニング効果の高い下層膜を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a stable gate length through an end-point detection process by monitoring a plasma emission intensity during dry etching for setting a gate length.例文帳に追加

ゲート長を決めるドライエッチングにおいてプラズマ発光をモニターすることによる終点検出方法を用いることにより半導体装置のゲート長を安定して製造する。 - 特許庁

The polymer is attached or bound to the surface and side wall of a resist layer 23, so that the resist layer 23 is hardly reduced both in thickness and in width in an etching process.例文帳に追加

この重合物は、レジスト層２３の表面及び側壁に付着、又は結合するので、エッチング工程でレジスト層２３の膜厚及び幅が減少することがない。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for suppressing an increase in the number of an etching process and deterioration in electrical characteristics of a semiconductor device as much as possible, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

エッチング工程の増加を抑えつつ、半導体装置の電気的特性の劣化を極力抑止可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing technique for saving materials to be used and simplifying a manufacturing process, when manufacturing an organic electroluminescence device by utilizing laser etching.例文帳に追加

レーザエッチングを利用して有機ＥＬ装置を製造する際における使用材料の節約及び製造プロセスの簡略化を達成し得る製造技術を提供すること。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which etching selection ratio for an underlying layer is high when the upper layer of a multilayer film deposited by CVD is etched.例文帳に追加

ＣＶＤ法により成膜された積層膜の上層をエッチングする際に、下層に対するエッチング選択比の高い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁