「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing an active matrix substrate for reducing the number of steps where a dry process and photolithographic etching are combined.例文帳に追加

ドライプロセスとフォトリソエッチングを組み合わせた工程の回数を低減することができるアクティブマトリクス基板の製造方法等を提供することを目的とする。 - 特許庁

This process is useful for the etching of contact opening or beer opening of not more than 0.25 μm upon forming a structure such as a damascene structure or the like.例文帳に追加

このプロセスは、ダマシン構造等の構造を形成するときに０．２５μｍかそれ以下のコンタクト開口部又はビア開口部をエッチングするのに役立つ。 - 特許庁

To provide an etching device which can uniformly and continuously process both front and rear surface of work substrates of large size at a low cost and high speed at a time.例文帳に追加

大サイズのワーク基板の表裏両面を一度に、均一に、かつ、連続的に、低コストで高速に加工可能なエッチング装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

By dry-etching the polished surface before the electrode forming process, a damaged layer having deteriorated crystallinity can be removed and good ohmic contact can be obtained.例文帳に追加

電極形成工程の前に被研磨面をドライエッチングすれば、結晶性が劣化したダメージ層が除去でき、良好なオーミック接触が得られる。 - 特許庁

Therefore, a manufacturing process of plating is used, first, the ceramic substrate 1 is washed, and a surface of the ceramic substrate 1 is subjected to roughening treatment by micro etching.例文帳に追加

従って、めっきの製造工程を利用し、先ず、セラミック基板１を洗浄し、マイクロエッチングにより、セラミック基板１の表面に粗面化処理を行う。 - 特許庁

A via hole 121a is formed by a first process to form an aperture to an insulating resin film 122 by the irradiation of a laser, a second process to form the aperture to the insulating resin film 122 by dry etching, and a third process to conduct inverse sputtering.例文帳に追加

ビアホール１２１ａは、レーザを照射して絶縁樹脂膜１２２に開口を形成する第一の工程と、ドライエッチングにより絶縁樹脂膜１２２に開口を形成する第二の工程と、プラズマ雰囲気下で、逆スパッタリングを行う第三の工程とにより形成される。 - 特許庁

To provide a dry etching apparatus for shortening the time until start of process of the next processing work after start of process of the first processing work in the process to form a recessed area or a through-hole to the processing work, and also to provide a processing method of a processing work.例文帳に追加

被加工物に凹部又は貫通孔を形成する工程において、第１の被加工物の加工を開始してから次の被加工物の加工を開始するまでの時間を短くする事ができるドライエッチング装置及び被加工物の加工方法を提供する。 - 特許庁

In this structure, in view of forming the ultra-fine line circuit layer with an electrolytic plating process without use of the etching means, a carrier body and a metal shielding layer required to form the ultra-fine line circuit layer are removed during the manufacturing process or at the ending time of manufacturing process.例文帳に追加

本発明中では、電解メッキによりエッチング手段を用いず上記超細線回路層を形成するため、製造工程中、或いは終了時には、該超細線回路層を形成するために必要なキャリア体、金属阻隔層を除去する。 - 特許庁

The metal pattern formation method comprises a process (a) of forming a graft polymer directly bonding with the surface of a base material on the base material, a process (b) of forming a metal film by adhering a conductive material to the graft polymer, and a process (c) of etching the metal film.例文帳に追加

（ａ）基材上に、該基材表面に直接結合したグラフトポリマーを形成する工程と、（ｂ）該グラフトポリマーに導電性材料を付着させて金属膜を製膜する工程と、 （ｃ）該金属膜をエッチングする工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the printed wiring board by the electrophotographic process includes the steps of using a liquid developer made of resin particles by positive type photosensitive polymer, and performing overall surface light emitting substantially immediately before an etching process or/and a resist stripping process.例文帳に追加

ポジ型の感光性高分子による樹脂粒子から成る液体現像剤を使用し、エッチング処理または／及びレジスト剥離処理の略直前に全面光照射を行う電子写真法によるプリント配線板の製造方法によって達成される。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes: a process of forming a silicon cermet film 5; a process of forming a protective film 4 for protecting the silicon cermet film 5; and an opening process of forming contact holes 6 by plasma-etching the protective film 4.例文帳に追加

本発明にかかる半導体装置の製造方法は、シリコンサーメット膜５を形成する工程と、シリコンサーメット膜５を保護する保護膜４を形成する工程と、保護膜４をプラズマエッチングすることでコンタクトホール６を形成する開口工程と、を備える。 - 特許庁

This is to provide an improved version of a silicon wafer etching method in which an acid etchant and an alkaline etchant are individually stored in a plurality of tanks, and a silicon wafer having a process modified layer formed through a lapping process and a subsequent cleaning process is sequentially immersed in the acid etchant and the alkaline etchant.例文帳に追加

複数のエッチング槽に酸エッチング液とアルカリエッチング液をそれぞれ貯え、ラッピング工程に続いて洗浄工程を経た加工変質層を有するシリコンウェーハを酸エッチング液とアルカリエッチング液とに順次浸漬するシリコンウェーハのエッチング方法の改良である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electric circuit board where a metal foil-clad laminate is not used as a substrate and a process dispenses with an etching process and a resist process, thereby capable of shortening processes such as a conventional circuit board and saving resources and energy and further capable of simultaneously manufacturing a plated through hole.例文帳に追加

金属箔張積層板を基板として用いず、エッチング工程やレジストの除去工程を必要とせず、その結果、従来の配線基板などの工程の短縮化及び省資源省エネルギー化を図ることができる製造方法を提供する。 - 特許庁

The optical wiring layer is manufactured by the method including a process step of forming the first clad layer and the core layer on at a base, a process step of relieving the internal stress in the first clad layer and the core layer, a process step of forming the core patterns by using dry etching and a process step of forming the second clad having the core patterns.例文帳に追加

少なくとも、支持体上に第１クラッド層及びコア層を形成する工程と、第１クラッド層及びコア層の内部応力を緩和させる工程と、ドライエッチングを用いてコアパターンを形成する工程と、コアパターンを覆う第２クラッドを形成する工程と、を具備することにより光配線層を製造する。 - 特許庁

It also includes a process of performing either one of a treatment by a chemical containing fluorine ions, a plasma treatment using a gas containing fluorine and a washing process, and a treatment by a vapor phase HF diluted by an inactive gas and a washing process, on the semiconductor substrate 100 after the dry etching process.例文帳に追加

これと共に、ドライエッチングを行なう工程よりも後に、半導体基板１００に対し、フッ素イオンを含む薬液による処理と、フッ素を含むガスを用いたプラズマ処理及び洗浄処理と、不活性ガスによって希釈された気相ＨＦによる処理及び洗浄処理とのうち、いずれか一つを行なう工程を含む。 - 特許庁

Then the first CMP process is performed, and with the polysilicon film 6 after the first CMP process as a mask, etching process is performed for the silicon oxide film 5, and the silicon oxide film 5 which lies in the region over the projecting part region removed, and then a second CMP process is further performed to cause the top of a semiconductor substrate 1 to be flattened.例文帳に追加

その後、第１のＣＭＰ処理を行い、第１のＣＭＰ処理後のポリシリコン膜６をマスクとしてシリコン酸化膜５に対するエッチング処理を実行して、凸部領域の上部領域のシリコン酸化膜５を除去した後、さらに第２のＣＭＰ処理を行って半導体基板１上を平坦化させる。 - 特許庁

The method for forming a reticle includes a process of providing a reticle blank having a quartz layer, attenuation phase change layer and metal layer, a process of coating the reticle blank with a resist, a process of patterning the resist into a plurality of levels, and a process of etching the reticle blank in accordance with the multilevel resist pattern.例文帳に追加

本発明のレチクル形成方法は、石英層、減衰位相変化層および金属層を有するレチクルブランクを提供する工程と、該レチクルブランクをレジストで覆う工程と、該レジストを複数レベルにパターンニングする工程と、該マルチレベルレジストパターンに従って該レチクルブランクをエッチングする工程とを包含する。 - 特許庁

The manufacturing method of semiconductor device comprises a process (a) for forming the organic reflection preventing film 10 on the surface of a semiconductor substrate 1, a process (b) for applying organic solvent 11 on the surface of semiconductor substrate 1 to effect washing by wet etching the surface of the organic reflection preventing film 10, and a process (c) for forming a resist film 12 after the process (b).例文帳に追加

半導体基板１の表面に有機反射防止膜１０を形成する工程（ａ）と、半導体基板１の表面に有機溶剤１１を塗布し有機反射防止膜１０の表面をウエットエッチング洗浄する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後、レジスト膜１２を形成する工程（ｃ）とを含む。 - 特許庁

In metal films having the MIM capacitors, an error due to bridging generated at etching is resolved by a thermal treatment, and an error induced in the successive bottom electrode etching process due to an abnormal phenomenon generated at etching for the electrode formation in an MIM structure is prevented.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタを持つ金属膜において、エッチング時に発生するブリッジによるエラーを熱処理により解決し、かつ、ＭＩＭ構造の電極形成のためのエッチング時に発生する異常現象により後続の下部電極（Ｂｏｔｔｏｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）エッチング工程に誘発されるエラーを防止する。 - 特許庁

After a polishing process ends, a top surface of the glass substrate is observed using an optical microscope after a pit defect which has an easy-to-observe size is obtained through 5 μm etching using an acid etching solution including hydrogen fluoride, nitric acid, etc., and then isotropic etching of a processing deformed layer (a flaw etc.) remaining at a chamfer part.例文帳に追加

研磨工程終了後、ガラス基板の表面を、フッ酸や硝酸等を含む酸性のエッチング溶液を用いて５μｍエッチングし、面取り部に残留する加工変質層（キズなど）を等方的にエッチングして観察しやすい大きさのピット欠陥にした後、光学顕微鏡を用いて観察する。 - 特許庁

To achieve higher level of stability compared with a conventional peroxide-based etchant and improve the capacity of processing using an etchant composition capable of collectively etching a multi-layered film comprising a copper layer and other metal layer using a low content of hydrogen peroxide and having an etching speed suitable for a process, an appropriate etching amount, and an appropriate taper tilt angle.例文帳に追加

低い過酸化水素含有量で銅膜と他の金属膜とからなる多重膜の一括エッチングが可能で、工程に適したエッチング速度、適当なエッチング量、及び適切なテーパ傾斜角を有するエッチング液組成物により、既存の過水系エッチング液よりも高い安定性を有し、処理枚数能力を向上させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a fine etching mask which can equalize and thin the residue thickness of a pattern transfer layer after transformation in a transfer layer, and having an equalized thickness after an etching process, in a method of manufacturing a fine etching mask by pattern transfer to a processed material, and to provide an exposure processing apparatus.例文帳に追加

被加工材上へのパターン転写による微細エッチングマスクの製造方法において、転写後のパターン転写層の残渣厚みを転写層内で均一且つ薄膜にすることができ、しかもエッチング処理後の厚さが均一な微細エッチングマスクの製造方法及びそれに用いる露光処理装置を提供する。 - 特許庁

A method of applying anisotropic plasma etching to a silicon-on-insulator substrate wherein undercutting is substantially eliminated by utilizing, as a finishing etch step, a reactive ion etching process wherein ion density is reduced in order to limit ion charging within recesses of various sizes so that uniform etching can be performed in a vertical direction.例文帳に追加

垂直方向に一様なエッチングを行うように様々なサイズの凹部内のイオン充電を制限するためにイオン密度が低減される反応性イオン・エッチング工程を仕上げエッチング段階として使用することによってアンダカットが実質的になくなる、シリコン・オン・インシュレータ基板に異方性プラズマ・エッチングを施す方法を開示する。 - 特許庁

In an etching process for forming a diaphragm, an etching device having an etching solution stirring mechanism (stirrer) 8 and a circulating mechanism (pump) 7 is used, and cleaning of the diaphragm using warm water is executed, whereby dispersion in the thicknesses of the diaphragm is lessened and an electrostatic capacity type pressure sensor, which has little dispersion in its sensor sensitivity characteristics, is obtained.例文帳に追加

ダイアフラムを形成するエッチング工程において、エッチング溶液の攪拌機構（スターラ）８と循環機構（ポンプ）７を有するエッチング装置を用い、また、温水による洗浄を実施することにより、ダイヤフラム部の厚みのばらつきを小さくし、センサ感度特性のばらつきの小さい静電容量型圧力センサを得る。 - 特許庁

When a plurality of wafers are successively subjected to etching for forming multilayered film gates formed of metal and poly-Si different from each other in reactivity, the amount of an Si reaction product is properly regulated in an etching condition that is just previously set, by which a dimensional shift is restrained from occurring between a first wafer and a second wafer in an etching process.例文帳に追加

金属とPoly−Ｓｉといったような反応性の異なる多層積膜ゲートを複数枚連続でエッチングする場合、直前のエージング条件でＳｉの反応生成物の量を適量に調節することで、エッチング工程の１枚目、２枚目の寸法シフト異常をなくすることが出来る。 - 特許庁

To provide a method for forming a gate of a semiconductor element capable of preventing degradation of an element characteristic and reliability caused by a plasm etching process; and a method for forming a gate of a semiconductor element capable of preventing a concentration phenomenon of an electric field in an upper corner part caused by a plasma etching process.例文帳に追加

プラズマのエッチング工程によって発生する素子特性および信頼性の劣化を防止することのできる半導体素子のゲート形成方法と、プラズマのエッチング工程によって発生する上部の隅部における電界の集中現象を防止することのできる半導体素子のゲート形成方法を提供すること。 - 特許庁

This method first etches a device separation film by employing an island mask where the channel area and its adjacent device separation film are partially exposed in the etching process of the recess gate area, and then etches a semiconductor substrate to prevent silicon horns from being formed in the recess gate area and increase a margin in the etching process.例文帳に追加

リセスゲート領域の食刻工程でチャンネル領域とこれに隣接した素子分離膜を部分的に露出させるアイランド型マスクを用いて素子分離膜を先に食刻した後、半導体基板を食刻することにより、リセスゲート領域にシリコンホーンが形成されることを防止し、食刻工程のマージンを高める。 - 特許庁

To provide a dry etching apparatus for removing harmful residual process gas efficiently and safely when returning a vacuum treatment chamber to the atmosphere by detecting the presence or absence of the residual process gas that may be discharged when returning the vacuum treatment chamber to the atmosphere for releasing to take out an already treated substrate after dry etching.例文帳に追加

ドライエッチング後に処理済み基板を取り出すために真空処理室を大気に戻し開放する際に、放出される可能性のある残留プロセスガスの有無を検知して真空処理室を大気へ戻す際に効率的かつ安全に有害な残留プロセスガスを除去できるようにしたドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method has steps (S101, S102) of forming etching grooves XX on boundary lines between semiconductor chips CP from the main surface of a semiconductor wafer WF, for example in a former process, and a back-grinding step (S1042) as a subsequent process of grinding the whole rear surface of the semiconductor wafer WF to the etching grooves XX.例文帳に追加

例えば、前工程プロセスにおいて、半導体ウエハＷＦの主面から各半導体チップＣＰ間の境界ラインにエッチング溝ＸＸを形成し（Ｓ１０１，Ｓ１０２）、次いで後工程となるバックグラインド工程において、半導体ウエハＷＦの裏面全体をエッチング溝ＸＸに到達するまで研削する（Ｓ１０４２）。 - 特許庁

To provide cleaning liquid for removing resist enhanced in a removing function of resist residual dross and resistance against corrosion of a copper film and an insulator film, when the resist residual dross after etching or ashing, and other etching residual dross are removed in a semiconductor manufacturing process including a copper wiring process, and a manufacturing method for a semiconductor device using the cleaning liquid.例文帳に追加

銅配線プロセス等の半導体装置製造方法工程において、エッチング後またはアッシング後のレジスト残さ物およびその他のエッチング残さ物を除去する際に、レジスト残さ物等の除去性、銅および絶縁体膜の耐腐食性が高いレジスト除去用洗浄液を提供する。 - 特許庁

This etching method is provided with a process wherein ion implantation is performed to a nitride based compound semiconductor layer 2 to form a region 4 to be etched by deteriorating crystallinity, and a process wherein the region 4 where crystallinity is deteriorated is removed selectively with respect to a region where crystallinity is not deteriorated by wet etching.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体層２にイオン注入を行って結晶性を悪化させることにより被エッチング領域４を形成する工程と、ウエットエッチングにより、結晶性を悪化させた被エッチング領域４を結晶性が悪化していない領域に対して選択的に除去する工程とを備えている。 - 特許庁

An etching process using first and second patterns is performed; and a hard mask pattern (111) shown in Fig. 6 is formed with a partial region of an interlayer insulation film (103), which is a contact hole region to be formed in a subsequent process, exposed.例文帳に追加

第１，第２パターンを用いたエッチング工程を行い、後工程で形成されるコンタクトホール領域である層間絶縁膜(103)の一部領域を露出させてハードマスクパターン（図６参照：111）を形成する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor which allows a size of each crystalline grain in a channel region to be increased, can efficiently protect the channel region of a semiconductor layer during an etching process, and can reduce process cost.例文帳に追加

チャネル領域における結晶粒のサイズを大きくし、エッチング工程時に半導体層のチャネル領域を効率的に保護することができ、工程コストを節減することのできる薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

Next, only the largely damaged region of the HfSiON film 15 is selectively removed with the wet-etching process by conducting the cleaning process for about 90 seconds using the aqueous solution of hydrofluoric acid in the concentration of about 5%.例文帳に追加

次に、濃度が５％程度のフッ酸水溶液で９０秒程度の洗浄を行うことにより、ＨｆＳｉＯＮ膜１５のうちダメージが大きく与えられた領域のみが選択的にウェットエッチング除去される。 - 特許庁

To perform patterning by wet etching with a high aspect ratio even on a thick metal plate in a process for producing a circuit board, a process for producing a power module substrate, the circuit board, and the power module substrate.例文帳に追加

回路基板の製造方法及びパワーモジュール用基板の製造方法並びに回路基板及びパワーモジュール用基板において、厚い金属板でも高アスペクト比でウェットエッチングによりパターン形成を行うこと。 - 特許庁

To provide an SiC dummy wafer exhibiting excellent planarity while suppressing warp and being employed in a process for cleaning the interior of a plasma etching chamber, or the like, or a process for heat treating a product wafer in a vertical furnace or the like.例文帳に追加

プラズマエッチング用等のチャンバー内を清浄化する工程や拡散炉、縦型炉等で製品ウエハを熱処理する工程に用いられる、反りが少なく平坦性に優れたＳｉＣダミーウエハを提供する。 - 特許庁

Next, in a process shown in Figure 1 (b), liquid 16 (pure water) soluble in etchant in a wet etching process which is stated later and forms a small contact angle with the resist mask 13 is applied on the surface of the wafer W.例文帳に追加

次に、図１（ｂ）に示す工程で、基板表面上に、後に述べるウェットエッチング工程で用いるエッチング液に可溶であり、且つ、レジストマスク１３に対して接触角の小さい液体１６（純水）を塗布する。 - 特許庁

Since the conductive film is formed on all of the surface, a density of electric charges accumulated in a gate electrode can be reduced in processing with plasma (plasma process) like anisotropic etching, and the damage due to the plasma process can be reduced.例文帳に追加

導電性膜が全面に形成されていることにより、異方性エッチング等のプラズマによる処理（プラズマプロセス）においてゲート電極に蓄積される電荷密度を低減でき、プラズマプロセスによる損傷を低減できる。 - 特許庁

To simplify the fabrication process of a constriction type LED by decreasing the number of times of epitaxial growth process, and to prevent overetching of an underlying layer at the time of removing the constriction layer partially by etching.例文帳に追加

狭窄型ＬＥＤにおいて、エピタキシャル成長工程の回数を減らして製造プロセスを簡単化するとともに、狭窄層を部分的にエッチング除去する際に、その下層に対するオーバーエッチングを有効に防止する。 - 特許庁

To provide an in-situ process control method which can improve the reproducibility and the work precision of an etching process, and to provide a manufacturing method realizing the method and the manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

本発明の目的は、エッチングプロセスの再現性および加工精度の向上が可能なin-situプロセス制御方法およびそれを実現する製造装置並びに半導体デバイスの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a plurality of features provided by a single exposing process and characterized by an about half interval to a hard mask using a single hard mask etching process and without a photoresist treatment for defining the hard mask.例文帳に追加

１回のハードマスクエッチング工程を用いて、かつハードマスクを定義するためのフォトレジスト処理なしで、単一露光プロセスで設けられた約半分の間隔で特徴づけられた複数のフィーチャをハードマスクに提供する。 - 特許庁

A concavo-convex region A is a non-flat region formed by scanning laser beam on the substrate 102 and damaging it, or by utilizing photoresist process or etching process or the like, and serves for shielding the external light.例文帳に追加

凹凸領域Aは、基板１０２にレーザーを走査して損傷させるか、またはフォトレジスト工程及びエッチング工程等を利用して形成された非平坦化領域であり、外部光を遮断する役割をする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can be manufactured without adding a process where a defect part does not occur in an insulation protection film and the manufacturing cost is raised after an etching process for opening a bonding pad, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

ボンディングパッドを開口するためのエッチング工程後、絶縁保護膜に欠損部が発生せず、製造コスト上昇となる工程の追加無しに製造できる半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent variations in transistor characteristics, dependence on shape and variations in processing conditions such as a lithography process, an etching process, as well as to improve the level of integration.例文帳に追加

トランジスタ特性のばらつきや形状依存性、リソグラフィ工程やエッチング工程などの加工条件のばらつきを回避することができるとともに、集積度の向上を図ることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

This system has a process chamber 2 to be loaded with a wafer 1, a heater 3 heating the loaded wafer 1 and a shower head 4 introducing film deposition gas and cleaning gas for etching in the process chamber 2 after film deposition treatment.例文帳に追加

ウエハ１がロードされるプロセスチャンバー２と、ロードされたウエハ１を加熱するヒーター３と、成膜ガス及び成膜処理後のプロセスチャンバー２内のエッチング用クリーニングガスを導入するシャワーヘッド４とを有している。 - 特許庁