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etching processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2381件
To provide a semiconductor etching method capable of easily etching a semiconductor layer that cannot be etched easily, such as a group III-V nitride semiconductor, by a relatively simple process.例文帳に追加
本発明は、比較的簡単なプロセスにより例えばIII−V族窒化物半導体のようなエッチングが困難な半導体層でも容易にエッチングが可能な半導体エッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a dry etching method for precisely treating an area to be etched of a workpiece with the use of a reactive ion etching process using a carbon monoxide gas including a nitrogen-containing compound gas, as a reactant gas.例文帳に追加
含窒素化合物ガスが添加された一酸化炭素ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングを用いて被加工体のエッチング対象領域を精密に加工することができるドライエッチング方法等を提供する。 - 特許庁
A method for manufacturing a light transmissive optical component 12 includes: a first etching process for etching a silicon region 11 of a plate-like member to form a concavity; a thermal oxidation process for thermally oxidizing an inner surface of the concavity to form a silicon oxide film 14; and a nitride film formation process for forming a silicon nitride film 16 for covering the silicon oxide film 14.例文帳に追加
光透過性光学部品12を製造する方法であって、板状部材のシリコン領域11をエッチングして凹部を形成する第1のエッチング工程と、凹部の内側面を熱酸化させて酸化シリコン膜14を形成する熱酸化工程と、酸化シリコン膜14を覆う窒化シリコン膜16を形成する窒化膜形成工程とを含む。 - 特許庁
A process for eliminating an insulating film formed on a Cu film in a method for eliminating the insulating film comprises a process for etching under conditions, where the penetration of an etching active species onto the surface of a Cu film is 15 nm or less on the surface of the Cu film; and a process for washing the surface of the Cu film after eliminating the insulating film.例文帳に追加
Cu膜上に形成された絶縁膜を除去する工程において、Cu膜表面へのエッチング活性種の入り込みがCu膜表面から15nm以下となる条件でエッチングを行う工程と、絶縁膜を除去した後Cu膜表面を洗浄する工程と、を備えることを特徴とする絶縁膜の除去法方法を提供する。 - 特許庁
The method of manufacturing the piezoelectric vibrator includes: a first etching process of processing a surface of the piezoelectric vibration piece 2 using a first etchant consisting of a potassium hydroxide aqueous solution prior to a process of mounting the piezoelectric vibration piece 2; and a second etching process of processing the surface of the piezoelectric vibration piece 2 using a second etchant consisting of a solution of potassium ferricyanide and potassium hydroxide.例文帳に追加
圧電振動片2をマウントする工程の前に、水酸化カリウム水溶液からなる第1エッチャントを用いて圧電振動片2の表面を処理する第1エッチング工程と、フェリシアン化カリウム及び水酸化カリウムの水溶液からなる第2エッチャントを用いて圧電振動片2の表面を処理する第2エッチング工程とを有することを特徴とする - 特許庁
The method comprises: a process of forming a photo epoxy buffer layer having a groove pattern on the rear surface of a wafer substrate for marking scribe lines to be diced; a process of etching the substrate along the marking groove in the photo epoxy layer; and a process of cutting the wafer along the etching groove by a mechanical force from the front or rear surface to separate the wafer into singulated IC packages.例文帳に追加
ダイシングされるスクライブ線をマーキングするためにウエーハの基板の裏面に溝パターンを有するフォトエポキシバッファ層を形成する工程、フォトエポキシ層中のマーキング溝に沿って基板をエッチングする工程、表面または裏面から機械的な力によりエッチング溝に沿ってウエーハを切断し、個別のICパッケージに分離する工程からなる。 - 特許庁
Next, a prescribed film is formed by a dry etching process on the through oxide film 5, after the dry etching process, an oxide film surface removing process removing the surface of the through oxide film 5 is performed, and thereafter, an impurity layer is effectively removed by injecting ions through the through oxide film 5 and the prescribed film downward of the films.例文帳に追加
次に、スルー酸化膜5上にドライエッチング工程によって所定の膜を形成し、ドライエッチング工程の後に、スルー酸化膜5の表面を除去する酸化膜表面除去工程を行い、その後、スルー酸化膜5および所定の膜を通してそれぞれの下方にイオン注入することことで、不純物層を効果的に取り除く。 - 特許庁
To provide a manufacturing method which prevents the corrosion of a metal wiring during an ITO (indium tin oxide) wet etching process and conducts in-plane uniform patterning of ITO.例文帳に追加
ITOウエットエッチング処理時の金属配線腐食を防止し、かつ面内均一なITOパターニングを行う製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for surely and efficiently performing an etching process that is made after a film has been formed, and to provide a device suited for the method.例文帳に追加
成膜終了後に行なわれるエッチングの工程を確実かつ効率的に行なう方法およびそれに適した装置を提供する。 - 特許庁
A third process includes a step of removing a desired part or the whole part of the etching mask layer 3a on the substrate obtained in the second step.例文帳に追加
第3工程が、第2工程で得られた基板におけるエッチングマスク層3aの所望の一部、又は全部を除去する工程を有する。 - 特許庁
To solve the problem, wherein in an extension impurity region which has been already formed, a surface part thereof is dug by unintentional etching in the middle of a process, to reduce the characteristics.例文帳に追加
既に形成されたエクステンション不純物領域がプロセス途中で意図しないエッチングにより表面部が掘れ、特性が低下する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device that prevents the degradation of wiring reliability, which is caused by a reaction product produced during an etching process.例文帳に追加
エッチング工程で生成される反応生成物による配線信頼性の低下を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a sputtering apparatus with which thin film deposition by sputtering and etching can be performed by a single sputtering apparatus, and a film deposition process can be reduced.例文帳に追加
スパッタによる薄膜の形成とエッチングを単一のスパッタ装置で行うことができ、成膜工程を短縮できるスパッタ装置を提供する。 - 特許庁
To solve the problem wherein when photosensitive resin having a three-dimensional structure is etched under fixed conditions, the select ratio is gradually changed in the process of etching.例文帳に追加
3次元構造をもった感光性樹脂を一定条件でエッチングしていくと、その選択比がエッチング中に徐々に変化してしまうこと。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device which flattens an insulating film buried in a trench through a process of etching back the insulating film at a desired taper angle.例文帳に追加
トレンチ内へ埋め込んだ絶縁膜を所望のテーパー角度でエッチバックして平坦化できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
Openings to connect metal gridlines with the active diffusion junctions may be formed using a self-aligned contact opening etching process.例文帳に追加
金属格子線を活性拡散接合部に接続するための開口は、自己整合コンタクト開口エッチングプロセスを使用して形成することができる。 - 特許庁
To provide a method of easily detecting a defect of a silicon carbide single crystal at a low cost with high precision in a manufacturing process through alkali etching.例文帳に追加
アルカリエッチングにより、製造プロセス中で容易かつ安価に炭化珪素単結晶の欠陥を高精度で検出する方法を提供する。 - 特許庁
The plurality of pillar like parts 1c of which the chemical characteristics are changed are etched in a second etching process to form an ink pressurizing chamber 21.例文帳に追加
化学的特性が変質した前記複数の柱状部分1cは、第2エッチング工程によってエッチングされ、インク圧力室21となる。 - 特許庁
To provide an organic electroluminescent display device which can dispense with a photo-etching process for forming a spacer pattern and provide its manufacturing method.例文帳に追加
スペーサパターンを形成するための写真エッチング工程を排除する有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a gravure engraving device for easily carrying out the gravure work even in the case of using combinedly an etching process after engraving.例文帳に追加
彫刻後にエッチング工程を併用する場合にも容易に彫刻作業が行えるグラビア彫刻装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide electric insulation between optical components, without executing conventional ion implanting or etching process, in the manufacture of an integrated optical device.例文帳に追加
集積光学装置の製造につき、従前のイオン注入工程やエッチング工程を行うことなく、光素子間の電気的絶縁を実現する。 - 特許庁
Following to the firing process, the metal foils 11, 12 are patterned by etching, based on photolithography to form outer conductor films 3, 4.例文帳に追加
焼成後、フォトリソグラフィ技術に基づき、金属箔11,12をエッチング処理してパターニングすることにより、外部導体膜3,4を形成する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device manufacturing method that prevents silicon horns from being formed in a recess gate area and increases a margin in the etching process.例文帳に追加
リセスゲート領域にシリコンホーンが形成されることを防止し、食刻工程のマージンを高める半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To correct a process-induced proximity effect due to an etching transfer difference occurring when a plurality of gate materials are etched in one device.例文帳に追加
同一デバイス内で複数のゲート材料をエッチングする際に生じるエッチング変換差によるプロセス起因の近接効果を補正することである。 - 特許庁
To precisely control the whole etching process by observing its progress to easily perform a fine processing of a semiconductor device.例文帳に追加
エッチング工程全体の進行状況を観察しながらきめ細かく制御して、半導体装置の微細加工を容易に行なえるようにする。 - 特許庁
To eliminate the possibility of missing external terminals and wirings in the resin etching process by forming the wiring of IC package, without having to use solder masks.例文帳に追加
ICパッケージの配線をソルダーマスクを使用することなく行い、樹脂のエッチング過程で外部端子や配線が欠落する可能性をなくす。 - 特許庁
To provide a photomask in which errors in a pattern form produced by drawing and developing the pattern or dimensional changes caused in an etching process are reduced.例文帳に追加
パターン描画、現像の際に生じるパターン形状の誤差や、エッチングの過程で生じる寸法変動を小さくしたフォトマスクを提供する。 - 特許庁
To provide a magnetic recording medium wherein fluidity of resin by an imprinting process and workability after etching of a magnetic recording medium can be made uniform.例文帳に追加
インプリントプロセスによる樹脂の流動性と磁気記録媒体のエッチング後の加工性を均一にすることができる磁気記録媒体の提供。 - 特許庁
The stopper film 61 is formed of a material which exhibits a lower etching rate of the wet cleaning process for removing the resist pattern than that of the hydrogen barrier film 65.例文帳に追加
ストッパ膜61は、水素バリア膜65よりも、レジストパターンを除去するウエット洗浄処理のエッチングレートが小さい材料で形成する。 - 特許庁
When performing the differential operation, in a process S110, the etching equipment determines the differential value to detect the end point of plasma treatment.例文帳に追加
微分演算を行う場合には、工程S110では、エッチング装置では、プラズマ処理の終点を検知するために、この微分値の判定を行う。 - 特許庁
When the etched depth does not fall into a prescribed acceptable limit relation to the set value, an additional etching process is conducted to the wafer.例文帳に追加
エッチング深さがその設定値に対して所定の許容範囲に入っていない場合は、当該ウェハに対してエッチングの追加処理を行う。 - 特許庁
In such a method, sidewalls on layers excluding a target film being etched are protected with such a buffer film followed by a gate etching process.例文帳に追加
それによって、エッチング対象となるターゲット膜以外の層の側壁をそうしたバッファ膜で保護し、その後にゲートエッチング工程を実施する。 - 特許庁
To provide a processing method of a substrate improved to structuralize the substrate without using a wet or dry chemical etching process.例文帳に追加
ウエット又はドライケミカルエッチングプロセスを用いることなくサブストレートを構造化することに対して、改善されたサブストレートの処理方法を提案する。 - 特許庁
Etching is not performed in the process of planarizing a polycrystalline Si wafer, but only mechanical grinding is performed for planarization (S104, S106).例文帳に追加
本発明では、多結晶Siウェハの平坦化の工程でのエッチングは行なわれず、機械研削のみで平坦化がなされる(S104、S106)。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a magnetic head, which forms a mask for dry etching to be used in a manufacturing process of a magnetic head with high accuracy.例文帳に追加
磁気ヘッドの製造工程で用いられるドライエッチング用マスクを、高精度に形成することが可能な磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁
Prior to a process that forms a silicide film 25 on the surface of a transistor diffusion layer 24, the surface of the transistor diffusion layer 24 is subjected to recess etching.例文帳に追加
トランジスタ拡散層24の表面にシリサイド膜25を形成する工程に先だって、トランジスタ拡散層24の表面をリセスエッチングする。 - 特許庁
Master stampers whose asymmetry values increase due to a repetition of an electrocasting process are subjected to an etching processing to thus reduce the asymmetry values.例文帳に追加
ここで電鋳工程を繰り返すことでアシンメトリが上昇してしまうマスタースタンパについて、エッチング処理を施し、アシンメトリ値を減少させる。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of glass component for drastically reducing cost by eliminating etching process and, abrasion of a mold or else.例文帳に追加
エッチング工程を経ず、しかも型の磨耗等も伴わないため、大幅にコストダウンを図ることができるガラス部品の製造方法を提供する - 特許庁
Thereafter, surface roughness is moderated in the tangsten film by CMP, and a bit line pattern 103 is formed of low-resistance tangsten by an etching process.例文帳に追加
この後、CMPによりタングステン膜の表面粗さを緩和し、エッチングにより低抵抗タングステンからなるビットラインパターン103を形成する。 - 特許庁
The process gas of the supply source 2 of a normal pressure plasma etching apparatus M is converted to the plasma gas within a plasma discharge space 1a, and this plasma is blown to a processing object W.例文帳に追加
常圧プラズマエッチング装置Mの供給源2のプロセスガスをプラズマ放電空間1aにてプラズマ化し、被処理物Wに吹付ける。 - 特許庁
To provide a superior etching liquid which can secure high stability and process margin, and which can uniformly taper-etch a metal layer, including copper.例文帳に追加
高い安定性と工程マージンを保障し、銅を含む金属層を均等にテーパエッチングすることができる優れたエッチング液を提供する。 - 特許庁
To provide an etching method by which recessed and projecting sections can be formed highly efficiently with a short unit process time on the surface of a substrate, particularly, the substrate used for solar cells.例文帳に追加
基板、特に太陽電池に用いられる基板表面の凹凸形成を効率よく、高タクトで行うエッチング方法を提供する。 - 特許庁
The dry etching process can be executed under the condition that the aluminum film 103 remains on only the side wall of the hole 321, and a conductive layer 322 is able to be formed.例文帳に追加
このドライエッチングプロセスは、ホール321の側壁にのみアルミニウム膜103が残留し、導電層322を形成可能な条件下とする。 - 特許庁
To provide a method of fabricating a semiconductor device configured to enhance a margin of an etching process by preventing silicon horns from being formed in recess gate regions.例文帳に追加
リセスゲート領域にシリコンホーンが形成されることを防ぎ、エッチング工程のマージンを高める半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
The method comprises the step of supplying a cleaning plasma for removing the coating material from the patterning device by means of a plasma etching process.例文帳に追加
この方法は、パターニングデバイスからコーティング材料をプラズマエッチング処理により除去するための洗浄プラズマを供給する工程を含む。 - 特許庁
That is, the fuse formation area 14 is constituted by carrying out etching in a dimension larger than that of the other via or wiring area formed in the same process.例文帳に追加
すなわち、同一工程で形成される他のビアや配線領域より大きい寸法でエッチングしてヒューズ形成領域14を構成する。 - 特許庁
When the sample S is put under etching process, an ion beam is irradiated, in a state of the shielding material M being intercalated near the processing surface SA.例文帳に追加
試料Sのエッチング加工時には、遮蔽材Mが加工面SAの近傍に介在された状態でイオンビームが照射されて行われる。 - 特許庁
To provide a ceramic tool used for semiconductor manufacture and suitable for a plasma etching process, a method of manufacturing the same and a joining agent for ceramic.例文帳に追加
半導体製造に用いられかつプラズマエッチング工程に好適なセラミックス治具、その製造方法及びセラミックス用接合剤を提供する。 - 特許庁
In the manufacturing process of the X-ray mask, chromium oxide 12 as an etching stopper is formed on a diamond 11 of an X-ray transparent body.例文帳に追加
X線マスクの製造工程では、まず、X線透過体であるダイヤモンド11の上に、エッチングストッパとしての酸化クロム12が形成される。 - 特許庁
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