「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing the piezoelectric vibrator 20 has: a process S10 for preparing a flat piezoelectric material 10 having etching anisotropy in a prescribed direction; a process S18 for performing wet etching to the piezoelectric material to form the piezoelectric vibrator in the piezoelectric material; and a process S20 for applying laser beams to the side section of the piezoelectric vibrator subjected to wet etching for partially removing the side section.例文帳に追加

圧電振動片（２０）を製造する製造方法は、所定の向きにエッチング異方性を有する平板の圧電材料（１０）を準備する工程（Ｓ１０）と、この記圧電材料に圧電振動片を形成するため、圧電材料をウェットエッチングする工程（Ｓ１８）と、このウェットエッチングされた圧電振動片の側面部にレーザー光を照射して、側面部の一部を除去するレーザー加工の工程（Ｓ２０）と、を有する。 - 特許庁

In the above process, a material which takes a selection ratio of an etching rate for the dummy gate pattern and the first film is used for the second film.例文帳に追加

上記工程において、第２の膜はダミーゲートパターンと第１の膜に対してエッチングレートの選択比を取れる材料を用いる。 - 特許庁

To perform selective etching through a simple process while protecting the microstructure forming region of a wafer more positively.例文帳に追加

簡便な工程で、より確実にウェハの微細構造体形成領域を保護しつつ、選択的エッチング処理が可能な方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for preventing deterioration of wiring reliability due to a reaction product generated in an etching process.例文帳に追加

エッチング工程で生成される反応生成物による配線信頼性の低下を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To determine exposure conditions so as to control a film thickness distribution in a wafer surface and variance in size corresponding to etching process change.例文帳に追加

ウエハ面内の膜厚分布およびエッチングプロセス変動に応じた寸法のバラツキを制御できるように露光条件を決定する。 - 特許庁

A retreated base oxide film 12 in a wet etching process affects a shape change in an upper edge 141 of a trench 14.例文帳に追加

ウェットエッチング工程による下地酸化膜１２の後退は、トレンチ１４における上部エッジ１４１の形状変化に影響を与える。 - 特許庁

In addition, resistance evaluation required for executing etching is not required, thereby reducing the time required for the manufacturing process.例文帳に追加

加えて、エッチングを行う際に必要な耐性評価を行わずに済むため、製造過程に要する時間を短縮させることができる。 - 特許庁

Etching is conducted on a member 3a for a pin hole plate in a photolithographic process to form the fine pin hole 7 for blowing out air.例文帳に追加

ピンホール板用部材３ａに対してフォトリソグラフィ工程のエッチング処理を行ってエアー吹き出し用の微細ピンホール７を形成する。 - 特許庁

This channel-constituting part and the reflection-preventing structure are formed by one process using a wet etching method by simultaneous processing of both surfaces.例文帳に追加

この流路構成部および反射防止構造は、ウエットエッチング法を用いた一つの工程で両面の同時加工により形成される。 - 特許庁

To provide a method for stably manufacturing a semiconductor device by acquiring a larger process margin for etching a High-k film.例文帳に追加

Ｈｉｇｈ−ｋ膜をエッチングする際のプロセスマージンを大きくして、安定的に半導体装置を製造できる方法を提供する。 - 特許庁

In the process for forming the hole, wet etching is performed so as to remove the second embedding oxide film at the area wherein a bipolar transistor is formed.例文帳に追加

空孔部を設ける工程では、ウェットエッチングにより、バイポーラトランジスタ被形成領域内の第２埋め込み酸化膜を除去する。 - 特許庁

To carry out in short time and efficiently replacement of the shading material M of the mask in the etching process of the sample S by ion beam irradiation.例文帳に追加

イオンビーム照射による試料Ｓのエッチング加工において、マスクとなる遮蔽材Ｍの交換を短時間で効率良く行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor devices by which harmful effects due to residues of deteriorated layer formed in a metal film during a wet etching process on subsequent processes and on device characteristics can be reduced, and high-quality semiconductor devices can be stably manufactured when it has a process for wet etching the metal film and a process for dry etching the metal film afterward.例文帳に追加

金属膜をウエットエッチングする工程と、この後、この金属膜をドライエッチングする工程を有する場合において、ウエットエッチング工程において金属膜に形成された変質層の残渣に起因する以後の工程に与える悪影響及びデバイス特性に与える悪影響を軽減することができ、良質な半導体装置を安定的に製造することのできる半導体装置の製造方法等を提供する。 - 特許庁

The flow rate of the process gas on the workpiece 90 is changed by a flow rate regulating means 60 in accordance with the progress of the etching.例文帳に追加

流速調節手段６０によって、処理ガスの被処理物９０上での流速をエッチングの進行に応じて変化させる。 - 特許庁

To improve the yield in a manufacturing process by preventing a tunnel barrier layer between magnetic layers due to a re-deposition occurring at etching from being short-circuited.例文帳に追加

エッチング時に発生する再堆積による磁性層間のトンネルバリア層のショートを防止し、製造工程での歩留りの向上を図る。 - 特許庁

A first recessed region partially exposing the first sacrificial patterns is formed in the isolation region using a photolithography and etching process.例文帳に追加

フォトリソグラフィ及びエッチング工程を用いて素子分離膜に第１犠牲パターンの一部分を露出させる第１リセス領域を形成する。 - 特許庁

A method of using a post-etch treatment system for removing photoresist remnants and etch residues formed during an etching process is described.例文帳に追加

エッチングプロセス中に形成されるフォトレジストおよびエッチング残渣を除去するエッチング後の処理システムを使用する方法は、記載されている。 - 特許庁

By applying an etching process on the surface of a glass body after roughening it by sandblast, the crater-shaped unevennesses can be formed.例文帳に追加

ガラス基体の表面をサンドブラストで粗面化した後にエッチングを施すことによって、クレータ状の凹凸を形成することができる。 - 特許庁

The sidewalls of the gate may be exposed through an etching process in which a silicide layer formed over the blocking layer is used as an etch mask.例文帳に追加

ブロッキング膜上に形成されたシリサイド膜をエッチングマスクとして使用するエッチング工程を通じてゲートの側壁は露出される。 - 特許庁

To provide a substrate treatment method and a substrate treatment apparatus for carrying out an etching process promptly and uniformly for a substrate.例文帳に追加

基板を均一かつ迅速にエッチング処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, a half etching process of thinning the conductive metal film 32 corresponding to a part forming the interdigital electrode of an IDT is performed.例文帳に追加

次に、ＩＤＴのすだれ状電極を形成する部分に対応した導電性金属膜３２を薄くするハーフエッチング工程をする。 - 特許庁

The layer 5 exposed after this process is removed by dry etching at the pressure of 10mTorr using chlorine gas.例文帳に追加

この工程の後に露出したエッチングストップ層５を、塩素ガスを用いたエッチング圧力１０ｍＴｏｒｒのドライエッチングにより除去する。 - 特許庁

A plurality of wavelengths reflected by the surface of the wafer to be etched are measured by a spectrometer during a plasma etching process.例文帳に追加

プラズマエッチングプロセス中、エッチングされるウェハの表面から反射される放射の複数の波長が分光計によって測定される。 - 特許庁

An ink channel formed in a silicon single crystal substrate having an optional plane orientation into an optional shape by a dry etching process.例文帳に追加

任意の面方位を有するシリコン単結晶基板に形成されたインク流路をドライエッチング加工により任意の形状で形成する。 - 特許庁

To reduce damage to a semiconductor substrate in a contact hole forming process by accurately detecting an etching end point of a silicon nitride film.例文帳に追加

窒化シリコン膜のエッチング終点を正確に検出して、コンタクトホール形成工程における半導体基板領域のダメージを低減する。 - 特許庁

A trench having a depth larger than 40 times the width can be formed using a repetition cycle of etching and the process of making the side wall protecting attachment thinner.例文帳に追加

幅の４０倍より大きい深さを有するトレンチを、エッチングおよび薄化の繰り返しサイクルを用いることによって形成できる。 - 特許庁

Thus, occurrence of etching abnormality can be suppressed when the silicon oxide film and the silicon nitride film are etched in a later process.例文帳に追加

このため、その後の工程でシリコン酸化膜及びシリコン窒化膜をエッチングした際、エッチング異常の発生を抑制することができる。 - 特許庁

Thereafter, an etching mask forming process providing a resist film 36 having a prescribed pattern on the surface of the conductive metal film 32 is performed.例文帳に追加

その後、導電性金属膜３２の表面に所定のパターンを有するレジスト膜３６を設けるエッチングマスク形成工程を行なう。 - 特許庁

Consequently, a channel portion, having a fixed width is formed, even when the source and drain electrodes are to be overetched in the wet etching process.例文帳に追加

従って、湿式エッチングの過程でソース電極及びドレイン電極がオーバーエッチングされる場合でも、一定幅のチャンネル部を形成できる。 - 特許庁

The polysilicon layer is patterned according to a plasma etching process using the resist layer 18A as a mask to obtain a polysilicon layer 16A for an electrode.例文帳に追加

レジスト層１８Ａをマスクとするプラズマエッチング処理によりポリシリコン層をパターニングしてゲート電極用ポリシリコン層１６Ａを得る。 - 特許庁

Thereafter, the semiconductor wafer 1 is rotated and the etching process is conducted by supplying a chemical solution to the second principal surface S2 of the semiconductor wafer.例文帳に追加

その後、半導体ウェハ１に回転を施して、半導体ウェハの第２主面Ｓ２に薬液を供給することでエッチングを施す。 - 特許庁

To provide a polarizing optical element capable of simplifying a manufacturing process without requiring dry etching, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

ドライエッチングを必要とせずに製造工程を簡略化することができる偏光光学素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the increasing trend of a gate size in a long period due to continuous BARC etching in a process of one lot.例文帳に追加

ＢＡＲＣエッチングでの、１ロット内の処理における、また連続エッチングにおける長期的なゲート寸法の太め傾向を抑える。 - 特許庁

The wafer processing device 100 comprises a lower electrode 112 serving as a table for mounting a wafer 200, a process gas introduction tube 120 supplying process gas for etching the periphery, and an etching block gas introduction tubes 118 supplying etching block gas for blocking process gas supply to the central portion of the wafer, and a movable alignment mechanism 102 performing alignment of the wafer on the lower electrode 112.例文帳に追加

ウェハ処理装置１００は、ウェハ２００を載置する載置台である下部電極１１２と、周辺部をエッチングするプロセスガスを供給するプロセスガス導入管１２０と、ウェハの中心部にプロセスガスが供給されるのを阻止するエッチング阻止ガスを供給するエッチング阻止ガス導入管１１８と、下部電極１１２上で、ウェハの位置合わせを行う可動式の位置合わせ機構１０２と、を含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a probe card, capable of protecting a probe head even during an etching process to reduce the percentage defective of the probe card.例文帳に追加

エッチング工程中にもプローブヘッドが保護でき、プローブカードの不良率を低減できるプローブカードの製造方法を提供すること。 - 特許庁

This composition is useful in a method for efficiently removing the smut generated in the etching stage of an aluminum pretreating process.例文帳に追加

この組成物は、アルミニウム予備処理プロセスのエッチング工程から生じるスマットを効率的に除去する方法において有用である。 - 特許庁

To provide a coating film that prevents damages due to etching of an interlayer insulating film and a barrier film in a semiconductor element manufacturing process or the like.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜やバリア膜のエッチング処理によるダメージを低減する塗膜を提供すること。 - 特許庁

An aluminum oxide film generated on the surface of an AlGaAs layer at the lower part GaAs in the recess etching process is removed (S106) in an aqueous phosphate.例文帳に追加

リセスエッチングプロセスでＧａＡｓ下部のＡｌＧａＡｓ層表面に生じたアルミの酸化膜はリン酸水で除去する（Ｓ１０６）。 - 特許庁

To provide a method for precipitating copper chloride contained in a chemical etching waste water, which can effectively remove a copper chloride component contained in a enormous amount of chemical etching waste water produced in an etching process for a printed wiring board, and to provide an apparatus for precipitating copper chloride contained in the chemical etching waste water, preferably used for the precipitation method.例文帳に追加

プリント配線板のエッチングプロセスにおいて発生する膨大な化学エッチング廃液に含まれる塩化銅成分を高効率に除去することができる化学エッチング廃液に含有される塩化銅の析出方法と、その析出方法に好適に用いられる化学エッチング廃液含有に含有される塩化銅の析出装置を提供する。 - 特許庁

Additionally, etching depth dispersion on a wafer surface is reduced while maintaining verticality for etching depth in forming a nozzle hole 2a or the groove part of a supply port 7a, etc. on a nozzle wafer 3 an original material of which is a silicon monocrystal by carrying out the etching process within a working condition range on the inductively coupled plasma etching device.例文帳に追加

また、誘導結合型プラズマエッチング装置において加工条件範囲内でエッチング加工を行なうことで、原材料がシリコン単結晶であるノズルウェハ３上にノズル穴２ａまたは供給口７ａ等の溝部を形成する際にエッチング深さに対する垂直性を維持しつつ且つウェハ面内のエッチング深さバラツキを低減できる。 - 特許庁

The roughening method of a silicon substrate comprises: a process of applying an organic metal solution or an organic metal dispersion solution on a substrate in a dot shape with an ink jet method; a process of drying the substrate; a process of irradiating the surface of the substrate with plasma; and a process of etching the substrate.例文帳に追加

有機金属溶液あるいは有機金属の分散液を基板にインクジェット法でドット状に塗布する工程と、上記基板を乾燥する工程と、上記基板の表面にプラズマを照射する工程と、上記基板をエッチング処理する工程とを備えたシリコン基板の粗面化方法である。 - 特許庁

An EC200 comprises a substrate process executing part 280 for executing an etching of a product substrate (a wafer W), a dummy process executing part 275 for executing the dummy process to the dummy substrate, and a determining part 270 for determining the execution of the dummy process on the basis of the condition about temperature.例文帳に追加

ＥＣ２００は，製品基板（ウエハＷ）に対してエッチング処理を実行する基板処理実行部２８０，ダミー基板に対してダミー処理を実行するダミー処理実行部２７５および温度に関する条件に基づきダミー処理を実行するか否かを判定する判定部２７０を有している。 - 特許庁

To provide an etching method applicable in a process for etching an organic material film with an inorganic material film serving as a mask, capable of maintaining a high etching rate according to a pattern to be etched with a superior result in shape and in in-plane uniformity, and which is free of inorganic material film exfoliation.例文帳に追加

無機材料膜をマスクとして有機材料膜をエッチングする場合に、エッチングパターンに対応して、高いエッチングレートを維持しつつ、良好なエッチング形状で、良好な面内均一性でかつ無機材料膜の膜剥がれが生じずにエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a reactant gas supply method of a dry etching device which can prevent a gas composition from altering by the generation of H_2, when HF or a gas containing HF is used as a reactant gas, and can prevent reaction of an etching process from altering, to conduct etching of high accuracy.例文帳に追加

反応ガスとしてＨＦやＨＦを含むガスを用いる場合に、Ｈ_２の発生によりガス組成が変化するのを防ぎ、エッチングプロセスの反応が変化するのを防いで精度の良いエッチング処理を行うことが可能になるドライエッチング装置の反応ガス供給方法を提供する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 11 participating in the constitution of a photovoltaic cell, an etching-resistant porous film 13 is formed by using a paste, and the etching-resistant porous film 13 serves as a mask in an etching process for the formation of a very finely corrugated antireflection structure 15 on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

太陽電池を構成する半導体基板１１上に、ペーストを使用して多孔質の耐エッチング性膜１３を形成し、多孔質の耐エッチング性膜１３をマスクとして用いて、エッチングを行うことにより、半導体基板１１上に、微細な凹凸からなる反射防止構造１５を形成する。 - 特許庁