「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

Furthermore, it is preferable that the method includes a process for performing isotropic etching with respect to the inner wall of the trench when the metallic film is removed after the process for forming the trench.例文帳に追加

さらに、前記のトレンチを形成する工程の後に、前記金属膜を除去した後、前記トレンチの内壁を等方性エッチングする工程を有することが望ましい。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device having a correction process of charged particle beam exposure data effectively correcting a pattern variation by an etching process.例文帳に追加

エッチングプロセスによるパターン変動を有効に補正することができる荷電粒子ビーム露光データの補正工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electromagnetic induction accelerator capable of easily adjusting the velocity of plasma ion and excellent in anisotropy, selectivity, film homogeneity and process reproducibility, and usable for an etching process.例文帳に追加

プラズマイオンの速度を容易に調節でき、異方性、選択性、膜均質度及び工程再現性に優れるエッチング工程に利用可能な電磁気誘導加速器を提供する。 - 特許庁

Since the widths W1, W2 of the ring-shaped gate electrodes 1 are formed by the photo-process and etching of the same process by using photomasks of the same dimensions, the widths W1, W2 are regarded as almost the same values.例文帳に追加

また、リング状ゲート電極１の幅Ｗ１、Ｗ２は、同一寸法のフォトマスクを使って同一工程のフォトプロセスとエッチングで作るので、ほぼ同じとみなせる。 - 特許庁

The conditions of etching when forming he plug electrode include a process where an intermediate layer 4, whose etching rate is larger than that of a dielectric film 2 interposed on a foundation 1 and is smaller than that of a plug component 3, is formed between the plug component 3 and the dielectric layer 2, and a process where the intermediate layer 4 is etched in over-etching the plug component 3.例文帳に追加

プラグ電極形成時のエッチング条件に対し、エッチングレートが下地１の絶縁層間膜２より大きく、且つプラグ材３よりエッチングレートの小さい中間膜４を、プラグ材３と絶縁層間膜２の間に設ける工程と、プラグ材３のオーバーエッチング中に中間膜４をエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

To provide an etching protective material, along with a manufacturing method of a device substrate that uses the material, which provides by a method of simple and low cost, all of high resistance with respect to an etchant (alkaline and acid), heat resistance during processing, proper adhesion to a wafer applied with etching process, and ease in removing, after etching process.例文帳に追加

簡便かつ安価な方法により、エッチング液（アルカリおよび酸）に対する良好な耐性、加工時の耐熱性、エッチング処理を施すウェハへの良好な密着性およびエッチング処理後の易除去性のすべてを兼ね備えるエッチング保護材およびその保護材を用いたデバイス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To simplify an etching process, and to reduce a variation of optical characteristics of an obtained wire grid polarizer as one of objectives, in a method of manufacturing the wire grid polarizer including the etching process in which a metallic wire is formed by etching a metallic layer formed on a substrate having grating projections.例文帳に追加

格子状凸部を有する基材上に形成された金属層をエッチングして金属ワイヤを形成するエッチング工程を有するワイヤグリッド偏光子の製造方法において、当該エッチング工程を簡略化すると共に、得られるワイヤグリッド偏光子の光学特性のばらつきを低減することを目的の一とする。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor etching method includes: a process for preparing the base part of the group III nitride semiconductor having a layer with a relatively large amount of aluminum and a layer with a relatively small amount of aluminum; and a process for etching the base part with the use of etching gas containing iodine atoms.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体のエッチング方法は、アルミニウムを相対的に多く有する層と、アルミニウムを相対的に少なく有する層とを含むＩＩＩ族窒化物半導体のベース部を準備する工程と、ベース部に対してヨウ素原子を含むエッチングガスによりエッチングを行なう工程とを備えている。 - 特許庁

Thereafter, after the photoresist residue 14 adhered to the bottom of the opening 12 of the photoresist pattern1 1a is removed by a light ashing process, a through hole is bored through the insulating film 7b by a dry etching process using an etching gas, etc. containing C_5F_8, O_2 and Ar gas with the photoresist pattern 11a used as an etching mask.例文帳に追加

その後、フォトレジストパターン１１ａの開口部１２の底に付着したフォトレジスト残渣１４を軽いアッシング処理により除去した後、フォトレジストパターン１１ａをエッチングマスクとして、Ｃ_５Ｆ_８、Ｏ_２およびＡｒガスを有するエッチングガス等を用いたドライエッチング処理により絶縁膜７ｂにスルーホールを穿孔する。 - 特許庁

Regarding the method for recycling copper resources in a production process, when a copper-containing acid etching waste liquid is generated in an etching process, the copper-containing acid etching waste liquid is treated mainly utilizing an alkaline solution, thus a copper-containing plating solution for electroplating is formed, and also, it is charged to a copper plating stage once more.例文帳に追加

本発明の製造プロセスにおける銅資源の循環再生方法は、エッチング工程で銅を含む酸性エッチング廃液を発生するとき、主にアルカリ性溶液を利用して銅を含む酸性エッチング廃液を処理し、電気めっき用の銅を含むめっき溶液を形成し、且つ銅めっき工程に再度投入する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by an etching process using laser beam irradiation, which can applied for production of a semiconductor device in wide range requiring the etching process for a complicated shape, deep and large removal region or the like, and can obtain high etching rate.例文帳に追加

レーザ光の照射を利用したエッチング加工による半導体装置の製造方法であって、複雑形状や深くて大きい除去領域等のエッチング加工が必要な広範囲の半導体装置の製造に適用可能で、高いエッチング速度が得られる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method is provided with an outline etching process (S104) for etching a mask material positioned on the outline of a region to be removed in a mask so that it is penetrated by using convergent ion beams and etching gas, and a removing process (S106) for removing the mask material positioned on the inner side of the outline of the region to be removed in the mask.例文帳に追加

収束イオンビームとエッチングガスとを用いて、マスクの除去したい領域の輪郭に位置するマスク材料を貫通するようにエッチングする輪郭エッチング工程（Ｓ１０４）と、前記マスクの除去したい領域の輪郭の内側に位置するマスク材料を除去する除去工程（Ｓ１０６）と、を備える。 - 特許庁

This producing method has a coating laminating process for a flattened layer 16 and the undercoat layer 13, a process for providing a microlens forming layer and the microlens 11, a process for applying and forming a transparent resin layer, and an etching process for selectively locating the transparent resin 12.例文帳に追加

平坦化層１６とアンダ−コート層１３の塗布積層工程と、マイクロレンズ形成層及びマイクロレンズ１１とする工程と、透明樹脂層を塗布形成する工程と、選択的に透明樹脂１２を配設するエッチング工程、を有すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display device by which a pad part can be opened through an etching process after assembling an upper part and lower part substrates without the addition of a separate mask process and manufacture expenses and process time are reduced by minimizing the mask process.例文帳に追加

別途のマスク工程の追加無しに合着後、エッチング工程を通じてパッド部をオープンさせることができ、マスク工程の最小化で製造費用及び工程時間を減少させる液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laser processing apparatus that divides the wafer into individual chips by irradiating the wafer with laser beam and thereafter performs etching process simultaneously and immediately inside an identical etching unit without transporting the divided wafers to another etching unit that is separately provided in order to remove processing distortions.例文帳に追加

ウェーハにレーザー光線を照射することにより個々のチップに分割した後、加工歪みを除去するため、別途設けたエッチング装置に搬送することなく同一装置内で直ちにエッチング処理ができるレーザー加工装置を提供する。 - 特許庁

This printed wiring board can be prevented from having wire thinning and wire breaking of wires 58D due to excessive etching, by setting to 90° the angle of the connection between a dummy pattern 58D and a connected conductor circuit 58, and then eliminating a pool of etching liquid in the etching process at manufacture.例文帳に追加

ダミーパターン５８Ｄと接続される導体回路５８との接続角度を直角にすることにより、製造時のエッチング工程でエッチング液の液溜まりがなくなり、過剰なエッチングによる配線５８Ｄの線細り、断線の発生を防止できる。 - 特許庁

The process of ashing is carried out in or after the etching to prevent the etching rate from decreasing owing to sputtering of the reaction products deposited on the surface of the target material, thereby obtaining the stable etching rate.例文帳に追加

本発明では、このアッシング工程をエッチング途中またはエッチング後に実行することによって、ターゲット材の表面に堆積した反応生成物のスパッタ作用に起因するエッチングレートの低下を防止し、安定したエッチングレートを得ることができる。 - 特許庁

To provide a silica glass plate for a fluid circulation and its manufacturing method, wherein in particular in a plasma etching device, a reaction efficiency of a plasma etching or the like is good, and it is intended to miniaturize an assembly device of the plasma etching device or the like, and also a perforation process is facilitated.例文帳に追加

特に、プラズマエッチング装置において、プラズマエッチング等の反応効率がよく、プラズマエッチング装置等の組込み装置の小型化が図れ、かつ、孔明け加工が容易な流体流通用シリカガラス板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In producing processes for the electrode substrate including a patterning process for the transparent conductive film after etching treatment for a transparent conductive laminate, the transparent conductive film is crystallized after an etching treatment, instead of before the etching treatment.例文帳に追加

透明導電積層体をエッチング処理して該透明導電膜をパターニングする工程を含む電極基板の製造方法において、エッチング処理以前は透明導電膜を結晶化させず、エッチング処理後に透明導電膜を結晶化させる。 - 特許庁

According to the manufacturing process, an inter-layer insulating film 9 is subjected to wet etching with 10:1 BHF followed by dry etching using the same resist mask 10 for the wet etching, to form contact holes 11, 12 consecutively on the inter-layer insulating film 9 and a gate insulating film 4.例文帳に追加

層間絶縁膜９に対する１０：１ ＢＨＦによるウェットエッチングに続いて、同一レジストマスク１０を用いたドライエッチングを行うことにより、層間絶縁膜９およびゲート絶縁膜４にコンタクトホール１１，１２を連続して形成する。 - 特許庁

A process for etching a silicon oxide film 8 and TEOS films 9 and 20 on the surface of a diffusion region 4 of a collector region is separated from a process for etching TEOS films 12 and 20 on the surface of a base taking-out electrode 16.例文帳に追加

本発明では、コレクタ領域の拡散領域４表面のシリコン酸化膜８、ＴＥＯＳ膜９、２０をエッチングする工程と、ベース取り出し電極１６表面のＴＥＯＳ１２、２０膜をエッチングする工程とを別工程とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory cell wherein an increase in thickness of an oxide film in a dielectric film can be restrained in a heat treatment process for compensating etching damage after an etching process for forming a stack gate is performed.例文帳に追加

スタックゲートを形成するためのエッチング工程を行った後、エッチング損傷を補償するための熱処理工程で誘電体膜内の酸化膜の厚さ増加を抑制することが可能なフラッシュメモリセルの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a production process of a solar cell element in which cost reduction is realized by protecting a solar cell element substrate against damage when etching residue is removed after micro protrusions/recesses are formed by dry etching thereby preventing the yield of process from lowering.例文帳に追加

ドライエッチングにより微細な凹凸を形成したときのエッチング残渣を除去するときに、太陽電池素子基板にダメージが入ることを防止し、工程の歩留まりの低下を防いで低コスト化を実現した太陽電池素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

After a formation process of a piezoelectric element 73, at least one portion of an oscillation plate 53 between extracting electrodes 90 formed later is etched in an etching process under the conditions that etching residue of an upper electrode film 83 is removed without removing the oscillation plate 53.例文帳に追加

圧電素子７３の形成工程後、エッチング工程において、後に形成される引出電極９０間の振動板５３の少なくとも一部を、エッチング残り上電極膜８３が除去され、振動板５３が除去されない条件でエッチングする。 - 特許庁

The quartz pieces 1, 2 are cut and formed by wet etching and blasting process for blasting fine powder, and the quartz resonator is cut and formed by the wet etching and the blasting process for blasting the fine powder.例文帳に追加

水晶片１，２をウエットエッチングおよび微細粉体を吹き付けるブラスト加工によって切断、成形すること、及び水晶片をウエットエッチングおよび微細粉体を吹き付けるブラスト加工によって切断、成形したことを特徴とする水晶振動子。 - 特許庁

A wet-etching process is carried out for the residual substances 80, such as a heavy compound generated when patterning a second structure layer made of resin by an O_2 etching process together with a removal layer 93 located above a first structure layer 51 serving as an actuator structure 33.例文帳に追加

Ｏ_2エッチングにより樹脂製の第２の構造層をパターニングした際に発生する重化合物などの残渣８０を、アクチュエータ構造３３となる第１の構造層５１の上方に位置する除去層９３と共にウェットエッチングする。 - 特許庁

A process for making oxidizing gas, containing oxygen into plasma and exposing a silicon material in the plasma gas, is provided as another process different from an etching process or a protective film depositing process; and then, a method wherein these processes are repeated sequentially is adopted, whereby an etching arriving surface can be very much smoothed, even when a complex silicon form having level differences is etched.例文帳に追加

酸素を含む酸化性ガスをプラズマ化してシリコン材に曝す工程を、エッチング工程や保護膜を堆積させる工程とは別個の工程として設けた上で、これらの工程を順次繰り返す方法を採用することにより、段差を有する複雑なシリコン成形体であっても、そのエッチング到達面を極めて平滑にすることができる。 - 特許庁

The manufacturing method of the silicon carbide semiconductor device includes a process for forming passivation film on the silicon carbide wafer, before a process in which silicon carbide dust adheres to the silicon carbide wafer, a process for removing the silicon carbide dust by plasma etching, after the silicon carbide dust has adhered on the passivation filn, and a process for removing the passivation film after the plasma etching step.例文帳に追加

ＳｉＣ粉塵がＳｉＣウェハに付着する工程の前に、ＳｉＣウェハ上に保護膜を形成する工程と、ＳｉＣ粉塵が保護膜上に付着した後にプラズマエッチングによりＳｉＣ粉塵を除去する工程と、前記プラズマエッチング後に前記保護膜を除去する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process of etching the first and second surfaces of a semiconductor board oppositely disposed to each other using an acid solution, a process of forming a protective film on the first surface of the semiconductor board after the etching with the acid solution, and a process of etching the second surface of the semiconductor board with an alkaline solution after the formation of the protective film.例文帳に追加

半導体基板の第１の面および第１の面の反対側にある第２の面を酸溶液を用いてエッチングする工程と、酸溶液を用いたエッチング後に半導体基板の第１の面上に保護膜を形成する工程と、保護膜の形成後に半導体基板の第２の面をアルカリ溶液を用いてエッチングする工程とを含む太陽電池の製造方法である。 - 特許庁

To provide a mask for quartz glass etching to be applied in the case where the hinge part in the pendulum for an accelerometer is constituted by etching a quartz glass with high 55% or so concentration of hydrogen chloride at several 100 μm level of etching for a long time of several hours level of 55% and provide the quartz glass etching process.例文帳に追加

石英ガラスを５５％程度の高濃度の弗化水素酸により数時間に及ぶ長時間に亘って数１００μｍレベルのエッチング加工を施して加速度計のペンジュラムのヒンジ部を構成する様な場合に適用される石英ガラスエッチング加工用マスクおよび石英ガラスエッチング加工方法を提供する。 - 特許庁

In the oxidizing process at this time, the oxidized film is formed so as to secure an etching speed of 80% or more with respect to an etching speed in the direction of thickness which is operated upon etching the whole thickness of the aluminum alloy film, provided with a natural oxidized film, and having a predetermined thickness, by etching liquid for aluminum alloy.例文帳に追加

この時の酸化処理は、自然酸化被膜を備えた所定厚みのアルミニウム合金膜を、アルミニウム合金用エッチング液にて全厚みをエッチングした際に算出される厚さ方向のエッチング速度に対して、８０％以上のエッチング速度が確保できるように酸化被膜を形成するようにする。 - 特許庁

The manufacturing method consists of a process where a metal layer 2 is processed by a photoetching method, a process where the wiring part 8 is formed on the insulation layer 5 by a semi-additive method and a process where the insulation layer 5 is processed by a plasma etching method.例文帳に追加

金属層２をフォトエッチング法により加工する工程と、絶縁層５上にセミアディティブ法により配線部８を形成する工程と、絶縁層５をプラズマエッチングにより加工する工程とからなる。 - 特許庁

The planarization method for the polysilicon includes a process that forms the polysilicon on the surface of a substrate, a process that reduces the roughness of the surface by etching, and a process that planarizes the polysilicon surface by laser-annealing.例文帳に追加

基板の表面にポリシリコンを形成する工程、エッチングにより表面粗さを減少させる工程、および該ポリシリコン表面をレーザーアニールにより平坦化する工程からなるポリシリコンの平坦化方法である。 - 特許庁

After a coating film of a transparent conductive material is calcined, it is put through an etching process to be thinned down to a given thickness.例文帳に追加

透明導電材の塗布膜を焼成した後、これにエッチング加工を施すことによって所定の厚さまで減厚する。 - 特許庁

To provide a process chamber, capable of decreasing redeposition or contamination on a substrate in sputter etching, and degassing from an enclosure wall.例文帳に追加

スパツタエッチングにおける基板への再堆積又は汚染及びエンクロージャー壁からの脱ガスを低減できるプロセスチャンバーを提供する。 - 特許庁

Moreover, in the above- mentioned flattening process, the silicon wafer is preferably heated at ≥200°C and ≤1200°C during etching.例文帳に追加

更に、前述の平坦化工程おいては、シリコンウェーハがエッチング中に２００℃以上１２００℃以下に加熱されることが好ましい。 - 特許庁

To form microlenses of such a shape that aberration in its outer peripheral part can be decreased without using a dry etching process.例文帳に追加

ドライエッチングプロセスを使用することなく、外周部における収差を低減できる形状のマイクロレンズを形成可能とする。 - 特許庁

To provide an electromagnetic wave shielding material for reducing haze after etching treatment and dispensing with a transparent-making treatment process.例文帳に追加

エッチング処理後のヘイズを低減することができ、且つ透明化処理工程が省略可能な電磁波遮蔽材を提供する。 - 特許庁

Since the high melting point metal is depleted toward the end of the etching process, undercutting of the aluminum sidewall is minimized.例文帳に追加

高融点金属層がエッチングプロセスの終了の方に向かって消耗されるので、アルミニウム側壁のアンダーカットを最小にする。 - 特許庁

To process a metal film with superior dimensional accuracy without damaging a base gate insulating film by wet etching using a resist mask.例文帳に追加

レジストマスクを用いたウエットエッチングにより、下地のゲート絶縁膜にダメージを与えることなく、寸法精度良く金属膜を加工する。 - 特許庁

To make a trench being filled easily with an isolation insulating material by etching in STI process.例文帳に追加

ＳＴＩ工程におけるＳｉのエッチング処理において素子分離のための絶縁物を埋込み易い形状の溝を形成する。 - 特許庁

The process step of working the metallic layer and the conductive layer by the photoetching method is included and the insulating layer 2 is worked by the wet etching.例文帳に追加

金属層と導電性層をそれぞフォトエッチング法により加工する工程と、絶縁層をウェットエッチングにより加工する。 - 特許庁

The metal layer 33 is not affected by the etching against the transparent conductive layer 32 in a Fig.2(e) process.例文帳に追加

本実施形態では、図２（ｅ）工程で、金属層３３は透明導電層３２に対するエッチングの影響を受けることがない。 - 特許庁

In the peeling solution process 13, etching residue adhered to the insulating film and metal wiring is peeled using, for example, an amine system peeling solution.例文帳に追加

剥離液処理１３では、絶縁膜及びメタル配線に付着したエッチング残渣を例えばアミン系剥離液で剥離する。 - 特許庁

In the etching process, the negative electrode 21 is used as a mask, and the planarization film 4, exposed from the negative electrode 21, is etched by plasma.例文帳に追加

エッチング工程では、陰極２１がマスクとなり、陰極２１から露出した平坦化膜４がプラズマによりエッチングされる。 - 特許庁