「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

After other processes, the second insulating film 16 is etched on the fuse layer 12 in a first etching process selectively for the etching stopper film 14 to expose a surface of the etching stopper film 14.例文帳に追加

他の工程を経た後、第１のエッチング工程として、ヒューズ層１２上で、第２の絶縁膜１６をエッチングストッパー膜１４に対して選択的にエッチングすることにより、エッチングストッパー膜１４の表面を露出させる。 - 特許庁

Side etching of the gate insulation film of the channel region through region selective etching of the silicon oxide film by dry etching of poor selectivity, or leaving of the gate insulation film on the source and drain regions will be involved in the process.例文帳に追加

選択性の悪いドライエッチングで酸化シリコン膜の領域選択エッチングをしてチャネル領域のゲート絶縁膜をサイドエッチングしたり、ソース、ドレイン領域上のゲート絶縁膜を残したりすることがない。 - 特許庁

To finish an etching epitaxial wafer and a mirror-surface wafer in a high planarity shape over the entire surface from a (high luminance) etching wafer by eliminating shape defects on the wafer periphery due to etching or polishing process works.例文帳に追加

エッチング加工や研磨加工によって発生するウエハ外周の形状不良を皆無にすることにより、（高輝度）エッチングウエハを素材とするエッチングエピタキシャルウエハ、及び鏡面ウエハを全面で平坦度の高いものに仕上げる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which comprises an etching process which is unavoidable of the deterioration of an etching selection ratio of each oxide film, when the method of manufacturing the semiconductor device is accompanied by the formation of two kinds of oxide films or more, having etching characteristics different from each other.例文帳に追加

互いにエッチング特性が異なる２種以上の酸化膜の形成を伴う場合に、エッチング選択比の悪化を回避しうるエッチング工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor manufacturing apparatus which can control the substrate surface temperature during an etching treatment, until immediately after etching or completion of an etching process.例文帳に追加

エッチング直後および、エッチング終了直後の過渡的瞬間までも、基板表面のエッチング処理温度を制御することができる半導体素子の製造方法、及び半導体素子の製造装置を提供する。 - 特許庁

In an etching process P2, etching treatment is carried out under the environment wherein light of a short wavelength less than excitation wavelength of about 880 nm is blocked by an etching bath 62 and a lid 66 and not injected to the semiconductor wafer 46.例文帳に追加

エッチング工程Ｐ２において、半導体ウェハ４６に880(nm)程度のその励起波長以下の短波長の光がエッチング槽６２および蓋６６で遮られて入射しない環境下でエッチング処理が行われる。 - 特許庁

The cleaning process (treatment S1) of the silicon boat includes a dilute hydrofluoric acid cleaning process (treatment S1-1) cleaning the surface of the silicon boat with dilute hydrofluoric acid; an etching process (treatment S1-2); combined contaminant removal process (treatment S1-3); and a natural drying process (treatment S1-4).例文帳に追加

シリコンボート洗浄工程（処理Ｓ１）は、シリコンボートの表面を希フッ酸で洗浄する希フッ酸洗浄工程（処理Ｓ1-1）と、エッチング工程（処理Ｓ1-2）と、複合汚染物除去工程（処理Ｓ1-3）と、自然乾燥工程（処理Ｓ1-4）とを備える。 - 特許庁

The first step is to perform a manufacturing process such as a chemical etching process or a laser cutting process in order to form hole mask on a metal plate with a predetermined hole pattern.例文帳に追加

第１の段階は、所定の穴模様で金属板上に穴マスクを形成するために例えば、化学的エッチング工程又はレーザカッティング工程のような製造工程を実施する。 - 特許庁

To realize a method for manufacturing an SOI wafer for improving uniformity of the thickness of a semiconductor layer, using an oxidizing process and a wet etching process instead of a CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰ工程の代りに酸化工程とウェットエッチング工程を用いることにより、半導体層の厚さの均一度を向上させることができるＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

(i) Physical simulation programs for establishing the conditions of the lithography process, etching process or film forming process to transfer mask patterns to conductors, insulators or semiconductors 例文帳に追加

一　導体、絶縁体又は半導体に対してマスクパターンを転写させるためのリソグラフィ工程、エッチング工程又は成膜工程を条件設定するための物理的シミュレーションプログラム - 日本法令外国語訳データベースシステム

The method of forming the fine metal pattern comprises dry film resist thinning treatments (T1 to T4) which are carried out in a period from a process of coating the dry film resist on a board (a) to a process of carrying out an etching process (d).例文帳に追加

基板上にドライフィルムレジストを貼り付け（ａ）てから、エッチング（ｄ）を行うまでの間に、ドライフィルムレジストの薄膜化処理（Ｔ１〜Ｔ４）を行う金属パターンの形成方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a stiffener integrating a heat sink that enables high volume production which may not cause residual distortion and deformation and requiring the cutting process after the diffusing process and the etching process.例文帳に追加

残留ひずみや変形が発生せず張り出し加工後の切削加工や、エッチング加工を必要とせず大量生産が可能な放熱板一体型スティフナの製造方法。 - 特許庁

Then a spray coating process, a spray cleaning process, a blast process, a plating process, an etching process, a process of sticking conductive paste, resist, resin, etc., on an exposed region, etc., are carried out in a state where the chip component bodies 2A are clamped with rubber films of the component body holding grooves.例文帳に追加

そして、部品本体保持溝のゴム膜によってチップ部品本体２Ａが挟持されたまま、スプレーコート処理やスプレー洗浄処理やブラスト処理やめっき処理やエッチング処理や露出領域に対して導電ペースト、レジスト、樹脂などを付着させる処理等を行う。 - 特許庁

A recess filling method is carried out in a manner such that a film forming process which forms a metal film 15 on a surface where a recess 12 is formed on a surface of a substrate 11 and an etching process which injects an ion of an etching gas into the metal film are repeated alternately.例文帳に追加

本発明は基板１１の表面の凹部１２が形成された面に、金属膜１５を形成する成膜工程と、金属膜にエッチングガスのイオンを入射させるエッチング工程とを交互に繰り返す。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an NAND flash element, which reduces a plug forming process by overall etching and secures a process margin by reduction in thickness of an etching layer at the time of drain contact formation.例文帳に追加

全面エッチングによるプラグ形成工程を減らすことができ、ドレインコンタクト形成時にエッチング層の厚さ減少による工程マージンを確保することが可能なＮＡＮＤフラッシュ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The wet etching device 1 is capable of housing a substrate inside, and comprises a process bath 2 for holding a chemical liquid for etching and transportation arms 3a and 3b for transporting a semiconductor substrate 6 into the process bath 2.例文帳に追加

ウェットエッチング装置１は、内部に基板を収容可能であり、エッチングのための薬液を貯留する処理槽２と、処理槽２内に対して半導体基板６を搬送する搬送アーム３ａ・３ｂとを備えている。 - 特許庁

To provide a thin film etching method of etching a thin film using a femtosecond laser, to provide a simplified process and also a process productivity, and to provide a method of fabricating a liquid crystal display device using the same.例文帳に追加

フェムト秒レーザーを用いて薄膜を蝕刻することによって工程の単純化及び生産性の向上が図られる薄膜蝕刻方法及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching device exhaust electrode which makes uniform formation of plasma on a wafer and reduces a volume occupied by a process chamber, and the process chamber of a semiconductor device manufacturing dry etching device.例文帳に追加

ウェーハ上でのプラズマの形成を均一にし、また工程チャンバーが占める体積を減らす乾式エッチング装置用排気エレクトロード及び半導体装置製造用乾式エッチング装置の工程チャンバーを提供する。 - 特許庁

A dry etching method has: a process for performing the pattern formation of resist on a member to be etched made of a substance containing zinc oxide; and a process for etching the member to be etched by gas containing reducing gas.例文帳に追加

酸化亜鉛を含む物質からなる被エッチング部材の上にレジストをパターニング形成する工程と、還元性ガスを含むガスを用いて前記被エッチング部材をエッチングする工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

To form a resist pattern which allows a projection part of a resist pattern after a process of etching a remaining film to have a desired width equal to or larger than a width of the projection part of the resist pattern before the process of etching the remaining film.例文帳に追加

レジストパターンの形成において、残膜をエッチングする工程後のレジストパターンの凸部の幅が、残膜をエッチングする工程前におけるレジストパターンの凸部の幅以上の所望の幅となることを可能とする。 - 特許庁

Etching of a semiconductor layer and formation of contact holes for connecting pixel electrodes with drain electrodes are performed in the same photolithography process and etching process when forming an element region on a substrate via a release layer.例文帳に追加

剥離層を介して基板上に素子領域を形成する際に、半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which generation of the leak current source of a capacitor can be prevented at the time of etching an etching stop insulating film, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

エッチング停止絶縁膜のエッチング時に生じるキャパシタの漏れ電流ソースを除去できる半導体メモリ装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Then, when an etching process is performed, the silicon oxide film 2 is subjected to etching treatment for removal with the contaminated metal 20b that is taken into the silicon oxide film 2.例文帳に追加

つぎにエッチング工程が実施されると、シリコン酸化膜２がエッチング処理で除去されてシリコン酸化膜２中に取り込まれた汚染金属２０ｂが一緒に除去される。 - 特許庁

When patterning the zinc oxide-based transparent conductive film by etching, the zinc oxide-based transparent conductive film is treated with water before the etching process.例文帳に追加

酸化亜鉛系透明導電膜をエッチングによりパターニングするに際し、エッチング工程より前に酸化亜鉛系透明導電膜を水で処理することを特徴とする。 - 特許庁

The master electrode 8 is put in close contact with the substrate 9 and the etching/plating pattern is directly transferred onto the substrate 9 by using a contact etching/plating process.例文帳に追加

マスター電極（８）は基材（９）と密接して置かれ、エッチング／めっきパターンが、密接エッチング／めっきプロセスを使用して直接的に基材（９）上に転写される。 - 特許庁

In an etching process, etching treatment is applied by using the resist layer 34 as a mask, and through-holes 20a, 23a are formed against respective current collector materials 31, 32.例文帳に追加

エッチング工程では、レジスト層３４をマスクとして用いてエッチング処理が施され、各集電体材料３１，３２に対して貫通孔２０ａ，２３ａが形成される。 - 特許庁

To provide a plasma treating apparatus applicable to the more fine forming and an etching method which is applicable to the more fine forming and enables to perform etching process with higher selectivity.例文帳に追加

より微細化に対応可能なプラズマ処理装置およびより微細化に対応可能でかつより選択性の高いエッチングが可能なエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor memory element capable of preventing damage of etching by protecting a tunnel insulating film exposed upon a gate pattern etching process.例文帳に追加

ゲートパターンエッチング工程の際に露出するトンネル絶縁膜を保護してエッチング損傷を防止することが可能な半導体メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The contact etching/plating process is performed in local etching/plating cells 12, 14 in closed or open cavities between the master electrode 8 and the substrate 9.例文帳に追加

密接エッチング／めっきプロセスは、マスター電極（８）と基材（９）の間の閉じた又は開いたキャビティ中の局所的なエッチング／めっきセル（１２，１４）中で実施される。 - 特許庁

The etching selectivity of the contact layer to the active layer is high and hence in a channel etching process the thickness of the active layer can be made uniform in the substrate plane.例文帳に追加

さらに、コンタクト層と活性層のエッチング選択比が大きいため、チャネルエッチングプロセスにおいて、活性層の厚さを基板面内で均一にすることが可能となる。 - 特許庁

Then, an etching process with a high frequency inert gas plasma of Ar, etc. is performed in the same processing apparatus for maintaining, for example, a vacuum state in this dry etching.例文帳に追加

次に、例えばこのドライエッチング工程における真空の状態が維持される同一処理装置内で、Ａｒ等の高周波不活性ガスプラズマによるエッチング処理を行う。 - 特許庁

To provide a plasma generator improving an in-plane uniformity while keeping a high etching rate when used for plasma etching in a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

半導体製造プロセスにおけるプラズマエッチングに使用したときに、エッチングレートを高く維持しながら、面内均一性を向上させることができるプラズマ発生装置を提供する。 - 特許庁

This structure provides full overlap between a storage node contact and an active region, resolves an overlay problem in an etching process, and increases an etching line width of a storage node.例文帳に追加

格納電極コンタクトと活性領域との間のフルオーバーラップを提供し、食刻工程でのオーバーレイ問題を解消し、格納電極の食刻線幅を増加させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which eliminates etching process and forms dual damascene wiring without having to use an etching stopper as an interlayer film.例文帳に追加

この発明は、エッチング工程を削減し、且つエッチングストッパーを層間膜に用いずにデュアルダマシン構造の配線を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The aperture 3 is formed through a dry etching step, and its aspect ratio becomes lower by broadening the reference surface through an ensuing wet chemical etching process.例文帳に追加

開口部３は、ドライエッチング工程により形成され、該開口部３のアスペクト比は続いて行われるウェットケミカルエッチング工程により基準表面部を広げることにより低くなる。 - 特許庁

The manufacturing process of the ink jet head comprises the etching step for boring nozzle holes in a filmlike resin material by wet etching using ink jet method.例文帳に追加

フィルム状の樹脂材料にインクジェット法を用いたウエットエッチング法によりノズル孔を形成するエッチング工程を有することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。 - 特許庁

Since the etching liquid composition does not contain hydrogen peroxide, the stability and the process margin can be secured, and superior taper etching profile can be obtained.例文帳に追加

本発明のエッチング液組成物は過酸化水素を含有しないので安定性と工程上マージンを確保することができ、優れたテーパエッチングプロファイルを得ることができる。 - 特許庁

In performing anisotropic etching by using an alkali etching solution, the reflection member 106 which is the mirror formed just backside of the light receiver can be formed by an extremely inexpensive process.例文帳に追加

また、アルカリエッチング液を用いて異方性エッチングを行う場合は、きわめて安価な工程で受光装置直裏面の鏡である反射部材１０６を形成できる。 - 特許庁

To enhance productivity by simplifying the production process in a method for etching a crystal based semiconductor substrate such as a single crystal silicon wafer by touching it to etching liquid.例文帳に追加

単結晶シリコンウエハなどの結晶系半導体基板をエッチング液に接触させてエッチングする方法において、製造工程を簡略化し、生産性を高める。 - 特許庁

The recess forming process comprises two steps of a step for digging each recess by dry etching, and a step for removing a surface deterioration layer of each recess inner wall, by wet etching using an acid.例文帳に追加

凹部形成工程は、ドライエッチングにより凹部を掘り下げるステップと、酸を用いたウエットエッチングにより凹部内壁の表面変質層を除去するステップの２段階からなる。 - 特許庁

The second well 109 is formed after a process for effecting wet etching of the surface of the semiconductor substrate 101 including the first well 104 or divided into before and after the etching process whereby a condition that the first well 104 is electrically conducted with the semiconductor substrate 101 upon the wet etching is obtained.例文帳に追加

第１ウェル１０４を含む半導体基板１０１の表面をウェットエッチングする工程の後に、または、その前後に分けて、第２ウェル１０９を形成することにより、ウェットエッチング時において、第１ウェル１０４と半導体基板１０１が電気的に導通している状態にする。 - 特許庁

The automatic apparatus comprises the etching process having a characteristic for using them (shown above) and the washing and drying process related to the etching treatment, indirectly integrating an action by ultrasonic vibration as the processing method in a holder separately prepared and making it operate, and the washing, drying related to the etching treatment.例文帳に追加

また、これらを使用する為の特徴を持つエッチング処理であり、この加工方法としての超音波振動による作動を、間接的別途用意したホルダーに組み、これに作動させたエッチングに関連する洗浄及び、乾燥方法と其のエッチング加工を設けた自動装置である。 - 特許庁

Since the TiN film 102 can be readily removed after anisotropic etching, it is possible to eliminate the need for additional process for removal of an etching mask which remains in eaves shape after anisotropic etching, thus realizing micromirror formation of high quality without increasing manufacturing process.例文帳に追加

ＴｉＮ膜１０２は、異方性エッチング後の除去を容易に行うことが可能なため、異方性エッチング後にひさし状に残るエッチングマスク除去のための工程を追加する必要がなく、製造工程の増加を招くことなく高品位のマイクロミラー形成が実現可能となる。 - 特許庁

By performing an etching process so that the insulating film is left only under the second auxiliary pattern, in the etching process using the silyrated first auxiliary pattern and the second auxiliary pattern as etching masks, the hard mask film is etched to form a hard mask pattern.例文帳に追加

上記絶縁膜が上記第2の補助パターンの下部にのみ残留するようにエッチング工程を行い、上記シリレーションされた第1の補助パターン及び第2の補助パターンをエッチングマスクとして用いるエッチング工程で上記ハードマスク膜をエッチングしてハードマスクパターンを形成する。 - 特許庁

The anisotropic dry etching method of copper for anisotropically performing dry etching to a copper film formed on a substrate includes: a process for performing anisotropic oxidation treatment to the copper film; and a process for performing dry etching to a copper oxide formed by oxidation treatment using an organic acid without containing any halogens.例文帳に追加

基板に形成された銅膜を異方的にドライエッチングする銅の異方性ドライエッチング方法は、銅膜に対して異方性酸化処理を施す工程と、酸化処理によって形成された酸化銅をハロゲンを含有しない有機酸によりドライエッチングする工程とを含む。 - 特許庁