「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

As a mask for forming the lamination gate of a memory cell array is used to perform an SAS etching process, another mask for the SAS etching process is unwanted and a process margin in a bit line contact region can be ensured.例文帳に追加

メモリセルアレーの積層ゲートを形成するためのマスクを用いてＳＡＳエッチング工程を行うので、別途のＳＡＳエッチング工程用のマスクを必要とせず、ビットラインコンタクト領域における工程マージンを確保することができる。 - 特許庁

To easily remove a deposited substance on the inner surfaces of a process chamber and the surfaces of constituent components of an etching device and also to aim at the enhancement of the durability of the process chamber and the constituent components of the etching device and a reduction in dusts within the process chamber.例文帳に追加

プロセスチャンバ内面および装置構成部品表面の堆積物を容易に除去できるようにするとともに、プロセスチャンバおよび装置構成部品の耐久性の向上およびプロセスチャンバ内の塵埃の減少を図る。 - 特許庁

An etching waste liquid treatment method has the process of distilling the etching waste liquid obtained after the etching processing of a material to be etched with a hydrochloric acid-containing etchant, and the process of obtaining hydrochloric acid by subjecting the distillate obtained by the distillation to reduction treatment.例文帳に追加

本発明のエッチング廃液の処理方法は、塩酸を含むエッチング液によって被エッチング材をエッチング加工した後のエッチング廃液を蒸留する工程と、蒸留して得られた留出液を還元処理して塩酸を得る工程と、を有する。 - 特許庁

The etching speed to be provided under the same condition without using a dummy wafer is stably maintained by carrying out a plasma etching process by O_2 gas by using this inductively coupled plasma etching device before a main process.例文帳に追加

本発明による誘導結合型プラズマエッチング装置を用いてＯ_2ガスによるプラズマエッチング処理を本処理前におこなうことで、ダミーウェハを用いなくても同一条件下において得られるエッチング速度を安定的に維持するを可能にした。 - 特許庁

This manufacturing method has an RIE process for etching a fine pattern on a glass master, and a process for monitoring a residual film level of a resist in the RIE process and an etched depth by RIE.例文帳に追加

ガラスマスター上に微細パターンをエッチングするＲＩＥ工程と、前記RIE工程においてレジストの残膜量とRIEによりエッチングされた深さとをモニターする工程とを有する。 - 特許庁

Further, a photoresist patterning process step and an etching process step at patterning may be eliminated and the process may be shortened by using the sol-gel material having the photosensitivity.例文帳に追加

さらに、感光性を有するゾルゲル材料を用いることによって、パターニングの際に、フォトレジストパターニング工程およびエッチング工程を無くしてプロセスを短縮できる。 - 特許庁

In the etching process, the wafer W is rotated by about 1500 rpm and the rinsing process is performed in the state of keeping this rotation speed.例文帳に追加

エッチング工程では、ウエハＷは約１５００ｒｐｍで回転され、この回転速度を保持した状態でリンス工程が行われる。 - 特許庁

The controller 126 operates the heating means 122 in the case where the dry etching process and protection film forming process are conducted to the processing work.例文帳に追加

制御部１２６は、被加工物に対してドライエッチング処理及び保護膜形成処理を行う場合に、加熱手段１２２を動作させる。 - 特許庁

The etching amount in the repair fuse opening process is drastically reduced, so the throughput in the production line is enhanced compared with the conventional repair fuse opening process.例文帳に追加

これにより、リペアヒューズ開口工程で従来に比べてエッチング量が顕著に減るので量産側面でスループットを高められる。 - 特許庁

To provide a method and a device for determining an endpoint in an alternating cyclic etching process or a time-division multiplex process.例文帳に追加

交互の周期的な、エッチングプロセス又は時分割多重プロセスの際に、終点を決定するための方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The second etching process can be performed continuously, by only changing the flow rate ratio between etching gases and the etching can be performed stably under the condition that the silicon surface is not damaged.例文帳に追加

第２のエッチング処理工程は、エッチング用のガスの流量比を変えるだけで連続して行なえ、安定した条件で、シリコン面にダメージを与えない条件でエッチング処理を行なえるようになる。 - 特許庁

To provide an etching treatment method for obtaining an accurate stepped shape without providing an etching stopper films in an interlayer insulating film when carrying out the etching treatment of the interlayer insulating film in a dual damascene process.例文帳に追加

デュアルダマシンプロセスにおける層間絶縁膜のエッチング処理に際して、層間絶縁膜内にエッチングストッパ膜を設けることなしに、正確な段差形状を得るためのエッチング処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device provided with an etching process capable of avoiding drop of an etching selection rate, in the case of being accompanied by the formation of two or more kinds of oxide films whose etching characteristics are different from each other.例文帳に追加

互いにエッチング特性が異なる２種以上の酸化膜の形成を伴う場合に、エッチング選択比の悪化を回避しうるエッチング工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method which allows low taper angle by employing an inclined structure of two steps or more in the etching sidewall, and simplification of the peeling process after etching.例文帳に追加

本発明は、エッチング側壁を２段以上の傾斜構造にしてテーパー角を低角度にするとともに、エッチング後の剥離工程を簡素化できるドライエッチング方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To obtain a plasma etching method for forming a fine contact hole having reduced aperture by limiting spreading of top diameter in etching process, and a method for forming a contact hole employing the plasma etching method.例文帳に追加

エッチングの過程におけるトップ径の拡がりを抑制し、口径が縮小された微細コンタクトホールを形成することができるプラズマエッチング方法、およびこれを用いたコンタクトホール形成方法を提供する。 - 特許庁

In a process of forming a first conductive wiring layer 11A by etching the first thin conductive film 11, an etching depth can be controlled by stopping etching with the third conductive film 13.例文帳に追加

第１の導電膜１１をエッチングすることにより導電配線層１１Ａを形成する工程では、第３の導電膜１３でエッチングがストップすることにより、エッチングの深さを制御することができる。 - 特許庁

Related to a process wherein a trench is formed by etching and then a surface of the trench is processed by plasma etching, before the plasma etching for the trench, the periphery of an opening of a mask is etched set back.例文帳に追加

エッチングによってトレンチ（溝）を形成した後にプラズマエッチングによって溝の表面を処理するプロセスにおいて、溝のプラズマエッチングの前にマスクの開口の周囲をエッチングして後退させておく。 - 特許庁

In the method and the apparatus of the etching manufacturing process of a panel, the panel is placed and fixed flatly in an etching work tank, and a sufficient and appropriate amount of etching liquid for dipping the panel is injected into the tank.例文帳に追加

パネルのエッチング製作プロセスの方法及びその装置は、パネルをエッチング作業タンク中に平置き固定し、その後タンク中にそのパネルを浸漬するに充分な適量のエッチング液を注入する。 - 特許庁

Anisotropic etching of the polysilicon layer is effected through plasma etching process, by employing an etching gas containing chlorine, oxygen and fluorine while utilizing the resist layers 16a-16c as masks to obtain a plurality of polysilicon layers 14a-14c.例文帳に追加

塩素、酸素及びフッ素を含むエッチングガスを用い且つレジスト層１６ａ〜１６ｃをマスクとするプラズマエッチング処理によりポリシリコン層を異方性エッチングして複数のポリシリコン層１４ａ〜１４ｃとする。 - 特許庁

A process for creating a close contact layer is provided with a dry etching step for etching a material for the close contact layer by using an etching gas including at least a hydrogen atom component and a nitrogen atom component.例文帳に追加

本発明は、密着層を作成する工程に、少なくとも水素原子成分及び窒素原子成分を含むエッチングガスにより密着層の材料をエッチングするドライエッチング工程を設ける。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor memory in which generation of the leak current source of a capacitor can be prevented at the time of etching an etching stop insulating film.例文帳に追加

エッチング停止絶縁膜のエッチング時に生じるキャパシタの漏れ電流ソースの発生を防止できる半導体メモリ装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that realizes a slimming processing method by plasma etching that requires no removal of resist reaction product materials by enhancing accuracy of dimensions in an etching process.例文帳に追加

エッチング工程における寸法精度を向上させ、レジスト反応生成物の除去が必要でないプラズマエッチングによるスリミング処理方法を実現する。 - 特許庁

Next, an etching resistant film 5 is brought into tight contact therewith so as to cover the superposition markers X4 and is subjected to wet process etching, by which hemispherical recessed parts 6 are formed.例文帳に追加

次に、重ね合せマーカＸ４を覆うように耐エッチングフィルム５を密着させ、湿式エッチングを行って半球状の凹部６を形成する。 - 特許庁

Etching is performed by an etching process up to the first n-GaN electrode layer 303 to create an optical waveguide 320 of a deep ridge waveguide structure.例文帳に追加

エッチングプロセスにより第１のｎ−ＧａＮ電極層３０３に至るまでエッチングを行い、ハイメサ導波路構造の光導波路３２０を作製している。 - 特許庁

The main etching process is performed from the state shown in Fig. 1 (a) using a gas including at least HBr as an etching gas under a first pressure of <13 Pa.例文帳に追加

図１（ａ）に示す状態から、エッチングガスとして、少なくともＨＢｒを含むガスを用い、１３Ｐａ未満の第１の圧力で、メインエッチング工程を行う。 - 特許庁

That is, the supply of the hydrofluoric acid L2 is stopped intermittently during the etching processing, the film thickness measuring process is performed and the end point of etching is detected.例文帳に追加

すなわち、エッチング処理の間、断続的にフッ酸Ｌ２の供給を停止して膜厚測定工程を行いエッチングの終点を検出する。 - 特許庁

The resist layer 8 is removed continuously from the formation of the via hole 9, while keeping the semiconductor substrate 1 arranged inside an etching device used in an etching process.例文帳に追加

次に、当該エッチング工程で利用したエッチング装置内に半導体基板１を配置したまま、ビアホール９形成と連続的にレジスト層８を除去する。 - 特許庁

Since the etching rate increases in the ion implantation region 3, etching is performed to a larger degree and, therefore, the substrate 1 having a shape in accordance with the ion implantation depths is completed (process(d)).例文帳に追加

イオン注入領域３では、エッチングレートが大きくなるので、大きくエッチングされ、イオン注入深さに応じた形状の基板１が完成する（ｄ）。 - 特許庁

To provide an etching apparatus capable of easily controlling an etching shape without changing a process condition or a mask condition; and a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

プロセス条件やマスク条件を変えることなく、容易にエッチング形状を制御することができるエッチング装置及び半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide an etching method and an etching process device which obtain a patterning shape which is more uniform and does not have variations due to locations on a substrate.例文帳に追加

基板上の場所によってばらつきのないより均一な膜のパターニング形状を得るエッチング方法およびエッチング処理装置、を提供する。 - 特許庁

Thereby, the number (N2) of target processing starts of the etching device is achieved by delivering lots of a required number of processing starts to the etching device of the posterior process.例文帳に追加

これによって後行工程のエッチング装置へ必要な着工数のロットを送り込むことにより、エッチング装置の目標着工数（Ｎ２）が実現される。 - 特許庁

Thereafter, a recess 13 is formed by removing, by an etching process, a part of the principal surface of the semiconductor substrate 1Sub using the photoresist pattern PR2 as an etching mask.例文帳に追加

その後、フォトレジストパターンＰＲ２をエッチングマスクとして、半導体基板１Ｓｕｂの主面の一部をエッチングにより除去して窪み１３を形成する。 - 特許庁

A floating gate electrode is formed on the first gate insulating film through a process of partly etching the first conductive film by using the oxide film pattern as an etching mask.例文帳に追加

酸化膜パターンをマスクとして使用して第１導電膜を部分的にエッチングすることで第１ゲート絶縁膜上にフローティングゲート電極が形成される。 - 特許庁

The semiconductor substrate is exposed by performing an etching process to the insulating film between the planarizing layers using the photoresist pattern and the other photoresist pattern as etching masks.例文帳に追加

フォトレジストパターン及び他のフォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて平坦化層間絶縁膜にエッチング工程を実行して半導体基板を露出する。 - 特許庁

An etching resistant mask TiN film 42a for upper electrode formation is formed on the upper surface of the Ir layer 40a and a first dry etching process is carried out.例文帳に追加

このＩｒ層４０ａの上面に上部電極形成のための耐エッチングマスクＴｉＮ膜４２ａを形成して、第１のドライエッチング工程を実施する。 - 特許庁

To provide a process for etching a barrier metal film at a temperature of about the room temperature without applying mechanical load and excessively etching copper of a necessary part.例文帳に追加

室温程度の温度で、機械的荷重をかけずに必要部分の銅を過度にエッチングすることなく、バリアメタル膜をエッチングするプロセスを提供すること。 - 特許庁

The position of the etching recessed part (21a) is accurately determined to the designed optical axis of a mirror (the center of the mirror) by a mask for etching in a semiconductor process.例文帳に追加

このエッチング凹部（２１ａ）の位置は、半導体プロセスのエッチング用マスクによってミラーの設計された光軸（ミラーの中心）に対し正確に決められている。 - 特許庁

Thereafter, the oxidized film 12 is removed from the silicon substrate 11 and isotropic etching is effected on the trenches 14 and the silicon substrate 11 in an isotropic etching process.例文帳に追加

その後、酸化膜１２をシリコン基板１１から除去し、等方性エッチング工程でトレンチ１４及びシリコン基板１１表面に等方性エッチングを行う。 - 特許庁

The photoresist image is developed on the surface of the cylindrical metallic tube which is subjected to an etching process in a controlled variable etching rate at selected sites.例文帳に追加

フォトレジスト画像は円筒形の金属チューブ材の表面に現像され、チューブ材上の各部位における制御された可変のエッチング速度が実現できる。 - 特許庁

An etching process for forming a self-aligning contact is executed by using etching selectivity between the remaining antireflection film and a layer insulation film 31.例文帳に追加

そして、この残っている反射防止膜と層間絶縁膜３１とのエッチング選択比を利用してセルフアラインコンタクトを形成するためのエッチング工程を行う。 - 特許庁

To provide a pattern-coating material which increases the etching resistance of a pattern, in a process of etching the pattern formed on a substrate with the use of the pattern as a mask.例文帳に追加

基板の上に形成されたパターンをマスクとしてエッチングをするプロセスにおいて、パターンのエッチング耐性を向上させるパターン被覆材料の提供。 - 特許庁

To provide an etching method applicable in a process of etching a silicon oxide layer or a silicon nitride layer on a silicon substrate, using etching gas which does not contain global warming gases and achieving a high selection ratio, a high aspect ratio, and a practical etching rate.例文帳に追加

シリコン基板上の酸化シリコン層または窒化シリコン層をエッチングする方法において、エッチングガスとして地球温暖化ガスを含まず、しかも高選択比、高アスペクト比、及び実用的なエッチング速度が得られるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing flash memory device with which a cell area can be miniaturized and highly integrated by making an etching process for defining a floating gate into anisotropic etching process.例文帳に追加

フローティングゲートを定義するためのエッチング工程を非等方性エッチング工程とすることにより、セル面積を最小化し且つ高集積化できるようにしたフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

In the second etching process, a resist film is formed to cover the upper and the side surfaces of the second and the third conductive wiring layers which have already been patterned in the first etching process.例文帳に追加

第２のエッチング工程では、第１のエッチング工程においてすでにパターニングされた第２及び第３の導電性配線層の上面及び側面を被覆するようにレジスト膜が形成される。 - 特許庁

Furthermore, because the optical microscope 15 is out of a vacuum chamber, when an ion etching process of the sample 6 is carried out, no stain caused by particles dispersed from the sample in the ion etching process is formed on a lens of the optical microscope 15.例文帳に追加

また、試料６のイオンエッチングの際には光学顕微鏡１５が真空チャンバ外にあるので、イオンエッチングによって試料から飛散した粒子で光学顕微鏡１５のレンズが汚れることはない。 - 特許庁