「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The layer with a relatively large amount of aluminum becomes an etching stop layer in the etching process.例文帳に追加

エッチングを行なう工程では、アルミニウムを相対的に多く含む層がエッチングストップ層となることを特徴としている。 - 特許庁

In a first main etching process, the Ti/TiN film membrane is subjected to selective tungsten-etching so that a tungsten plug can be formed.例文帳に追加

第１の主エッチングではＴｉ／ＴｉＮ膜質に対して選択的にタングステンにエッチングしてタングステンプラグを形成する。 - 特許庁

In a first plasma etching process, just etching is carried out by a mixed gas of sulfur hexafluoride, chlorine, and methane bifluoride.例文帳に追加

第１プラズマエッチング工程では、六フッ素化硫黄と塩素と二フッ化メタンの混合ガスを用いてジャストエッチングを行なう。 - 特許庁

In the manufacturing method of an aluminum electrode foil for electrolytic capacitors, a cleaning process for cleaning an etching foil of each electrolytic capacitor by a cleaning liquid is performed, after an etching process for its aluminum foil and before an post-processing for forming a post-processing coating on the surface of its etching foil.例文帳に追加

アルミニウム箔に対するエッチング工程の後、エッチング箔表面に後処理皮膜を形成する後処理工程の前に、エッチング箔を洗浄液で洗浄する洗浄工程を行う。 - 特許庁

An exposed portion of the insulation layer 11 corresponding to an aperture 13a of a mask layer 13 is etched with the reactive ion etching, an element remaining in the process atmosphere after this reactive ion etching process is then eliminated and thereafter further etching is conducted with the sputter etching process to form a through hole.例文帳に追加

マスク層１３の開口１３ａに対応する絶縁層１１の露出部分を反応性イオンエッチングによってエッチングし、次いでこの反応性イオンエッチング後に処理雰囲気中に残留する成分を除去した後、スパッタエッチングによってさらにエッチングして貫通させる。 - 特許庁

Even if a plurality of etching treatment processes are not carried out, the side etching can be prevented by effecting the coating treatment process between the first etching treatment process and the second etching treatment process, so that a plurality of processed layers can be formed in a desired shape by a smaller number of man-hours.例文帳に追加

第１エッチング処理工程と第２エッチング処理工程との間に、被覆処理工程を設けることによって、エッチング処理工程を複数回行わなくても、サイドエッチを防止することができ、少ない工数で、複数の被処理層を所望の形状に形成することができる。 - 特許庁

The inkjet recording head manufacturing method restrains membrane cracking by reducing damage given to a membrane by an etching solution by reducing an etching rate in an anisotropic etching process in a final etching phase by varying the temperature or the concentration of the etching solution.例文帳に追加

異方性エッチング工程でのエッチングレートを、エッチング液温度またはエッチング液濃度を変化させることにより、エッチング最終段階で遅くして、エッチング液がメンブレン膜に与えるダメージを小さくして、メンブレン割れを抑制する。 - 特許庁

In addition, the sheet does not require an irradiation process and a thermosetting process to the resist ink layer after thermal transfer and enables an etching process to be performed immediately after the formation of a resist ink pattern.例文帳に追加

前記熱転写シートは、基材の上にスチレンマレイン酸系樹脂を主成分とするレジストインク層が設けられたものである。 - 特許庁

SUBSTRATE HOLDER, ETCHING PROCESS OF SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM例文帳に追加

基板ホルダ及び基板のエッチング方法及び磁気記録媒体の製造方法 - 特許庁

By using the activated process gas, etching of the plurality of wafers 5 is perfomed in batch.例文帳に追加

活性化したプロセスガスで複数のウェーハ５のエッチングを一括して行なう。 - 特許庁

To subject a wiring layer surely to an etching process protecting its rear surface against damage.例文帳に追加

配線層の裏面を確実に保護しつつ、配線層のエッチング加工を行う。 - 特許庁

To provide a process for controlling a substrate processing operation such as a plasma etching operation.例文帳に追加

プラズマエッチング動作などの基板処理動作を制御するプロセスを提供する。 - 特許庁

Subsequently, a buffer oxide film 124 is removed by using a wet or dry etching process.例文帳に追加

その後、バッファ膜１２４はウェットまたはドライエッチング工程を用いて除去する。 - 特許庁

The layer 5 exposed after this process is removed by dry etching.例文帳に追加

この工程の後に露出したエッチングストップ層５を、ドライエッチングにより除去する。 - 特許庁

DEVICE FOR PREVENTING PLASMA FROM ETCHING WAFER CLAMP IN SEMICONDUCTOR PROCESS例文帳に追加

半導体工程においてプラズマのウエハークランプに対するエッチングを予防する装置 - 特許庁

In a process S108, plasma ashing for removing etching residues is started.例文帳に追加

工程Ｓ１０８では、エッチング残さを除去するためのプラズマアッシングを開始する。 - 特許庁

Then, the SiO_2 film 14 is removed by etching (SiO_2 film removal process).例文帳に追加

ついで、エッチングにより、ＳｉＯ__２膜１４を除去する（ＳｉＯ_２膜除去工程）。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by the use of an etching technique capable of ensuring a sufficient etching selection ratio between an etched layer and an etching stop film in a dry etching process.例文帳に追加

ドライエッチング工程において、エッチングすべき層と、その下のエッチングストッパ膜との十分な選択比を確保することが可能なエッチング技術を用いて半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The data on this etching conversion difference is fed back to the etching process for a semiconductor wafer of the next lot, and setting of conditions for etching operation is regulated so that the etching conversion difference is lessened.例文帳に追加

そして、このエッチング変換差のデータを次のロットの半導体ウェーハについてのエッチング工程にフィードバックさせて、そのエッチング変換差が減少するようにエッチング作業条件の設定を調整する。 - 特許庁

Further, after the power feeding layer etching process, the method includes a resist removal process for insulating film protection of removing the resist.例文帳に追加

さらに、該給電層エッチング工程後、該レジストを除去する絶縁膜保護用レジスト除去工程を備える。 - 特許庁

The surface of the active layer 11 of a silicon wafer W is subjected to an epitaxial growth process and an etching process simultaneously.例文帳に追加

シリコンウェーハＷの活性層１１ｂの表面に対して、エピタキシャル成長とエッチングとを同時に施す。 - 特許庁

To realize a plasma processing method in which a selection can be made arbitrarily between etching process and deposition process during plasma processing.例文帳に追加

プラズマ処理中に任意にエッチング処理とデポジション処理とを選択できるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technology which improves the process accuracy in the etching process of forming pores or trenches.例文帳に追加

孔または溝を形成するエッチング工程での加工精度を向上することのできる技術を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method includes a process S101 for forming an etching mask material by a lithography process on a silicon substrate, a process S102 for forming a slit in the etching mask material by cutting the etching mask material formed on the silicon substrate by focused ion beam and a process S104 for forming a groove in a slit portion formed in the etching mask material by etching.例文帳に追加

電子部品の製造方法は、シリコン基板上にリソグラフィ工程によってエッチングマスク材を形成する工程Ｓ１０１と、シリコン基板上に形成されたエッチングマスク材を集束イオンビームで切断してエッチングマスク材にスリットを形成する工程Ｓ１０２と、エッチングによってエッチングマスク材に形成されたスリット部分に溝を形成する工程Ｓ１０４とを含む。 - 特許庁

This analysis method of the quartz member has the first process for etching by supplying etching liquid to the quartz member, and the second process for analyzing a metal in the etching liquid used in the first process; and has the characteristic that the supplying of the etching liquid in the first process is performed into a recessed etching liquid holding part formed on the quartz member.例文帳に追加

石英部材にエッチング液を供給してエッチングする第１の工程と、前記第１の工程で用いた前記エッチング液中の金属を分析する第２の工程と、を有する石英部材の分析方法であって、前記第１の工程の前記エッチング液の供給は、前記石英部材に形成された凹状のエッチング液保持部にされることを特徴とする石英部材の分析方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes an etching process stage of etching the low permittivity insulating film formed on a substrate, a CO_2 plasma process stage of exposing the substrate to the CO2 plasma after the etching process stage, and an ultraviolet process stage of irradiating the low permittivity insulating film with ultraviolet rays after the CO_2 plasma process stage.例文帳に追加

基板に形成された低誘電率絶縁膜をエッチングするエッチング処理工程と、当該エッチング処理工程の後に基板をＣＯ_2プラズマに晒すＣＯ_2プラズマ処理工程と、ＣＯ_2プラズマ処理工程の後に、低誘電率絶縁膜に紫外線を照射する紫外線処理工程とを有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a forming die for forming a micro-lens array sheet comprises a resist film forming process, an exposure/development process, an etching process and a resist film removal process.例文帳に追加

マイクロレンズアレイシート形成用成形型の製造方法は、レジスト膜形成工程と、露光・現像工程と、エッチング工程と、レジスト膜の除去工程とを備えている。 - 特許庁

The mount 10 and its locaters 14 are manufactured in a low-cost method, such as a chemical etching, stamping, a boring process, a bending process, an embossing process, or forming process.例文帳に追加

台座１０およびそのロケータ１４は、低コストの方法で、例えば化学的エッチング，スタンピング，穿孔加工，折り曲げ加工，エンボス加工または形成加工により製造される。 - 特許庁

After that, a partial etching process of flattening the surface of the wafer W by partially etching it with active seed gas G by SF6 gas in a partial etching device 2 is carried out.例文帳に追加

しかる後、局部エッチング装置２においてウエハＷ表面をＳＦ6ガスに因る活性種ガスＧで局部エッチングして平坦化する局部エッチング工程を実行する。 - 特許庁

To solve the problem of the conventional passivation method in the vicinity of a semiconductor bonding pad that, whichever the etching time of a polyimide film may be long or short, it causes a trouble in wire bonding, and the margin of the etching time is small in the etching process of the polyimide film, failure rate is high.例文帳に追加

従来の半導体のボンディングパッド付近のパッシベーション方法は、ポリイミド膜のエッチング時間が長くても短くてもワイヤボンディングに支障をきたす。 - 特許庁

To provide a method and a device capable of exactly obtaining an etching degree during and/or after an etching process independently of an etching method of a material.例文帳に追加

材料のエッチング方法に関係なく、エッチング工程の間および／または後にエッチングの程度を正確に求めることができる方法および装置を提供する。 - 特許庁

In the etching method, cerium (TV) nitrate ammonium is replenished into the etching solution in the process of etching in such a manner that the weight ratio of quadrivalent cerium to hexavalent chromium is controlled to ≥17.例文帳に追加

エッチング中のエッチング液に６価クロムに対する４価セリウムの重量比が１７以上となるように硝酸第二セリウムアンモニウムを補給するエッチング方法。 - 特許庁

When etching gas plasma is formed on the boards 7, and the respective boards 7 are subjected to an etching process, the difference between the etching speed in the outer peripheral part of each board 7 and that at the center part thereof is reduced.例文帳に追加

基板７上にエッチングガスプラズマを形成し、各基板７をエッチング処理する際に、各基板７の外周部分と中央部分のエッチング速度の差が小さくなる。 - 特許庁

The method of manufacturing the piezoelectric resonator includes a base side wafer measurement process S3, a load capacity value calculation process S4, a cover side wafer measurement process S5 and an etching process S7 in the previous process of a layout junction process S8.例文帳に追加

圧電共振子の製造方法は、配置接合プロセスＳ８の前工程に、基体側ウェハ測定プロセスＳ３と負荷容量値演算プロセスＳ４と蓋体側ウェハ測定プロセスＳ５とエッチングプロセスＳ７とを含む。 - 特許庁

The cleaning sequence of the etching residue removing method conducts a first water cleaning process 11, a first drying process 12, a peeling solution process 13, a rinse process 14, a second water cleaning process 15, and a second drying process 16.例文帳に追加

エッチング残渣除去方法の洗浄シーケンスでは、第１の水洗処理１１、第１の乾燥処理１２、剥離液処理１３、リンス処理１４、第２の水洗処理１５、及び、第２の乾燥処理１６を行う。 - 特許庁

To provide a dry etching apparatus, with which information effective for an actual plasma etching process can be monitored more precisely and which is of high reliability.例文帳に追加

実際のプラズマエッチングプロセスに有効な情報をより正確にモニタリングできる高信頼性のドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To fundamentally prevent wafer damage in the separation of a wafer where etching has been completed in a process for etching a wafer back.例文帳に追加

ウェーハ背面をエッチングする工程で、エッチング終了ウェーハの分離時におけるウェーハ損傷の恐れを根本的に防止する。 - 特許庁

To provide a plasma etching apparatus which can surely remove remaining chlorine adhered to the front surface of a substrate to be etched during an etching process.例文帳に追加

エッチング時に被エッチング基板の表面に付着した残留塩素を確実に除去できるプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

Consequently, the etching away of the processed layer A3 from the side face can be prevented in a second etching treatment process.例文帳に追加

これによって、第２エッチング処理工程において、被処理層Ａ３が前記側面からエッチングされることを防止することができる。 - 特許庁

To prevent the variation of an etched depth in an etching process where the etching of the depth less than the thickness of a film to be etched is conducted.例文帳に追加

被エッチング膜の厚さよりも小さい深さのエッチングを行うエッチング加工におけるエッチング深さのばらつきを抑える。 - 特許庁

To provide a process by which stable productivity can be obtained by reducing aged change of etching property, in the etching of silicon.例文帳に追加

シリコンのエッチングにおいて、エッチング特性の経時変化を低減させ、安定した生産性が得られるプロセスを提供する。 - 特許庁

Then, by the second etching process, the polishing stop layer and the metal layer are etched using the covered layer 18A as an etching mask.例文帳に追加

次に、第２のエッチング工程により、被覆層１８Ａをエッチングマスクとして用いて研磨停止層および金属層をエッチングする。 - 特許庁

The third stage is performed by a wet etching process, and the fourth stage is performed by laser beam work or reactive ion etching.例文帳に追加

第３段階は湿式蝕刻工程によりなされ、第４の段階はレーザービーム加工または反応性イオン蝕刻によりなされる。 - 特許庁

To improve etching rate in uniformity within the surface of a substrate in the etching process of removing an oxide film from the substrate.例文帳に追加

基板の酸化膜除去をドライエッチングで行う場合において、基板面内におけるエッチングレートの均一性を向上させる。 - 特許庁

To provide a plasma etching method capable of stably executing each process and precisely processing a base material to be processed when the base material to be processed by repeating alternately a deposition process and an etching process.例文帳に追加

デポジッション工程とエッチング工程とを交互に繰り返すことで被加工基材をエッチングする場合、各工程を安定して実行でき、被加工基材を正確に加工できるプラズマエッチング法を提供する。 - 特許庁