「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The notches 12 are formed in an etching process for forming the patterns 11 (half etching), which eliminates the need for another process for forming the notches.例文帳に追加

また、切り欠き１２は、パターン１１を形成するためのエッチング工程（ハーフエッチング）で形成されたものであるので、切り欠きを形成するための別工程が不要となる。 - 特許庁

To manufacture a liquid ejector through a simple process without etching a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板のエッチングを行うことなく、簡素な工程で安価に製造する。 - 特許庁

To improve etching resistance by increasing a resist film thickness in a lithography process step.例文帳に追加

リソグラフィ工程において、レジスト膜厚を厚くしてエッチング耐性を向上させる。 - 特許庁

The microspacer is formed from the metal sheet with the uiniform thickness by the etching process.例文帳に追加

マイクロスペーサーは、均一の厚みを有する金属シートからエッチング法で作製する。 - 特許庁

To process an ink supply port, etc. with high accuracy by etching a silicon anisotropically.例文帳に追加

シリコンの異方性エッチングによってインク供給口等を高精度に加工する。 - 特許庁

When the etching process advances to some degree, the corrosion-proof film in the side of +Z axis is removed and thereafter a part with side surface residues of vibration leg are removed with the wet etching process.例文帳に追加

ある程度エッチングが進んだら、＋Ｚ軸側の耐食膜を除去した後、さらにウエットエッチング加工を行って振動脚の側面残渣の発生部分を除去する。 - 特許庁

To provide a method to determine a resist trimming time in an etching process.例文帳に追加

エッチングプロセスにおけるレジストトリミング時間を決定するための方法を提供する。 - 特許庁

ETCHING PROCESS FOR PRODUCING SILICON HAVING SUBSTANTIALLY NO UNDERCUT ON INSULATOR STRUCTURE例文帳に追加

実質的にアンダカットのないシリコンを絶縁体構造上に作製するエッチング工程 - 特許庁

To develop a screening test method for the quality of a semiconductor device substrate during etching process.例文帳に追加

半導体デバイス基板のエッチング過程の品質のスクリーニング試験法を開発する。 - 特許庁

Then a process of cleaning a silicon substrate surface by dry etching is carried out (S20).例文帳に追加

次いで、シリコン基板表面をドライエッチによりクリーニングする処理を行う（Ｓ２０）。 - 特許庁

To provide a dry etching process for suitably and selectively etching silicon nitride from a conductive oxide material in order to use in a semiconductor fabrication process.例文帳に追加

半導体製造プロセスにおいて使用するために、導電性酸化物材料から窒化シリコンを好適に選択的にエッチングするドライエッチングプロセスを提供すること。 - 特許庁

A gas, containing a halogen compound gas, is used as a process gas in plasma etching.例文帳に追加

プラズマエッチングの際、プロセスガスとしてハロゲン間化合物ガス等を含むガスを使用する。 - 特許庁

Using a normal silicon process such as lithography and etching, an SOI substrate is subjected to a process of lithography and wet etching with a hydrofluoric acid for forming a silicon bridge.例文帳に追加

リソグラフィーとエッチングという通常のシリコン・プロセスを用いて、ＳＯI基板に対し、リソグラフィーを用いた加工とフッ酸によるウェット・エッチングを行うことで、シリコン・ブリッジを形成する。 - 特許庁

Thereafter, the metal plate 40 undergoes an etching process to have the circuit 36.例文帳に追加

その後、金属板４０に対してエッチング処理を施して、回路３６を形成する。 - 特許庁

After the steam is added, the process gas is supplied to an atmospheric pressure plasma etching system 30.例文帳に追加

水蒸気添加後の処理ガスを常圧プラズマエッチング装置３０へ供給する。 - 特許庁

The etching mask 26a is used to process the IrO2 film 22 and form a top electrode 22a.例文帳に追加

エッチングマスクを用いてＩｒＯ_2 膜を加工し、上部電極２２ａを形成する。 - 特許庁

DRY ETCHING PROCESS USING SELECTIVE POLYMER MASK FORMED BY CO GAS例文帳に追加

ＣＯガスによって形成された選択的ポリマーマスクを使用する乾式エッチング方法 - 特許庁

The process of patterning the lower electrode layer 42 includes a process of etching the lower electrode layer 42 by using a mixed etching gas which contains a chlorine-based gas and an oxygen-based gas.例文帳に追加

下部電極層４２をパターニングする工程は、下部電極層４２を、塩素系ガスと酸素系ガスとを含む混合エッチングガスを用いてエッチングする工程を有する。 - 特許庁

The conductive layer 16 of the annulation 18 is removed by etching process.例文帳に追加

さらに、蝕刻（エッチング）工程により、環状部１８の導電層１６を除去する。 - 特許庁

To provide a stable process by restraining discharge of those other than the process and eliminating power losses and abnormal discharges, and to provide a dry etching apparatus for improving an etching rate.例文帳に追加

プロセス以外の放電を抑え、パワーロスや異常放電をなくし安定したプロセス及びエッチングレートを向上させることのできるようにしたドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

The hard mask film is partially etched by an etching process using a photoresist pattern formed by performing the exposure process, a damascene trench is formed by progressing the etching process with the hard mask film 104 as an etching mask to sequentially perform a partial etching on the trench oxide film 103, the etching preventive film 102, and the interlayer insulating film 101.例文帳に追加

露光工程を実施して形成されるフォトレジストパターンを用いたエッチング工程によって前記ハードマスク膜を部分エッチングし、ハードマスク膜１０４をエッチングマスクとして用いたエッチング工程を進行して、トレンチ酸化膜１０３、エッチング防止膜１０２および間絶縁膜１０１を順次部分エッチングしてダマシントレンチを形成する。 - 特許庁

The process for forming the groove 12a in the non-magnetic layer includes a process for executing taper etching to the non-magnetic layer by reactive ion etching which uses an etching gas including at least BCl_3 and N_2 out of BCl_3, Cl_2, and N_2.例文帳に追加

非磁性層に溝部１２ａを形成する工程は、ＢＣｌ_３、Ｃｌ_２、Ｎ_２のうち少なくともＢＣｌ_３とＮ_２を含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングによって、非磁性層をテーパエッチングする工程を含む。 - 特許庁

To provide etching liquid capable of reducing variation in etching rate in the (211) face orientation of a silicon substrate at the time of wet etching the silicon substrate, and to provide its production process and a manufacturing process of a liquid ejection head.例文帳に追加

シリコン基板をウェットエッチングする際に、シリコン基板の（２１１）面方位のエッチングレートのばらつきを低減することができるエッチング液及びその製造方法、並びに液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide etching liquid capable of reducing variation in etching rate in the (100) face orientation of a silicon substrate at the time of wet etching the silicon substrate, and to provide its production process and a manufacturing process of a liquid ejection head.例文帳に追加

シリコン基板をウェットエッチングする際に、シリコン基板の（１００）面方位のエッチングレートのばらつきを低減することができるエッチング液及びその製造方法、並びに液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

A side wall product is provided to the second polysilicon electrode by the anisotropic etching process, and the anisotropic etching process is stopped before an enough side wall product is formed on an etching residue below the overhang of the first polysilicon electrode.例文帳に追加

この異方性エッチングは、第２ポリシリコン電極に側壁生成物を生成し、第１ポリシリコン電極のひさし下のエッチング残存物に充分な側壁生成物が生成されない時点で完了する。 - 特許庁

A trench for wiring is micromachined in two stages; a process for selectively etching an organic-based embedded layer 35 at the initial stage of etching by introducing the etching gas into a plasma atmosphere by using the etching gas containing a nitrogen atom; and a process for micromachining the trench for wiring by introducing the etching gas into the plasma atmosphere using the etching gas containing fluorocarbon gas.例文帳に追加

窒素原子を含むエッチングガスを用い、このエッチングガスをプラズマ雰囲気中で導入してエッチング初期に有機系の埋込層３５を選択的にエッチングする工程と、フロロカーボンガスを含むエッチングガスを用い、このエッチングガスをプラズマ雰囲気中で導入して配線用のトレンチを微細加工する工程との二段階で配線用のトレンチを微細加工する。 - 特許庁

To provide a device and etching method therefor with which the controllability and productivity of an etching process are improved by having the etching rate improved, while the concentration of the etchant used is maintained constant during the etching process.例文帳に追加

エッチング工程の遂行時、エッチング液の濃度を一定に維持し、エッチング率が向上させて工程制御及び生産性が向上させる半導体素子製造用湿式エッチング装置及びこれを利用した半導体素子の湿式エッチング方法を提供する。 - 特許庁

The etching method includes: a layer formation process for forming an etching gas layer including an etching material activated chemically by irradiation of light on the body to be treated; and a light irradiation process for applying the light to an interface between the body to be treated and the etching gas layer.例文帳に追加

光の照射を受けて化学的に活性化するエッチング材料を含んだエッチングガス層を被処理体上に形成する層形成工程と、前記被処理体と前記エッチングガス層との界面に前記光を照射する光照射工程とを含む。 - 特許庁

Then the silicon compound is etched at a high speed, under a condition suitable for the formation of sidewalls 7 in a first etching process, and when a etching time measured in advance has elapsed immediately before the silicon surface of the compound is exposed, the etching of the compound 16 is switched to a second etching process.例文帳に追加

このシリコン化合物を、第１のエッチング処理工程で、高速でサイドウォール１７の形成に適した条件でエッチング処理し、シリコン面が露出する直前で、あらかじめ測定したエッチング時間が経過すると第２のエッチング処理工程に切り換える。 - 特許庁

An anisotropic etching groove portion 10 in the drilled hole 9 is formed in a crystalline anisotropic etching process, then an isotropic etching process is selectively applied to the ion injection portion from the bottom side, and thereby, an isotropic selection etching groove portion 11 is formed.例文帳に追加

そして、穿設孔９の異方性エッチング溝部１０を結晶異方性のエッチング加工によって形成した後に、その底部側からイオン注入部位に等方性のエッチング加工を選択的に施すことにより、等方性選択エッチング溝部１１を形成する。 - 特許庁

In the process of forming the concave portions, etching is conducted, in such a manner that deposition is suppressed by making the etch rate of the substrate from half to twice the etching rate of the mask in a final stage of etching and then etching is finished.例文帳に追加

凹部を形成する工程においては、少なくとも最後に基板のエッチング速度をマスクのエッチング速度の半分〜２倍とすることによりデポジションを抑制しながらエッチングを行ったところでエッチングを終了する。 - 特許庁

The supporting sections 20 and void sections 21 are formed by etching the substrate 1 through an etching process in which at least one isotropic etching step is performed prior to at least one anisotropic etching step.例文帳に追加

尚、支持部２０及び空隙部２１は少なくとも一回の等方性エッチング工程が少なくとも一回の異方性エッチング工程に先行してなるエッチング工程による基板１のエッチングによって作製される。 - 特許庁

In the process of forming the concave portions, etching is conducted, in such a manner that deposition is suppressed by making the etch rate of the substrate from half to twice the etching rate of the mask in a final stage of etching and then etching is finished.例文帳に追加

凹部を形成する工程においては、少なくとも最後に基板のエッチング速度をマスクのエッチング速度の半分〜２倍とすることによりデポジションを抑制しながらエッチングを行ったところでエッチングを終了する。 - 特許庁

After the lamination, a cushion material 100 is peeled and the molding banks 33, 34 are removed with the dissolving process and etching process or the like.例文帳に追加

積層後、クッション材１００を剥離し、成型堤防３３、３４を溶解加工、エッチング加工等によって除去する。 - 特許庁

It is preferable that the upper surfaces of the projecting parts are previously subjected to a sandblasting process or previously subjected to an etching process.例文帳に追加

凸部の上表面が予めサンドブラスト処理されているか、あるいは予めエッチング処理されていることが好ましい。 - 特許庁

To provide a method for forming an entirely new projecting and recessed pattern without necessitating an etching process or an embossing process using a form.例文帳に追加

エッチング工程や型によるエンボス工程を必要としない全く新しい凹凸パターンの形成方法を提供。 - 特許庁

SILICON WET ETCHING PROCESS USING PARYLENE MASK AND METHOD FOR PRODUCING NOZZLE PLATE OF INK JET PRINTHEAD USING THIS PROCESS例文帳に追加

パリレンマスクを用いたシリコン湿式エッチング方法及びこの方法を用いたインクジェットプリントヘッドのノズルプレートの製造方法 - 特許庁

To prevent the decrease of the throughput and reliability of electrodes caused by a lithography process and an etching process when the electrodes are formed.例文帳に追加

電極形成の際、リソグラフィ工程及びエッチング工程に伴うスループット及び信頼性の低下を防止すること。 - 特許庁

In the patterning method of impurity doped indium oxide thin film, the patterning method includes: a process for etching the impurity doped indium oxide thin film in a dry etching method; and a process for etching the impurity doping indium oxide thin film, which was subjected to the dry etching method, in a wet etching method.例文帳に追加

不純物ドープ酸化インジウム薄膜のパターニング方法において、ドライエッチング法により該不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程と、ウェットエッチング法により前記ドライエッチング法を行った不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程とを行うパターニング方法を用いる。 - 特許庁

A process to carry out the hole etching or the trench etching of silicon so as to substantially expose at least the silicon on the bottom surface of an etched part and a process to form a silicon oxide film on a silicon structure formed in the process to carry out the hole etching or the trench etching by a CVD method are carried out.例文帳に追加

エッチングされた部分の少なくとも底面のシリコンが実質的に露出するようにシリコンをホールエッチング又はトレンチエッチングをする工程と、そのホールエッチング又はトレンチエッチングをする工程により形成されたシリコン構造体上にＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成する工程を行う。 - 特許庁

The plurality of capacitors can be formed without carrying on an etching (lithography) process.例文帳に追加

多数のキャパシタをエッチング（リソグラフィ）プロセスを行うことなく形成することが可能となる。 - 特許庁

To form the circuit pattern of an extremely fine conductive film without carrying out any etching process.例文帳に追加

エッチング工程を行うことなく極めて微細な導電膜の回路パターンを形成する。 - 特許庁

Furthermore, the method has a process of etching the substrate (10) after shaping the first layer (13).例文帳に追加

さらに、第１の層（１３）を加工後に、前記基材（１０）をエッチングする工程を有する。 - 特許庁

To shorten a process cycle time by efficiently etching a channel part etc., of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置のチャネル部分等のエッチングを効率化し処理タクトを短縮する。 - 特許庁

The insulating film 1 may be desirably dissolved and removed by an etching process.例文帳に追加

絶縁性フィルム１の除去は、エッチング処理による溶解除去であることが好ましい。 - 特許庁