「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

These composition and process are provided which are particularly suitable for the removal of polymeric residues from an electronic device after the plasma etching process.例文帳に追加

これらの組成物およびプロセスは、プラズマエッチングプロセスの後にポリマー性残滓を電子デバイスから除去するのに特に好適である。 - 特許庁

To reutilize wastewater of an etching process and wastewater of an alkali process in the processes by inexpensive equipment.例文帳に追加

本発明は、エッチング工程排水及びアルカリ系工程排水を安価な設備で工程内で再利用することを課題とする。 - 特許庁

Consequently, a manufacturing process of the reflection member 106 becomes a simple and inexpensive process only for etching the backside of the substrate and forming a film.例文帳に追加

これにより、反射部材１０６の製造工程は基板裏面をエッチングし成膜するだけと単純で安価な工程となる。 - 特許庁

An etching detection layer 3 for detecting an end point of etching in the opening process is formed to contact the protective film 4.例文帳に追加

そして、開口工程におけるエッチングの終点を検出するためのエッチング検出層３が保護膜４と接するように形成されている。 - 特許庁

To provide an etching nozzle and an etching device that process a workpiece surface into a desired profile efficiently by making a less number of scans.例文帳に追加

被加工物表面をより少ない回数の走査で所望のプロファイルに効率良く加工するエッチングノズル及びエッチング装置を提供する。 - 特許庁

In a method for detecting a dry etching endpoint, spectral analysis of plasma-emitted light is used in a dry etching process of a contact hole or the like.例文帳に追加

ドライエッチング終点検出方法であって、コンタクトホール等のドライエッチング工程において、プラズマ発光のスペクトル分析を利用するものである。 - 特許庁

Therefore, an etching mask is formed, and etching can be carried out, without the use of a patterning process by a lithography technique.例文帳に追加

そのため、リソグラフィ技術によるパターニング処理を必要とせずにエッチングマスクの形成、エッチングを行うことが出来ることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a technique capable of effecting a uniform etching process upon applying plasma processing or etching processing, for example, on a workpiece.例文帳に追加

被処理体に対してプラズマ処理例えばエッチング処理を行うにあたり、均一なエッチング処理を行うことができる技術を提供すること。 - 特許庁

In the pre-process, an etching treatment is carried out but the coating layer is not attached by an etching liquid and a part other than the coating layer 2 is only etched.例文帳に追加

前工程のなかで、エッチング処理を行うが、塗料層２はエッチング液に侵されず、塗料層２以外の部分のみがエッチングされる。 - 特許庁

To provide an etching process of a semiconductor improved such that etching level difference of a diffusion layer can be increased.例文帳に追加

拡散層のエッチング段差を大きくすることができるように改良された半導体のエッチング方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

METHOD OF FEATURING DEFECT ON SILICON SURFACE, ETCHING COMPOSITE FOR SILICON SURFACE AND PROCESS OF TREATING SILICON SURFACE BY ETCHING COMPOSITE例文帳に追加

シリコン表面上の欠陥を特徴付ける方法、シリコン表面用のエッチング組成物、およびシリコン表面をエッチング組成物で処理するプロセス - 特許庁

Disclosed are a method for producing a multilayer film utilizing a production process using an etching technique, and an etching film production device therefor.例文帳に追加

本発明はエッチング技術を使った製造工程を利用した多層膜の製造方法及びそのエッチング膜製造装置に関するものである。 - 特許庁

In the process (c), the first etching-resistant film 32 is formed by diffusing atoms constituting the first etching-resistant film 32 into the substrate 10.例文帳に追加

（ｃ）工程で、第１の耐エッチング膜３２を構成する原子を基板１０に拡散させることによって、第１の耐エッチング膜３２を形成する。 - 特許庁

To provide a toner carrier roller that can be manufactured without turning of metal layer, or without an etching process which produces etching waste liquid.例文帳に追加

金属層の旋削加工や、エッチング廃液を発生させるエッチング処理を行うことなく製造することが可能なトナー担持ローラを提供する。 - 特許庁

In a backside etching process for flattening a light-receiving surface of a semiconductor substrate and a backside opposite thereto by wet etching, an etching liquid out of a region where the semiconductor substrate is immersed in the etching liquid is sprayed to the backside while the semiconductor substrate is being immersed in the etching liquid with the light-receiving surface covered.例文帳に追加

半導体基板の受光面と反対側の裏面を湿式エッチングにより平坦化する裏面エッチング工程において、受光面を被覆して半導体基板をエッチング液中に浸漬させた状態で、半導体基板が浸漬している領域外にあるエッチング液を裏面に噴き付ける。 - 特許庁

The ashing process step ST4 of removing the resist mask 400 is performed every time the etching process step ST3 is performed and the etching process step ST3 and the ashing process step ST4 are continuously performed without removing the substrate 10b from a chamber with the same treating equipment.例文帳に追加

エッチング工程ＳＴ３を行うたびにレジストマスク４００を除去するアッシング工程ＳＴ４を行うが、エッチング工程ＳＴ３とアッシング工程ＳＴ４については、同一の処理装置で基板１０ｂをチャンバーから出すことなく連続して行う。 - 特許庁

Isotropic etching is used so as to form the projected part whose side surface is inclined in the first process.例文帳に追加

第１の工程では、側面が傾斜した凸部を形成するために、等方性エッチングを用いる。 - 特許庁

To provide an etching process capable of highly accurately processing a fine structure using a plastic substrate.例文帳に追加

プラスチック基板を用いて微細な構造物を高精度に加工可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The Si ring 16 is worn and deteriorated when the plasma discharge time is accumulated with the etching process.例文帳に追加

Ｓｉリング１６は、エッチング処理によりプラズマ放電時間が累積されると、摩耗劣化してくる。 - 特許庁

A process, in which the inside of a trench 2 is etched by varying the etching rate for Si, is provided.例文帳に追加

この方法は、トレンチ２内をＳｉのエッチング速度を変えてエッチングする工程を備える。 - 特許庁

A recessed part 102 and the torsion bar 103 are worked by an etching process from one face of the substrate.例文帳に追加

基板の一面からのエッチング工程により、凹部１０２とトーションバー１０３が加工される。 - 特許庁

As a result, active attack is restrained from occurring in the etching process upon the formation of the gate for example.例文帳に追加

その結果、たとえばゲート形成時のエッチング工程でアクティブアタックが発生するのを抑える。 - 特許庁

To highly accurately process a minute structure of a high aspect ratio into material to be processed through wet etching.例文帳に追加

ウエットエッチングにより微細で高アスペクト比の構造を被加工材料に高精度に加工する。 - 特許庁

During the process of making aluminium wiring 2a into a sequentially tapered shape, only chlorine is used as an etching gas.例文帳に追加

アルミニウム配線を順テーパ状にする工程では、エッチングガスとして塩素のみを用いる。 - 特許庁

Thereafter, a cavity part 115 is formed by etching an interlayer insulating film 112 by the CMOS process.例文帳に追加

その後、ＣＭＯＳプロセスで層間絶縁膜１１２などをエッチングして空洞部１１５を形成する。 - 特許庁

To the conductor 3, a wiring layer 4 and openings 5A to 5C are formed by the etching process or the like.例文帳に追加

導電体３には、エッチング加工等により、配線層４、開口部５Ａ〜５Ｃが形成される。 - 特許庁

After this, the resist film is eliminated, the single crystal silicon base board having depressions is put under a wet etching process.例文帳に追加

その後、レジスト膜を除去し、窪みを有する単結晶シリコン基板をウエットエッチングする。 - 特許庁

Next, etching is effected while employing the oxidized film 12 as a mask in the trench forming process.例文帳に追加

次にトレンチ形成工程で酸化膜１２をマスクとしてエッチングを行い、トレンチ１４を形成する。 - 特許庁

To miniaturize damage applied to a lower film in an etching process defining metal wiring.例文帳に追加

金属配線を定義するエッチング工程の際に、下部膜に加えられる損傷を最小化する。 - 特許庁

IN-SITU CHAMBER CLEANING PROCESS FOR REMOVING DEPOSIT OF BY-PRODUCT FROM CHEMICAL VAPOR DEPOSITION ETCHING CHAMBER例文帳に追加

化学蒸着エッチングチャンバから副生成物の堆積物を除去するインサイチュチャンバ洗浄プロセス - 特許庁

To form a semiconductor layer 18 thin while simplifying an etching process.例文帳に追加

本発明は、エッチングプロセスを簡略化して、半導体層１８を薄く形成することを目的とする。 - 特許庁

Through-holes 20a, 23a are formed in the current-collector material 30 through an etching process.例文帳に追加

この集電体材料３０にはエッチング処理によって貫通孔２０ａ，２３ａが形成される。 - 特許庁

Therefore, the hydrochloric gas etching process conventionally performed before the formation of the epitaxial film has been omitted.例文帳に追加

よって、従来設けていたエピタキシャル膜成膜前の塩酸ガスエッチング工程を省略している。 - 特許庁

To provide a method for protecting shallow trench isolation (STI) during an oxide etching process.例文帳に追加

酸化物エッチング・プロセス中にシャロー・トレンチ・アイソレーション（ＳＴＩ）を保護する方法を提供する。 - 特許庁

A lead frame is formed by performing etching process to a plated conductive material 51.例文帳に追加

リードフレームは、めっきを施した導電材料５１に対してエッチング加工を行って形成される。 - 特許庁

In the thermal etching process, it is preferable that a hydrogen concentration is not less than 1% and not more than 20%.例文帳に追加

熱エッチング工程では、水素濃度が１％以上２０％以下であることが望ましい。 - 特許庁

The process for cleaning the electrode surface can be carried out by reactive ion etching.例文帳に追加

ここで、電極表面をクリーニングする工程を反応性イオンエッチングにより行なうことができる。 - 特許庁

In one embodiment, the process gas is utilized in both the first and second etching processes.例文帳に追加

一実施形態において、処理ガスを第１及び第２のエッチングステップの両方で利用する。 - 特許庁

The milling process is performed after an etching resist thin film layer 5 is formed on a surface of the metal layer.例文帳に追加

前記ミリング加工は金属層表面にエッチングレジスト薄膜層５を施した後に行なう。 - 特許庁

(8) The conductive layer area exposed in the patterned resist layer is removed through the etching process.例文帳に追加

（８）パターニングしたレジスト層にて露出された導電性層の部分をエッチングにより除去する。 - 特許庁

An altered layer produced on the surface of the wiring layer 9 is eliminated by dry etching (BT process).例文帳に追加

配線層９の表面に生じている変質層をドライエッチング除去する（ＢＴ工程）。 - 特許庁

Each of multiple substrates is transferred sequentially into the processing chamber to perform a process that includes etching.例文帳に追加

複数の基板の各々が該処理チャンバに順次移送されて、エッチングを含むプロセスを実行する。 - 特許庁

PROCESS AND DEVICE FOR FORMING DISCRETE FINE CAVITY IN FILAMENT WIRE BY USING POLYMER ETCHING MASK例文帳に追加

ポリマーエッチングマスクを用いてフィラメントワイヤ内にディスクリート微小空洞を形成する処理と装置 - 特許庁

To check the damage rate of a photosensitive film and the infiltration of ion impurities during an etching process.例文帳に追加

エッチング工程時の感光膜の損傷率及びイオン不純物の浸透を防止すること。 - 特許庁

In the etching process, the substrate is etched from the mask-forming side to the polyimide thin-film.例文帳に追加

エッチング過程では、マスクが形成される面側からポリイミド薄膜まで基板をエッチング除去する。 - 特許庁