「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing method of the micro-diamond electrode includes a film forming process for forming a diamond thin film 42 on a substrate 411 comprising silicon or the like and an etching process for etching the diamond thin film 42 to remove a predetermined place to provide the microelectrode 42p.例文帳に追加

シリコン等の基板４１１上にダイヤモンド薄膜４２を成膜する成膜工程と、前記ダイヤモンド薄膜４２をエッチングすることで所定の箇所を除去しマイクロ電極４２ｐを設けるエッチング工程とを備えるようにする。 - 特許庁

When a metal film is utilized as an alignment mark in the middle of a manufacturing process, the width of the metal film is widened twice the amount of side etching, so that the metal film an be removed by the side etching contained in the process to be performed later such as photolithography, etc.例文帳に追加

製造工程の途中で、金属膜をアライメントマークとして利用する際には、ホトリソグラフ等の後工程に含まれるエッチング処理で、サイドエッチで除去可能なように、幅をサイドエッチ量の２倍未満にしておく。 - 特許庁

To provide a wet etching process which improves the anisotropic diffusion speed of an etchant existing on the surfaces of metallic electrodes in order to narrow the pitch of the terminals of the wet etching process and to manufacture lead frames of higher fineness and shadow masks of super-high fineness.例文帳に追加

ウエットエッチング法の端子ピッチの狭ピッチ化、微細化のリードフレームや、超高精細シヤドウマスク製造するため、金属極表面に存在するエッチング液の異方性拡散スピードの向上するエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The film forming process is conducted by supplying electroless plating liquid 32 from a nozzle 22 to the surface of the substrate to be processed and the etching process is conducted by supplying etching liquid 31 from a nozzle 21 to the surface of the substrate to be processed.例文帳に追加

成膜工程は無電解メッキ液３２をノズル２２から被処理基板表面に供給することによって行われ、エッチング工程はエッチング液３１をノズル２１から被処理基板表面に供給することによって行われる。 - 特許庁

This method has (c) an anisotropic dry etching process of forming a predetermined pattern recess 20 by piercing the tunnel barrier layer 15 of a tunnel junction film 10a, and (d) an isotropic dry etching process of removing a sidewall deposit (22) of the recess 20.例文帳に追加

（ｃ）トンネル接合膜１０ａのトンネルバリア層１５を貫通して、所定パターンの凹部２０を形成する異方性ドライエッチング工程と、（ｄ）凹部２０の側壁付着物（２２）を除去する等方性ドライエッチング工程とを有する。 - 特許庁

This etching method comprises a process of fruorinating the surface of a silicon wafer, and a process of etching the silicon by treating the surface of the silicon wafer using an alkali compound aqueous solution containing a methyl group having a concentration of 10-30%.例文帳に追加

本発明のエッチング方法は、シリコンウェーハの表面をフッ素化処理する工程と、濃度１０〜３０％のメチル基含有アルカリ化合物水溶液を用いて前記シリコンウェーハ表面を処理してシリコンをエッチングするものである。 - 特許庁

By adjusting a film thickness of a photoresist film in a process to form the photoresist film on both faces of shadow mask base material, the proportion of etching amount in the lateral direction against that in the depth direction which is parallel to a surface of the etching process is adjusted.例文帳に追加

シャドウマスク基材の両面に感光膜を形成する工程で、感光膜の膜厚を調整することにより、エッチング工程での面に平行な横方向のエッチング量と深さ方向のエッチング量との比率を調整する。 - 特許庁

In one of the many embodiments, the method includes assigning a bias voltage to each of at least one etching process, and generating the assigned bias voltage before initiation of one of the at least one etching process.例文帳に追加

多数の実施形態の一つにおいて、方法は、少なくとも一つのエッチングプロセスのそれぞれにバイアス電圧を割り当てるステップと、少なくとも一つのエッチングプロセスの一つの開始前に、割り当てバイアス電圧を生成するステップとを含む。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a circuit board, which performs an etching process and a cleaning process, and further can clean an organic substance on a surface of a semiconductor wafer or can perform a reforming process by a single apparatus.例文帳に追加

エッチング処理と洗浄処理を行うだけでなく、さらに半導体ウェハー表面の有機物質の洗浄または改質処理をも一つの装置で行える回路基板の製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a dummy pattern which attains an excellent effect in improving a process failure caused by a pattern dependency in a planarization process or an etching process, and also to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

平坦化工程またはエッチング工程でのパターン依存性に起因した工程不良を改善する効果に優れたダミーパターンを含む半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Positioning operations are carried out in a photolithography process, an etching process, and a film removing process of removing a part of the above laminated insulating films on the semiconductor thin film from the substrate on the basis of the above alignment mark.例文帳に追加

前記アライメントマークを基準に、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程、並びに上記半導体薄膜の上記積層膜の一部を基板上から除去する工程に際しての位置決めを行う。 - 特許庁

After forming element areas 1aa to 1ac by an element forming process, the element separation areas 1ba and 1bb are etched by an element separation area etching process, and an insulation film 20 is embedded to their etching parts 16b and 16c by a trench element separation area embedding process.例文帳に追加

素子形成工程によって素子領域１ａａ〜１ａｃを形成した後に、素子分離領域エッチング工程によって、素子分離領域１ｂａ、１ｂｂのエッチングを行い、トレンチ素子分離領域埋め込み工程によって、そのエッチング部１６ｂ、１６ｃに絶縁膜２０を埋め込む。 - 特許庁

After the etching stopper film 4 is exposed at the bottoms of the opening parts OP3, anisotropic dry etching shall be continued, and using the etching stopper film as an etching mask, contact holes CH1 penetrating an interlayer insulating film 3 to source, drain regions 11, 13 are formed, thereby obtaining the opening parts OP3 and the contact holes CH1 simultaneously in the same etching process.例文帳に追加

開口部ＯＰ３の底部にエッチングストッパ膜４が露出した後も異方性ドライエッチングを続行し、エッチングストッパ膜４をエッチングマスクとして、層間絶縁膜３を貫通してソース・ドレイン領域１１および１３に達するコンタクトホールＣＨ１を形成することで、開口部ＯＰ３とコンタクトホールＣＨ１とを同じエッチング工程で同時に得る。 - 特許庁

The method of manufacturing the substrate with many recesses comprises: a mask forming process of forming a mask having a first opening of many ring shapes on a substrate; a first etching process of etching the substrate through the first opening; an opening area enlargement process of extending the opening area of the opening and forming a second opening; and a second etching process of etching the substrate through the second opening.例文帳に追加

本発明の凹部付き基板の製造方法は、多数の凹部を有する凹部付き基板の製造方法であって、基板上に、多数のリング形状の第１の開口部を有するマスクを形成するマスク形成工程と、第１の開口部を介して基板をエッチングする第１のエッチング工程と、開口部の開口面積を拡げ、第２の開口部を形成する開口面積拡大工程と、第２の開口部を介して基板をエッチングする第２のエッチング工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a glass substrate for a magnetic disk includes: an etching process for etching plate-like glass to adjust plate thickness; a scribing process for forming the plate-like glass into an annular glass substrate; and a chemical surface treatment process that is a post-process of the scribing process to perform chemical surface treatment of the glass surface before a polishing process of the glass substrate.例文帳に追加

本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、板状ガラスをエッチングして板厚を調整するエッチング工程と、前記板状ガラスを円環状のガラス基板に形成するスクライブ工程と、前記スクライブ工程の後工程であって前記ガラス基板の研磨工程の前に前記ガラス表面の化学的表面処理を行う化学的表面処理工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

A pre-treating method for etching a semiconductor wafer includes a process of applying acid that is one main component of a mixed acid, and functions as a relaxing agent on the surface of the semiconductor wafer before etching P4 is carried out by the use of the mixed acid.例文帳に追加

混酸エッチングＰ_４を行う前に、半導体ウェーハの表面に混酸の１主成分であり緩和剤の働きをする酸を塗布する半導体ウェーハエッチングの前処理方法。 - 特許庁

As etching masks in an etching process on a metal base 1, a permanent dry-film resist is used on one surface, and a removable dry-film resist or noble-metal plating for bonding is used on the other surface.例文帳に追加

金属基材１のエッチング工程で、エッチングマスクとして、片面に永久ドライフィルムレジストを用い、もう一方の面に剥離型ドライフィルムレジスト又はボンディング用の貴金属めっきを用いる。 - 特許庁

The blackened surface is exposed to various chemicals to be used for the etching process, and the reflectivity change of the blackened surface after copper mesh formation by etching is set to be 2 or less.例文帳に追加

黒色化処理した表面がエッチング工程に用いられる各種薬剤に暴露され、エッチングによる銅メッシュ形成後の黒色化された表面の反射率変化が２以下とした。 - 特許庁

To prevent forming failures when an etching process with a groove and that with a connection hole are performed continuously to form the connection hole of a bow shape, due to the abrupt change in the etching area.例文帳に追加

溝のエッチング加工とそれに続く接続孔のエッチング加工を連続して行うと、エッチング面積の急激な変化により、接続孔がボーイング形状に形成され、形状不良となる。 - 特許庁

This method of manufacturing the recording head comprises a first etching process for etching a part 1a of the surface of a silicon substrate 1 in such a manner that a plurality of pillar like parts 1c are left therein.例文帳に追加

本発明の記録ヘッドの製造方法は、シリコン基板１の表面の一部１ａを、複数の柱状部分１ｃが残るようにエッチングする第１エッチング工程を備える。 - 特許庁

Thereafter, the residual half of the HTO film 109 is subjected to wet etching for seven minutes and 40 seconds using a BHF 63U kept at 23°C to have a taper angle of 26° in a second etching process.例文帳に追加

その後、残り半分のＨＴＯ膜１０９を、テーパー角度が２６°となる２３℃のＢＨＦ６３Ｕで７分４０秒ウエットエッチングする第２のエッチング工程を実施する。 - 特許庁

By etching in a pre-etching process, a least-adhesive layer having poor affinity with respect to the adhesive agent of an adhesive tape is formed uniformly on the surface of a resist pattern on a wafer W.例文帳に追加

前工程におけるエッチングによってウエハＷ上のレジストパターンの表面には、粘着テープの粘着剤との親和性の悪い難粘着層が不均一に形成される。 - 特許庁

This manufacturing method of semiconductor devices comprises the etching process using an etching stock solution, consisting mainly of H2SO4 and NH4F, or H2SO4 and HF and containing H2O of 5 wt.% or lower.例文帳に追加

Ｈ_2ＳＯ_4とＮＨ_4Ｆ、もしくはＨ_2ＳＯ_4とＨＦを主成分とし、含有Ｈ_2Ｏが５wt％以下であるエッチング原液を使用するエッチング工程を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

When the polysilicon layer 13 is subjected to patterning through the same dry etching process, the impurity-doped region 131 is etched sooner than the non-doped region 132 due to an etching rate difference.例文帳に追加

このようなポリシリコン層１３を同一のドライエッチング工程でパターニングする場合、エッチングレートの違いから不純物のドープされた領域１３１の方が早くエッチングされてしまう。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process for forming a first opening 11a on a substrate S by applying etching on Cr film blanks 10 forming a Cr film on the substrate S by using a Cr etching liquid.例文帳に追加

基板Ｓ上にＣｒ膜を形成したＣｒ膜ブランクス１０にＣｒエッチング液を用いるエッチングを施すことにより基板Ｓ上に第一開口１１ａを形成する工程する。 - 特許庁

To provide a method and device for plasma etching capable of preventing sticking of reactive products over the entire dielectric wall facing a work during an etching process.例文帳に追加

被加工体に対向する誘電体壁の全体に渡って、エッチング処理中に、反応生成物が付着することを防止できるプラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To remove an etching product adsorbed onto a semiconductor substrate substantially thoroughly in an interface cleaning process for removing an oxide film on the semiconductor substrate by dry etching.例文帳に追加

ドライエッチング処理により半導体基板上の酸化膜を除去する界面清浄化処理において、半導体基板上に吸着させたエッチング生成物をほぼ確実に除去可能にする。 - 特許庁

MEASUREMENT OF PRESSURE IN PLASMA ETCHING CHAMBER IN SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING PROCESS AND SYNCHRONOUS MEASUREMENT OF BOTH OF PRESSURE THEREIN AND EFFICIENCY OF ETCHING例文帳に追加

半導体装置製造プロセスにおけるプラズマエッチングチャンバ—の圧力の測定方法と半導体装置製造プロセスにおけるプラズマエッチングチャンバ—の圧力とエッチング効率との両者の同期測定方法 - 特許庁

The resist layer 3 is successively subjected to exposure, developing, and post baking for the formation of a first resist pattern, and the oxide film 2 is subjected to an etching process through the first resist pattern as an etching mask.例文帳に追加

このレジスト層３に対して露光、現像及びポストベークを順に行うことで第１レジストパターンを形成し、この第１レジストパターンを用いて酸化膜２に対するエッチング処理を行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electrostatic actuator or the like capable of preventing the yield from decreasing caused by invasion of an etching liquid and an etching gas into a gap in the midway of a manufacturing process.例文帳に追加

製造工程途中において、エッチング液やエッチングガスのギャップへの侵入に起因する歩留まり低下を防止することが可能な静電アクチュエータの製造方法等を提供する。 - 特許庁

An etching time in the additional process is calculated by the real etched depth which is measured by the film thickness measurement mechanism, the set value of the etched depth, and the etching rate in the film to be etched.例文帳に追加

追加処理におけるエッチング時間は、膜厚測定機構により測定された実際のエッチング深さおよびエッチング深さの設定値、被エッチング膜におけるエッチング速度から算出される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing distortion or loss of a photoresist pattern used as an etching barrier in a process of etching an organic bottom anti-reflective coating.例文帳に追加

有機反射防止膜のエッチングの際にエッチングバリアとして用いられる感光膜パターンの歪み又は損失を防止することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

This method is provided with a process for removing an etching damaged layer 11 which occurs in a source/drain formation region when dry- etching the first thick oxide film 9 of the high breakdown strength MOS transistor.例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジスタの厚い第１の酸化膜９をドライエッチングする際にソースドレイン形成領域に発生したエッチング・ダメージ層１１を除去するための工程を設ける。 - 特許庁

The holder 1 has a shape capable of holding the plurality of substrates 4 so as to conform with the density distribution of the chemical species 3 having the etching action, thereby making the etching process of each substrate 4 uniform.例文帳に追加

基板保持部材１は、エッチング作用をなす化学種３の密度分布に沿うように複数の基板４を保持可能な形状を有し、各基板４のエッチング処理を均一化する。 - 特許庁

Destaticying treatment 1 in equipment within an etching chamber is a process for removing an electric charge previously charged to the equipment in the chamber before putting an object to be etched in the etching chamber.例文帳に追加

エッチングチャンバ内の装備における除電処理１は、被エッチング物をエッチングチャンバ内に入れる前に、予めチャンバ内における装備に帯電した電荷を除去する工程である。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor memory in which the leak current source of a capacitor being generated by a gap caused by attack can be removed at the time of etching an etching stop insulating film.例文帳に追加

エッチング停止絶縁膜のエッチング時のアタックによる隙間が原因で生じるキャパシタの漏れ電流ソースを除去できる半導体メモリ装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

During an etching process when forming a contact hole CH on a third insulating film 513, a second insulating film 512 is so formed that the second insulating film 512 functions as an etching stopper layer.例文帳に追加

第３の絶縁膜５１３にコンタクトホールＣＨを形成する際のエッチング処理にて、第２の絶縁膜５１２が、エッチングストッパー層として機能するように、第２の絶縁膜５１２を形成する。 - 特許庁

In the dry etching method using mixed gas of only CF_4 and Ar as process gas, O_2 gas is added to reduce the in-plane variance in etching rate.例文帳に追加

プロセスガスとしてＣＦ_4とＡｒのみの混合ガスを用いるドライエッチング方法において、Ｏ_2ガスを添加するようにしたことにより、エッチングレートの面内バラツキを低減させることができるようになる。 - 特許庁

The process of removing the substrate 13 is performed by etching the substrate 13, using an etchant which has a larger etching rate, with respect to the interconnections 15 and 16 than with respect to the substrate 13.例文帳に追加

基体１３を除去する工程は、配線１５，１６に対するエッチングレートより基体１３に対するエッチングレートが大きいエッチャントを用いて、基体１３をエッチングすることによって行う。 - 特許庁

A substrate having grain boundary on which the resist is coated is placed in an etching area inside a chamber, and a process gas containing a first etchant, a second etchant and xenon is introduced into the etching area.例文帳に追加

結晶粒界を有しレジストを塗布した基板をチャンバー内のエッチング領域に置き、１次エッチャント、２次エッチャント及びキセノンを備えたプロセスガスをエッチング領域に導入する。 - 特許庁

A contact hole is formed by an etching process for reducing ion energy and an O_2 flow rate with the progress of etching depth, and the damage layer to be formed on the base is suppressed.例文帳に追加

本発明は、イオンエネルギーおよびＯ_２流量を、エッチング深さの進行と伴に低減するエッチング工程によりコンタクトホール形成し、下地に形成されるダメージ層を抑制する。 - 特許庁

The convex spherical pattern of each resist layer is transferred to the surface of the substrate 10 by a reactive ion etching process using CF_4, as an etching gas, for forming a lens.例文帳に追加

このような状態でＣＦ_４をエッチングガスとする反応性イオンエッチング処理により各レジスト層の凸球面状パターンを基板１０の表面に転写してレンズを形成する。 - 特許庁

To provide an Si etching method that can prevent sidewall damages and makes high selection ratio and vertical form processing compatible, in an etching process for a silicon substrate or silicon layer.例文帳に追加

シリコン基板またはシリコン層のエッチング加工において、側壁ダメージの防止、高選択比および垂直形状加工を両立させることができるＳｉエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To eliminate the corrosion of a facility due to chlorine remaining on a semiconductor substrate after an etching process employing chlorine based etching gas and high density plasma, and to eliminate the resulting adhesion of particles.例文帳に追加

塩素系エッチングガス，高密度プラズマを用いるエッチングプロセスの後に半導体基板上に残留する残留塩素による設備の腐食、それに起因するパーティクル付着をなくす。 - 特許庁

To provide a wet etching method of a gallium oxide single crystal, with which a technique of wet etching in a semiconductor manufacturing process is applicable to a gallium oxide single crystal.例文帳に追加

半導体製造工程におけるウェットエッチングに関する技術を酸化ガリウム単結晶に対して適用可能にする酸化ガリウム単結晶のウェットエッチング方法を提供する。 - 特許庁