「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

To form microlenses of such a shape that aberration in its outer peripheral part can be decreased without using a dry etching process.例文帳に追加

ドライエッチングプロセスを使用することなく、外周部における収差を低減できる形状のマイクロレンズを形成可能とする。 - 特許庁

Then an etching process, wherein the layer 4 is etched using the substrate 1 as a mask and the depth of the recessed part 7 is made shallow, is performed.例文帳に追加

次に、半導体基板１をマスクにして絶縁層４をエッチングし、凹部７の深さを浅くするエッチング工程を行う。 - 特許庁

More specifically, after etching process is finished, all the wafers obtained from one and the same ingot are measured for the thickness and then are held temporarily (21).例文帳に追加

具体的には、エッチング工程終了後、同一のインゴットから得られた全ウェハを厚さ測定後に一時的に保持する（21）。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method in which a self aligned contact etching process is used and capable of forming a pad without a void.例文帳に追加

セルフアラインコンタクトエッチング工程を採用し、ボイドのないパッドを形成しうる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To simplify a process of forming fine uneven parts in a thin film without using an etching solution.例文帳に追加

薄膜に微小凹凸部を形成するときに、エッチング液を用いることなく、且つ工程の簡略化を図ることを目的とする。 - 特許庁

Therefore, the porous silicon film is excellent in adhesion characteristics, and hardly brings about excessive etching in a subsequent process.例文帳に追加

したがって、前記多孔性シリコン酸化膜は、接着特性が優秀であるのみならず、後続工程で過剰エッチングを招かない。 - 特許庁

IPC SOURCE FOR IPVD FOR UNIFORM PLASMA IN COMBINATION OF HIGH PRESSURE DEPOSITION AND LOW PRESSURE ETCHING PROCESS例文帳に追加

高圧力蒸着及び低圧力エッチング処理の組み合わせにおける均一プラズマのためのＩＰＶＤのためのＩＣＰ源 - 特許庁

In a semiconductor device manufacturing process, a connection hole 6 is provided to an interlayer film 5 by selective etching fill a stopper film 4.例文帳に追加

半導体装置製造プロセスでは、層間膜５を選択的にエッチングしてストッパ膜４に達する接続孔６を開口する。 - 特許庁

This exhaust gas adsorbent for a semiconductor etching process contains a laminar compound, an adsorption active component, and an inorganic moisturizing agent.例文帳に追加

層状化合物と、吸着活性成分と、無機保湿剤とを含む半導体エッチング工程用の排ガス吸着剤である。 - 特許庁

To obtain aluminum foil for electrolytic capacitor electrodes, which can obtain a good rough surface through an etching process and allow a great capacitance.例文帳に追加

エッチングにおいて良好な粗面化がなされ高い静電容量が得られる電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を得る。 - 特許庁

A process for applying plasma etching treatment to the hydrogen storage alloy powder is provided during processes for producing the hydrogen storage alloy electrode.例文帳に追加

水素吸蔵合金電極の製造工程中に、水素吸蔵合金粉末にプラズマによるエッチング処理を施す工程を設ける。 - 特許庁

The substrate 9 is held on a substrate holder 2 in a process chamber 1 and etching gas is introduced by a gas introducing system 3.例文帳に追加

プロセスチャンバー１内の基板ホルダー２上に基板９が保持され、エッチング用ガスがガス導入系３により導入される。 - 特許庁

(4) An outer layer circuit pattern is formed by etching on the copper foil of the one side copper clad laminate formed in the process (3).例文帳に追加

（４）前記工程（３）で形成された片面銅張積層板の銅箔にエッチング手法により、外層回路パターンを形成する。 - 特許庁

The process of etching the insulating material in the element separation trench 2 is so performed as the insulating material is locally etched.例文帳に追加

素子分離用トレンチ２内の絶縁材料をエッチングする工程は、絶縁材料が局所的にエッチングされるように行われる。 - 特許庁

FABRICATION PROCESS OF SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, ETCHING CONDITIONS SETTING METHOD, CONDUCTIVE FILM REMOVING CONDITIONS SETTING METHOD, AND RETICLE例文帳に追加

半導体装置の製造方法，半導体装置、エッチング条件の設定方法、導電膜除去条件の設定方法、及びレチクル - 特許庁

To attain a process for manufacturing a semiconductor device in which an opening can be made accurately by wet etching.例文帳に追加

ウェットエッチンク゛よる開口部の形成を精度よく行うことができる半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

To effectively remove surface roughness formed on the surface of a metal wring after a wet etching operation in a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

半導体の製造工程でウェットエッチング後に金属配線の表面に形成される表面の粗れを効果的に除去する。 - 特許庁

Thereafter, a mask layer M is formed by performing an etching process such that the organic films JM1 and JM2 and the resist pattern PRp are etched.例文帳に追加

その後、その有機膜ＪＭ１，ＪＭ２，レジストパターンＰＲｐをエッチングするエッチング処理を実施して、マスク層Ｍを形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing an aluminum electrode foil for medium-high voltage electrolytic capacitors executes three or more stages of electrolytic etching process.例文帳に追加

中高圧用の電解コンデンサ用アルミニウム電極箔を製造するにあたって、電解エッチング処理を三段以上行う。 - 特許庁

To provide a process for etching a plate of a heat-resistant nickel alloy containing molybdenum so as to form a uniform groove structure.例文帳に追加

モリブデンを含むニッケル合金系耐熱合金の板材に均一な溝構造を加工できるエッチング加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a power source for generating a high frequency AC pulse which is effective for improving a dry etching device in a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

半導体製造工程におけるドライエッチング装置の改良に有効な高周波交流パルス発生電源の提供。 - 特許庁

Further, the thermal resistor layer 1104 is covered with a first protecting layer, thereby not affected by etching or the like in a manufacturing process.例文帳に追加

また、発熱抵抗体層は第１保護層により覆われるので、エッチング等製造工程の影響を受けることがなくなる。 - 特許庁

To provide an etchant and an etching method that can greatly facilitate a processing shape confirming operation in etching processing which should have been done frequently by suppressing a temporal decrease in etching speed during continuation of warming unique to an etchant containing hydroxylamines, in etching processing of silicon, especially, anisotropic etching of silicon in a manufacturing process of an MEMS component.例文帳に追加

シリコンのエッチング加工、特にＭＥＭＳ部品の製造工程におけるシリコンの異方性エッチング加工において、ヒドロキシルアミン類を含有するエッチング液に特有な加温継続時のエッチング速度の経時低下を抑制することによって、頻繁に行わざるを得なかったエッチング処理中の加工形状確認操作を大幅に簡略化できる、エッチング液およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The defect detection method of an SOI substrate at least has: a process for preparing an SC1 solution as an etching solution; a process for dipping the SOI substrate into the SC1 solution for etching; and a process for observing the defects of the etched SOI substrate by a detector.例文帳に追加

少なくとも、エッチング溶液としてＳＣ１溶液を準備する工程と、ＳＯＩ基板を前記ＳＣ１溶液に浸漬してエッチングする工程と、前記エッチングしたＳＯＩ基板の欠陥を、検出装置で観察する工程とを有することを特徴とするＳＯＩ基板の欠陥検出方法を提供する。 - 特許庁

To provide a promising bottom resist layer material as a bottom resist film for a multi-layer resist process such as a silicon-containing two-layer resist process or a three-layer resist process with a silicon-containing intermediate layer for instance, by having the optimum n-value, and k-value in exposure of short wavelength and having excellent etching resistance in a substrate etching condition.例文帳に追加

短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性にも優れ、例えば、珪素含有２層レジストプロセス、あるいは珪素含有中間層による３層レジストプロセスといった多層レジストプロセス用レジスト下層膜として有望なレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

The etching method includes a first process which arranges droplets including a thin film forming material on a substrate, a second process which dries the droplets and forms a dry film of a narrower width than a diameter of the droplets at arrangement described above, and a third process to etch using the dry film as an etching protective film.例文帳に追加

本発明は、基板上に膜形成材料を含む液滴を配置する第１工程と、前記液滴を乾燥し、前記配置時の液滴の径よりも狭い幅の乾燥膜を形成する第２工程と、前記乾燥膜をエッチング保護膜としてエッチングする第３工程と、を含むエッチング方法により、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material having an optimum n value and k value in exposure to short-wavelength light, excellent also in etching resistance under substrate etching conditions, and having promise as a resist underlayer film for a multilayer resist process such as a silicon-containing two-layer resist process or a three-layer resist process using a silicon-containing intermediate layer film.例文帳に追加

短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性にも優れ、例えば、珪素含有２層レジストプロセス、あるいは珪素含有中間層膜による３層レジストプロセスといった多層レジストプロセス用レジスト下層膜として有望なレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing device of a shadow mask wherein an inconvenience is eliminated to cause stickiness in a resist film face where etching is not carried out and an etching process of the latter stage can be carried out without trouble.例文帳に追加

エッチングを行なっていないレジスト膜面にベタツキを生じさせるという不都合を無くし、後段のエッチング工程を支障なく行うことができるシャドウマスクの製造装置を提供する。 - 特許庁

A method has an etching process wherein a specimen 21 with a resist pattern 30 formed on its top surface is subjected to plasma-aided dry etching for the formation of a layer with its cross section having protrusions.例文帳に追加

上面にレジストパターン３０が形成された試料２１に対して、プラズマによるドライエッチングを行なうことにより、試料２１の上部に断面凸状部を形成するエッチング工程を有している。 - 特許庁

To provide the formation of a dual-damascene wire which neither leaves foreign matter in the wire due to insufficient etching of an interlayer insulating film in an etching process nor cause wiring defects.例文帳に追加

エッチング工程において層間絶縁膜のエッチング残りに起因して配線内に異物が残存することがなく、配線不良を生じることがないデュアルダマシン配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

The noise suppressing layer 6 has a function suppressing undesired radiation and/or noise, and has a function as an etching barrier layer which becomes an etching stopper in a process forming the metallic bump 5.例文帳に追加

ノイズ抑制層６は、不要輻射及び／又はノイズを抑制する機能を有するとともに、金属バンプ５を形成する工程におけるエッチングストッパとなるエッチングバリア層としての機能を有する。 - 特許庁

In a second etching process, the etching stopper film 14 is etched on the fuse layer 12 selectively for the first insulating film 13 to expose a surface of the firsts insulating film 13.例文帳に追加

次に、第２のエッチング工程として、ヒューズ層１２上で、エッチングストッパー膜１４を第１の絶縁膜１３に対して選択的にエッチングすることにより、第１の絶縁膜１３の表面を露出させる。 - 特許庁

An etching mask is formed on the surface of a silicon substrate 1, and after that, a required number of operations of applying etching are repeated so that a silicon recessed mold 4 with a recess of a desired shape can be formed (a first process).例文帳に追加

シリコン基板１表面にエッチングマスクを形成し次いでエッチングを施す操作を必要回数繰り返して所望形状の凹所を持つシリコンの凹型４を形成する（第１工程）。 - 特許庁

Then, during the sputter etching process in the barrier layer 340, sputtering particles in the barrier layer 340 are laminated in a sidewall part 344 of the opening part while sputter etching is performed with respect to the barrier layer 340 of the plane part 342.例文帳に追加

次いで、バリア層３４０のスパッタエッチング工程は、平面部３４２のバリア層３４０をスパッタエッチングしながらバリア層３４０のスパッタ粒子を開口部の側壁部３４４に堆積させる。 - 特許庁

To provide a dry etching method which can prevent side etching of resist from occurring and can process a base film into a desired shape in an excellent way, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device using the same.例文帳に追加

レジストのサイドエッチングの発生が抑制され、下地膜を所望の形状に良好に加工することが可能なドライエッチング方法、及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A process to form a silicon oxide film is carried out by a CVD method on a silicon structure processed by hole etching or trench etching and on which the silicon of at least the bottom surface of the hole or the trench is exposed.例文帳に追加

ホールエッチング又はトレンチエッチングされ、かつそのホール又はトレンチの少なくとも底面のシリコンが露出しているシリコン構造体上にＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成する工程を行う。 - 特許庁

To provide rolled copper foil for a printed wiring board suitable for use in the printed wiring board, small in etching residue in a wiring formation process by etching, and excelling in shape stability of circuit wiring.例文帳に追加

プリント配線板用途に適しており、エッチングによる配線形成工程におけるエッチング残りが少なく、回路配線の形状安定性に優れたプリント配線板用圧延銅箔を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the color filter includes a process of forming the etching protection film 15 having an insulating layer and an opening by exposure and development to a photoresist layer 10, forming the slit 6, and peeling the etching protection film.例文帳に追加

フォトレジスト層１０への露光、現像により、絶縁層及び開口部を有するエッチング保護膜１５を形成する、スリット６を形成する、エッチング保護膜を剥離する、工程を具備する。 - 特許庁

It is not necessary to conduct etching a plurality of times when a pad part 35 is formed, and a necessary pattern can be formed by one-time etching, thereby shortening the manufacturing process.例文帳に追加

また、パッド部分３５を形成する際に複数回エッチングする必要はなく、１回のエッチングによって必要なパターンを形成することができるので、製造工程の短縮化を図ることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical element having a surface which can be used as an optical reflecting surface by utilizing anisotropic etching of silicon with a single process of anisotropic etching with the efficiency and in large quantities.例文帳に追加

シリコンの異方性エッチングを利用して光学反射面に利用可能な面を持つ光学素子を、一度の異方性エッチングで効率よく大量に作製する方法を提供すること。 - 特許庁

Manufacture of the semiconductor device is preferable to include an etching process for etching the pad by using a fluorine based etchant, and has the roughning of the pad surface performed before it is patterned to a bonding shape.例文帳に追加

また、かかる半導体素子の製造において、該パッドをフッ素系エッチング剤を用いてエッチングする工程を含むこと、該パッド表面の粗面化をボンディング形状にパターン化する前に行なうことが好ましい。 - 特許庁

A damascene feature is etched in the organic planarizing layer through a process for supplying CO_2 containing etching gas and generating plasma to etch the planarizing layer from the CO_2 containing etching gas.例文帳に追加

ＣＯ_2 含有エッチングガスを提供すること、および該ＣＯ_2 含有エッチングガスから、有機平坦化層をエッチングするプラズマを生成すること、を含むプロセスによって、有機平坦化層内に、特徴がエッチングされる。 - 特許庁

Dry etching is used for the anti-sticking film removal and a low-cost wet etching process can be used as it is for the sacrificial layer removal, so that the microstructure can be manufactured at a low cost.例文帳に追加

さらに、乾式エッチングにより粘着防止膜を除去し、犠牲層除去時には安価の湿式エッチング工程をそのまま利用できるので低廉に微細構造物を製造できる効果がある。 - 特許庁

Furthermore, when a selection ratio of Si and SiO2 is adjusted in an etching process, an oxygen gas 42 and a hydrogen gas 43 are led into the etching chamber 1 via mass controllers 52, 53.例文帳に追加

この同位体組成比を異ならせることによって、質量分析で検出される同じ原子組成の検出物質について、エッチング処理の段階に応じて質量に差を生じさせることができる。 - 特許庁

To provide a technique for securing photoresist film, used as a mask in a process for forming a wiring groove or a connection hole, by etching in an insulating film where an SiC film is formed as an etching stopper film.例文帳に追加

エッチングストッパ膜としてＳｉＣ膜が形成された絶縁膜にエッチングにより配線溝または接続孔を形成する工程において、マスクとなるフォトレジスト膜を確保する技術を提供する。 - 特許庁