「etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an etching foil sheet for a game machine in which only aluminum deposit layer is an alkali-soluble component when etching is performed and a delicate picture pattern can be simultaneously applied with a plurality of metallic colors such as gold and silver by one etching process, a decorative foil sheet using this and a method for manufacturing it.例文帳に追加

エッチングに際しアルカリ可溶成分をアルミ蒸着層のみとし、しかも一度のエッチング工程で金色と銀色のように複数のメタリックカラーで繊細な図柄のものを同時に施すことができる遊技機のエッチングホイルシート、これを用いた加飾ホイルシートおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To attain both detachability from a die of an original disk substrate for transfer and transfer accuracy of the original disk for a body to be transferred, and to balance etching accuracy/etching efficiency/fineness of formed pattern in an etching process of a flat substrate, in a manufacturing method of a die of the original disk substrate for transfer.例文帳に追加

転写用原盤基板の型の製造方法において、転写用原盤基板の型からの剥離性と、転写用原盤の被転写体への転写精度の両立を図ると共に、平坦基板のエッチング工程におけるエッチング精度／エッチング効率／形成されるパターンの精細化のバランスを図る。 - 特許庁

To provide a dry etching method free from sidewall deposit by employing mixture gas of halogen gas and inert gas as etching gas in the dry etching process of a ferroelectric film and applying high frequency bias power to the ferroelectric film under high vacuum high density plasma.例文帳に追加

強誘電体膜のドライエッチング工程において、ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で強誘電体膜に高周波のバイアス電力を印加することにより側壁付着物のないドライエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method uses the etching composition which effectively protects a pattern or a storage electrode composed of polysilicon and selectively eliminates the oxidized film in a wet etching process, as a result the oxidized film is eliminated in a high etching ratio and impairment of polysilicon film is inhibited.例文帳に追加

ポリシリコンで構成されたパターン又はストレージ電極を効果的に保護することができるエッチング組成物を用いて、ウエットエッチング工程で酸化膜を選択的に除去するので、高いエッチング選択比で酸化膜を除去できるとともに、ポリシリコン膜の損傷を防止することができる。 - 特許庁

The method of manufacturing has a process to form a foregoing hole by diagonally radiating a laser beam on a crystalline substrate composed of a silicon substrate whose plane direction is a (100) surface; and process to form a through-hole by performing anisotropic etching by a KOH solution of water or an organic alkali etching liquid to expand the foregoing hole.例文帳に追加

面方位が（１００）面のシリコン基板からなる結晶性基板にレーザ光を斜めに照射して先行穴を形成する工程と、ＫＯＨ水溶液又は有機アルカリエッチング液による異方性エッチングを行って前記先行穴を拡大してスルーホールを形成する工程とを有する。 - 特許庁

A dry etching method of using a mixed gas of a plurality of fluorine-based gases as a process gas, generating plasma in a high vacuum while supplying the process gas and applying low frequency bias power to perform etching is provided to solve the problem.例文帳に追加

プロセスガスとして複数のフッ素系ガスからなる混合ガスを用い、前記プロセスガスを供給しながら高真空でプラズマを生成し、かつ低周波のバイアス電力を印加してエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法を提供することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

This etching method for etching an org. film layer, formed on a wafer in a hermetic processing chamber with a process gas fed into the process chamber, uses a processing gas contg.例文帳に追加

気密な処理室内に処理ガスを導入し，処理室内に配置されたウェハＷに形成された有機膜層に対するエッチング方法において，処理ガスはＮ_２とＨ_２とを含み，真空処理室内の圧力は実質的に５００ｍＴｏｒｒ〜８００ｍＴｏｒｒであることを特徴とする。 - 特許庁

At the time of the soft etching of a smear removing process performed prior to a catalyst bestowal process for chemical copper plating, after the via hole 13 is formed in the insulating layer 12 of a multilayer substrate by laser irradiation, aqueous solution including sulfuric acid and hydrogen peroxide is used as the soft etching liquid.例文帳に追加

多層基板の絶縁層12にレーザー照射によりビアホール13を形成した後、化学銅メッキのための触媒付与工程に先だって行われるスミア除去工程のソフトエッチの際に、ソフトエッチ液として硫酸及び過酸化水素を含む水溶液が使用される。 - 特許庁

A second coloring layer 60 is formed so as to be buried in an opening section 59 which is formed on the first coloring layer 56 with a dry etching process, and a third coloring layer 64 is formed so as to be buried in an opening section 63 which is formed on the first and second coloring layers 56, 60 with a dry etching process.例文帳に追加

第１の着色層５６にドライエッチング処理で形成した開口部５９に埋め込むように第２の着色層６０を形成し、第１及び第２の着色層５６，６０にドライエッチング処理で形成した開口部６３に埋め込むように第３の着色層６４を形成する。 - 特許庁

A manufacturing method for a silicon wafer, which contains an etching process for removing a breaking layer of a degenerated layer on the surface of the silicon wafer made by a mechanical working, and in which the etching process is managed depending on variation of groove width of a micro-crack remaining on the surface of the silicon wafer, and the silicon wafer are provided.例文帳に追加

機械的加工によりシリコンウェーハの表面に生じた加工変質層の破砕層を除去するエッチング処理工程を有し、このエッチング処理の管理をシリコンウェーハ表面に残存するマイクロクラックの溝幅の変化で行うシリコンウェーハの製造方法、また、シリコンウェーハ。 - 特許庁

This method for producing an iron oxide for the raw material of ferrite, having a process for preliminarily treating the amount of ferrous ion to 70 to 95 wt.% based on the total iron amount of an etching waste liquid and a process for spraying and roasting the etching liquid in which the amount of the ferrous ion is adjusted, and a device for producing the iron oxide.例文帳に追加

エッチング廃液の全鉄量に対する第一鉄イオン量を７０〜９５重量％に調整する前処理工程と、第一鉄イオン量が調整されたエッチング廃液を噴霧焙焼する工程とを有するフェライト原料用酸化鉄の製造方法および装置。 - 特許庁

In forming a lower core 13a by etching a lower core layer 13, a broad lower straight-line margin section 13d is formed (process step 2) and in forming an upper core 15 by etching an upper core layer 15, a broad upper straight-line margin section 15d is formed (process step 5).例文帳に追加

下部コア層１３をエッチングして下部コア１３ａを形成する際に、幅広の下部直線マージン部１３ｄを形成し（工程２）、また上部コア層１５をエッチングして上部コア１５ａを形成する際に、幅広の上部直線マージン部１５ｄを形成する（工程５）。 - 特許庁

The problems are resolved by a light emitting layer laminating process laminating a light emitting layer 4A like a buffer layer 2A or an organic fluorescent body layer 3A on a substrate 1 through an electrode, and a dry etching process obtaining a light emitting layer 4A' in a pattern shape by dry-etching the light emitting layer 4A through a mask 5A.例文帳に追加

基板１上に電極等を介し、バッファー層２Ａ、有機蛍光体層３Ａ等の発光層４Ａを積層する発光層積層工程、発光層４Ａをマスク５Ａを介しドライエッチングしてパターン状の発光層４Ａ’を得るドライエッチング工程とにより、課題を解決することができた。 - 特許庁

After a chamber plate 30 provided for a thin metal plate and a diaphragm 10 are bonded integrally with an etching stop layer, i.e., a thin protective film 20, the chamber plate 30 is patterned through a lithography process and an etching process thus forming a large number of chambers of uniform size and interval in the chamber plate 30.例文帳に追加

金属材の薄板に備えられるチャンバー板及び振動板をエッチング停止層である保護薄膜と一体に結合した後、チャンバー板をリソグラフィ工程とエッチング工程とによってパターニングして、チャンバー板には多数のチャンバーが均一の大きさと間隔に形成されるようにする。 - 特許庁

Further, by performing a simple wet etching process using a single wet station without another dry etching process for removing the oxide film in the cell region and a photosensitive film pattern, no bridging phenomenon between cells are induced, so that yield of a device is improved.例文帳に追加

さらに、セル領域の酸化膜及び感光膜パターンを除去するため別の乾式エッチング工程なく単一ウェットステーションを用いた簡単な湿式エッチング工程を行うことにより、セル間のブリッジング現象が誘発されないのでディバイスの収率向上に寄与することができる。 - 特許庁

In the same process as a process wherein the bit lines 6 is formed on a cell contact interlayer film 8 by etching, etching is so performed that the upper surface of the cell contact 9 which is not connected to the bit line 6 is made lower than the upper surface of the cell contact 9 connected to the bit line 6.例文帳に追加

そして、ビット線６をセルコンタクト層間膜８上にエッチングにより形成する工程と同一の工程において、ビット線６と接続しないセルコンタクト９の上面が、ビット線６と接続するセルコンタクト９の上面よりも低くなるようにエッチングする。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device 1 comprises a deposition process of sequentially depositing a first layer (barrier layer 25) formed of a nitride semiconductor and a second layer (cap layer 26) on a substrate 10, and a thermal etching process of heating and etching the second layer in a mixed atmosphere of nitrogen and hydrogen.例文帳に追加

半導体装置１の製造方法は、基板１０に窒化物半導体で形成された第１層（障壁層２５）および第２層（キャップ層２６）を順に堆積させる堆積工程と、窒素および水素の混合雰囲気中で加熱して第２層をエッチングする熱エッチング工程とを備える。 - 特許庁

To efficiently provide a transflective electrode substrate by simplifying a manufacturing process of the transflective electrode substrate by using etching liquids selective etching, and by making the process produce no waste of time by avoiding complicated repetitive works.例文帳に追加

選択的にエッチングできるエッチング液を用いて、半透過半反射型電極基板の製造工程を簡略化し、煩雑な繰り返し作業を回避することによって時間的なロスを発生しない工程とし、半透過半反射型電極基板を効率的に提供することである。 - 特許庁

This manufacturing method of the surface rugged structure comprises a process for forming grooves by irradiating the surface of a silicon substrate with a laser beam, and a process for forming the ruggedness on the silicon substrate by selectively etching the grooves by chemical etching.例文帳に追加

シリコン基板の表面にレーザー光を照射することで溝を形成する工程と、化学エッチングにより溝を選択的にエッチングすることでシリコン基板の表面に凹凸を形成する工程を含むことを特徴とする表面凹凸構造の作製方法により上記課題を解決する。 - 特許庁

To suppress entering of etching if a groove for breaking off a crystal vibrating reed is formed in a connecting part with an AT cut crystal plate, in a process for machining an outline of the crystal vibrating reed on the crystal plate through wet etching.例文帳に追加

ＡＴカット水晶板に水晶振動片の外形をウエットエッチングで加工する工程で、水晶振動片を折り取るための溝を水晶板との連結部に形成した場合にエッチングの入り込みを抑制する。 - 特許庁

Two-stage self-aligned contact etching process of different conditions for etching processes is performed, and a contact hole bottom is etched completely, by making the loss of the upper section of the insulating membrane spacer minimized.例文帳に追加

本発明は食刻工程の条件が異なる２つの段階の自己整合的なコンタクト食刻工程を行ない、絶縁膜スペーサ上部の損失を最少化させてコンタクトホール底部を完全に食刻した。 - 特許庁

For example, a wafer, which is subjected to a prescribed etching process in an etching chamber 1, is temporarily transferred to the orienter chamber A or B, or to the transportation buffer chamber 5 and the etched depth is measured by the film thickness measurement mechanism.例文帳に追加

例えばエッチング室１にて所定のエッチングプロセスを施されたウェハは、一旦オリエンタ室ＡまたはＢ、あるいは搬送バッファ室５に搬送され、膜厚測定機構によりエッチング深さが測定される。 - 特許庁

In the etching process, the etching amount y (μm) is controlled so as to satisfy y≥4 when the depth of the laser mark x (μm) is x≤60, and satisfy y≥0.001x^2-0.1186x+8.0643 when x>60.例文帳に追加

エッチング工程では、レーザマークの深さｘ（μｍ）がｘ≦６０のときｙ≧４を満たし、ｘ＞６０のときｙ≧０．００１ｘ^２−０．１１８６ｘ＋８．０６４３を満たすようにそのエッチング量ｙ（μｍ）が制御される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method and a plasma etching device capable of reducing dust in the case of trigger discharge in an etching process for generating a high frequency plasma (RF plasma) by using a trigger discharging system.例文帳に追加

トリガー放電方式を用いて高周波プラズマ（ＲＦプラズマ）を発生させるエッチング工程において、トリガー放電の際の発塵を低減し得る半導体装置の製造方法及びプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

In the inside of the chamber 1 of an etching apparatus, a first step of performing H2O plasma processing and following the first step, and a second step of performing Cl2 plasma processing, are executed after executing an Al dry etching process.例文帳に追加

プラズマエッチング装置のチャンバー内部１において、Ａｌドライエッチング工程を行った後、Ｈ_2Ｏプラズマ処理を行う第１工程と、第１工程に続いて、Ｃｌ_2プラズマ処理を行う第２工程とを実施する。 - 特許庁

To provide a print circuit board which can reduce process time and cost by using a first insulation layer as an etching resist instead of a dry film and not removing it after etching as well as the method of manufacturing the same.例文帳に追加

エッチングレジストとしてドライフィルムの代わりに第１絶縁層を使用し、エッチング後にも除去しないことにより、工程費用および工程時間が節減できるプリント基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An oxidized film 12, having openings 13 at places on which trenches 14 are to be formed, is formed by a patterning process as a hard mask for etching upon forming the trenches 14 on the surface of a silicon substrate 11 by etching.例文帳に追加

シリコン基板１１の表面にトレンチ１４をエッチングで形成する際のエッチング用ハードマスクとして、トレンチ１４を形成すべき箇所に開口１３を有する酸化膜１２をパターニング工程で形成する。 - 特許庁

To provide a substrate processing method capable of preventing deterioration in an etching selection ratio in etching treatment, and reducing roughness of a pattern edge in a substrate in which a wiring pattern of photoresist is formed in a photolithographic process.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程によりフォトレジストの配線パターン形成がなされる基板おいて、エッチング処理でのエッチング選択比の低下を抑制し、パターンエッジのラフネスを低減することのできる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

This method of etching applies a predetermined etching process to a substrate (10) having a first layer (13) formed of a resist film, and a second layer (12) formed underneath the first layer (13) and formed of an anisotropic material.例文帳に追加

レジスト膜よりなる第１の層（１３）と、第１の層（１３）の下層に形成され異方性部材よりなる第２の層（１２）とを有する基材（１０）に対して所定のエッチング処理を施すエッチング方法である。 - 特許庁

A hard mask pattern is formed on the protective film, and a first trench 225a is formed by etching one portion of the protective film and one portion of the insulation film by a first etching process with the hard mask pattern 224 as a mask.例文帳に追加

ハードマスクパターンを前記保護膜上に形成し、ハードマスクパターン２２４をマスクとした第１エッチング工程によって前記保護膜の一部および前記絶縁膜の一部をエッチングして第１トレンチ２２５ａを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer etching method and apparatus which can improve the uniformity of planarity of each semiconductor wafer within one batch, and control fluctuation in amount of etching process for the entire surface of each wafer, in order to enhance nanotopography.例文帳に追加

１バッチ内での各半導体ウェーハの平坦度の均一化が図れ、しかも各ウェーハの面全体のエッチング量のバラつきを抑え、ナノトポグラフィーが高まる半導体ウェーハのエッチング方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

Process window can be expanded dramatically by using these etching agents, and such processing as requiring a low side etching rate and a high aspect ratio can be accommodated without relying upon a special excitation operation of a substrate, or the like.例文帳に追加

これらのエッチング剤を用いることにより飛躍的にプロセスウインドウを広げることができ、特殊な基板の励起操作等なしにサイドエッチ率が小さく高アスペクト比が要求される加工にも対応できる。 - 特許庁

Accordingly, generation of wiring failure such as short-circuit of wire among the adjacent metal wires 6a can be controlled in the etching process to form the metal wires 6a with etching of the metal wiring layer 6.例文帳に追加

これにより、金属配線層６をエッチングして金属配線６ａを形成するエッチング工程において、隣接する金属配線６ａの配線ショートなどの配線不良が発生するのを抑えることができる。 - 特許庁

In the process of dry-etching the underside of the semiconductor wafer 1, the semiconductor wafer 1 is moved to the dry etching region, at least once by using the conveyor belt 22, while the semiconductor wafer 1 is being dry-etched.例文帳に追加

半導体ウェハ１の下面をドライエッチングする工程において、半導体ウェハ１をドライエッチングしている間に搬送ベルト２２を用いて半導体ウェハ１を少なくとも一回ドライエッチング領域内で移動させる。 - 特許庁

The end point of etching in a process for forming the grooves 10a and 10b is detected by stopping etching with specific count (count four) while counting the change in emission of each of the dielectric films 5-9.例文帳に追加

上記溝１０ａ，１０ｂを形成する工程においてエッチングの終点検出は、各誘電体膜５〜９の発光の変化をカウントして所定のカウント（４カウント）でエッチングを停止させることにより行う。 - 特許庁

The method of manufacturing the flattened object having at least a base material 1 has a near-field etching process for etching the treated surface using near-field light 4a, 4b, 4c.例文帳に追加

少なくとも基材１を有する平坦化物の製造方法であって、近接場光４ａ，４ｂ，４ｃを用いて被処理面をエッチングする近接場エッチング処理工程を有する平坦化物の製造方法とする。 - 特許庁

In this pattern forming method, materials to be etched are patterned by using a resist mask 3 as an etching mask in the manufacturing process of a semiconductor device, and then the volume of this resist mask is expanded by swelling or the like so that this resist mask can be changed into another etching mask 5.例文帳に追加

半導体装置の製造工程の中でレジストマスクをエッチングマスクに使用し被エッチング材料をパターニングした後、このレジストマスクを膨潤等により体積膨張させて別のエッチングマスクに変える。 - 特許庁

To provide a resist undercoat forming composition excellent in etching resistance and forming an undercoat pattern which hardly bends in a dry etching process and faithfully transfers a resist pattern to a workpiece substrate with good reproducibility.例文帳に追加

エッチング耐性に優れ、ドライエッチングプロセスにおいて、下層膜パターンが折れ曲がり難く、レジストパターンを忠実に再現性よく被加工基板に転写することが可能なレジスト下層膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

In this process, an alteration product D that exists on the surface of the second cap layer 6 functions as a mask and can cause etching of the second cap layer 6 to stop when a crystal face having a low etching rate is exposed.例文帳に追加

このとき、第２のキャップ層６の表面に存在する変質物Ｄがマスクとして機能し、エッチングレートの低い結晶面が露出したところで第２のキャップ層６のエッチングが止まってしまうことが生じ得る。 - 特許庁

To avoid over etching of the bottom of an upper layer wiring groove when a recessed part is formed on a surface of lower layer wiring through a connecting plug hole by etching, in manufacturing a wiring structure by a dual damascene process.例文帳に追加

デュアルダマシン法による配線構造の製造において、接続プラグ用のホールを通じて下層配線の表面に凹部をエッチング形成するとき、上層配線用の溝の底部が過剰エッチングされないようにする。 - 特許庁

Then, a covered layer 18A which is formed of an inorganic material other than metal and has a lower etching speed than that of the metal layer in a subsequently performed second etching process is formed so as to cover the metal layer and the polishing stop layer.例文帳に追加

次に、金属層と研磨停止層とを覆うように、後に行われる第２のエッチング工程におけるエッチング速度が金属層よりも小さい、金属以外の無機材料よりなる被覆層１８Ａを形成する。 - 特許庁

This dry etching method is designed to cause a mass spectrometer to detect AlFx, which is a reaction product, one minute after the start of a dry etching process of an Al2O3 film, the processing of which comes after an SiO2 film has been completely dry-etched.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 膜がドライエッチングにより完全に堀り抜かれ、Ａ１_2Ｏ_3 膜のドライエッチングが開始されて１分が経過した後に、質量分析計において反応生成物であるＡ１Ｆｘが検出される。 - 特許庁

To provide the contact formation method of a semiconductor device that two-stage self-aligned contact etching process of different conditions of etching processes is performed, to form a contact hole having stable characteristics.例文帳に追加

食刻工程の条件が異なる２つの段階の自己整合的なコンタクト食刻工程を行ない、安定的な特性を有するコンタクトホールを形成する半導体素子のコンタクト形成方法を提供する。 - 特許庁

In the second etching process, after measuring the intensities of the light component having the selected wavelength among the wavelengths of the lights emitted from the activated species present in the processing chamber, the etching is stopped, based on a change of the intensity of the light component.例文帳に追加

第２エッチング工程では、処理室内に存在する活性種から生じた光のうち、選択された波長を有する光成分の強度を測定し、その強度の変化に基づいてエッチングを停止する。 - 特許庁

A first etching process step of etching the antireflection film 11 by using the resist patterns 13 so as to allow the antireflection film 11 to remain thinly on the wiring material film 10 is carried out within a first chamber.例文帳に追加

次いで、第１チャンバ内において、配線材料膜１０上に反射防止膜１１を薄く残すようにレジストパターン１３をマスクに用いて反射防止膜１１をエッチングする第１エッチング工程を行う。 - 特許庁